Claims (10)
감광성 기판을 노광하기 위한 노광방법에 있어서, 상기 노광방법은, 동일한 패턴으로 노광될 최소 노광 면적유니트로써 각각 한정되는 상기 기판상의 결합된 N쇼트영역(여기서, N은 2와 동일하거나 또는 큰 정수이다)의 한 필드와 동일한 크기의 상대적으로 큰 노광필드를 가진 제1노광장치를 사용함으로써 노광을 수행하는 단계; 및 제1마스크 패턴의 상이 전달되는 상기 감광성 기판상의 각각의 상기 쇼트영역의 한 필드와 동일한 크기의 상대적으로 작은 노광필드를 가진 제2노광장치를 사용함으로써 노광을 수행하는 단계를 포함하며, 상기 상대적으로 큰 노광필드에 대응하는 상기 감광성 기판상의 상기 N쇼트영역의 한 그룹은 제1마스크 패턴의 상으로 노광되기 위해서 상대적으로 큰 단일 노광 면적유니트로써 처리되며, 상기 제1마스크 패턴의 상기 상으로 노광할 때 상대적으로 작은 단일 노광 면적유니트로써 처리된 상기 N쇼트영역의 상기 그룹에 대한 각각의 쇼트영역은 제2마스크 패턴의 상으로 노광되며, 상기 N쇼트영역의 상기 그룹으로부터 선택된 하나의 쇼트영역에 연관된 정렬 마스크를 사용함으로서 상기 감광성 기판 및 상기 제2마스크 패턴사이에 정렬이 확립되는 것을 특징으로 하는 감광성 기판을 노광하기 위한 방법.In an exposure method for exposing a photosensitive substrate, the exposure method is a combined N-short region on the substrate, each defined as a minimum exposure area unit to be exposed in the same pattern, where N is an integer equal to or greater than two. Performing exposure by using a first exposure apparatus having a relatively large exposure field of the same size as one field of; And performing exposure by using a second exposure apparatus having a relatively small exposure field of the same size as one field of each of the shot regions on the photosensitive substrate to which the image of the first mask pattern is transferred, wherein the relative A group of N-short regions on the photosensitive substrate corresponding to a large exposure field is treated as a relatively large single exposure area unit to be exposed onto the first mask pattern, and is exposed to the image of the first mask pattern. Each shot region for the group of N shot regions treated as a relatively small single exposure area unit is exposed onto the second mask pattern, and in one shot region selected from the group of N shot regions. By using an associated alignment mask an alignment is established between the photosensitive substrate and the second mask pattern. A method for exposing a photosensitive substrate.
감광성 기판을 노광하기 위한 노광방법에 있어서, 상기 노광방법은, 동일한 패턴으로 노광될 최소 노광 면적유니트로써 각각 한정되는 상기 기판상의 쇼트영역의 한 필드와 동일한 크기의 상대적으로 작은 노광필드를 가진 제2노광장치를 사용함으로써 노광을 수행하는 단계; 및 결합된 상기 N쇼트영역(N은 2와 동일하거나 또는 큰 정수이다)의 한 필드와 동일한 크기의 상대적으로 큰 노광필드를 가진 제1노광장치를 사용함으로써 노광을 수행하는 단계를 포함하며, 상기 상대적으로 작은 노광필드에 대응하는 상기 감광성 기판상의 각각의 상기 쇼트영역은 제2마스크 패턴의 상으로 노광되기 위해 상대적으로 작은 단일 노광 면적유니트로써 처리되며, 상기 상대적으로 큰 노광필드에 대응하는 상기 감광성 기판상의 상기 N쇼트영역의 그룹은 제1마스크 패턴의 상으로 노광되기 위해서 상대적으로 큰 단일 노광 면적유니트로써 처리되며, 상기 감광성 기판 및 상기 N쇼트영역의 상기 그룹에서 정렬 마크의 N세트로부터 선택된 정렬 마크의 위치에 기초한 상기 제1마스크 패턴 사이에 정렬이 확립되는 것을 특징으로 하는 감광성 기판을 노광하기 위한 방법.An exposure method for exposing a photosensitive substrate, the exposure method comprising: a second having a relatively small exposure field of the same size as one field of the shot region on the substrate, each defined by a minimum exposure area unit to be exposed in the same pattern; Performing exposure by using an exposure apparatus; And performing exposure by using a first exposure apparatus having a relatively large exposure field of the same size as one field of the combined N-short region (N is an integer equal to or greater than 2). Each of the shot regions on the photosensitive substrate corresponding to the relatively small exposure field is treated as a relatively small single exposure area unit to be exposed onto the second mask pattern, and the photosensitive corresponding to the relatively large exposure field. The group of N-short regions on the substrate is treated with a relatively large single exposure area unit to be exposed onto the first mask pattern, the alignment selected from the N photosensitive substrate and the N sets of alignment marks in the group of N-short regions. Photosensitive, characterized in that alignment is established between the first mask pattern based on the position of the mark A method for exposing a plate.
제2항에 있어서, 상기 제1마스크 패턴의 상기 상으로 상기 감광성 기판을 노광하기 위해서 상기 제1노광장치를 사용함으로써 노광을 수행하는 상기 단계는, 단일 노광 면적유니트로써 처리된 N쇼트영역의 상기 그룹에서 정렬마크의 상기 N세트로부터 선택되는 정렬 마크의 위치에 기초하여 오프셋, 주사인자, 회전 및 직사각형으로 이루어진 파라미터 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 파라미터에 의해 나타나는 상기 감광성 기판 및 상기 제1마스크 패턴사이의 정렬 에러의 다수의 형재중의 하나를 보정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 기판을 노광하기 위한 방법.3. The method of claim 2, wherein performing the exposure by using the first exposure apparatus to expose the photosensitive substrate onto the image of the first mask pattern comprises: the N-short region treated as a single exposure area unit; Between the photosensitive substrate and the first mask pattern represented by at least one parameter selected from the group of parameters consisting of offset, scan factor, rotation and rectangle based on the position of the alignment mark selected from the N set of alignment marks in the group Correcting one of the plurality of shapes of alignment error.
상기 N쇼트영역(N은 2와 동일하거나 또는 큰 정수)의 그룹이 동시에 노광하기 위해서 단일 노광 면적유니트로써 처리되도록 감광성 기판상의 다수의 쇼트영역을 노광하기 위한 노광방법에 있어서, 상기 노광방법은, 상기 감광성 기판상의 상기 다수의 쇼트영역에서 위치정보를 구하는 단계; 상기 위치정보에 기초하여 상기 감광성 기판상의 제1노광 면적유니트에서 상기 N쇼트영역으로부터 선택된 하나의 쇼트영역 및 마스크 패턴사이에 정렬을 확립하는 단계; 및 상기 정렬이 확립된 다음, 상기 마스크 패턴이 상기 제1노광 면적유니트에서 상기 모든 N쇼트영역에 동시에 전달되도록, 상기 제1노광 면적유니트에서 모든 상기 N쇼트영역의 노광을 동시에 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 기판을 노광하기 위한 방법.An exposure method for exposing a plurality of shot regions on a photosensitive substrate such that the group of N shot regions (N is an integer greater than or equal to 2) is treated as a single exposure area unit for simultaneously exposing. Obtaining position information in the plurality of shot regions on the photosensitive substrate; Establishing an alignment between one shot region and a mask pattern selected from the N shot regions in a first exposure area unit on the photosensitive substrate based on the position information; And simultaneously exposing all of the N-shot areas in the first exposure area unit so that the mask pattern is simultaneously transferred from the first exposure area unit to all the N-shot areas after the alignment is established. A method for exposing a photosensitive substrate.
제4항에 있어서, 상기 하나의 쇼트영역 및 상기 마스크 패턴사이에 정렬을 확립하는 상기 단계는 오프셋, 주사인자, 회전 및 직사각형으로 이루어진 파라미터 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 파라미터에 의해 나타난 정렬 에러를 보정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 기판을 노광하기 위한 방법.5. The method of claim 4, wherein establishing an alignment between the one short region and the mask pattern corrects an alignment error represented by at least one parameter selected from a group of parameters consisting of offset, scan factor, rotation, and rectangle. And exposing the photosensitive substrate.
제1노광장치를 사용함으로서 감광성 기판상에 제1패턴을 전달하는 단계; 및 상기 제1노광장치보다 고해상도를 가진 제2노광장치를 사용함으로써 상기 제1패턴상에 중첩되기 위해서 상기 감광성 기판상에 상기 제1패턴보다 고해상도를 필요로하는 제2패턴을 전달하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 기판을 노광하기 위한 방법.Transferring the first pattern onto the photosensitive substrate by using the first exposure apparatus; And transferring a second pattern requiring a higher resolution than the first pattern on the photosensitive substrate to be overlaid on the first pattern by using a second exposure apparatus having a higher resolution than the first exposure apparatus. A method for exposing a photosensitive substrate.
제6항에 있어서, 상기 제1패턴은 상기 감광성 기판상에 전달될 때 상기 제2패턴보다 큰 라인폭을 가지는 것을 특징으로 하는 감광성 기판을 노광하기 위한 방법.The method of claim 6, wherein the first pattern has a larger line width than the second pattern when transferred onto the photosensitive substrate.
제6항에 있어서, 적어도 하나의 상기 제1 및 제2노광장치는 마스크 및 감광성 기판이 상기 마스크에서 상기 감광성 기판으로 패턴을 전달하기 위해서 서로 동기적으로 이동되는 주사형 노광장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 기판을 노광하기 위한 방법.7. The apparatus of claim 6, wherein at least one of the first and second exposure apparatuses comprises a scanning exposure apparatus in which a mask and a photosensitive substrate are moved in synchronization with each other to transfer a pattern from the mask to the photosensitive substrate. A method for exposing a photosensitive substrate.
제6항에 있어서, 상기 감광성 기판은 동일한 패턴으로 노광될 m쇼트영역을 포함하며, 상기 제1노광장치가 n 제1패턴을 가진 제1마스크를 사용함으로써 상기 감광성 기판상의 m쇼트영역을 노광하여, n쇼트영역의 한 그룹은 각각의 m쇼트영역(여기서 m은 n보다 크다) 상에 상기 제1패턴을 전달하기 위해서 상기 제1패턴의 상으로 동시에 노광되며, 상기 제2노광장치는 상기 제2패턴을 가진 제2마스크를 사용함으로써 상기 감광성 기판상의 m쇼트영역을 노광하여, 상기 쇼트영역중의 하나만이 상기 제2패턴을 각각의 m쇼트영역상에 전달하기 위해 상기 제2패턴의 상으로 동시에 노광되는 것을 특징으로 하는 감광성 기판을 노광하기 위한 방법.The photosensitive substrate of claim 6, wherein the photosensitive substrate includes an m shot region to be exposed in the same pattern, and the first exposure apparatus exposes the m shot region on the photosensitive substrate by using a first mask having an n first pattern. and a group of n short regions is simultaneously exposed onto the first pattern to transfer the first pattern onto each m short region, where m is greater than n. By using a second mask having two patterns, an m-short region on the photosensitive substrate is exposed, so that only one of the short regions is onto the second pattern to transfer the second pattern onto each m-short region. Simultaneously exposing the photosensitive substrate.
제9항에 있어서, 상기 제1노광장치는 상기 제1패턴을 전달하기 위한 상기 감광성 기판상의 상기 m쇼트영역에서 위치정보를 발생시키기 위해 제1발생기 시스템을 가지며, 상기 제2노광장치는 상기 제2패턴을 전달하기 위한 상기 감광성 기판상의 상기 m쇼트영역에 위치정보를 발생시키기 위해 제2발생기 시스템을 가지며, 상기 제1 및 제2발생기 시스템은 발생된 위치정보를 서로에 공급하기 위해 동작할 수 있는 것을 특징으로 하는 감광성 기판을 노광하기 위한 방법.10. The apparatus of claim 9, wherein the first exposure apparatus has a first generator system for generating position information in the m-short region on the photosensitive substrate for transferring the first pattern, wherein the second exposure apparatus comprises: the first exposure apparatus; And having a second generator system for generating position information in the m-short region on the photosensitive substrate for transferring two patterns, the first and second generator systems being operable to supply the generated position information to each other. A method for exposing a photosensitive substrate.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.