KR960016069B1 - Silicon nitride base sintered body - Google Patents

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Abstract

내용없음No content

Description

질화규소에 기초한 소결체Sintered Body Based on Silicon Nitride

제1도는 표면부의 Si 감소율과 내마모성의 관계를 나타내는 그래프.1 is a graph showing the relationship between the Si reduction rate of the surface portion and the wear resistance.

제2도는 방법 1에 사용된 피절삭재 형상 등을 나타내는 설명 단면도.2 is an explanatory cross-sectional view showing the shape of the workpiece to be used in Method 1. FIG.

제3도는 방법 2에 사용된 피절삭재 형상 등을 나타내는 설명 단면도.3 is an explanatory cross-sectional view showing the shape of the workpiece to be used in the method 2. FIG.

제4도는 방법 3에 사용된 피절삭재 형상 등을 나타내는 일부 단면도.4 is a partial cross-sectional view showing the shape of the workpiece to be used in the method 3. FIG.

제5도는 분위기 가스압 및 온도와 Si2N4의 상태도이다.5 is a state diagram of atmospheric gas pressure and temperature and Si 2 N 4 .

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 피절삭재2 : 질화규소에 기초한 소결체 팁1: Insulation material 2: Silicon nitride-based sintered body tip

3 : 호울더3: holder

본 발명은, 질화규소에 기초한 소결체에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 인성(Toughness) 등의 본질적인 특성을 저하시키지 않고 내마모성을 향상시킨 질화규소에 기초한 소결체에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sintered compact based on silicon nitride, and more particularly to a sintered compact based on silicon nitride having improved abrasion resistance without degrading essential properties such as toughness.

본 발명은, 절삭공구, 내마모부품 및 섭동(

Figure kpo00001
動)부품 등에 이용될 수 있다.The present invention is a cutting tool, wear-resistant parts and perturbation (
Figure kpo00001
It can be used for parts and the like.

종래의 질화규소 소결체로서는, 내마모성을 향상시키기 위하여, 표면에 고경도의 또는 내마모성이 우수한 세라믹 재료를 피복시킨 것이 알려져 있다(일본국 특공소 63-1278호 공보 참조)./As a conventional silicon nitride sintered body, in order to improve abrasion resistance, it is known to coat a ceramic material of high hardness or excellent abrasion resistance (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-1278).

또한, 다른 질화규소 소결체에 있어서는 모재(母材)의 개량으로서, 고경도의 α-질화규소입자를 강인성의 β-질화규소입자중에 분산시킨 것도 알려져 있다(일본국 특개소 58-185484호 공보 참조).In another silicon nitride sintered body, it is also known to disperse high hardness α-silicon nitride particles in tough β-silicon nitride particles as an improvement of the base material (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-185484).

그러나, 상기한 전자의 소결체에 있어서는, 피복되는 세라믹재와 질화규소 모재와의 열팽창 또는 화학적 친화성이 상이하다고 하는 문제로 인해, 충분한 접착강도가 얻어지기 힘들고, 더우기 비용이 상당히 소요되어 경제성에도 문제가 있어, 거의 실용화되어 있지 않다.However, in the former sintered body, due to the problem that the thermal expansion or chemical affinity between the coated ceramic material and the silicon nitride base material is different, sufficient adhesive strength is difficult to be obtained, furthermore, the cost is considerably high, and the economical problem also occurs. It is hardly put into practical use.

또한, 상기한 후자의 소결체는, 양상(兩相)을 전체적으로 균일하게 포함하기 때문에, 그 비율에 따라 성능이 변화하게 되어, 그의 각각의 성능을 충분히 발휘할 수 없다.In addition, since the latter sintered compact contains the phase uniformly as a whole, the performance changes depending on the ratio, and the respective performances thereof cannot be sufficiently exhibited.

즉, 한쪽의 성능을 충분히 높이고자 하면 다른쪽의 성능을 희생하여야만 하기 때문에, 밸런스를 취해 그의 중간 성능을 나타내는 데에 지나지 않는다.In other words, if one of the performances is sufficiently high, the performance of the other must be sacrificed. Therefore, only the balance and the intermediate performance are shown.

본 발명은, 상기한 관점을 감안하여 이루어진 것으로서, 표면을 개량하여 내마모성이 우수한 표면부를 형성시켜, 표면부 및 내부의 재질특성을 충분히 발휘시킨, 종래와는 다른, 우수한 질화규소에 기초한 소결체를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described aspects, and provides an excellent silicon nitride-based sintered body, which is different from the conventional one, in which a surface portion is improved to form a surface portion excellent in wear resistance and exhibits sufficient surface portion and material properties therein. For the purpose of

본 발명자는, 질화규소의 내마모성이 나쁜 원인에 대하여 여러가지 검토한 결과, 아래와 같은 사실을 알아내어 본 발명을 완성하였다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of investigating the cause which abrasion resistance of silicon nitride is bad, the present inventors discovered the following fact and completed this invention.

즉, 피절삭재 또는 상대방 재료의 거의 대부분은 철계통의 합금인 경우가 많고, 이에 대하여 질화규소의 주요 구성원소인 Si는 화학적 친화성이 높기 때문에, 내마모성이 나쁘다는 것을 알아내었다.That is, it has been found that almost all of the material to be cut or the counterpart material is an alloy of an iron system, whereas Si, which is a major member of silicon nitride, has a high chemical affinity, and thus has poor wear resistance.

그런데, 질화규소의 소결은, 종래로부터 질화규소의 분해휘발을 방지하려는 노력이 행해지고 있었다.By the way, in the sintering of silicon nitride, efforts to prevent decomposition volatilization of silicon nitride have been made conventionally.

본 발명은, 역으로 이러한 분해휘발을 이용하여, 표면부의 질화규소 성분의 Si 함유량의 내부에 대한 감소율을 20중량%(이하, 단순히 "%"로 표시한다) 이상으로 한 질화규소에 기초한 소결체가, 인성 등을 저하시키지 않고 내마모성을 향상시킬 수 있다는 사실을 알아내게 되었다.In the present invention, on the contrary, using such decomposition volatilization, a sintered body based on silicon nitride having a reduction ratio with respect to the inside of the Si content of the silicon nitride component at the surface portion of not less than 20% by weight (hereinafter simply referred to as "%") is tough. It has been found that wear resistance can be improved without lowering the back.

본 발명의 질화규소에 기초한 소결체는, 상기한 바와 같이, 표면부와 내부에서는, 이를 구성하는 Si 함유량이 상이하다는 것을 특징으로 한다.The sintered compact based on the silicon nitride of this invention is characterized by the fact that Si content which comprises this differs in a surface part and inside.

여기에서, 표면부의 이러한 Si 감소율은, 특히 청구의 범위란에도 기술한 바와 같은 하기식에 의해 산출된다.Here, such a Si reduction rate of a surface part is computed by the following formula especially as described also in a claim column.

Figure kpo00002
Figure kpo00002

이 감소율을 20%로 하는 것은, 20% 미만인 경우에는 그 효과가 충분치 못하고, 그 이상인 경우에는 인성등이 우수하다고 하는 내부의 특성을 저하시키지 않고 내마모성을 향상시킬 수 있기 때문이다.This reduction rate is set to 20% because the effect is not sufficient when it is less than 20%, and when it is more than that, the wear resistance can be improved without deteriorating the internal characteristics of excellent toughness.

더우기, 이 감소율은 50% 이상이 바람직하다.Moreover, this reduction rate is preferably 50% or more.

이 경우에는 내마모성이 더욱 향상되기 때문이다.This is because wear resistance is further improved in this case.

또한, 표면부의 Si 함유량이 거의 없어지더라도 무방하고, 이 경우에는 내마모성이 더 한층 향상되지만, 면조도(面粗度)가 저하하기 때문에, 취약한 화합물이 생성되지 않는 범위로 하는 것이 바람직하다.Moreover, even if the Si content of a surface part disappears substantially, in this case, although abrasion resistance further improves, since surface roughness falls, it is preferable to set it as the range which a weak compound does not produce.

즉, Si 감소율은 25-61%가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 50-60% 범위이다.That is, the Si reduction rate is preferably 25-61%, more preferably in the range 50-60%.

본 발명의 질화규소에 기초한 소결체는 통상, 질화규소를 주체로 하는 것이지만, 이것에만 한정되지는 않고 Si-Al-O-N(사이알론)이라도 무방하다.The sintered compact based on the silicon nitride of the present invention is mainly composed of silicon nitride, but is not limited thereto, and may be Si-Al-O-N (sialon).

이러한 질화규소 또는 Si-Al-O-N으로서도, α-, β형을 불문하고, 목적, 용도에 따라 선택할 수 있고, 또한 이러한 질화규소 및 Si-Al-O-N의 혼합, 또는 α-, β형의 혼합이라도 무방하다.Such silicon nitride or Si-Al-ON can be selected depending on the purpose and use regardless of the α- and β types, and may be a mixture of such silicon nitride and Si-Al-ON or a mixture of α- and β types. Do.

질화규소 등 이외의 성분으로서는 입계상 구성성분(粒界相 構成成分, Boundary phase forming Componants) 또는 입계상 이외의 제3성분으로도 알 수 있다.As components other than silicon nitride and the like, it is also known as boundary phase forming components (Boundary phase forming componants) or third components other than the grain boundary phase.

입계상 구성성분은, 유리상(Glass相)만이라도 좋고, 유리상 이외에 여러가지의 결정상을 포함하더라도 좋다.The grain boundary phase component may be only a glass phase or may include various crystal phases in addition to the glass phase.

제3성분으로서는, 예를들어 내마모성, 인성향상에 유효한 성분으로 할 수 있다.As a 3rd component, it can be made a component which is effective in abrasion resistance and toughness improvement, for example.

이러한 것으로서는, 예를들어 주기율표 제IVa, Va, VIa족의 천이금속의 탄화물, 질화물 및 산화물과 이들의 2종 이상의 고용체(固溶體)중의 1종 또는 2종 이상 등을 사용할 수 있다.As such, for example, carbides, nitrides and oxides of transition metals of group IVa, Va, and VIa of the periodic table, and one or two or more of two or more solid solutions thereof can be used.

더우기, 이 화합물은 소결체의 인성을 저하시키지 않으므로, 30중량% 이하가 바람직하다.Moreover, since this compound does not reduce the toughness of a sintered compact, 30 weight% or less is preferable.

내부란, 표면부를 제외한 부분으로서, 본 발명의 질화규소에 기초한 소결체의 주요부가 되는 것으로서, 본 소결체의 본질적인 특성을 나타내는 부분이다.Inside is a part except the surface part, and becomes a main part of the sintered compact based on the silicon nitride of this invention, and is a part which shows the essential characteristic of this sintered compact.

이 내부는, Si3N4가 분해 휘발제거(이하 "기화"라 칭함)되지 않기 때문에, 상기한 질화규소 등 및 입계상 구성성분, 또는 상기한 제3성분이 그대로 구성된다.In this interior, since Si 3 N 4 is not decomposed and volatilized (hereinafter referred to as "vaporization"), the above-mentioned silicon nitride and the grain boundary component, or the above-mentioned third component, are configured as it is.

표면부는, Si3N4가 기화되어 Si 함유량이 감소한 것으로, Si3N4이외의 성분이 잔존하여, 그 성분의 상대적인 함유량이 향상된 부분이다.The surface portion is a portion in which Si 3 N 4 is vaporized to decrease Si content, and components other than Si 3 N 4 remain, and the relative content of the component is improved.

표면부의 두께는, 목적, 용도 및 제조방법 등에 따라 달라지지만, 통상 수 ㎛-0.1mm 정도이다.Although the thickness of a surface part changes with an objective, a use, a manufacturing method, etc., it is about several micrometers-0.1 mm normally.

또한, 본 발명의 소결체에 있어서는, 표면부와 내부의 경계에 있어 상기한 조성비가 급격히 바뀌지 않는 경우, 즉 연속적으로 바뀌는 경우도 포함하여, 이와 같이 적어도 소정의 조성비를 갖는 표면부와, 소정의 조성비를 갖는 내부와를 갖는 것이라면 좋다.Moreover, in the sintered compact of this invention, when the above-mentioned composition ratio does not change suddenly in the boundary between a surface part and an inside, ie, it changes continuously, the surface part which has at least predetermined composition ratio in this way, and predetermined composition ratio It is good to have an internal vortex with.

본 소결체는, 표면의 Si3N4성분을 기화시킨 구운표면(燒肌)으로 통상 사용되기 때문에, 기화에 따른 면조도의 악화에는 주의할 필요가 있다.Since this sintered compact is normally used as the baked surface which vaporized the Si 3 N 4 component of the surface, it is necessary to be careful about the deterioration of the surface roughness by vaporization.

따라서, 이 면조도는 12.5S(JIS B 0601)이하로 하는 것이 바람직하다.Therefore, this surface roughness is preferably 12.5 S (JIS B 0601) or less.

특히, 면조도를 중시하는 용도에 사용되는 경우에는, 입계상 구성성분이 잔류하여 표면을 덮고 있게 하는 것이 바람직하다.In particular, when used for applications in which surface roughness is important, it is desirable to allow grain boundary components to remain and cover the surface.

본 소결체는, 통상, 일반적인 상압소결에 의해 제조되지만, 가스압 소결법 또는 열간 정수압 소결법(HIP법, Heat Isostatic Pressing Method)에 의해서도 제조할 수 있다.Although this sintered compact is normally manufactured by normal atmospheric pressure sintering, it can also manufacture also by a gas pressure sintering method or a hot hydrostatic sintering method (HIP method, Heat Isostatic Pressing Method).

소성 분위기는, 기본적으로는 질소를 함유한 분위기에서 행할 필요가 있고, 압력은 질화규소가 적당량 기화하는 조건이라면 좋고, 감압에서부터 수천 기압까지 폭 넓게 변화시킬 수 있다.The firing atmosphere basically needs to be carried out in an atmosphere containing nitrogen, and the pressure may be a condition in which silicon nitride vaporizes in an appropriate amount, and can be varied widely from reduced pressure to thousands of atmospheres.

소결온도는 통상, 1550-1800℃의 범위를 사용하나, 바람직하게는 1600-1750℃이다.The sintering temperature is usually in the range of 1550-1800 ° C, but preferably 1600-1750 ° C.

본 소결체의 제조방법은, 예를들어, 우선 질화규소분말, 소정의 소결 보조제 등을 소정의 조성으로 배합하고, 혼합 분쇄한다.In the manufacturing method of this sintered compact, a silicon nitride powder, a predetermined | prescribed sintering aid, etc. are mix | blended with a predetermined composition, for example, first, and it grind | mixes and grinds.

소결 보조체로서는, 질화규소의 상압소결(가스압 소결, HIP 소결도 포함한다)용의 보조제라면 무방하고, 바람직하게는 Si 원소를 함유하지 않는 것이 좋다.The sintering aid may be any auxiliary agent for normal pressure sintering of silicon nitride (including gas pressure sintering and HIP sintering), and preferably, no Si element is contained.

이러한 것으로서는, 예를들어 Al2O3, Y2O3, AIN, MgO, CaO, AlON, YN 또는 회토류 산화물 등을 들 수 있다.As such, for example there may be mentioned Al 2 O 3, Y 2 O 3, AIN, MgO, CaO, AlON, YN or once-earth oxide.

이들 원재료는, 필요한 형상으로 가압 성형되어 소결된다.These raw materials are press-molded into a required shape and sintered.

이 소결시에 있어, 표면의 Si3N4를 기화시키는 방법으로는 예를들어, 질소분압 Si 분압을 낮추거나, 환원분위기를 사용하거나 하는 방법을 들 수 있다.In during the sintering, a method of vaporizing the Si 3 N 4 on the surface is, for example, the lower the nitrogen partial pressure or partial pressure of Si, there may be mentioned a method of or using a reducing atmosphere.

통상, 원재료의 조성은 다음과 같이 할 수 있다.Usually, the composition of a raw material can be as follows.

Si3N4: 50-95중량%, 바람직하게는 60-90중량%, 더욱 바람직하게는 64-86중량%;Si 3 N 4 : 50-95% by weight, preferably 60-90% by weight, more preferably 64-86% by weight;

소결보조제 : 5-30중량, 바람직하게는 7-20중량%, 더욱 바람직하게는 10-20중량%;Sintering aid: 5-30% by weight, preferably 7-20% by weight, more preferably 10-20% by weight;

제3성분 : 30중량% 이하, 바람직하게는 25중량% 이하.Third component: 30% by weight or less, preferably 25% by weight or less.

(단, 상기한 소결보조제는, Al2O3, AIN, Y2O3, MgO, CaO, AlON, YN, 회토류 산화물이고, 제 3성분은, 주기율표 IVa(Ti, Zr, Hf), Va(V, Nb, Ta) 또는 VIa(Cr, Mo, W)족의 산화물, 탄화물 또는 질화물 등의 화합물이다.(The above sintering aids are Al 2 O 3 , AIN, Y 2 O 3 , MgO, CaO, AlON, YN, rare earth oxide, and the third component is periodic table IVa (Ti, Zr, Hf), Va Compounds such as oxides, carbides, or nitrides of group (V, Nb, Ta) or group VIa (Cr, Mo, W).

이들 원재료(혼합물)의 평균입자 크기는 5㎛ 이하가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 2㎛이하이다.The average particle size of these raw materials (mixtures) is preferably 5 µm or less, more preferably 2 µm or less.

소결체의 제조방법을 요약하면 다음과 같다.The manufacturing method of the sintered compact is summarized as follows.

(a) 혼합공정을 포함한(통상 분쇄공정과 동시에 이루어짐), 소정의 정성된 성분의 원재료의 준비공정,(a) preparation of raw materials of predetermined qualitative components, including mixing (usually at the same time as grinding);

(b) 소정의 형상으로 성형하는 공정,(b) forming into a predetermined shape;

(c) 소결체의 표면상에 있는 Si3N4가 기화되어, Si 함유량이 감소된 표면부가 형성되게 하는 조건하에서, 상기한 성형물을 소정온도로 소결하는 공정으로 이루어진다.(c) The above-mentioned molding is sintered at a predetermined temperature under conditions such that Si 3 N 4 on the surface of the sintered body is vaporized to form a surface portion with reduced Si content.

소성은, 성형물이 소결되기에 충분한 시간동안 행하여지며, 바람직하게는 0.5-5시간 더욱 바람직하게는 1-3시간 동안 행한다.Firing is carried out for a time sufficient to sinter the molded article, preferably 0.5-5 hours, more preferably 1-3 hours.

소성 조건은, 질소 및/또는 규소의 환원된 분압, 또는 CO2및/또는 Co를 함유하는 환원 분위기(특히, 환원 분압에 더하여 행함)와 같은 소결을 위한 특정한 분위기에 의해 설정된다.The firing conditions are set by a specific atmosphere for sintering, such as a reduced partial pressure of nitrogen and / or silicon, or a reducing atmosphere containing CO 2 and / or Co (particularly in addition to the reduced partial pressure).

통상적으로 소성조건은 조성과 소성온도에 따라 변화한다.Typically, firing conditions vary with composition and firing temperature.

즉, 분위기는, 예를들어 제5도에 나타낸 바와 같은 온도에 비례하여 소성성분에 적합하다고 인정되는 압력보다 약간 낮은 N2및/또는 Si의 분압으로 설정된다.That is, the atmosphere is set to a partial pressure of N 2 and / or Si which is slightly lower than the pressure deemed to be suitable for the plastic component in proportion to the temperature as shown in FIG. 5, for example.

이와 같은 방법으로, 적당량의 Si 및 N이, 면조도를 해치지 않는 정도로, 표면부에서 분해 휘발하게 된다.In such a manner, the appropriate amounts of Si and N decompose and volatilize at the surface portion to such an extent that the surface roughness is not compromised.

이와 같이하여 얻어진 소결체의 표면부는, Si 및/또는 N이 고용체로 함유되어 있는 소결 보조제 및/또는 이들의 반응 화합물(또는 제3성분을 포함)로 주로 이루어지게 된다.The surface part of the sintered compact obtained in this way consists mainly of the sintering adjuvant which contains Si and / or N in solid solution, and / or these reaction compounds (or including a 3rd component).

표면부내의 Si3N4및/또는 Si-Al-O-N의 양은 내부에 비해 비교적 적은 양이다(바람직하게는 20용적% 이상 100용적%의 범위).The amount of Si 3 N 4 and / or Si-Al-ON in the surface portion is relatively small compared to the inside (preferably in the range of 20% by volume to 100% by volume).

Si 및 N의 기화를 통하여, 표면부에 잔류하는 입계상 및 제3성분은 내부에 비하여 증가하게 되고, 그로 인해 밀도 및 경도에 변화를 가져오게 된다(경도가 향상됨).Through vaporization of Si and N, the grain boundary phase and the third component remaining in the surface portion are increased compared with the inside, thereby resulting in a change in density and hardness (hardness is improved).

[실시예]EXAMPLE

이하, 실시예에 의하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.

우선, 원료분말로서, 평균입자 직경이 0.6㎛인 Si3N4(α화율 90용적% 이상) 분말과,First, as raw material powder, Si 3 N 4 (α volatilization rate 90% or more) powder having an average particle diameter of 0.6 mu m,

평균입자 직경이 0.5㎛인 Al2O3또는 MgO,Al 2 O 3 or MgO, with an average particle diameter of 0.5 μm,

평균입자 직경이 1.3㎛인 AIN 분말,AIN powder having an average particle diameter of 1.3 μm,

평균입자 직경이 1.2㎛인 Y2O3분말,Y 2 O 3 powder having an average particle diameter of 1.2 μm,

평균입자 직경이 0.4㎛인 ZrO2분말,ZrO 2 powder having an average particle diameter of 0.4 μm,

평균입자 직경이 1.2㎛인 TiN 분말,TiN powder having an average particle diameter of 1.2 μm,

평균입자 직경이 1.7㎛인 HfN 분말,HfN powder having an average particle diameter of 1.7 μm,

평균입자 직경이 2.0㎛인 WC 분말WC powder with an average particle diameter of 2.0 µm

을 각각 하기표에 나타낸 바와 같은 배합조성으로 배합하고, 습식 보올 밀(Ball Mill)로 48시간 혼합한 후에, 성형 보조제를 첨가하고 건조시켰다.Each was formulated in a formulation as shown in the following table, and mixed with a wet ball mill for 48 hours, after which a molding aid was added and dried.

이 분말을 사용하여 금형 성형하고, 1650-1750℃, 질소압 0.7-10기압, 일부의 실시예에서는 탄산가스를 병용한 분위기중에서 소성하여 소결체를 제조하였다.Using this powder, the mold was molded and fired in an atmosphere of 1650-1750 占 폚, 0.7-10 atmospheres of nitrogen pressure, and in some examples, to produce a sintered compact.

또한, 표면부의 두께는, 연삭(硏削)에 의한 표면삭제 및 미소영역 X선 회절에 의해 측정한 바, 어느것도 모두 약 0.01-0.1mm 정도였다.In addition, the thickness of the surface part was measured by surface removal by grinding and micro area X-ray diffraction, and all of them were about 0.01-0.1 mm.

이 소결체는 SNMN 432(JIS B4103)의 방법으로 후처리하였다.This sintered compact was post-treated by the method of SNMN 432 (JIS B4103).

단, 이 후처리가공은 상하면만을 연삭가공하고 측면은 소성된 상태 그대로하여, 이것을 시험편(팁)(2)로 하였다.However, this post-processing process grind | polished only the upper and lower surfaces, and the side was left as it was baked, and it was set as the test piece (tip) (2).

시험편의 칫수는 프레스 성형시에 조정하였다.The dimension of the test piece was adjusted at the time of press molding.

이하에 나타낸 3가지 방법에 의해 평가를 행하고(특히, 방법 1,2는 내마모성, 방법 3은 강도), 그 결과를 하기표 및 제1도에 나타내었다.Evaluation was performed by the three methods shown below (particularly, method 1 and 2 were abrasion resistance, method 3 was strength), and the results are shown in the following table and FIG.

[표][table]

Figure kpo00003
Figure kpo00003

방법 1,2,3의 각 조건은 다음과 같다.Each condition of the method 1,2,3 is as follows.

방법 2는 작은 괄호 "( ) " 내에, 방법 3은 중간 괄호 "[ ]"내에 표시하였다.Method 2 is shown in small parentheses "()" and method 3 is in middle parentheses "[]".

또한, 방법 1에 있어서의 수명은, 다음에 기술하는 바와 같이 결손까지의 시간을 취하고 있다.In addition, the lifetime in the method 1 takes time until a defect as described next.

이 경우에, 결손의 주요원인은 단순한 기계적 강도가 아니라, 마모에 의해 절삭저항이 증대한 결과이고, 내마모성의 표준으로 사용되고 있다.In this case, the main cause of the defect is not merely mechanical strength, but the result of the increase in cutting resistance due to wear, and is used as a standard of wear resistance.

피절삭재 : 인코넬 718, (FC 20), [FC 23]Material to be cut: Inconel 718, (FC 20), [FC 23]

절삭속도(m/분) : 250, (600), [150]Cutting speed (m / min): 250, (600), [150]

절삭깊이(mm) : 1, (0.5), [2]Depth of cut (mm): 1, (0.5), [2]

이송속도(mm/회전) : 0.25, (0.2), [0.6]Feedrate (mm / revolution): 0.25, (0.2), [0.6]

절삭유 : 수용성유(없음), [없음]Cutting oil: Water-soluble oil (none), [none]

절삭시간(초) : 결손까지, (330), [결손까지]Cutting time (seconds): to defect, (330), [to defect]

수명판정 : 초, (mm), [산의수]Life judgment: seconds, (mm), [number of acids]

피절삭재(도면중의 부호 1) 형상 : 제2도에 나타낸 바와 같은 외경 300mmψ, 내경 200mmψ인 도너스 형상,(제3도에 나타낸 바와 같은 외경 240mmψ인 막대형상), [제4도에 나타낸 바와 같은 외경 240mmψ, 산의 폭이 15mm인 링 형상의 홈이 파여진 막대형상]Work piece (symbol 1 in the drawing) shape: donor shape having an outer diameter of 300 mm ψ and inner diameter of 200 mm ψ as shown in FIG. 2, (rod shape having an outer diameter of 240 mm ψ as shown in FIG. 3), [as shown in FIG. Ring-shaped grooved rod shape with the same outer diameter 240mmψ and the width of the mountain 15mm]

도면중 부호(3)은 호울더를 나타낸다.Reference numeral 3 in the figure denotes a holder.

방법 2의 수명판정은 측면측의 마모에 의해 행하였다.The life judgment of the method 2 was performed by abrasion of the side surface.

Si3N4(Si-Al-O-N도 포함)는 사용목적에 따라 그 배합조성 등이 결정된다.The composition of Si 3 N 4 (including Si-Al-ON) is determined depending on the purpose of use.

따라서, 동일한 조건하에서 이들의 모든예를 비교하기는 곤란하다.Therefore, it is difficult to compare all these examples under the same conditions.

예를들어, 상기한 비교예는, 비교적 고경도의 타입의 것(비교예 1), 비교적 Ni 합금에 적합한 타입의 것(비교예 2), 비교적 주물에 적합한 타입의 것(비교예 3)을 나타내고 있고, 이렇게 상이한 타입의 것을 상호 비교하는 것은 별로의 의미가 없고, 각각의 타입의 것 내에서의 비교가 의미가 있다.For example, the comparative examples described above are those of a relatively hard type (Comparative Example 1), those of a type relatively suitable for Ni alloys (Comparative Example 2), and those of a type relatively suitable for castings (Comparative Example 3). The comparison between the different types is not significant, and the comparison within each type is meaningful.

따라서, 상기 표에서는 동일 또는 유사한 원료배합 조성간에서 성능을 비교할 수 있도록 배열하였고, 그 결과를 기술하면 다음과 같다.Therefore, the table was arranged to compare the performance between the same or similar raw material composition, the results are described as follows.

즉, 비교예 1,3은 각각, 실시예 1,6의 각각을 연삭가공하여, 그의 표면에서 약 0.2mm 이상 삭제하여, 표면부를 완전히 제거하여 내부를 표출시킨 것이다.That is, in Comparative Examples 1 and 3, each of Examples 1 and 6 was ground and removed by about 0.2 mm or more from the surface thereof, and the surface part was completely removed to expose the inside.

비교예 2는, 실시예 3의 조성으로, 표면의 Si가 거의 감소하지 않은 상태, 즉 소성한 그대로의 표면상태를 갖고 있는 것이다.In Comparative Example 2, the composition of Example 3 had a state in which the surface Si hardly decreased, that is, the surface state as it was baked.

표면부의 Si 함유량을 감소시킨 각 실시예를 각각의 비교예와 비교하면(실시예 1과 비교예 1, 실시예 3과 비교예 2, 실시예 6-8과 비교예 3), 어느것도 모두 내마모성이 향상되어 있다.When each Example which reduced Si content of the surface part is compared with each comparative example (Example 1, Comparative Example 1, Example 3, Comparative Example 2, Example 6-8, and Comparative Example 3), all of them are abrasion-resistant This is improved.

이 경우, 어느것도 모두 강도는 약간 저하하지만 거의 변화가 없이, 문제가 될 정도는 아니다.In this case, none of them is slightly problematic, although the strength slightly decreases.

더우기 실시예 608 및 비교예 3에 있어서는, Si 감소율과 내마모성의 관계를 제 1 도에 나타내 바와 같이, 감소율이 커짐에 따라 내마모성이 향상되고, 특히 감소율이 20% 이상에서 그 효과가 뛰어나다.Furthermore, in Example 608 and Comparative Example 3, as shown in FIG. 1, the relationship between Si reduction rate and wear resistance is increased, the wear resistance is improved as the reduction rate is increased, and the effect is particularly excellent at the reduction rate of 20% or more.

또한, 여기에 IVa, VIa족의 천이금속의 화합물(HfN, WC, TiN)을 배합한 것(실시예 2,4,6)은 배합하지 않은 것(실시예 1,3,5)에 비하여 내마모성이 개선되어 있다.In addition, the compound (HfN, WC, TiN) of the transition metals of the group IVa, VIa (Examples 2, 4, 6) is not wear-resistant (Examples 1, 3, 5). This has been improved.

그러나, 이 배합량이 너무 많으면, 실시예 9와 같이 강도가 상당히 저하하는 경우가 있으므로 주의할 필요가 있다.However, if this blending amount is too large, it is necessary to pay attention because the strength may decrease considerably as in Example 9.

이상에서와 같이, 실시예 1-9에 있어서는, 표면부의 Si 감소율이 25-61%이기 때문에, 어느것도 모두 강도를 유지하면서 내마모성이 향상되어 있고, 표면부 및 내부를 구성하는 재료의 특성을 충분히 발휘하고 있다.As described above, in Example 1-9, since the Si reduction rate of the surface portion is 25-61%, all of them have improved wear resistance while maintaining the strength, and the characteristics of the material constituting the surface portion and the interior are sufficiently satisfied. Exerted.

상기한 모든 실시예에 있어서는, 이론치의 밀도에 대하여 99.5% 이상의 밀도를 나타내었다.In all the above examples, the density was 99.5% or more with respect to the theoretical density.

Si-Al-O-N으로 이루어진 내부는, 실시예 3, 비교예 2 및 실시예 4에서는 β-형을 나타내었고, 실시예 5-9 및 비교예 3에서는 (β-형+α-형)을 나타내었으며, 이때의 α화율은 각각 0.33, 0.28, 0.34, 0.42, 0.36 및 0.22였다.The interior made of Si-Al-ON showed β-type in Example 3, Comparative Example 2 and Example 4, and (β-type + α-type) in Example 5-9 and Comparative Example 3 In this case, α conversion rates were 0.33, 0.28, 0.34, 0.42, 0.36 and 0.22, respectively.

α화율은 X선 피크강도율법(X-ray Peak Intensity Ratio Method)에 의해 측정된

Figure kpo00004
의 값으로 정의된다.α rate was measured by X-ray Peak Intensity Ratio Method.
Figure kpo00004
It is defined as the value of.

α-Si-Al-O-N은, α-Si3N4구조내의 Si 원소의 일부가 Al로 치환되고, 또한 이 구조내의 N원소의 일부가 O으로 치환되고, 더우기 Li, Na, Mg, Ca, Y 또는 회토류 원소 등이 (Si, Al)과 (O,N) 사이의 격자간 공간내에 침입하여 고용체(Solid Solution)를 형성한 치환/침입형의 고용체이다.In the α-Si-Al-ON, a part of the Si elements in the α-Si 3 N 4 structure is substituted with Al, and a part of the N elements in the structure is substituted with O, and moreover, Li, Na, Mg, Ca, Y or a rare earth element is a substitution / intrusion solid solution in which a solid solution is formed by infiltrating into the interstitial space between (Si, Al) and (O, N).

일반적으로, 이와 같은 α-Si-Al-O-N은 다음과 같은 식으로 나타내어진다.In general, such α-Si-Al-O-N is represented by the following formula.

MX(Si, Al)12(O,N)16 M X (Si, Al) 12 (O, N) 16

(단, 식중에서 Mt=Li, Na, Mg, Ca, Y 또는 회토류 원소이고, 0<X≤2임).(Wherein Mt = Li, Na, Mg, Ca, Y or a rare earth element and 0 <X ≦ 2).

한편, β-Si-Al-O-N은, β-질화규소 내의 Si 원소 및 N 원소 각각의 일부가 Al 및 O로 치환되어, β-질화규소 내에 Al2O3, AlN 및 SiO2의 고용체가 형성되어 있는 치환형 고용체이다.On the other hand, in β-Si-Al-ON, a part of each of Si element and N element in β-silicon nitride is substituted with Al and O, and solid solution of Al 2 O 3 , AlN and SiO 2 is formed in β-silicon nitride. Substituted solid solution.

이러한 β-Si-Al-O-N은 다음과 같은 식으로 나타내어진다.Such β-Si-Al-O-N is represented by the following formula.

Si6-zAlzOzN8-z Si 6 - z Al z O z N 8-z

(단, 식중에서 0<z≤4임)(Where 0 <z≤4)

본 발명의 질화규소에 기초한 소결체는, 그의 표면부의 Si 함유량이 내부에 비하여 20% 이상 감소해 있고, 그의 내부는 Si3N4의 기화가 없는 상태로 있기 때문에 표면부의 내마모성이 우수하다고 하는 성질과, 내부의 높은 인성 등의 본질적인 특성이 충분히 발휘된다.The sintered compact based on the silicon nitride of the present invention has a property that the Si content of the surface portion thereof is reduced by 20% or more compared to the inside, and the inside thereof is excellent in wear resistance of the surface portion because the inside thereof is free from vaporization of Si 3 N 4 , Essential properties such as high toughness inside are sufficiently exhibited.

즉, 본 소결체에서는, 종래와 같은 양 성질의 중간적인 특성을 나타내는 것이 아니다.That is, this sintered compact does not show intermediate characteristics of both properties as in the prior art.

본 소결체에서는, 그의 표면 개질에 의해, 내부의 본질적인 특성을 저하시키지 않고, 내마모성을 향상시키고 있다.In this sintered compact, its surface modification improves abrasion resistance without lowering the intrinsic properties of the interior.

또한, 표면부와 내부는 일체이기 때문에 양자간의 접합 강도가 높아 박리되는 일이 없다.Moreover, since the surface part and the inside are integral, the bonding strength between them is high, so that they do not peel off.

또한, 상기한 실시예로부터 알 수 있는 바와 같이 개량의 효과가 탁월하다.Moreover, as can be seen from the above embodiment, the effect of improvement is excellent.

더우기, 본 발명의 소결체는, Al2O3, TiC, TiN, AlON 등으로 형성된 피복층 또는 피복층들을 0.5-10㎛의 두께로 추가로 피복할 수 있다.Furthermore, the sintered compact of the present invention may further coat a coating layer or coating layers formed of Al 2 O 3 , TiC, TiN, AlON, or the like with a thickness of 0.5-10 μm.

Claims (15)

하기의 산출식에 의해 계산된 내부의 Si 함유량에 대한 표면부의 Si 함유량의 감소율이 20중량% 이상인 것을 특징으로 하는 질화규소에 기초한 소결체.A silicon nitride-based sintered body, wherein a reduction rate of the Si content of the surface portion with respect to the internal Si content of the calculated content is 20% by weight or more.
Figure kpo00005
Figure kpo00005
제1항에 있어서, 감소된 Si 함유량을 갖는 표면부가 소결에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 질화규소에 기초한 소결체.The silicon nitride based sintered body according to claim 1, wherein a surface portion having a reduced Si content is produced by sintering. 제 1 항에 있어서, Si 감소율이 25-61중량%인 것을 특징으로 하는 질화규소에 기초한 소결체.The silicon nitride-based sintered body according to claim 1, wherein the Si reduction rate is 25-61 wt%. 제 3 항에 있어서, Si 감소율이 50-60중량%인 것을 특징으로 하는 질화규소에 기초한 소결체.The silicon nitride-based sintered body according to claim 3, wherein the Si reduction rate is 50-60 wt%. 제1항에 있어서, 소결체의 내부가 주로 입계상을 갖는 Si-Al-O-N 및 질화규소의 양자 또는 이중의 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화규소에 기초한 소결체.The silicon nitride-based sintered body according to claim 1, wherein the inside of the sintered body is made of either or both of Si-Al-O-N and silicon nitride having mainly grain boundaries. 제5항에 있어서, 상기한 소결체가 소결체 전체 중량에 대해 30중량% 이하량의 제3성분을 더욱 포함하고, 상기한 제3성분은 주기율표 IVa, Va 및 VIa족의 천이금속의 화합물로 구성된 군에서 선택된 하나이상의 성분인 것을 특징으로 하는 질화규소에 기초한 소결체.6. The group according to claim 5, wherein the sintered body further includes a third component of 30% by weight or less based on the total weight of the sintered body, wherein the third component is composed of a compound of a transition metal of Groups IVa, Va, and VIa of the periodic table. Sintered body based on silicon nitride, characterized in that at least one component selected from. 제6항에 있어서, 상기한 화합물이 이들의 산화물, 탄화물, 질화물 및 고용체인 것을 특징으로 하는 질화규소에 기초한 소결체.The silicon nitride-based sintered body according to claim 6, wherein the compounds are oxides, carbides, nitrides and solid solutions thereof. 제7항에 있어서, 상기한 화합물이 ZrO2, WC 및 TiN인 것을 특징으로 하는 질화규소에 기초한 소결체.8. A silicon nitride-based sintered body according to claim 7, wherein said compound is ZrO 2 , WC and TiN. 제5항에 있어서, 상기한 입계상이 소결 보조제로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화규소에 기초한 소결체.The silicon nitride-based sintered body according to claim 5, wherein the grain boundary phase is formed of a sintering aid. 제9항에 있어서, 상기한 소결 보조제가 Al2O3, Y2O3, AIN, MgO, CaO, YN 및 희토류 산화물로 이루어진 군중에서 선택된 하나 이상의 성분인 것을 특징으로 하는 질화규소에 기초한 소결체.10. The silicon nitride based sintered body according to claim 9, wherein said sintering aid is at least one component selected from the group consisting of Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , AIN, MgO, CaO, YN and rare earth oxides. 제1항에 있어서, 소결체의 표면부의 두께가 0.1mm 이하인 것을 특징으로 하는 질화규소에 기초한 소결체.The silicon nitride-based sintered body according to claim 1, wherein the thickness of the surface portion of the sintered body is 0.1 mm or less. 제11항에 있어서, 소결체의 표면부의 두께가 수 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 질화규소에 기초한 소결체.The silicon nitride-based sintered body according to claim 11, wherein the thickness of the surface portion of the sintered body is several micrometers or more. 제1항에 있어서, 상기한 소결체가 α-질화규소에 기초한 조성물의 원재료를 1550-1800℃의 온도에서, 원재료의 표면부에 존재하는 질화규소의 기화가 허용되는 조건하에서 소성하여 제조되는 것을 특징으로 하는 질화규소에 기초한 소결체.The said sintered compact is manufactured by baking the raw material of the composition based on (alpha)-silicon nitride at the temperature of 1550-1800 degreeC on the conditions which the vaporization of the silicon nitride which exists in the surface part of a raw material is permissible. Sintered body based on silicon nitride. 제13항에 있어서, 상기한 소성공정이, 질소 및 규소의 양자 또는 이중의 어느 하나의 환원 분압 분위기 또는 환원 분위기 하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 질화규소에 기초한 소결체.The silicon nitride-based sintered compact according to claim 13, wherein the firing step is performed under either a reduced partial pressure atmosphere or a reduced atmosphere of both nitrogen and silicon. 제1항에 있어서, 소결체의 표면부가, 내부에 비해 20용적% 이상 감소된 양의 질화규소 및 Si-Al-O-N의 양자 또는 이중의 어느 하나를 갖는 것을 특징으로 하는 질화규소에 기초한 소결체.The silicon nitride-based sintered body according to claim 1, wherein the surface portion of the sintered body has either or both of silicon nitride and Si-Al-O-N in an amount reduced by at least 20% by volume relative to the inside.
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