KR960014375A - 130케이(k) 수은계 고온 초전도체 단일상의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 동결건조법을 이용하여 불순물이나 다른 저온 전이온도의 초전도상을 포함하지 않는 양질의 수은고온 초전도체의 제조방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.
본 발명은 수은계 고온초전도체의 제조방법에 있어서, 원자비로, Ba : Ca : Cu가 2 : 2 : 3이 되도록 혼합한 질산염 용액을 동결건조하여 혼합분말을 제조하는 단계; 상기 혼합분말을 열분해하여 Ba2Ca2Cu3Oy 화합물의 예비물질을 제조하는 단계; 상기 Ba2Ca2Cu3Oy 화합물을 900∼920℃의 온도에서 산부분위기로 소결하는 단계; 상기 Ba2Ca2Cu3Oy 화합물과 산화수은을 1 : 1의 분자비로 알곤분위기에서 혼합한 다음, 진공상태에서 800∼920℃의 온도에서 반응시켜 Ba2Ca2Cu3Oy 화합물을 제조하는 단계; 상기 Ba2Ca2Cu3Oy 화합물을 250∼500℃의 온도에서 산소를 흘려주면서 열처리하는 단계를 포함하여 구성되는 수은계 고온초전도체의 제조방법에 관한 것을 그 요지로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명방법에 사용된 앰플의 개략구성도,
제2도는 초전도체에 대한 XRD 분석결과로서,
(가)는 본 발명방법에 의해 제도된 초전도체의 경우이고,
(나)는 종래방법에 의해 제조된 초전도체의 경우임.
Claims (5)
- 수은계 고온초전도체의 제조방법에 있어서, 원자비로 Ba : Ca : Cu가 2 : 2 : 3이 되도록 혼합한 질산염 용액을 동결건조항 혼합분말을 제조하는 단계; 상기 혼합분말을 열분해하여 Ba2Ca2Cu3Oy 화합물의 예비물질을 제조하는 단계; 상기 Ba2Ca2Cu3Oy 화합물을 900∼920℃의 온도범위에서 산소분위기로 소결하는 단계; 상기 Ba2Ca2Cu3Oy 화합물과 산화수은 물 1 : 1의 분자비로 알곤 분위기에서 혼합한 다음, 진공상태에서 800∼920℃의 온도에서 반응시켜 HgBa2Ca2Cu3Oy 화합물을 제조하는 단계; 상기 HgBa2Ca2Cu3Oy 화합물을 250∼500℃의 온도에서 산소를 흘려주면서 열처리하는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 130K 수은계 고온초전도체 단일상의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 동결건조는 -40℃ 이하의 온도와 10-3torr 이하의 진공 조건에서 행함을 특징으로 하는 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열분해는 100∼115℃의 온도에서 1차 가열하여 유지하고, 235∼400℃의 온도에서 2차 가열하여 유지한 다음, 700∼900℃의 온도에서 3차 가열하여 유지함을 특징으로 하는 제조방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 Ba2Ca2Cu3Oy 화합물과 산화수은의 형성반응이 석영관 앰플내에 내장된 알루미나관 내에서 이루어짐을 특징으로 하는 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 Ba2Ca2Cu3Oy 화합물과 산화수은의 혼합양이 앰플당 2.0∼3.5g/㎤이 되도록 함을 특징으로 하는 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940026951A KR970009510B1 (ko) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 130케이 수은계 고온초전도체 단일상의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019940026951A KR970009510B1 (ko) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 130케이 수은계 고온초전도체 단일상의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR960014375A true KR960014375A (ko) | 1996-05-22 |
KR970009510B1 KR970009510B1 (ko) | 1997-06-14 |
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ID=19395572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019940026951A KR970009510B1 (ko) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 130케이 수은계 고온초전도체 단일상의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970009510B1 (ko) |
-
1994
- 1994-10-21 KR KR1019940026951A patent/KR970009510B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR970009510B1 (ko) | 1997-06-14 |
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