KR960005378Y1 - Vapor dryer of wafer - Google Patents
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Abstract
내용없음.None.
Description
제1도는 종래의 베이퍼 드라이어를 나타낸 구성도.1 is a configuration diagram showing a conventional vapor dryer.
제2도는 종래의 베이퍼 드라이어를 이용하여 웨이퍼를 건조시키는 공정도.2 is a process diagram of drying a wafer using a conventional wafer dryer.
제3도는 본 고안의 베이퍼 드라이어를 나타낸 구성도.Figure 3 is a block diagram showing a vapor dryer of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 처리조 5 : 세정액공급부1: treatment tank 5: cleaning liquid supply part
6 : 세정액 7 : 메인히터6: cleaning liquid 7: main heater
8 : 보조히터 10 : 드레인판8: auxiliary heater 10: drain plate
11 : 집중배관 14 : 집중배액관11: concentrated pipe 14: concentrated pipe
16 : 배출관 18 : 펌프16: discharge pipe 18: pump
20 : 보조가열탱크 21 : 보조배액관20: auxiliary heating tank 21: auxiliary drain pipe
22 : 연결관 23 : 보조메인히터22: connector 23: auxiliary main heater
24 : 공급관24: supply pipe
본 고안은 웨트 크리닝(Wet cleaning)완료된 웨이퍼를 건조시키는 베이퍼 드라이어(Vapor dryer)에 관한 것으로서, 좀더 구체적으로는 크리닝 완료된 웨이퍼가 초기 공급되어 세정액 증기와 닿을 때 세정액 증기의 온도 회복시간을 단축시킬 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a vapor dryer for drying a wet cleaned wafer, and more specifically, to reduce the temperature recovery time of the cleaning liquid vapor when the cleaned wafer is initially supplied and comes into contact with the cleaning liquid vapor. It would be.
종래의 베이퍼 드라이어는 제1도와 같은 형태로서, 상부에 개폐 가능하게 도어(2)가 형성된 처리조(1)와, 상기 처리조에 이소프로필 알콜(Isopropyl Alcohol : 이하 세정액 이라 함)을 공급하기 위해 공급관(3)으로 연결된 세정액 중앙공급부(4) 및 세정액 공급부(5)와, 상기 처리조내에 공급된 세정액(6)을 가열하여 증기화시키기 위해 처리조하부에 설치된 메인히터(7)와, 상기 메인히터에 의해 가열된 세정액 증기를 2차 가열시키기 위해 처리조의 중간부위에 설치된 보조히터(8)와, 상기 메인히터 및 보조히터에 의해 증기화된 세정액 증기가 처리조 상부로 증발되는 것을 방지하기 위해 처리조상부에 설치된 냉각관(9)과, 상기 세정액 증기가 웨이퍼에 닿아 치환된 폐세정액을 처리하기 위해 처리조 하부에 설치된 드레인판(10)과, 상기 드레인판을 통해 폐세정액을 배출시키기 위해 드레인판과 연결된 집중배관(11)과, 상기 집중배관상에 설치되어 비저항측정기(12)를 거친 폐세정액을 모으는 회수탱크(13)와, 상기 처리조내의 세정액을 한꺼번에 배출시키기 위해 처리조와 연결된 집중배액관(14)과, 상기 집중배액관을 통해 배출되는 세정액이 모이는 중간회수탱크(15)와, 상기 회수탱크 및 중간회수탱크의 폐세정액 및 세정액을 폐수처리장(도시는 생략함)으로 배출시키기 위해 이들과 연결된 배출관(16)상에 설치된 펌프(17)와, 상기 회수탱크 및 중간회수탱크내의 폐세정액 및 세정액을 선택적으로 배출시키기 위해 배출관상에 설치된 삼방향 밸브(18)등으로 구성되어 있다.The conventional vapor dryer has a shape such as that of FIG. 1, and supplies a supply tank for supplying an isopropyl alcohol (hereinafter referred to as a cleaning liquid) to the treatment tank 1 having a door 2 formed thereon so as to be opened and closed at an upper portion thereof. (3) a washing liquid central supply portion 4 and a washing liquid supply portion 5 connected to the washing liquid, a main heater 7 provided in the lower portion of the treatment tank for heating and vaporizing the washing liquid 6 supplied into the treatment tank, and the main In order to prevent evaporation of the cleaning liquid vapor vaporized by the main heater and the auxiliary heater and the cleaning liquid vapor vaporized by the main heater and the auxiliary heater to the upper part of the treatment tank for the secondary heating of the cleaning liquid vapor heated by the heater. Cooling tube 9 provided in the treatment tank top, a drain plate 10 disposed below the treatment tank to treat the waste washing liquid in which the cleaning liquid vapor is replaced by the wafer, and the waste cleaning liquid through the drain plate. A concentrated pipe 11 connected to the drain plate for discharging, a recovery tank 13 installed on the concentrated pipe and collecting waste washing liquid passed through the resistivity measuring instrument 12, and a treatment to discharge the cleaning liquid in the treatment tank at once. The concentrated drainage pipe 14 connected to the tank, the intermediate recovery tank 15 in which the cleaning liquid discharged through the concentrated drainage pipe are collected, and the waste washing liquid and the cleaning liquid of the recovery tank and the intermediate recovery tank are discharged to a wastewater treatment plant (not shown). A pump 17 installed on the discharge pipe 16 connected to the discharge pipe 16 and a three-way valve 18 mounted on the discharge pipe to selectively discharge the waste washing liquid and the cleaning liquid in the recovery tank and the intermediate recovery tank. have.
따라서 세정액 중앙 공급부(4)나 세정액 공급부(5)로부터 세정액(6)을 처리조(1)내에 공급시킨 상태에서 메인히터(7)와 보조히터(8)에 전원을 인가하면 처리조(1)내의 세정액(6)이 메인히터(7)에 의해 증기화되어 처리조상부로 상승되고, 상승된 세정액 증기는 처리조(1) 중간부위에 설치된 보조히터(8)에 의해 온도가 더욱 상승됨과 동시에 일정 온도(약 80~85°)를 유지하게 된다.Therefore, when power is applied to the main heater 7 and the auxiliary heater 8 while the cleaning liquid 6 is supplied from the cleaning liquid central supply unit 4 or the cleaning liquid supply unit 5 to the processing tank 1, the processing tank 1 The cleaning liquid 6 in the chamber is vaporized by the main heater 7 to be raised to the treatment tank, and the raised washing liquid vapor is further raised at a constant temperature by the auxiliary heater 8 provided in the middle of the treatment tank 1. It will maintain the temperature (about 80 ~ 85 °).
이와 같이 처리조(1)내의 세정액이 가열되어 일정 온도의 세정액 증기로 된 상태에서 웨트 크리닝 완료된 웨이퍼를 드라이시키기 위해 제2도에 도시한 바와 같이 처리조(1)의 상부에서 하부로 이동시키면 세정액 증기가 웨이퍼(19)의 표면과 닿아 웨이퍼(19)의 크리닝시 묻어있던 순수와 치환되어 웨이퍼(19) 표면을 건조시키게 된다.In this way, when the cleaning liquid in the processing tank 1 is heated to dry the wet-cleaned wafer while the cleaning liquid vapor is at a predetermined temperature, the cleaning liquid is moved from the upper portion to the lower portion of the processing tank 1 as shown in FIG. The vapor is brought into contact with the surface of the wafer 19 and replaced with the pure water that was buried during the cleaning of the wafer 19 to dry the surface of the wafer 19.
이때 웨이퍼(19)와 닿지 않고 상승되는 세정액 증기는 처리조(1) 상부에 설치된 냉각관(9)에 의해 응축되어 다시 처리조(1)내로 떨어지게 되고, 웨이퍼(19)의 표면에 닿아 세정액 증기와 치환된 순수는 처리조(1)하부에 설치된 드레인판(10)으로 떨어져 집중배관(11)을 통해 비저항 측정기(12)를 거쳐 회수탱크(13)내로 모이게 된다.At this time, the cleaning liquid vapor rising without contacting the wafer 19 is condensed by the cooling tube 9 installed above the processing tank 1 and falls back into the processing tank 1, and the cleaning liquid vapor comes into contact with the surface of the wafer 19. The pure water substituted with is dropped into the drain plate 10 installed under the treatment tank 1, and is collected into the recovery tank 13 through the specific resistance measuring instrument 12 through the concentrated pipe 11.
이에 따라 회수탱크(13)내에 많은 양의 폐세정액이 모이게 되면 배출관(16)상에 설치된 펌프(17)를 구동시켜 폐세정액을 폐수처리장으로 배출시키게 된다.Accordingly, when a large amount of waste washing liquid is collected in the recovery tank 13, the pump 17 installed on the discharge pipe 16 is driven to discharge the waste washing liquid to the wastewater treatment plant.
이때 배출관(16)상에 설치된 삼방향밸브(18)는 집중배액관(14)을 폐쇄시키고 회수탱크(13)와 통하여지는 배출관(16)만을 개방시켜야 된다.In this case, the three-way valve 18 installed on the discharge pipe 16 should close the concentrated drainage pipe 14 and open only the discharge pipe 16 passing through the recovery tank 13.
한편 처리조(1)내의 이상 발생이나 정기 점검등으로 인해 처리조내의 세정액(6)을 한꺼번에 전부 배출시키고자 할 경우에는 삼방향밸브(18)를 절환시킴과 동시에 펌프(17)를 구동시키므로서 처리조내의 세정액을 배출시킬 수 있게 된다.On the other hand, when the cleaning liquid 6 in the treatment tank is to be discharged all at once due to abnormality in the treatment tank 1 or periodic inspection, the three-way valve 18 is switched and the pump 17 is driven. The cleaning liquid in the treatment tank can be discharged.
또한 베이퍼 드라이어의 사용을 중단할 경우에는 처리조(1)상부에 개폐 가능하게 설치된 도어(2)를 닫아 세정액(6)이 증발되는 것을 방지하게 된다.In addition, when the use of the vapor dryer is stopped, the door 2 installed to be opened and closed on the upper part of the treatment tank 1 is closed to prevent the cleaning liquid 6 from evaporating.
일반적으로 상기 공정을 통해 웨트 크리닝된 웨이퍼를 드라이시킬 경우에는 제2도에 도시한 바와 같이 웨이퍼(19)의 표면에 묻어있는 순수가 대기중의 O2와 반응해서 약 7Å~20Å 정도의 자연산화막(SiO2)를 웨이퍼의 표면에 형성시키게 된다.In general, in the case of drying the wet-cleaned wafer through the above process, as shown in FIG. 2, pure water buried on the surface of the wafer 19 reacts with O 2 in the air to react with a natural oxide film of about 7 kPa to 20 kPa. (SiO 2 ) is formed on the surface of the wafer.
그러나 종래의 베이퍼 드라이어는 웨트 크리닝된 웨이퍼를 처리조(1)상부에서 하부로 이동시켜 드라이시킬때 순수로 크리닝된 차거운 웨이퍼(19)가 갑자기 고온의 세정액 증기와 닿게 되므로 제2도에 도시한 바와 같이 세정액 증기의 상부면이 일시적으로 하강되었다가 재상승되어 웨이퍼의 표면을 드라이시키게 된다.However, in the conventional vapor dryer, as the wet-cleaned wafer is moved from the upper part of the processing tank 1 to the lower part and dried, the cold wafer 19 purely cleaned suddenly comes into contact with the high temperature cleaning liquid vapor, as shown in FIG. Similarly, the upper surface of the cleaning liquid vapor is temporarily lowered and then elevated again to dry the surface of the wafer.
따라서, 세정액 증기에 닿지 않았던 웨이퍼의 표면은 드라이되지 않아 물방울이 남게되어 대기중의 O2와 반응을 진척시키게 되고, 이에 따라 세정액 증기가 재상승되어 남아있던 물방울을 드라이시킬 때 물방울 부위에 1000Å~2000Å의 자연 산화막을 형성시켜 불순물층으로 남게 하였으므로 웨이퍼의 수율이 저하되었다.Therefore, the surface of the wafer that has not touched the cleaning liquid vapor is not dried and water droplets are left to accelerate the reaction with O 2 in the atmosphere. Since a native oxide film of was formed to remain as an impurity layer, the yield of the wafer was lowered.
본 고안은 종래의 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 그 구조를 개선하여 초기 웨이퍼의 투입시 차거운 웨이퍼로 인해 세정액 증기 상부면이 내려갈때 이를 빠른 시간내에 회복시킬 수 있도록 하므로서 웨이퍼의 표면에 물방울이 발생되는 것을 미연에 방지하는데 그 목적이 있다.The present invention has been devised to solve such a problem in the related art, and the structure of the wafer is improved so that it can be quickly recovered when the upper surface of the cleaning liquid vapor descends due to the cold wafer during the initial wafer input. The purpose is to prevent the generation of water droplets.
상기 목적을 달성하기 위한 본 고안의 형태에 따르면, 처리조에 메인히터와 보조히터를 설치하여 세정액 공급부에 의해 세정액을 처리조내로 공급하여 가열시키도록 하고 상기 처리조의 내부에는 폐세정액을 배출시키기 위한 집중배관과 회수탱크를 드레인판과 연결함과 함께 집중 배액관과 중간회수 탱크를 연결하여 배출관에 설치된 펌프에 의해 폐세정액과 세정액을 배출시키도록 된 것에 있어서, 처리조 양측으로 보조 메인히터가 장착된 보조가열탱크를 형성하여 연결관으로 상기 보조 가열탱크가 처리조의 내부와 통하여지도록 하고 세정액을 처리조내로 공급하는 공급관에는 또 다른 공급관을 분기하여 각 보조 가열탱크내로 세정액을 공급하도록 된 웨이퍼의 베이퍼 드라이어가 제공된다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, a main heater and an auxiliary heater are installed in the treatment tank so that the cleaning liquid is supplied to the treatment tank by the cleaning liquid supply unit to be heated and the waste washing liquid is discharged inside the treatment tank. An auxiliary main heater is provided on both sides of the treatment tank in which waste washing liquid and washing liquid are discharged by a pump installed in the discharge pipe by connecting a condensate pipe and an intermediate recovery tank together with a pipe and a recovery tank with a drain plate. A wafer dryer for forming a heating tank so that the auxiliary heating tank passes through the inside of the treatment tank through a connection pipe, and the supply pipe for supplying the cleaning liquid into the processing tank has another supply pipe branched to supply the cleaning liquid into each auxiliary heating tank. Is provided.
이하, 본 고안을 일실시예로 도시한 첨부된 도면 제3도를 참고로 하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to Figure 3 of the accompanying drawings showing an embodiment of the present invention in more detail as follows.
첨부도면 제3도는 본 고안의 베이퍼 드라이어를 나타낸 구성도로서, 종래의 베이퍼 드라이어와 구성이 동일한 부분은 그 설명을 생략하고 동일 부호를 부여하기로 한다.3 is a block diagram showing a vapor dryer of the present invention, and the same parts as those of the conventional dryer are omitted and the same reference numerals will be given.
본 고안은 처리조(1)의 양측으로 보조가열탱크(20)가 형성되어 상기 보조가열탱크(2)가 연결관(22)으로 처리조(1)의 내부와 통하여지도록 되어 있고 각 보조가열탱크(20)의 하부에는 세정액(6)을 가열시켜주기 위한 보조메인히터(23)가 설치되어 있어 처리조(1)의 메인히터(7)에 전원을 인가함에 따라 보조메인히터(23)에도 전원이 함께 인가된다.In the present invention, the auxiliary heating tank 20 is formed on both sides of the treatment tank 1 so that the auxiliary heating tank 2 is connected to the inside of the treatment tank 1 through the connection pipe 22 and each auxiliary heating tank is provided. An auxiliary main heater 23 for heating the cleaning liquid 6 is installed in the lower portion of the lower part 20 so that the auxiliary main heater 23 is also supplied with power to the main heater 7 of the treatment tank 1. This is applied together.
그리고 세정액(6)을 처리조(1) 공급하는 공급관(3)에는 또 다른 공급관(24)이 분기되어 보조가열탱크(20)와 연결되어 있는데, 이때 보조가열탱크(20)의 크기는 처리조(1)에 비해 작으므로 공급관(24)을 처리조(1)와 연결된 공급관(3)보다 작게 하여야 한다.In addition, another supply pipe 24 is branched and connected to the auxiliary heating tank 20 in the supply pipe 3 for supplying the cleaning liquid 6 to the treatment tank 1, wherein the size of the auxiliary heating tank 20 is Since it is smaller than (1), the supply pipe 24 should be smaller than the supply pipe 3 connected to the treatment tank 1.
또한 상기 보조가열탱크(20)에는 처리조(1)의 고장등으로 인해 보조가열탱크(20)내의 세정액을 배출시키기 위한 보조배액관(21)이 연결되어 있고 상기 보조배액관(21)은 처리조(1)와 연결된 집중배액관(14)과 통하여지도록 연결되어 있다.In addition, the auxiliary heating tank 20 is connected to the auxiliary drain pipe 21 for discharging the cleaning liquid in the auxiliary heating tank 20 due to failure of the treatment tank 1, and the auxiliary drain pipe 21 is a treatment tank ( It is connected to pass through the concentrated drainage pipe 14 connected to 1).
이는 배출관(16)에 설치된 1개의 펌프(17)에 의해 처리조(1)와 보조가열탱크(20)내에 담겨져있던 세정액을 동시에 배출시킬 수 있도록 하기 위함이다.This is for allowing the cleaning liquid contained in the treatment tank 1 and the auxiliary heating tank 20 to be simultaneously discharged by one pump 17 installed in the discharge pipe 16.
이와 같이 구성된 본 고안의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.Referring to the effect of the present invention configured as described above are as follows.
먼저 세정액 중앙 공급부(4)나 세정액 공급부(5)를 통해 처리조(1)와 보조가열탱크(20)내에 일정량의 세정액을 공급시킨 상태에서 메인히터(7), 보조메인히터(23) 그리고 보조히터(8)에 전원을 인가하면 세정액(6)이 증발하여 세정액 증기가 처리조(1)내에 생성되어 일정 온도로 가열된다.First, the main heater 7, the auxiliary main heater 23, and the auxiliary heater are supplied in a state in which a predetermined amount of the cleaning liquid is supplied into the treatment tank 1 and the auxiliary heating tank 20 through the cleaning liquid central supply unit 4 or the cleaning liquid supply unit 5. When power is applied to the heater 8, the cleaning liquid 6 is evaporated, and the cleaning liquid vapor is generated in the processing tank 1 and heated to a constant temperature.
이러한 상태에서 웨트 크리닝 완료된 차거운 웨이퍼가 처리조(1)상부를 통해 하부로 공급되어 세정액 증기의 상부면과 접속되면 세정액 증기면이 차거운 웨이퍼로 인해 종래의 베이퍼 드라이어와 같이 하부로 내려가지만 보조가열탱크(20)에서 가열된 또 다른 세정액 증기가 연결관(22)을 통해 공급되어 신속하게 하강된 세정액 증기면 상부로 이동하게 되므로 웨이퍼의 표면에 묻어있던 순수가 대기중의 O2와 반응하는 것을 방지하게 된다.In this state, when the wet-cleaned cold wafer is supplied to the lower part through the upper part of the processing tank 1 and connected to the upper surface of the cleaning liquid vapor, the cleaning liquid vapor surface is lowered like the conventional vapor dryer due to the cold wafer, but the auxiliary heating tank Another cleaning liquid vapor heated at (20) is supplied through the connecting pipe (22) to quickly move to the upper surface of the cleaning liquid vapor lowered to prevent the pure water on the surface of the wafer reacts with the O 2 in the atmosphere Done.
이에 따라 웨이퍼의 표면이 대기중에 노출되는 시간을 대폭 줄일 수 있게 되므로 웨이퍼의 표면에 묻어있던 순수에 O2가 용해되는 것을 방지할 수 있게 된다.Accordingly, since the time for exposing the surface of the wafer to the atmosphere can be greatly reduced, it is possible to prevent O 2 from dissolving in the pure water on the surface of the wafer.
한편 처리조(1)의 고장 발생으로 인한 유지보수나 정기 점검등으로 인해 처리조(1)내의 세정액(6)을 배출시키고자 할 경우에는 배출관(16)상에 설치된 삼방향 밸브(18)를 집중 배액관(14)과 통하여지도록 절환시키고 펌프(17)를 구동시키므로서 처리조(1)와 보조가열탱크(20)내에 있는 세정액(6)을 동시에 배출시킬 수 있게 됨은 이해 가능한 것이다.On the other hand, when the cleaning liquid 6 in the treatment tank 1 is to be discharged due to maintenance or periodic inspection due to the failure of the treatment tank 1, the three-way valve 18 installed on the discharge pipe 16 is removed. It is to be understood that the cleaning liquid 6 in the treatment tank 1 and the auxiliary heating tank 20 can be simultaneously discharged by switching through the concentrated drainage pipe 14 and driving the pump 17.
이상에서와 같이 본 고안은 처리조(1)의 양측으로 보조 가열탱크(20)를 형성하여 연결관(22)을 통해 처리조(1)내로 또 다른 세정액 증기를 공급하도록 되어있어 웨이퍼의 대기중으로 노출되는 시간을 최소화시킬 수 있게 되므로 드라이 완료된 웨이퍼의 표면에 불순물층이 남는 것을 미연에 방지할 수 있게 되고, 이에 따라 웨이퍼의 수율을 향상시키게 되는 효과를 얻게 된다.As described above, the present invention forms an auxiliary heating tank 20 on both sides of the processing tank 1 to supply another cleaning liquid vapor into the processing tank 1 through the connecting pipe 22 to the atmosphere of the wafer. Since the exposure time can be minimized, it is possible to prevent the impurity layer from remaining on the surface of the dry wafer, thereby improving the yield of the wafer.
Claims (2)
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| KR2019930004137U KR960005378Y1 (en) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | Vapor dryer of wafer |
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| KR2019930004137U KR960005378Y1 (en) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | Vapor dryer of wafer |
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Family Applications (1)
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