Claims (7)
기판 상부에 레이저 발진을 위하여 하부 크래드층,활성층 및 상부 크래드층을 순차로 적층한 레이저 발진층을 형성하고,그 상부 및 하부에 각각 상기 레이저 발진층에서 발진된 광을 공진시키기 위한 수직 공진기로서의 상,하부 다중 미러층을 형성하여 된 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드에 있어서,상기 레이저 발진층과 상기 상부 다중 미러층 사이에 형성된 콘택트층과,상기 콘택트층의 중앙 상면에 적층된 다중 미러층과,상기 콘택트츠의 다중 미러층 외측 가장자리 상면에 소정의 폭만큼 증착된 상부 전극과,상기 기판 저면에 형성된 하부 전극을 구비하여 된 것을 특징으로 하는 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드.A vertical resonator for forming a laser oscillation layer in which a lower cladding layer, an active layer, and an upper cladding layer are sequentially stacked on the substrate for laser oscillation, and resonating light emitted from the laser oscillation layer, respectively, on the upper and lower portions thereof. A vertical resonator surface emitting laser diode formed by forming upper and lower multiple mirror layers, comprising: a contact layer formed between the laser oscillation layer and the upper multiple mirror layer, and multiple mirror layers stacked on an upper surface of a center of the contact layer; And an upper electrode deposited on a top surface of an outer edge of the multi-mirror layer of the contacts by a predetermined width, and a lower electrode formed on a bottom surface of the substrate.
제1항에 있어서,상기 콘택트층은 하부 콘택트층과 이 하부 콘택트층 상면에 적층된 상부 콘택트층을 갖추고,이 하부 콘택트층 중앙의 상기 상부 다중 미러층 및 상부 콘택트층의 외측 가장자리 상면에 소정의 폭으로 증착된 상부 전극을 구비한 것을 특징으로 하는 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드.The contact layer of claim 1, wherein the contact layer includes a lower contact layer and an upper contact layer stacked on an upper surface of the lower contact layer, and a predetermined upper surface of an outer edge of the upper multiple mirror layer and the upper contact layer in the center of the lower contact layer. A vertical resonator surface emitting laser diode comprising a top electrode deposited at a width.
제1항에 있어서,상기 기판은 n-GaAs로,상기 상,하부 다중 미러층은 각각 n-DBR및 p-DBR로,상기 하부 및 상부 크래드층은 각각 n-InGaA1P 및 p-InGaAlP로, 상기 활성층은 undoped-InGaP 또는 undoped-InGaA1P로 형성된 것을 특징으로 하는 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드.The method of claim 1, wherein the substrate is n-GaAs, the upper and lower multiple mirror layers are n-DBR and p-DBR, respectively, and the lower and upper clad layers are n-InGaA1P and p-InGaAlP, respectively. And the active layer is formed of undoped-InGaP or undoped-InGaA1P.
제2항에 있어서,상기 하부 콘택트층은 p-InGaP로,상기 상부 콘택트층은 p-GaAs로 형성된 것을 특징으로 하는 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드.The vertical resonator surface emitting laser diode of claim 2, wherein the lower contact layer is p-InGaP and the upper contact layer is p-GaAs.
제3항에 있어서,상기 상,하부 다중 미러층의 각 DBR 은 A1As 및 A1GaAs가 소정의 회수만큼 반복 성장되어 형성된 것을 특징으로 하는 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드.4. The vertical resonator surface emitting laser diode of claim 3, wherein each DBR of the upper and lower multiple mirror layers is formed by repeatedly growing A1As and A1GaAs by a predetermined number of times.
기판 상면에 하부 다중 미러층,하부 크래드층,활성층,상부 크래드층,콘택트층 및 상부 다중 미러층을 순차적으로 성장시켜 적층하는 성장 단계와,상기 전극 성장 단계에서 성장된 상기 상부 다중 미러층의 가장자리를 소정의 폭만큼 식각하여 상기 콘택트층의 가장자리를 소정부분 노출시키는 식각단계와,상기 식각 단계에서 상기 상부 다중 미러층의 가장자리 부분이 식각되어 노출된 상기 콘택트층의 소정의 노출면 상에 전극을 증착하는 전극 증착 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드의 제조방법.A growth step of sequentially growing and stacking a lower multiple mirror layer, a lower clad layer, an active layer, an upper clad layer, a contact layer, and an upper multiple mirror layer on an upper surface of the substrate, and the upper multiple mirror layer grown in the electrode growth step An etching step of exposing a portion of the edge of the contact layer by etching the edge of the contact layer by a predetermined width, and an edge portion of the upper multiple mirror layer being etched and exposed on the predetermined exposure surface of the contact layer in the etching step. A method of manufacturing a vertical resonator surface emitting laser diode comprising the step of depositing an electrode for depositing an electrode.
제6항에 있어서,상기 식각 단계는 건식 식각법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드의 제조 방법.The method of claim 6, wherein the etching is performed by a dry etching method.
※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the original application.