KR960001370Y1 - 노광장치 - Google Patents

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KR960001370Y1
KR960001370Y1 KR92022352U KR920022352U KR960001370Y1 KR 960001370 Y1 KR960001370 Y1 KR 960001370Y1 KR 92022352 U KR92022352 U KR 92022352U KR 920022352 U KR920022352 U KR 920022352U KR 960001370 Y1 KR960001370 Y1 KR 960001370Y1
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조현탁
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박경팔
삼성전관 주식회사
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

노광장치
제 1 도는 종래 노광장치를 나타낸 개략적 단면도
제 2 도는 본 고안에 따른 노광장치를 나타낸 개략적 단면도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 노광장치 20 : 케이스
21 : 절개홈 30 : 광원
40 : 반사거울 50 : 마스크원판
60 : 글래스 70 : 오목렌즈
본 고안은 노광장치에 관한 것으로서 상세하게는 액정표시 소자의 전면글레스 또는 배면글레스에 소성패턴의전극을 형성하기 위한 노광장치에 관한 것이다.
제 1 도에는 일반적인 노광장치를 나타내 보였다.
케이스(1)의 내면에는 광올 조사하는 광원(2)이 마련되며 이 케이스(1)의 상부에는 상기 광원(2)으로부터 조사된 광을 하방으로 반사하는 반사거울(3)이 마련된다. 그리고 상기 케이스(1)의 일측 부위에는 소성길이 결개된 질개홈(la)이 마련되어 있어 이질개홈(1a)으로 소정패턴을 갖는 관통공(4a)이 형성된 마스크 원판(4)이 장착되며 이 마스크원판(4)의 하부에는 포토레지스트막(도시되지 않음)이 도포된 글레스(5)가 위치된다.
이와같이 구성된 종래 노광장치는 케이스(1) 내부에 마련된 광원(2)으로 부터 광을 조사하면 이 광은 상기케이스(1) 상부에 마련된 반사거울(3)에 의해 케이스(1)의 결개홈(1a)에 안착된 마스크원판(4)으로 반사된다. 따라서 이 마스크원판(4)에 소정 패턴으로 형성된 관통공(4a)을 통과한 광온 그 상면에 포트 레지스트막이 도포된 글래스에 조사되고 이에 의해 글레스(5) 상변에 도포된 포토 레지스트막은 소정패턴으로 노광된다. 그리고 상기와 같은 과정을 통해 노광된 포토레지스트막을 현상함으로써 글레스(5)에 소정 패턴의 전극을 형성하는것이다.
그러나 이와같은 종래 노광장치에 있어서는 광원으로부터 조사된 광을 마스크 원판으로 반사하는 반사거울과 마스크 원판과의 거리차가 있어 반사거울로부터 반사된 광이 효과적으로 마스크 원판의 관통공을 통과하지 못할 우려가 있으며 특히 반사거울에 의해 반사된 광 중, 난반사된 광의 산란이 심하여 글래스 상면에 도포된 포토레지스트막을 성확한 패턴으로 노광시킬 수 없다는 문제점이 있다. 이것은 난반사된 광이 소정각도 이상으로 산란되어 마스크 원판의 관통공을 통과함으로써 글레스 상변에 도포된 포트레지스트막이 큰 경사각을 갖고 노광되기때문에 이를 현상하면 현상된 부위가 매우 심하게 깎여나가기 때문이다.
본 고안은 상기와 같은 종래 노광장치의 문제점을 해결하기 의하여 안출된 것으로서 반사거울을 통해 반사된광을 거의 산란이 심하지 않게 하여 글레스 상면에 도포된 포토레지스트막을 성확한 패턴으로 노광시킬 수 있는노광장치를 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 의하여 본 고안은 일측 부위에 소정 길이 절개된 절개홈을 구비하는 케이스와, 상기케이스 마련되는 광원과, 상기 케이스의 상부에 마련되어 상기 광원으로 부터 조사된 광을 하방으로 반사하는반사거울과, 상기 케이스의 절개홈에 장착되며 소정패턴의 관통공이 형성된 마스크 원판과, 상기 마스크 원판의하부에 마련되는 것으로 포토레지스트막이 도포되어 있는 글래스를, 구비하는 노광장치에 있어서, 상기 반사거울로부터 반사된 광 중 산란되는 광을 상기 마스크원판으로 집속시키는 오목렌즈를 상기 반사거울과 마스크원판 사이에 구비하여 된 점에 그 특징이 있다.
상기와 같은 본 고안은 광원으로 부터 조사되어 반사거울에 의해 반사된 광이 오목렌즈를 통해 마스크원판상을 통과함으로써 난반사된 광의 광산란이 발생되지 않아 글래스 상면에 도포된 포토레지스트막을 정학한 패턴으로 노광시킬 수 있다.
이하 본 고안에 따른 노광장치의 바람직한 일실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 제 2 도는 본 고안에 따른 노광장치를 나타낸 개략적 단면도이다.
제 2 도에 도시된 바와 같이 본 고안에 따른 노광장치(10)는, 페이스(20)를 구비한다. 상기 케이스(20)의 내부 일측에는 광을 조사하는 광원(30)이 마련되며 이 케이스(20)의 내측 상부에는 상기 광원으로 부터 조사된광을 하방으로 반사하는 반사거울(40)이 마련된다. 그리고 상기 케이스(20)의 일측부위에는 소정길이 절개된 절개홈(21)이 마련되어있어 이 절개홈(21)으로 소정패턴을 갖는 관통공(51)이 형성된 마스크원관(50)이 장착된다. 그리고 이 마스크원판(50)의 하부에는 그 상면에 포토레지스트막(도시되지 않음)이 도포된 글레스(60)가 위치된다. 이때 상기 반사거울(40)과 마스크원판(50) 사이에는 본 고안의 특징에 따라 상기 반사거울(40)을 통해 반사된 광을 상기 마스크원판(50)을 향해 발산조사하는 오목렌즈(70)가 위치된다.
상기와 같이 구성된 본 고안에 따른 노광장치는 케이스(20) 내부에 설치된 광원(30)으로 부터 광을 조사한다. 이때 광원(30)으로 부터 조사된 광온 케이스(20)의 내측 상부에 위치된 반사거울(40)에 의해 상기 반사거울(40)의 하방에 위치된 오목렌즈(70)를 통하여 마스크원판(50)측으로 반사된다. 이때에 마스크원판(50)으로 향하는 반사광은 마스크원판(50)에 형성된 관통공(51)을 통하여 마스크원판(50)의 하부에 위치된 글레스(60)에 도달되게 되며 따라서 글레스(60) 상면에 도포된 포토레지스트막을 상기 관통공(51)에 대응하는 패턴으로 노광시킨다 한편 상기 광원(30)으로 부터 조사된 후반사거울(40)를 투과하지 못하고 여기에서 반사된 광은 광산란을 일으키게 되는데 이 산란광은 상기 반사거울(40)에서 다시 반사된 후 오목렌즈(70)를 통과하면서 이에의해 집속되고, 그리고 이것이 마스크원판(50)을 통과하여 포토레지스트막을 노광한다.
즉, 마스크 원판(50)으로 보내지지 않고 마스크 원판과 반사거울 사이에서 산란되는 광을 다시 오목렌즈(70)로 집속하여 이것을 마스크 원판으로 보내어 노광을 행한다.
상술한 바와 같이 본 고안은, 기존에 포토레지스트의 노광에 이용되지 않던 산란광을 재차 집속시킴으로써 포토레지스트의 노광효율이 증대되고, 그리고 기존과 같이 산란광에 의해 노팡의 부정화성을 산란광의 제거를통해 개신할 수 있게 된다.

Claims (1)

  1. 일측 부위에 소정 길이 절개된 질개홈을 구비하는 게이스와, 상기 케이스 마련되는 광원과,
    상기 케이스의 상부에 마련되어 상기 광원으로 부터 조사된 광을 하방으르 반사하는 반사거울과,
    상기 게이스의 절개홈에 장착되며 소정패턴의 관통공이 형성된 마스크원판과, 상기 마스크원판의 하부에 마련되는 것으로 포토레지스트막이 도포되어 있는 글레스를, 구비하는 노광장치에 있어서;
    상기 반사거울(40)로 부터 반사된 광 중 산란되는 광을 상기 마스크원판(50)으로 접속시키는 오목렌즈(70)를 상기 반사거울(40)과 마스크원판(50) 사이에 구비하여 된 것을 특징으로 하는 노광장치.
KR92022352U 1992-11-13 1992-11-13 노광장치 KR960001370Y1 (ko)

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