KR960001163B1 - 반사형 이진위상격자의 제조방법 - Google Patents
반사형 이진위상격자의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960001163B1 KR960001163B1 KR1019920011452A KR920011452A KR960001163B1 KR 960001163 B1 KR960001163 B1 KR 960001163B1 KR 1019920011452 A KR1019920011452 A KR 1019920011452A KR 920011452 A KR920011452 A KR 920011452A KR 960001163 B1 KR960001163 B1 KR 960001163B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pmma
- manufacturing
- silicon substrate
- binary phase
- phase grating
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
제1도의 (a) 내지 (i)는 종래의 투과형 이진위상격자를 제조하는 공정 순서도.
제2도의 (a) 내지 (d)는 본 발명에 따른 반사형 이진 위상격자를 제조하는 공정 순서도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 수정기판(Quartz Substrate) 2 : 크롬(Cr)박막
3 : 감광막 4 : 무반사막
5 : 실리콘 기판 6 : PMMA 박막
7 : 고반사막
본 발명은 PMMA(polymethyl methacrylate) Langmuir-Blodgett 박막을 이용한 반사형 이진위상격자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
제1도는 종래의 기술에 의해 (0,π)의 위상변이를 갖는 투과형 이진위상격자를 제조하는 방법을 나타낸 것으로, 도면을 참조하면서 종래 기술을 설명하면 다음과 같다.
제1도의 (a)에 도시된 바와 같은 수정기판(1)상에 크롬박막(2)을 형성한다 (제1도의 (b)참조).
이어, 크롬박막(2)상에 감광막(3)을 도포하고 원하는 패턴을 형성하기 위해 감광막(3)의 특정영역을 노광시킨다(제1도의 (c)참조).
상기 감광막(3)중 노광된 영역을 현상액으로 제거(제1도의 (d)참조)한 후 드러나는 크롬박막(2)과 수정기판(1)을 순차로 식각한다(제1도의 (e),(f)참조).
이때, 수정기판(1)의 식각깊이는 격자를 투과하는 미세패턴간에 π의 위상차가 발생되도록 식각시간을 조절하여 λ/2△n(여기서, λ는 입사광의 파장이고, △n은 수정과 공기간의 굴절율 차)가 되도록 한다.
이어, 웨이퍼 상에 남아 있는 감광막(3)을 제거(stripping)한 후 크롬박막(2)을 식각한다(제1도의 (g),(h)참조).
끝으로, 이진위상격자의 투과율을 증대시키기 위 수정기판 상에 무반사막(4)을 도포한다.
이렇게 제조된 투과형 이진위상격자에 평행광이 통과하게 되면 격자의 두께차이와 굴절율 차이로 인하여 평행광은(0,π)의 위상변이를 갖게되고 렌즈에 의해 퓨리에(Fourier transform)되어 렌즈의 촛점에 점배열이 생기게 된다.
그러나, 이상에서 설명한 바와같이 종래 기술에 의한 이진위상격자는 다단계 식각처리 과정이 요구되므로 공정이 복잡할 뿐만 아니라 이진패턴의 크기를 조절하는 것이 어렵고, 식각시간에 의해 식각깊이가 결정되므로 정확하게 식각깊이를 조절하는 것이 어려워 격자의 효율이 떨어지는 문제가 있었다.
따라서, 본 발명은 격자의 효율을 증대시키고 이진패턴의 크기조절이 편리하고 제조공정이 간단한 이진위상격자의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이와같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이진위상격자를 제조하는 방법은 실리콘 기판 상에 Langmuir-Blodgett 방법으로 PMM를 입사광 파장의 1/4에 해당하는 두께로 도포하는 단계와 이진패턴을 정의하고 상기 PMMA를 선택적으로 노광 처리한 후 상기 PMMA중 노광 처리된 부분을 실리콘기판이 노출되도록 제거하는 단계와, 상기 실리콘기판의 노출된 부분과 상기 잔류하는 PMMA의 상부에 고반사막을 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이제부터 본 발명에 의한 반사형 이진위상격장자의 제조방법을 나타낸 제2도를 참조하면서 본 발명을 상세히 설명한다.
먼저, 제2도의 (a)에 도시된 바와같은 실리콘 기판(5)상에 Langmuir-Blod gett 기법을 이용하여 전자빔 혹은 X-선용 감광막인 PMMA(6)를 사용되는 광파장의 1/4에 해당하는 두께로 도포한다(제2도의 (b)참조).
이어, 원하는 패턴을 정의한 후 노광처리하고 현상액을 사용하여 노광된 부분의 감광막을 제거한다(제2도의 (c)참조).
마지막으로 실리콘과 PMMA로 구성된 미세형상에 고반사막(7)을 도포한다.(제2도의 (d)참조).
이상과 같은 방법으로 제조된 반사형 이진위상격자로부터 점배열을 발생시키기 위해서는 먼저 지면과 평행한 선형 편광된 빔을 편광 분리기에서 최대 통과시키고 λ/4 위상지연기를 지나 원형 편광됨 빔으로 바꾼다.
이 빔은 두께 차이가 λ/4인 격자에서 반사되므로 결국 λ/2의 경로차가 발생하여 격자간에 (0,π)의 위상변이를 갖게 되고 λ/4 위상지연기를 다시 한번 통과하므로 지연기를 입사하기 전에 비해 편광방향이 수직으로 바뀐다.
수직으로 된 선형편광된 빔은 편광분리기에서 최대 반사되고, 렌즈에 의해 퓨리에 변환되어 렌즈의 초점에서 점배열이 발생한다.
이상에서 설명된 바와같이 본 발명에 의하면 이진패턴의 크기조절이 쉽고 제조공정을 간소화 시킬 수 있다.
Claims (1)
- 이진위상격자를 제조하는 방법에 있어서, 실리콘 기판(5) 상에 Langmuir-Blodgett 방법으로 PMM(6)를 입사광 파장의 1/4에 해당하는 두께로 도포하는 단계와, 이진패턴을 정의하고 상기 PMMA(6)를 선택적으로 노광 처리한 후 상기 PMMA(6)중 노광 처리된 부분을 실리콘기판(5)이 노출되도록 제거하는 단계와, 상기 실리콘기판(5)의 노출된 부분과 상기 잔류하는 PMMA(6)의 상부에 고반사막(7)을 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 이진위상격자의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920011452A KR960001163B1 (ko) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 반사형 이진위상격자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920011452A KR960001163B1 (ko) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 반사형 이진위상격자의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940001308A KR940001308A (ko) | 1994-01-11 |
| KR960001163B1 true KR960001163B1 (ko) | 1996-01-19 |
Family
ID=19335491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920011452A KR960001163B1 (ko) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 반사형 이진위상격자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960001163B1 (ko) |
-
1992
- 1992-06-29 KR KR1019920011452A patent/KR960001163B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940001308A (ko) | 1994-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0188919B1 (en) | A method for the formation of a diffraction grating | |
| US5539568A (en) | Method of exposing a light sensitive material | |
| US5565286A (en) | Combined attenuated-alternating phase shifting mask structure and fabrication methods therefor | |
| US5840447A (en) | Multi-phase photo mask using sub-wavelength structures | |
| US5537252A (en) | Double blazed binary diffraction optical element beam splitter | |
| US5566024A (en) | Beam separation control and beam splitting by single blazed binary diffraction optical element | |
| US20020042024A1 (en) | Method of manufacturing an element with multiple-level surface, such as a diffractive optical element | |
| JP2001042114A (ja) | 光学素子の製造方法 | |
| JP2001272764A (ja) | 投影露光用フォトマスク、およびそれを用いた投影露光方法 | |
| JPH07159609A (ja) | 回折格子及び干渉露光装置 | |
| JP4824273B2 (ja) | 回折格子作製用位相マスク | |
| US5300378A (en) | Method of producing a phase shifting mask | |
| JP3339894B2 (ja) | 微細パターンの作成方法 | |
| KR960001163B1 (ko) | 반사형 이진위상격자의 제조방법 | |
| JP2006339359A (ja) | 微細構造体の製造方法、電子機器 | |
| KR960001164B1 (ko) | 반사형 이진위상격자의 제조방법과 반사형 이진위상격자를 이용한 점배열 발생방법 | |
| JP3500963B2 (ja) | マスタホログラム | |
| JP2000089014A (ja) | 光ファイバー加工用位相マスク及びその製造方法 | |
| JPH0980738A (ja) | 光ファイバー加工用位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
| JPH05224398A (ja) | 透過率変調型フォトマスク、およびそれを用いる光学部品の製造方法 | |
| JP2004045575A (ja) | 回折格子形成用の位相マスクとその製造方法、および回折格子の形成用方法 | |
| JPH03242648A (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| EP0632297A1 (en) | Phase control in a binary diffractive optical element by spatial displacement | |
| KR100587380B1 (ko) | 위상반전마스크 | |
| KR0125295B1 (ko) | 변형 미해상회절 마스크 구조 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20031231 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |