KR960000907A - 입체장애 히드록시벤질포스포네이트의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
A)하기 일반식(Ⅱ)의 페놀을 하기 일반식(Ⅲ)의 아민, 포름알데히드 또는 파라 포름알데히드 및 양성자산 HnA와 반응시켜 하기 일반식(IV)의 염을 생성하고, B)생성한 반응수를 증류제거시키며, 또 C)반응 혼합물, 또는 그로 부터 단리된 염(IV)을 하기 일반식(V)의 트리알킬 포스파이트와 반응시키는 것을 포함하는 하기 일반식(I)의 히드록시벤질포스포네이트의 제조방법이 기재되어 있다 :
식중에서, HnA는 n(1,2,3 또는 4)개의 양성자를 갖는 유기 또는 무기 산이고, R1및 R2는 서로 독립해서 C1-C12알킬, C5-C7시클로알킬이며, R3및 R4는 서로 독립해서 C1-C12알킬이거나 또는 이들은 이들에 결합된 질소원자와 합쳐져서 피페리딜 도는 모르폴린일 라디칼을 형성하고, 또 R5,R6및 R7은 서로 독립해서 C1-C4알킬임.
일반식 (I)의 화합물은 염기 M(OH)m(식중, m은 1 또는 2임)와 반응하여 하기 일반식(Ia)의 염을 생성하고 필요에 따라서(M이 알칼리 금속 또는 암모늄이고 또 m=1이면), 알칼리 토금속의 염과 반응시켜 M이 알칼리 토금속이고 m이 2인 일반식(Ia)의 염을 생성할 수 있다 :
일반식(I)및 (Ia)의 화합물은 예컨대 플라스틱에 대한 가공 안정화제로서 적합하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (17)
- A)하기 일반식(Ⅱ)의 페놀을 하기 일반식(Ⅲ)의 아민, 포름알데히드 또는 파라 포름알데히드 및 양성자산 HnA와 반응시켜 하기 일반식(IV)의 염을 생성하고, B)생성한 반응수를 증류제거시키며, 또 C)반응 혼합물, 또는 그로 부터 단리된 염(IV)을 하기 일반식(IV)을 트리알킬 포스파이트와 반응시키는 것을 포함하는 하기 일반식(I)의 히드록시벤질포스네이트의 제조방법 :식중에서,HnA는 n(1,2,3 또는 4)개의 양성자를 갖는 유기 또는 무기 산이고, R1및 R2는 서로 독립해서 C1-C12알킬, C5-C7시클로알킬이며, R3및 R4는 서로 독립해서 C1-C12알킬이거나 또는 이들은 이들에 결합된 질소원자와 합쳐져서 피페리딜 도는 모르폴린일 라디칼을 형성하고, 또 R5,R6및 R7은 서로 독립해서 C1-C4알킬임.
- 제1항에 있어서, 상기 생성한 하기 일반식(I)의 화합물을 염기 M(OH)m과 반응시켜 하기 일반식(Ia)의 염(식중에서,m은 1 또는 2이고 또 M은 암모늄, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속임)을 생성하는 방법 :
- 제2항에 있어서, 상기 생성한 하기 일반식(Ia)의 화합물(식중, M은 알칼리 금속 또는 암모늄임)을 알칼리 토금속 염과 반응시켜 m이 2이고 또 M이 알칼기 토금속인 일반식(Ia)의 염을 생성하는 방법 :
- 제1항에 있어서,HnA가 카르복시산 RCO-OH(식중, R은 C1-C12알킬임)인 방법.
- 제4항에 있어서, 단계 C에서 형성된 부생성물 HNR3R4및 RCO-OR7가 증류에 의해 제거되는 방법.
- 제1항에 있어서, R1및 R2가 서로 독립해서 C1-C6알킬 또는 시클로헥실이고 또 R3및 R4가 서로 독립해서 C1-C6알킬이거나 또는 이들은 이들에 결합된 질소원자와 합쳐져서 피페리딜 또는 모르폴린일 라디칼을 형성하는 방법.
- 제1항에 있어서, R1및 R2가 t-부틸 라디칼인 방법.
- 제1항에 있어서,단계 A에서 반응 온도가 0 내지 60℃인 방법.
- 제8항에 있어서, 단계 A에서 반응 온도가 30 내지 60℃인 방법.
- 제1항에 있어서,단계 C에서 반응 온도가 100 내지 140℃인 방법.
- 제1항에 있어서, 용매없이 실행되는 방법.
- 제1항에 있어서,단계 A및/또는 단계 C가 용매중에서 실행되는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반응이 고비점 용매중에서 실행되는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반응이 고비점 지방족 또는 방향족 용매인 방법.
- 제1항에 있어서, 단계 C가 대기압하 또는 감압하에서 실행되는 방법.
- 제1항에 있어서, 단계 C에서 압력이 500 내지 150 밀라바아인 방법.
- 제1항에 있어서, 단계 C후 부생성물을 100 내지 170℃의 온도 및 5 내지 20 밀리바아의 압력에서 증류시키는 것에 의해 제거하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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