KR960000822A - 세라믹의 저온 열처리 방법 - Google Patents

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Abstract

고압에서 열처리하여 상전이(phase transition) 온도를 낮출수 있는 세라믹의 저온 열처리 방법에 관한 것으로, 본 발명의 디스플레이용 소자 제조공정 중에 구동소자를 압전특성을 가지는 PZT막을 사용하는데, 그 막의 도포 공정후 건조과정을 거쳐서 고온 열처리를 수행하여 원하는 구조(페로브스카이트 상)을 가지게 한다. 이때, 고온 열처리를 사용해야 하기 때문에 재료의 선택에 제한을 가지게 되는데, 본 발명에서는 고압열처리 공정을 수행하므로 저온공정이 가능하다. 즉, 고압장치하에서 기압에서 500기압 정도의 압력 범위에서 열처리 공정을 수행하면, 저온(400 내지 450도의 온도)에서도 페로브스카이트의 상을 얻을 수 있기 때문에 구동부를 저융점 금속으로 사용할 수 있을 뿐만 아니라 희생층을 손쉬운 폴리머계로 사용할 수 있기 때문에 소자 제조공정의 단순화 및 고압상태에서 PZT가 열처리되기 때문에 납등의 휘발이 적어 최적의 조성을 얻기가 용이하다.

Description

세라믹의 저온 열처리 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면은 세라믹의 열처리공정을 수행하기 위해 구성된 일반적인 시스템

Claims (4)

  1. 디스플레이(display)용 소자를 제조하는 반도체의 박막제조 공정중 세라믹의 열처리 방법에 있어서, 상기 세라믹의 열처리 방법은 고압장치하에서 상기 열처리 공정을 수행하여 상전이(phase transition) 온도를 낮추는 것을 특징으로 하는 세라믹의 저온 열처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세라믹 열처리 방법은 PZT 열처리를 포함하는 세라믹의 저온 열처리 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 고압장치하에서 상기 PZT의 열처리 공정의 기압은 500기압 이상인 것을 특징으로 하는 세라믹의 저온 열처리 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 PZT를 고압장치하에서 열처리 공정을 수행한 상기 상전이온도는 400 내지 450도인 것을 특징으로하는 세라믹의 저온 열처리 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940014153A 1994-06-22 1994-06-22 세라믹의 저온 열처리 방법 KR0171074B1 (ko)

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