KR950702737A - 중성자-흡수 물질 및 그 제조 공정 - Google Patents

중성자-흡수 물질 및 그 제조 공정 Download PDF

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도미니끄 고세
베르나르드 크리게트
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Abstract

본 발명은 중성자-흡수 물질과 그 제조 공정에 관한 것이다. 제2도를 참조하면, 본 발명에 따른 물질은, 물질내의 틈(F)의 전개를 방지하여 열적 충격 저항을 향상시키기 위해서 HfB2와 같은 붕소화합물의 가구형(pseudosperical)이고 150 내기 500㎛인 교정된((calibrated) 글러스터들(3)이 그 안에 분산된 균일한 보론카바이드 기질(1)로 구성된다.

Description

중성자-흡수 물질 및 그 제조 공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 중성자-흡수 물질의 구조를 보여주는 현미경 사진.
제2도는 제1도의 물질의 교정된 (calibrated) 클러스터들내에서의 열적으로 생긴 틈의 전개를 보여주는 현미경 사진.

Claims (10)

  1. 보론카바이드 기질내에 HfB2, TiB2, ZrB2중 적어도 어느 하나의 붕소화합물의 교정된(calibrated) 클러스터들이 균일하게 분산되어 있는, 균일한 보론카바이드 기질로 이루어진 중성자-흡수 조정 물질.
  2. 제1항에 있어서, 상기 교정된(calibrated) 클러스터들은 10내지 500㎛의 크기들을 가지는 교정된 (calibrated) 클러스터들인 것을 특징으로 하는 중성자-흡수 조정 물질.
  3. 제1항 내지 제2항에 있어서, 상기 조성 물질은 HfB2, TiB2및/또는 ZrB2의 붕소화하물이나 붕소화합물들 전체가 많아야 40 부피%인 것임을 특징으로 하는 중성자-흡수 조성 물질.
  4. 제1항 내지 제2항에 있어서, 상기 교정된(calibrated) 클러스터들은 단지 HfB2로만 구성되어 있는 것임을 특징으로 하는 중성자-조성 물질.
  5. 평균 알갱이의 크기가 5㎛ 이하인 보론카바이드 분말과 붕소화합물 또는 붕소화합물들의 교정된(calibrated) 클러스터들을 혼합한 후, 최종 밀도가 이론적 밀도의 90%보다 크도록 충분한 시간 온도 및 압력에서의 신터링에 의해서 혼합물와 밀도를 증가시키는 공정은 포함하는 것을 특징으로 하는 제1항 내지 제2항의 조성 물질의 제조 공정.
  6. 제5항에 있어서, 상기 교정된(calibrated) 붕소화합물의 클러스터들은 알갱이의 크기가 5㎛이하인 붕소 화합물 분말로부터, 진공 상태나 분말의 중성 대기 상태에서 분말을 굽고난 후에 100 내지 500㎛의 붕소화합물 클러스터들을 분리하기 위하여 갈고 스크리닝함에 의하여 만들어지는 것임을 특징으로 하는 제1항 내지 제2항의 조성 물질의 제조 공정.
  7. 제5항 내지 제6항에 있어서, 상기 신터링은 단일축 압축에 의해 수행되는 것임을 특징으로 하는 제1항 내지 제2항의 조성 물질의 제조 공정.
  8. 제5항 내지 제6항에 있어서, 상기 신터링은 등정적인(isostatic) 압축에 의해 수행되는 것임을 특징으로 하는 제1항 내지 제2항의 조성 물질의 제조 공정.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 신터링 압력은 20 내지 200 MPa인 것임을 특징으로 하는 제1항 내지 제2항의 조성 물질의 제조 공정.
  10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 신터링 온도는 1800 내지 2200℃이고 프릿팅 시간은 15분 내지 1시간인 것임을 특징으로 하는 제1항 내지 제2항의 조성 물질의 제조 공정.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950700213A 1993-05-26 1994-05-25 중성자-흡수 물질 및 그 제조 공정 KR950702737A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1048375A (ja) 1996-05-22 1998-02-20 General Electric Co <Ge> 核システム用の制御材及び原子炉用の制御棒
FR2773636B1 (fr) * 1998-01-13 2000-02-18 Commissariat Energie Atomique Materiau absorbant neutronique composite et procede de fabrication de ce materiau
FR2790587B1 (fr) * 1999-03-03 2004-02-13 Commissariat Energie Atomique Materiau absorbant neutronique a base de carbure de bore et de hafnium et procede de fabrication de ce materiau
US7419925B1 (en) * 2006-08-23 2008-09-02 Ut-Battelle, Llc Lightweight high performance ceramic material
RU2579590C2 (ru) * 2010-07-20 2016-04-10 Си-Айпи С.А. Суспензия соединений бора

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1564226C3 (de) * 1966-02-26 1974-04-04 Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich Kontroll- und Regelelement für Kernreaktoren
US3976735A (en) * 1974-09-30 1976-08-24 The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration Fabrication of boron articles
JPS6028781B2 (ja) * 1977-08-03 1985-07-06 財団法人特殊無機材料研究所 耐熱性セラミツクス焼結成形体の製造方法
US4826630A (en) * 1981-12-28 1989-05-02 Westinghouse Electric Corp. Burnable neutron absorbers
FR2636466B1 (fr) * 1988-09-15 1992-01-17 Cezus Co Europ Zirconium Procede de fabrication d'une pastille absorbeuse de neutrons, pastille obtenue et utilisation
US5156804A (en) * 1990-10-01 1992-10-20 Thermal Technology, Inc. High neutron-absorbing refractory compositions of matter and methods for their manufacture
US5273709A (en) * 1990-10-01 1993-12-28 Thermal Technology Inc. High neutron absorbing refractory compositions of matter and methods for their manufacture
US5272735A (en) * 1992-08-03 1993-12-21 Combustion Engineering, Inc. Sputtering process burnable poison coating

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