Claims (23)
트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 표면에 각각의 트랜지스터에 전기적으로 연결된 접속단자를 2개씩 구동기판과; 상기 구동기판에 상기 접속단자를 각각 에워싸여 분리되게 형성된 지지부와, 상기 지지부의 상부에 일측의 소정분분이 접촉되도록 실장되며 상기 지지부의 대향하는 면과 일치되도록 타측으로 소정길이 만큼 절단된 멤브레인과, 상기 멤브레인의 상부에 지지부와 중첩되며 타측으로 소정길이 만큼 신장되게 형성된 신호전극과, 상기 지지부와 멤브레인을 관통하도록 형성되어 접속단자와 신호전극을 전기적으로 연결하는 플러그와, 상기 신호전극의 상부에 형성된 변형부와, 상기 변형부를 포함하는 멤브레인의 상부에 형성된 반사막으로 이루어진 액츄에이터를 구비하는 광로조절장치.A driving substrate comprising two connecting terminals each having a transistor embedded in a matrix and electrically connected to each transistor on its surface; A support part formed to be separated from each other by surrounding the connection terminal on the driving substrate, and a membrane mounted on the upper part of the support part to be in contact with a predetermined portion and cut to the other side by a predetermined length so as to coincide with an opposing surface of the support part; A signal electrode formed on the upper part of the membrane and overlapping with the support part and extending to the other side by a predetermined length; a plug formed to penetrate the support part and the membrane to electrically connect the connection terminal and the signal electrode; An optical path control device having a deformable portion and an actuator comprising a reflective film formed on an upper portion of the membrane including the deformable portion.
제1항에 있어서, 상기 신호전극이 멤브레인의 절단부분과 일치되게 신장된 광로조절장치.The optical path control device of claim 1, wherein the signal electrode extends to coincide with a cut portion of the membrane.
제2항에 있어서, 상기 신호전극과 중첩되는 반사막이 바이어스전극으로 이용되는 광로조절장치.The optical path control device of claim 2, wherein a reflective film overlapping the signal electrode is used as a bias electrode.
제1항에 있어서, 상기 신호전극과 변형부의 절단된 측면과 반사막사이에 유전막이 더 구비하는 광로조절장치.The optical path control device of claim 1, further comprising a dielectric film between the signal electrode and the cut side of the deformable part and the reflective film.
트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 표면에 이 트랜지스터 각각에 2개의 접속단자가 전기적으로 연결되도록 형성된 구동기판의 상부에 상기 접속단자와 접촉되지 않도록 희생막을 형성하는 공정과, 상기 희생막이 형성되지 않은 구동기판의 상부에 상기 접속단자를 에워싸는 지지부를 형성하는 공정과, 상기 희생막과 지지부의 상부에 멤브레인을 형성하고 상기 멤브레인과 지지부의 소정 부분을 접속단자가 노출되도록 제거하고 플러그를 형성하는 공정과, 상기 지지부 및 희생막의 소정부분과 중첩되도록 멤브레인의 상부에 신호전극과 변형부를 형성하는 공정과, 상기 변형부 및 반사막의 상부에 반사막을 형성하는 공정과, 상기 반사막부터 멤브레인까지를 희생막이 노출되도록 지지부의 일측면과 일치되게 제거함과 동시에 대향하는 지지부 사이의 신호전극과 중첩되지 않는 부분도 중첩된 부분과 분리시키는 공정과, 상기 희생막을 제거하는 공정을 구비하는 광로조절장치의 제조방법.Forming a sacrificial layer on the top of the driving substrate having transistors embedded in a matrix and having two connection terminals electrically connected to each of the transistors on the surface thereof, and a driving substrate on which the sacrificial layer is not formed; Forming a support portion surrounding the connection terminal at an upper portion of the substrate; forming a membrane on the sacrificial layer and the support portion; removing a predetermined portion of the membrane and the support portion to expose the connection terminal; Forming a signal electrode and a deformable part on an upper portion of the membrane so as to overlap a predetermined portion of the support part and the sacrificial film, forming a reflective film on the deformed part and the reflective film, and exposing the sacrificial film from the reflective film to the membrane. Opposite support at the same time removing and matching with one side And a step of separating the portion not overlapping with the signal electrode therebetween and the overlapping portion, and removing the sacrificial layer.
제5항에 있어서, 상기 희생막을 Mo, Cu, Fe, Ni 또는 Al들 중 어느 하나로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 5, wherein the sacrificial film is formed of any one of Mo, Cu, Fe, Ni, and Al.
제6항에 있어서, 상기 희생막을 스퍼터링방법으로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 6, wherein the sacrificial film is formed by a sputtering method.
제5항에 있어서, 상기 희생막(PSG)를 스핀코팅 또는 화학기상증착(CVD)하여 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 5, wherein the sacrificial film (PSG) is formed by spin coating or chemical vapor deposition (CVD).
제5항에 있어서, 상기 희생막을 다결정실리콘을 화학기상증착 방법으로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 5, wherein the sacrificial film is formed of polysilicon by chemical vapor deposition.
제5 내지 제9항중 어느 한 항에 있어서, 상기 희생막을 1∼2㎛ 정도의 두께로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of manufacturing an optical path control device according to claim 5, wherein the sacrificial film is formed to a thickness of about 1 to 2 μm.
제5항에 있어서, 상기 지지부를 질화실리콘 산화실리콘 또는 탄화실리콘의 규화물중 어느 하나로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of manufacturing an optical path control device according to claim 5, wherein the support part is formed of any one of silicon nitride silicon oxide or silicon carbide.
제11항에 있어서, 상기 지지부를 포토리쏘그래피법에 의한 에칭 또는 리프트-오프법중 어느 하나로 한정하는 광로조절장치의 제조방법.The method of manufacturing an optical path control apparatus according to claim 11, wherein the support portion is defined by any one of etching or lift-off by photolithography.
제1항에 있어서, 상기 멤브레인을 지지부와 동일한 물질로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the membrane is formed of the same material as the support.
제13항에 있어서, 상기 탄성부를 0.7∼2㎛ 정도의 두께로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 13, wherein the elastic portion is formed to a thickness of about 0.7 to 2㎛.
제5항에 있어서, 상기 신호전극을 백금 또는 백금/티타늄들중 어느 하나로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 5, wherein the signal electrode is formed of platinum or platinum / titanium.
제5항에 있어서, 상기 변형부를 압전 또는 전왜세라믹들중 어느 하나로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of manufacturing an optical path control device according to claim 5, wherein the deformable part is formed of any one of piezoelectric and electrostrictive ceramics.
제16항에 있어서, 상기 변형부를 Sol-Gel법, 스퍼터링 또는 CVD 법들중 어느 하나로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 16, wherein the deformation part is formed by any one of a Sol-Gel method, a sputtering method, or a CVD method.
제17항에 있어서, 상기 변형부를 0.7∼2㎛ 정도의 두께로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.18. The method of claim 17, wherein the deformation portion is formed to a thickness of about 0.7 to 2 µm.
제5항에 있어서, 상기 신호전극과 변형부의 측면에 유전막을 형성하는 공정을 더 구비하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 5, further comprising forming a dielectric film on side surfaces of the signal electrode and the deformation unit.
제19항에 있어서, 상기 유전막을 질화실리콘, 산화실리콘 또는 탄화실리콘들 중 어느 하나로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.20. The method of claim 19, wherein the dielectric film is formed of any one of silicon nitride, silicon oxide, or silicon carbide.
제5항에 있어서, 상기 반사막을 은 또는 알루미늄 등과 같이 반사 및 전기적 특성이 좋은 금속으로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of manufacturing an optical path control device according to claim 5, wherein the reflective film is formed of a metal having good reflection and electrical properties, such as silver or aluminum.
제21항에 있어서, 상기 반사막을 진공증착 또는 스퍼터링하여 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 21, wherein the reflective film is formed by vacuum deposition or sputtering.
제22항에 있어서, 상기 반사막을 500-1000Å 정도의 두께로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.23. The method of claim 22, wherein the reflective film is formed to a thickness of about 500-1000 mW.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.