Claims (1)
반도체 기억소자의 형성방법에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 소자분리막을 형성하여 액티브 영역과 필드 영역을 설정한 후, 액티브 영역의 실리콘 기판(1)에 게이트 전극 마스크에 의해 패턴화된 제1감광막(2)을 형성한 다음, 건식식각공정으로 홈(3)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 패턴화된 제1감광막(2)을 제거한 후 산화공정으로 홈(3)을 포함한 실리콘 기판(1)표면에 게이트 산화막(4)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 전체구조 상부에 불순물이 도핑된 제1폴리실리콘(5)을 증착한 후, 상기 제1폴리실리콘(5)을 에치 백 공정으로 실리콘기판(1)과 같은 높이까지 식각하여 홈(3)내부에 게이트 산화막(4)및 게이트 전극(5A)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 소오스 및 드레인 마스크에 의해 패턴화된 제2감광막(6)을 형성한 다음, 저농도 및 고농도의 2단계 불순물 주입공정으로 게이트 전극(5A)양측 실리콘 기판(1)내에 불순물 영역(7)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 패턴화된 제2감광막(6)을 제거한 후, 전체구조 상부에 불순물이 도핑된 제2폴리실리콘(8)을 증착하는 단계와, 상기 단계로부터 비트라인 마스크에 의해 패턴화된 제3감광막(9)을 형성한 다음, 건식식각 공정으로 불순물 영역(7)중 어느 한 영역상에 비트라인(8A)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 패턴화된 제3감광막(9)을 제거한 후, 전체구조 상부에 층간 절연막(10)을 증착 평탄화하는 단계와, 상기 단계로부터 전하저장전극 콘택마스크에 의해 패턴화된 제4감광막(11)을 이용한 식각공정으로 다른 불순물 영역(7)과 연통되는 콘택홀(12)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 패턴화된 제4감광막(11)을 제거한 후, 상기 콘택홀(12)을 통해 하부의 불순물 영역(7)과 접속된는 전하저장전극(13)을 형성하고, 이후 유전체막(14)및 플레이트 전극(15)을 형성하여 캐패시터를 구성하는 단계를 통하여 반도체 기억소자를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자 형성방법.In the method of forming a semiconductor memory device, a device isolation film is formed on a silicon substrate 1 to set an active region and a field region, and then patterned by a gate electrode mask on the silicon substrate 1 in the active region. After the photosensitive film 2 is formed, a silicon substrate including the grooves 3 is formed by the step of forming the grooves 3 by a dry etching process, removing the patterned first photosensitive film 2 from the step, and then subjecting the grooves 3 to oxidation. 1) forming a gate oxide film 4 on the surface, and depositing the first polysilicon 5 doped with impurities on the entire structure from the step, and then etching back the first polysilicon 5 Etching to the same height as the silicon substrate 1 to form a gate oxide film 4 and a gate electrode 5A in the groove 3, and from the step, a second photosensitive film patterned by a source and a drain mask. (6) and then low and high concentration 2 Forming an impurity region 7 in the silicon substrate 1 on both sides of the gate electrode 5A by the impurity implantation process, and removing the patterned second photoresist film 6 therefrom, Depositing the doped second polysilicon 8, forming a third photoresist film 9 patterned by the bit line mask from the step, and then performing any dry etching process on any of the impurity regions 7 Forming a bit line 8A on the substrate, removing the patterned third photoresist film 9 from the step, and then depositing and planarizing the interlayer insulating film 10 over the entire structure, and storing charge from the step. Forming a contact hole 12 in communication with another impurity region 7 by an etching process using the fourth photoresist film 11 patterned by the electrode contact mask, and patterning the fourth photoresist film 11 patterned from the step ) And then through the contact hole 12 The semiconductor memory device is fabricated by forming a charge storage electrode 13 connected to the impurity region 7 of the semiconductor substrate, and then forming a capacitor by forming the dielectric film 14 and the plate electrode 15. A method of forming a semiconductor memory device.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.