Claims (8)
석영기판의 일정부분이 식각되어 석영기판 상부와 위상반전이 발생하도록 한 다수의 홈을 이격되어 형성되고, 상기 홈의 저부의 중앙에 정렬시켜 크롬패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크.And a plurality of grooves spaced apart from each other by etching a portion of the quartz substrate to cause phase inversion with the top of the quartz substrate, and a chromium pattern is formed by aligning the center of the bottom of the groove.
제1항에 있어서, 상기 홈은 3,000-4,000Å 정도로 식각하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크.The phase shift mask of claim 1, wherein the grooves are etched at about 3,000 to 4,000 μs.
제1항에 있어서, 상기 위상반전마스크 248nm이항인 Duv 영역의 파장을 이용하여 노광시키는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크.The phase shift mask according to claim 1, wherein the phase shift mask is exposed using a wavelength in a Duv region of 248 nm or less.
위상반전마스크의 제조방법에 있어서, 석영기판의 상부에 이빔으로 감광막패턴을 형성하고 상기 감광막패턴을 마스크로하여 습식 또는 건식방법으로 석영기판을 부분식각하여 다수의 홈을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거한 다음, 상기 홈의 측벽에 질화막스페이서를 형성하는 공정과, 전체구조의 상부에 크롬막을 증착한 후, 감광막을 도포하고 에치백공정으로 홈의 저부에 증착된 크롬막만을 덮을 정도로 감광막을 제거하는 공정과, 노출된 크롬막을 제거하고 상기 질화막스페이서를 습식방법으로 제거하는 공정과, 상기 홈 내부의 감광막을 제거하며 홈 내부에 정렬된 크롬패턴을 형성하는 공정을 포함하는 위상반전마스크 제조방법.A method of manufacturing a phase inversion mask, comprising: forming a photoresist pattern on an upper surface of a quartz substrate with an e-beam and partially etching the quartz substrate by a wet or dry method using the photoresist pattern as a mask to form a plurality of grooves; After removing the pattern, forming a nitride film spacer on the sidewall of the groove, depositing a chromium film on the upper part of the entire structure, applying a photosensitive film and then covering the photosensitive film to cover only the chromium film deposited on the bottom of the groove by an etch back process. Removing the exposed chromium film and removing the nitride film spacer by a wet method; and removing the photosensitive film inside the groove and forming a chromium pattern aligned in the groove. .
제4항에 있어서, 상기 석영기판의 홈 저부면과 상부면의 높이차이로 위상반전이 발생되는 깊이를 갖는 홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크 제조방법.5. The method of claim 4, wherein a groove having a depth at which phase reversal occurs is formed by a height difference between a bottom surface and a top surface of the quartz substrate.
제5항에 있어서, 상기 홈의 깊이는 3,000-4,000Å 정도로 하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크 제조방법.6. The method of claim 5, wherein the depth of the groove is about 3,000 to 4,000 Å.
제4항에 있어서, 상기 질화막스페이서는 석영기판과 식각비가 다른 다결정실리콘 스페이서로 사용할 수 있는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크 제조방법.The method of claim 4, wherein the nitride film spacer may be used as a polysilicon spacer having a different etching ratio from that of a quartz substrate.
제4항에 있어서, 상기 크롬패턴의 크기는 질화막스페이서를 형성하는 질화막의 두께로 조정하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크 제조방법.The method of claim 4, wherein the size of the chromium pattern is adjusted to the thickness of the nitride film forming the nitride film spacer.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.