KR950010239Y1 - Matching circuit for oscillating part and mixing part - Google Patents
Matching circuit for oscillating part and mixing partInfo
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- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/28—Impedance matching networks
Abstract
내용 없음.No content.
Description
제1도는 종래의 발진단과 혼합단의 매칭회로도.1 is a matching circuit diagram of a conventional oscillation stage and a mixing stage.
제2도는 본 고안에 따른 발진단과 혼합단의 매칭회로도.2 is a matching circuit diagram of the oscillation stage and the mixing stage according to the present invention.
제3도는 본 고안에 따른 매칭회로의 인젝션파워(injection power) 특성도.3 is an injection power characteristic of the matching circuit according to the present invention.
제4도는 본 고안에 따른 매칭회로의 변환이득 특성도이다.4 is a conversion gain characteristic diagram of a matching circuit according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
C1,C2,C3,C5 : 커플링 커패시터 L1,L5 : 인덕터C1, C2, C3, C5: Coupling Capacitor L1, L5: Inductor
Q1 : 트랜지스터 R1,R2,R5 : 저항Q1: transistor R1, R2, R5: resistor
본 고안은 발진단과 혼합단 사이의 매칭(matching)회로에 관한 것으로, 특히 발진단과 혼합단 사이에 병렬 연결 상태의 커패시터 저항 및 코일을 추가하여 광대역에서의 일정한 발진신호 레벨을 입력시킴으로써 플밴드(full band)에서 일정하고 안정된 중간주파 신호를 얻게 할 수 있는 매칭회로에 관한 것이다.The present invention relates to a matching circuit between the oscillation stage and the mixing stage, and in particular, by adding a capacitor resistor and a coil in parallel connection between the oscillation stage and the mixing stage, and inputting a constant oscillation signal level in a wide band, The present invention relates to a matching circuit capable of obtaining a constant and stable intermediate frequency signal in full band.
일반적으로 중간주파신호의 이득을 이상적으로 얻기 위해서는 다음의 조건이 충족되어야 하는데, 이는 입력되는 고주파 신호의 이득과, 발진신호의 이득이 모두 이상적이어야 한다는 것이다.In general, in order to obtain the gain of the intermediate frequency signal ideally, the following conditions must be satisfied, which means that the gain of the input high frequency signal and the gain of the oscillation signal are both ideal.
그러나, 위성방송 튜너의 입력주파수는 950㎒-250㎒ 의 상당히 광대역의 고주파수가 입력되게 되는데, 이와같이 광대역 이내에서 아주 안정하고 일정한 중간주파신호의 이득을 얻기는 쉬운 일이 아니며, 고주파 회로를 구현하다보면, 기술자들이 쉽게 이해하기 어려훈 회로상의 변수가 존재하기 때문에 저주파 영역은 이득이 상당히 크고 고주파 영역으로 올라갈수록 이득이 떨어지는 현상으로 보게 된다.However, the input frequency of the satellite tuner is fairly high frequency of 950MHz-250MHz, and it is not easy to obtain the gain of very stable and constant intermediate frequency signal within the broadband. As you can see, there are circuit variables that are difficult for engineers to understand, so the low-frequency range is quite large and the gain decreases as you go up to the high-frequency range.
이와같이 고주파 필터 및 고주파 증폭부에 의해서 편차가 커다란 고주파에 대응해서 발진부 부분의 설계를 함에 있어서 발진부의 저역부분을 가능하면 발진부 주입전력을 줄는 방안과 중,고역 부분을 커다랗게 해주기 위한 방안을 여러가지로 모색하고 있다.In this way, in the design of the oscillation part in response to the high frequency with the high frequency filter and the high frequency amplification part, the low frequency part of the oscillation part can be reduced, and the method for reducing the oscillating part injection power and the method for making the mid / high part large are searched. Doing.
따라서, 위성방송 튜너에서는 고주파 증폭부를 1차, 2차를 두고, 그 사이에 가변로우패스필터를 삽입하여 고주파 입력동조 필터를 구현하는데, 이 로우패스 필터나 고주파 증폭부 사이에 존재하는 커패시턴스, 인덕턴스, 레지스턴스성분에 의해서 고주파 필터의 주파수 특성이 고역측으로 이동하면서 이득이 상당히 떨어지게 되며, 이 성분으로 하여금 주간주파수의 일정한 이득을 얻는데는 상당한 어려움이 따른다.Therefore, in the satellite tuner, the high frequency amplifying unit has a primary and a secondary, and a variable low pass filter is inserted therebetween to implement a high frequency input tuning filter. The capacitance and inductance existing between the low pass filter and the high frequency amplifying unit are implemented. However, the gain component drops considerably as the frequency characteristic of the high frequency filter is moved to the high side by the resistance component, and it causes a considerable difficulty in obtaining the constant gain of the day frequency.
상기한 바와같이, 고주파 특성이 이와같이 고역주파수 부분이 떨어지므로 발진회로 부분의 설계하는 경우에도 이 고역부분을 반드시 고려해야 하는데, 발진회로를 설계하는데 있어서 이 부분을 보상하는 것도 어려움이 따른다.As described above, since the high frequency characteristics are inferior in the high frequency portion, the high frequency portion must be taken into consideration even when the oscillation circuit portion is designed, and it is difficult to compensate this portion in the design of the oscillation circuit.
그러므로, 위성방송 튜너에서 혼합단과 발진단 사이의 매칭회로는 매우 중요한 부분으로서 이 부분의 커플링 커패시터(coupling capacitor)의 정수값을 설정하는데 여러가지 점이 고려되어야 한다.Therefore, the matching circuit between the mixing stage and the oscillating stage in the satellite tuner is a very important part and various points should be considered in setting the integer value of the coupling capacitor in this portion.
이를 구체적으로 살펴보면, 상기 커플링 커패시터의 정수값이 잘못 설정되면, 필요로 하는 인밴드(IN-BAND)내에 원하지 않는 트랩이라든가 아니면 과잉의 인젝션 파워(Injection power)에 의한 포화(Saturation)현상이 종종 생기게 된다.Specifically, if an integer value of the coupling capacitor is set incorrectly, saturation due to excessive injection power or unwanted trap is often in the required IN-BAND. Will be created.
종래의 혼합회로는 제1도에 도시한 바와같이 구성된다.The conventional mixing circuit is constructed as shown in FIG.
제1도에 있어서 고주파 신호(RF)는 커패시터(C1)를 통하여 혼합단쪽으로 유입되고, 발진단의 발진신호(OSC)는 커패시터(C2)를 통하여 혼합단쪽으로 유입되어 혼합된 고주파 발진신호(RF osc)가 커패시터(C3)를 통하여 후단(Next Stage)의 IF 단으로 제공된다.In FIG. 1, the high frequency signal RF is introduced into the mixing end through the capacitor C1, and the oscillation signal OSC of the oscillating end is introduced into the mixing end through the capacitor C2 and mixed with the high frequency oscillation signal RF. osc) is provided to the IF stage of the next stage through the capacitor C3.
이와같이 구성되는 종래의 혼합회로는 광대역의 고주파 신호와 이에 대응하는 발진신호가 전대역(full band)에서 일정하게 만족할 경우, 일부 일정주파수 대역에서 불균일한 혼합(mixing)현상이 발생하게 되는 문제점이 있다.The conventional mixing circuit configured as described above has a problem in that non-uniform mixing occurs in a certain frequency band when a wide frequency high frequency signal and a corresponding oscillation signal are uniformly satisfied in the full band.
또한, 혼합용 트랜지스터(Q1)의 베이스에 유입되는 혼합된 고주파 발진신호의 injection power 상태는 제3도의 점선으로 표시된 바와같이 1400-2530㎒ 범위에서 상기한 바에 따른 편차가 심하며, 이렇게 편차가 심한 혼합된 고주파 발진신호가 혼합용 트랜지스터(Q1)의 베이스에 유입될 경우에는 변환이득(Conversion Gain)이 제4도의 점선으로 표시된 바와같이 950-2050㎒ 범위에서 편차가 심하게 나타나는 문제점이 있었다.In addition, the injection power state of the mixed high frequency oscillation signal flowing into the base of the mixing transistor Q1 is severely varied as described above in the range of 1400-2530 MHz as indicated by a dotted line in FIG. When the high frequency oscillation signal is introduced into the base of the mixing transistor Q1, there is a problem that the conversion gain is severely varied in the range of 950 to 2050 MHz as indicated by the dotted line in FIG.
본 고안의 목적은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 소정의 주파수 대역에서 인젝션 파워(Injection power)상태 및 컨버젼 이득(Conversion Gain)을 평탄하게 하는 발진단과 혼합단의 매칭회로를 제공하고자 하는데 있다.An object of the present invention is to solve the above problems, and to provide a matching circuit of the oscillation stage and the mixing stage to flatten the injection power state and the conversion gain in a predetermined frequency band. .
본 고안은 상기한 목적을 달성하기 위하여 각각의 커플링 커패시터를 통하여 유입되는 고주파 신호와 발진신호를 혼합단의 혼합용 트랜지스터 베이스에 입력하여 혼합된 고주파 신호가 중간 주파단으로 제공되게 하는 혼합회로에 있어서, 병열 연결된 저항, 커패시터 및 인덕터를 발진단과 혼합단 사이에 연결시키는 매칭회로를 갖는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention inputs a high frequency signal and an oscillation signal introduced through each coupling capacitor into a mixing transistor base of a mixing stage, so that the mixed high frequency signal is provided to the intermediate frequency. And a matching circuit for connecting the parallel connected resistors, capacitors, and inductors between the oscillation stage and the mixing stage.
이하 본 고안을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
제2도는 본 고안에 따른 발진단과 혼합단의 매칭회로도이다.2 is a matching circuit diagram of the oscillation stage and the mixing stage according to the present invention.
제2도를 참조하면, 혼합용 트랜지스터(Q1)의 베이스에는 커플링 커패시터(C1)를 통하여 고주파 신호가 입력되고, 또한 커플링 커패시터(C5), (C2)를 통하여 발진신호(osc)가 입력되며, 바이어스저항(R1), (R2)를 통하여 바이어스 전압(B+)이 인가된다. 그리고 상기 트랜지스터(Q1)의 컬렉터에는 일측이 상기 바이어스 저항(R1)(R2)사이의 접점에 연결되는 피킹 인덕터(PEAK INDUCTOR)가 연결되고, 커플링 커패시터(C3)을 통하여 IF 단에 연결된다.Referring to FIG. 2, a high frequency signal is input to the base of the mixing transistor Q1 through the coupling capacitor C1, and an oscillation signal osc is input through the coupling capacitors C5 and C2. The bias voltage B + is applied through the bias resistors R1 and R2. In addition, a picking inductor PEAK INDUCTOR having one side connected to the contact between the bias resistors R1 and R2 is connected to the collector of the transistor Q1, and is connected to the IF terminal through a coupling capacitor C3.
한편, 일측이 접지된 저항(R5) 및 인덕터(L5)가 타측이 커플링 커패시터(C2)(C5) 사이에 연결된다.Meanwhile, the resistor R5 and the inductor L5 having one side grounded are connected between the coupling capacitor C2 and C5 on the other side.
이하 본 고안에 따른 자가용 및 효과를 상세히 설명한다.Hereinafter, the car and the effect according to the present invention will be described in detail.
제2도에 도시된 회로에서 저항(R5), 커패시터(C5) 및 인덕터(L5)에 의하여 혼합용 트랜지스터(Q1)의 베이스에 유입되는 혼합된 고주파 발진신호의 injection power 본 고안에 의한 매칭회로에 의해서 제3도의 실선으로 표시된 바와같이 나타난다.In the circuit shown in FIG. 2, the injection power of the mixed high frequency oscillation signal introduced into the base of the mixing transistor Q1 by the resistor R5, the capacitor C5, and the inductor L5 is applied to the matching circuit according to the present invention. As indicated by the solid line in FIG.
즉, 1400-2530㎒ 범위에서 주파수가 낮은 쪽의 큰 이득이 상기 저항(R5), 커패시터(C5) 및 인덕터(L5)에 의해 댐핑(damping)되어 인젝션파워(injection power)가 펑탄하게 된다.That is, in the range of 1400-2530 MHz, the larger gain of the lower frequency is damped by the resistor R5, the capacitor C5, and the inductor L5, and the injection power is flat.
이를 보다 구체적으로 설명하면, 커패시터(C1)를 통해서 고주파(RF)가 입력되고, 커패시터(C2,C5)를 통해서 발진주파수가 입력되는데, 상기 커패시터(C2,C5)가 직렬결합으로 접속구성되어 전체 커패시턴스는 감소하여 고주파측의 신호를 더크게 보강유지시키게 된다.In more detail, the high frequency RF is input through the capacitor C1, and the oscillation frequency is input through the capacitors C2 and C5, and the capacitors C2 and C5 are connected in series to form a whole. Capacitance decreases to further reinforce the signal on the high frequency side.
또한, 제2도에 도시된 구성에서, 커패시터(C5)와 저항(R5) 및 코일(L5)은 고역통과 필터을 구성하는 관계로 주파수가 낮은쪽의 큰 이득이 댐핑(감쇄)되고 주파수가 높은 쪽의 작은 이득이 보강되어 주입전력(injection power)가 평탄하게 된다.Further, in the configuration shown in FIG. 2, the capacitor C5, the resistor R5, and the coil L5 constitute a high pass filter, so that a large gain at the lower frequency is damped (attenuated) and a higher frequency. The small gain of F is reinforced to make the injection power flat.
상기와 같이 평탄하게 된 혼합된 고주파 발진신호가 혼합용 트래지스터(Q1)의 유입될 경우에는 변환이득이 제4도의 실선으로 표시된 바와같이 평탄하게 된다.When the mixed high frequency oscillation signal smoothed as described above flows in the mixing transistor Q1, the conversion gain becomes flat as indicated by the solid line in FIG.
따라서, 본 고안은 상기와 같은 구성되는 매칭회로를 위성방송 튜너에 사용할때 안정된 중간주파 신호의 세기를 얻을 수 있어 위성방송 튜너의 풀밴드(full band)에서 일정한 변환이득(Conversion Gain)을 얻을 수 있는 특별한 효과를 갖는다.Therefore, the present invention can obtain a stable intermediate frequency signal when using the matching circuit configured as described above in the satellite broadcast tuner, so that a constant conversion gain can be obtained in the full band of the satellite tuner. That has a special effect.
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