KR950009906A - 수소화된 비정질 실리콘 박막 제조방법 - Google Patents
수소화된 비정질 실리콘 박막 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 비정질 실리콘 박막 제조방법에 관한 것으로, 특성 열화현상이 없는 안정성이 높은 수소화된 비정질 실리콘 박막을 제조하도록 수소화된 비정질 실리콘 박막 제조방법에 관한 것이다.
종래의 방법으로 제조된 수소화된 비정질 실리콘 박막은 15at.%이상의 많은 수소가 존재하며(기판온도 250℃이하에서 제작시) 구조적으로 밀접되어 있지 않으므로, 태양전지에 응용시 장시간의 광조사에 의해 준 안정상태의 결합밀도가 증가하여 광에 의해 생성된 전하 운반자 들이 재결합 및 포획됨으로써 광 전기 전도도와 암 전기전도도가 감소되어 효율 감소의 원인이 되고, 박막 트랜지스터에 응용시 게이트 바이어스나 온도에 의해 전계효과 이동도 및 문턱전압(threshodl voltage)특성이 변화되는 문제점이 있다.
본 발명은 반응실(11)의 내부 압력을 0.4mbar로 유지하고 기판(3)을 250∼270℃로 가열한 상태에서 헬륨 기체로 사일렌 기체의 1000배 이상이 되게 주입하여 0.2∼0.3Å/sec의 속도로 박막을 형성함으로써 광 전기전도로 및 암 전기전도도의 감소를 방지함과 동시에 전계효과 이동도 및 문턱전압의 변화를 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 RPCVD장치의 구성을 나타낸 단면도,
제2도는 본 발명에 의한 수소화된 비정질 실리콘 박막 제조방법을 이용하여 제작한 태양전지의 단면도,
제3도는 본 발명에 의한 수소화된 비정질 실리콘 박막 제조방법을 이용하여 제작한 박막 트랜지스터의 단면도.
Claims (3)
- 수소화된 비정질 실리콘 박막 제조방법에 있어서, 반응실(11)의 내부 압력을 0.4mbar로 유지하고 기판(3)을 250∼270℃로 가열한 상태에서 헬륨(He)기체와 사일렌(SiH4)기체를 헬륨기체 : 사일렌기체=1000:1이상이 되게 주입하고, 상기 헬륨기체를 2∼10w의 1MHz∼200MHz인 고주파 전류로 여기시키고, 상기 사일렌 기체를 상기 여기된 헬륨가스에 의해 분해시켜 0.2∼0.3Å/sec의 속도로 상기 기판(3)상에 증착하는 것을 특징으로 하는 수소화된 비정질 실리콘 박막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반응기체는 순수한 사일렌(SiH4)기체를 주입하는 것을 특징으로 하는 수소화된 비정질 실리콘 박막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반응기체는 헬륨(He)기체를 밸런스 가스로 섞어서 주입하는 것을 특징으로 하는 수소화된 비정질 실리콘 박막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930020203A KR950009906A (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 수소화된 비정질 실리콘 박막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930020203A KR950009906A (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 수소화된 비정질 실리콘 박막 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950009906A true KR950009906A (ko) | 1995-04-26 |
Family
ID=66824219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930020203A KR950009906A (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 수소화된 비정질 실리콘 박막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950009906A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100695957B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2007-03-19 | 서상범 | 주방용 수세미 및 그 제조 방법 |
| KR100976010B1 (ko) * | 2005-08-30 | 2010-08-17 | 가부시키가이샤 가네카 | 실리콘계 박막 광전 변환 장치, 및 그의 제조 방법 |
-
1993
- 1993-09-28 KR KR1019930020203A patent/KR950009906A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100976010B1 (ko) * | 2005-08-30 | 2010-08-17 | 가부시키가이샤 가네카 | 실리콘계 박막 광전 변환 장치, 및 그의 제조 방법 |
| KR100695957B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2007-03-19 | 서상범 | 주방용 수세미 및 그 제조 방법 |
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