KR950009247Y1 - 반도체 소자의 에피택셜층 형성을 위한 보우트 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 소자의 에피택셜층 형성을 위한 보우트
제1도는 종래 반도체 소자의 에피택셜층 형성을 위한 보우트의 단면도.
제2도는 본 고안에 의한 반도체 소자의 에피택셜층 형성을 위한 보우트의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 슬라이더 2 : GaAs기판
3 : 보우트 5 : 웰
11 : 석영판
본 고안은 반도체 소자의 에피택셜층 형성을 위한 보우트에 관한 것으로, 특히 보우트에 형성된 웰의 내부에 석영관을 고정하여 에피택셜층의 성장시 에지(edge)성장을 줄일 수 있게 한 반도체 소자의 에피택설층 형성을 위한 보우트에 관한 것이다.
종래 액상 에피택시(LPE : Liguid Phase Epitexy)법에 의하여 원소주기율의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체인 GaAs의 에피택설층을 형성함에 있어서는 슬라이더(1)위에 설치된 GaAs기판(2)과 측연재 보우트(3)의 웰(5)에 담긴 Ga용액(4)을 접촉시키고, 일정성장온도에서 일정시간을 유지시킴으로써 GaAs기판(2)위에 새로운 GaAs에피택셜층을 얻을 수 있게되며, 1차 에피택셜층이 성장된후 슬라이더(1)를 두번째 웰(5)의 위치로 당겨, 그곳에서 2차 에피택셜층을 형성하게 된다.
그리고 상기한 바와같이 하여 흑연보우트(3)에 2개 이상의 웰(5)이 있을 경우에는 다층의 에피택셜층을 형성할 수 있다.
그러나, 상기한 바와같은 액상 에피택시법에 의하여 에피택셜층을 형성함에 있어서는 전체 에피택셜층의 중앙부위보다 모서리쪽이 더 크게 성장하는 모서리 성장(edge growth)이 발생하여 성장 두께의 균일도에 치명적인 악영향을 끼치는 것이었고 성장된 에피택셜층의 불균일성으로 인하여 웨이퍼의 일부분을 잘라내고 사용해야만 하므로 제조원가가 증가되는 것이었다.
상기한 모서리 성장의 원인으로는 보우트(3) 물질내의 열 대류(thermal convection)현상과, 보우트(3)의 물질과 관련있는 웨팅(Wetting)현상이 알려지고 있으며, 종래 방법과 같이 순수한 흑연을 보우트(3) 물질로 사용했을 경우에는 다음식으로 표현되는 에페택셜층의 비균일도 상수(N)가 6∼7에 달할 정도로 에피택설층이 매우 불균일하게 성장되는 것으로 규명되었다.
여기서 ho : 중앙부위 성장두께 he : 보서리부위 성장두께
본 고안은 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 흑연재 보우트 웰의 내부에 석영관을 고정하여 에피택셜층의 성장시 에지(edge)성장을 줄일 수 있도록 구성한 것인 바, 이하 본 고안은 첨부된 도면에 의하여 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 고안에 의한 반도체 소자의 에피택셜층 형성을 위한 보우트를 보인 단면도로서 이에 도시한 바와같이, 흑연재 보우트(3)의 웰(5)의 내부에 석영관(11)을 고정한 것을 특징으로 하고 있다.
도면에서 종래와 같은 구성을 같은 부호로 표시되어 있다. 이와같이 구성된 본 고안은 흑연재 보우트(3)의 웰(5)의 내부에 흑연 대신 고온에서도 물질 내부구조가 안정하고 성장시 오염문제를 최대한 방지할 수 있는 석영관(11)을 고정함으로써, 에피택셜층의 성장시 에지(edge)성장을 최대한 줄일 수 있으며, 이때 성장된 GaAs 에피택셜층의 두께는 중앙부위와 에지(edge)부위의 두께가 거의 같게되며, 이와 같이 웰(5)부위에 흑연대신 석영관(11)을 사용함으로써 비균일도 상수(N)는 0.5∼0.8로서 에피택셜층이 매우 균일하게 성장됨을 알 수 있었다.
이상에서 설명한 바와같이 본 고안은 웰의 내부에 흑연대신 석영관을 고정하여 에지(edge)성장을 줄여 웨이펴의 균일한 성장을 가능케하므로, 성장된 에피택셜층의 웨이퍼를 잘라내지 않고 사용할 수 있으며, 또한 다층의 에피택셜층을 성장시켜도 두께의 비균일성의 문제를 해결할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 액상 에피택시법에 이용되는 흑연재 보우트(3)의 웰(5) 내부에 에지 성장을 줄일 수 있는 석영관(11)을고정하여 구성함을 특징으로 하는 반드체 소자의 에피택셜층 형성을 위한 보우트.
KR2019900013516U 1990-08-31 1990-08-31 반도체 소자의 에피택셜층 형성을 위한 보우트 KR950009247Y1 (ko)

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