KR950006966A - 플라즈마 가공 처리 특성의 비파괴 측정 - Google Patents
플라즈마 가공 처리 특성의 비파괴 측정 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950006966A KR950006966A KR1019940021154A KR19940021154A KR950006966A KR 950006966 A KR950006966 A KR 950006966A KR 1019940021154 A KR1019940021154 A KR 1019940021154A KR 19940021154 A KR19940021154 A KR 19940021154A KR 950006966 A KR950006966 A KR 950006966A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plasma processing
- indicator layer
- processing surface
- indicator
- providing
- Prior art date
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/48—Ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/3299—Feedback systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Materials For Medical Uses (AREA)
- Chemical Or Physical Treatment Of Fibers (AREA)
Abstract
물체(32)의 플라즈마 가공 처리 특성은 물체(32)를 플라즈마 가공하기 전에, 플라즈마 가공면(36)의 형태와 대략적으로 일치하도록 플라즈마 가공면(36)의 최소한 일부분 상에 지시계 층(44)를 제공함으로써, 비파괴적으로 결정된다. 전기도전성인 그리드(46)이 지시계 층(44)상에 배치되고, 물체(32)와 전기적으로 공통으로 만든다. 지시계 층(44)는 전도성 그리드(46)을 통해 주입되고, 플라즈마 가공처리에 응답하여 성질을 변화시킨다. 그 후에 주입된 지시계 층(44)가 분석되어 지시계 층(44)의 처리 특성을 결정한다. 플라즈마 가공의 공간 분포 및 총도즈는 이러한 정보로부터 비파괴적으로 결정되고 물체(32)에 대한 플라즈마 가공 프로그램을 설정하는데 사용되며, 필요에 따라 플라즈마 가공 시스템(20)을 조절한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 플라즈마 가공될 물질이 놓여 있는 플라즈마 가공 시스템의 개략도.
제2도는 플라즈마 가공될 물질 및 이에 인접한 구조물을 더 상세히 도시하는 제1도의 플라즈마 가공 시스템의 한 부분의 상세도.
제3도는 본 발명의 양호한 실시예의 흐름도.
Claims (11)
- 플라즈마 가공 시스템으로 가공되는 물체(32)의 처리 특성을 결정하기 위한 방법에 있어서, 플라즈마 가공에 의해 처리될 플라즈마 가공면(36)을 갖는 물체(32)를 제공하는 단계, 플라즈마 가공 처리에 응답적으로 특성을 변화시키는 전기적으로 비도전성인 재료의 지시계 층(44)를 플라즈마 가공면(36)의 형태와 대략적으로 일치하도록 플라즈마 가공면(36)의 최소한 일부분 상에 제공하는 단계, 전기적으로 도전성인 그리드(46)을 지시계 층(44)상에 배치하는 단계, 플라즈마 가공시스템(20)을 사용하여 도전성 그리드(46)을 통해 지시계층(44)를 플라즈마 가공하는 단계 및 동일한 플라즈마 가공 조건하에서의 물체(32)의 플라즈마 가공면(36)의 처리 특성에 대한 대용품으로서 지시계 층(44)의 처리 특성을 결정하기 위하여 지시계 층(44)를 분석하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가공 물체 처리 특성 결정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 지시계의 두께가 약 0.0005인치(0.0127㎜) 내지 0.001인치(0.0254㎜)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 가공 물체 처리 특성 결정 방법.
- 제1항에 있어서, 그리드(46) 및 물체를 동일 전위로 설정하는 단계를 더 포함하고, 상기 설정 단계가 플라즈마 가공단계 전에 행해지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가공물체 처리특성 결정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 분석 단계 후에, 물체(32)의 플라즈마 가공면(36)을 플라즈마 가공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가공 물체 처리 특성 결정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 분석 후에 이에 응답하여 행해지는 플라즈마 가공 시스템(20)을 조절하는 단계 및 상기 조절단계 후에 행해지는 물체(32)의 플라즈마 가공면(36)을 플라즈마 가공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가공 물체 처리 특성 결정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 지시계 층(44)를 제공하는 단계가 플라즈마 가공면(36)의 형태와 대략적으로 일치하도록 폴리이미드 및 폴리카보네이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질층을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가공 물체 처리 특성 결정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 분석 단계가 지시계 층(44)의 전기 저항율을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가공 물체 처리 특성 결정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 분석 단계가 지시계 층(44)의 광학성질을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가공 물체 처리 특성 결정 방법.
- 제1항에 있어서, 플라즈마 가공 단계전에 물체(32)의 플라즈마 가공면(36)에 최소한 1개의 플라즈마 가공검사 쿠폰(48)을 배치하는 단계를 더 포함하고, 플라즈마 가공 단계 후에 플라즈마 가공 검사 쿠폰(48)을 분석하는 단계 및 지시계 층(44)와 플라즈마 가공 검사 쿠폰(48)의 분속 결과를 상관시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가공 물체 처리 특성 결정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 배치하는 단계가 지시계 층(44)로부터 최소한 약 0.5인치(12.7㎜)의 거리로 전기적으로 도전성인 그리드(46)을 변위시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가공 물체 처리 특성 결정 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 물체(32)가 불규칙한 3차원 형태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 가공 물체 처리 특성 결정 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11355693A | 1993-08-27 | 1993-08-27 | |
US8/113,556 | 1993-08-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950006966A true KR950006966A (ko) | 1995-03-21 |
Family
ID=22350117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940021154A KR950006966A (ko) | 1993-08-27 | 1994-08-26 | 플라즈마 가공 처리 특성의 비파괴 측정 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5455061A (ko) |
EP (1) | EP0640696B1 (ko) |
JP (1) | JP2716371B2 (ko) |
KR (1) | KR950006966A (ko) |
CA (1) | CA2130167C (ko) |
DE (1) | DE69401248T2 (ko) |
IL (1) | IL110716A (ko) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE59506358D1 (de) * | 1994-03-29 | 1999-08-12 | Schott Glas | Pcvd-verfahren und vorrichtung zur beschichtung von gewölbten substraten |
US5618758A (en) * | 1995-02-17 | 1997-04-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming a thin semiconductor film and a plasma CVD apparatus to be used in the method |
US6132577A (en) * | 1998-04-23 | 2000-10-17 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
US6090302A (en) * | 1998-04-23 | 2000-07-18 | Sandia | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
US6261470B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-07-17 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
US6269278B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-07-31 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
US6246473B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-06-12 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
US6169933B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-01-02 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
US6221679B1 (en) * | 1998-04-23 | 2001-04-24 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
US6157447A (en) * | 1998-04-23 | 2000-12-05 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
US6192826B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-02-27 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
US6275740B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-08-14 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
US6077386A (en) * | 1998-04-23 | 2000-06-20 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
US6123983A (en) * | 1998-04-23 | 2000-09-26 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
US6165312A (en) * | 1998-04-23 | 2000-12-26 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
US6254717B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-07-03 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
US6134005A (en) * | 1998-04-23 | 2000-10-17 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
US6419801B1 (en) * | 1998-04-23 | 2002-07-16 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
US6223755B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-05-01 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
WO2005042064A1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Ventracor Limited | Improved blood pump comprising polymeric components |
CN1322163C (zh) * | 2004-11-05 | 2007-06-20 | 哈尔滨工业大学 | 绝缘材料零部件等离子体注入方法及其注入装置 |
US20080318345A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-25 | Persing Harold M | Plasma ion implantation process control using reflectometry |
DE102009002337B4 (de) * | 2009-04-09 | 2013-07-11 | Christof-Herbert Diener | Indikator zur Überwachung eines Plasmas |
US10388491B2 (en) * | 2011-10-31 | 2019-08-20 | Canon Anelva Corporation | Ion beam etching method of magnetic film and ion beam etching apparatus |
US9944061B2 (en) | 2016-01-08 | 2018-04-17 | Sikorsky Aircraft Corporation | Plasma detection tracers for process monitoring |
US11154903B2 (en) * | 2016-05-13 | 2021-10-26 | Jiangsu Favored Nanotechnology Co., Ltd. | Apparatus and method for surface coating by means of grid control and plasma-initiated gas-phase polymerization |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3583361A (en) * | 1969-12-18 | 1971-06-08 | Atomic Energy Commission | Ion beam deposition system |
JPS6123760A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-02-01 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造方法 |
JPS6148386A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-10 | 株式会社ブリヂストン | ゴルフボールの表面処理装置 |
JPS62229056A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-07 | Nippon Steel Corp | 塗装金属の塗膜劣化程度定量診断方法およびその装置 |
GB8619775D0 (en) * | 1986-08-14 | 1986-09-24 | Millspin Ltd | Ion beam dosimetry |
US4764394A (en) * | 1987-01-20 | 1988-08-16 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method and apparatus for plasma source ion implantation |
US4960072A (en) * | 1987-08-05 | 1990-10-02 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus for forming a thin film |
US5133849A (en) * | 1988-12-12 | 1992-07-28 | Ricoh Company, Ltd. | Thin film forming apparatus |
US5185067A (en) * | 1989-07-10 | 1993-02-09 | Tdk Corporation | Process for manufacturing diamond-like thin film |
US5128173A (en) * | 1990-09-12 | 1992-07-07 | Micron Technology, Inc. | Process for deposition of inorganic materials |
US5143747A (en) * | 1991-02-12 | 1992-09-01 | Hughes Aircraft Company | Die improved tooling for metal working |
US5374456A (en) * | 1992-12-23 | 1994-12-20 | Hughes Aircraft Company | Surface potential control in plasma processing of materials |
-
1994
- 1994-08-15 CA CA002130167A patent/CA2130167C/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-08-18 IL IL110716A patent/IL110716A/xx not_active IP Right Cessation
- 1994-08-26 DE DE69401248T patent/DE69401248T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-08-26 KR KR1019940021154A patent/KR950006966A/ko not_active Application Discontinuation
- 1994-08-26 EP EP94113385A patent/EP0640696B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-29 JP JP6203222A patent/JP2716371B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-23 US US08/372,793 patent/US5455061A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2130167A1 (en) | 1995-02-28 |
CA2130167C (en) | 1999-07-20 |
EP0640696B1 (en) | 1996-12-27 |
DE69401248T2 (de) | 1997-04-24 |
DE69401248D1 (de) | 1997-02-06 |
JPH07167783A (ja) | 1995-07-04 |
IL110716A0 (en) | 1994-11-11 |
JP2716371B2 (ja) | 1998-02-18 |
IL110716A (en) | 1997-04-15 |
EP0640696A1 (en) | 1995-03-01 |
US5455061A (en) | 1995-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950006966A (ko) | 플라즈마 가공 처리 특성의 비파괴 측정 | |
ES531211A0 (es) | Perfeccionamientos en los aparatos de radiacion nuclear y metodo correspondiente | |
IT8121546A0 (it) | Sonda elettrochimica di misurazione per determinare il contenuto di ossigeno in gas e procedimento per produrre elementi sensori per tali sonde di misurazione. | |
ATE32427T1 (de) | Geraet und verfahren zur faehigkeitspruefung mittels temperaturdifferenzen. | |
DE50205440D1 (de) | Methode und vorrichtung zum nachweis von methyl-isothiocyanat in luftproben | |
KR830009484A (ko) | 피복된 물품의 표면 검사 방법 | |
US20170343341A1 (en) | Method and system for detecting fingerprint sensor protection layer thickness | |
Abdollahi-Mamoudan et al. | Multi-electrode coplanar capacitive probe with various arrangements for non-destructive testing of materials | |
WO2014055183A1 (en) | Artificial defect for eddy current inspection | |
GB2224575A (en) | Displaying features (eg defects) of an electrically conductive component | |
CN100489491C (zh) | 金属原位分析仪悬浮式扫描方法及样品夹具 | |
Kim et al. | Eddy current methods for evaluation of the transformed fraction of metals by voltage source | |
US6734664B2 (en) | Compliant laminar eddy current sensitivity standard | |
US20140091784A1 (en) | Artificial Defect for Eddy Current Inspection | |
JPS57160054A (en) | Flaw detector | |
KR840004186A (ko) | 도금 제어검사 방법 및 장치 | |
Li et al. | Electrical characterization of focused ion beam induced platinum deposition | |
Saka et al. | Potential Drop technique for nondestructive evaluation of bifurcated crack in rail | |
GB1492411A (en) | Measuring or indicating apparatus for instruments | |
JPS56162048A (en) | Automatic ultrasonic flaw detecting method | |
JPH0572160A (ja) | 過酸化水素濃度の測定方法及び装置 | |
So et al. | Measurement of reinforcement corrosion rate using transient galvanostatic pulse method | |
ATE270592T1 (de) | Vorrichtung zur zerstörungsfreien prüfung von insbesondere heissem stabförmigem walzmaterial | |
Hashimoto et al. | Experiment and Numerical Analysis of Benchmark Tests for ECT[Eddy Current Testing] | |
Rao et al. | Model based study of eddy current standard for inspection of aerospace structures |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |