KR950003751Y1

KR950003751Y1 - 반도체소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치

Info

Publication number: KR950003751Y1
Application number: KR92014914U
Authority: KR
Inventors: 윤희용
Original assignee: 문정환; 금성일렉트론 주식회사
Priority date: 1992-08-08
Filing date: 1992-08-08
Publication date: 1995-05-13
Also published as: KR940006191U

Abstract

내용 없음.

Description

반도체소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치

제1도는 본 고안 반도체소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치 구성도.

제2도는 제1도에 따른 상세 회로도.

제3a도 내지 f도는 본 고안에 따른 실시예도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 입력레벨발생부 2 : 반도체소자소켓

3 : 출력전압측정부 4 : 출력구동능력측정부

5 : 타이머 6 : 카운터

SW : 스위치 A : 전류계

V : 전압계 INV : 인버터

본 고안은 반도체소자의 출력전압(V_OH, V_OL)과 출력구동능력(I_OH, I_OL, I_OS-P, I_OS-N)측정장치에 관한 것으로, 특히 고가의 반도체 측정장비를 사용하지 않고 누구나 손쉽게 출력전압과 출력구동능력을 측정할 수 있도록 한 반도체소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치에 관한 것이다.

종래에는 반도체소자의 출력전압과 출력구동능력을 측정하기 위해서는 반도체 측정장비를 이용하였다.

즉 반도체 측정장비에 측정하고자 하는 반도체소자의 프로그램을 작성하고, 측정헤드에 측정에 필요한 주변기기를 설치한 후 측정대상 반도체소자를 넣어 그 반도체소자의 출력전압(V_OH, V_OL)과 출력구동능력(I_OH, I_OL, I_OS-P, I_OS-N)을 측정하였다.

그러나 상기에서 설명한 바와같이 반도체소자의 출력전압과 출력구동능력을 측정하는 위해서는 고가의 반도체 측정장비가 필요하며, 그 측정장비의 조작을 할줄 알아야 하고, 측정대상 반도체 소자의 프로그램을 작성해야 하는 불편한 문제점이 있고, 또한 측정대상 반도체소자를 측정장비에 장착하기 위한 주변기기가 있어야 하는 문제점이 있었다.

본 고안은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 값싼 회로소자로 손쉽게 제작하여 언제 어디서나 반도체소자의 출력전압(V_OH, V_OL)과 출력구동능력(I_OH, I_OL, I_OS-P, I_OS-N)을 측정할 수 있도록 한 반도체 소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치를 고안한 것으로, 이를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

제1도는 본 고안 반도체소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치 구성도로서, 이에 도시한 바와같이 입력레벨을 발생하는 입력레벨발생부(1)와, 그 입력레벨발생부(1)에서 발생되는 입력레벨에 의해 구동하는 반도체소자를 내장하는 반도체소자소켓(2)과, 그 반도체소자소켓(2)에 내장된 반도체소자의 출력신호로 출력전압을 측정하는 출력전압측정부(3)와, 상기 반도체소자의 출력신호로 출력구동능력을 측정하는 출력구동능력측정부(4)와, 출력구동능력측정시 상기 반도체소자에서 출력되는 출력신호를 제어하는 타이머(5)로 구성한다.

제2도는 본 고안 반도체소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치 상세회로도로서, 이에 도시한 바와같이 전원단자(V_DD)를 저항(R₁)을 통해 반도체소자소켓(2)의 입력측에 접속함과 아울러 입력레벨을 제어하는 스위치(SW₁)에 접속하여 입력레벨발생부(1)를 구성하고, 상기 반도체소자소켓(2)에 내장된 반도체소자의 출력신호를 스위치(SW₃, SW₇, SW₈)로 제어하여 저항(R₂, R₃)에서 전압강하되는 전압을 측정하는 전압계(V)로 출력전압 측정부(3)를 구성하고, 상기 반도체소자소켓(2)에 내장된 반도체소자의 출력신호를 스위치(SW₂, SW₄, SW₅)로 제어하여 저항(R₄, R₅)에 흐르는 전류를 측정하는 전류계(A)로 출력구동능력측정부(4)를 구성하며, 저항(R₆)과 캐패시터(C₁)에 의해 설정된 시정수값에 따라 카운팅하여 스위치(SW₆)를 통해 상기 스위치(SW₂)를 제어하는 카운터(6)로 타이머(5)를 구성한다.

이와같이 구성된 본 고안 반도체소자의 출력전압(V_OH, V_OL)과 출력구동능력(I_OH, I_OL, I_OS-P, I_OS-N)측정을 인버터(INV₁)를 사용해서 첨부한 제3a도 내지 f도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

제3a도에 도시한 바와같이 출력전압(V_OH)측정은 스위치(SW₁, SW_2,SW₈)를 온시키면 인버터(INV₁)의 입력은 저전위가 되어 그 인버터(INV₁)의 출력은 고전위가 된다. 이에따라 상기 인버터(INV₁)의 출력쪽에서 전류 I_OH가 흘러나와 저항(R₃)에 전압강하가 발생하고, 이 전압은 전압계(V)에 나타나므로 전압계(V)의 눈금을 읽어 출력전압 V_OH을 측정한다.

제3b도에 도시한 바와같이 출력전압(V_OL)측정은 스위치(SW₃, SW₇)를 온시키면 인버터(INV₁)의 입력은 고전위가 되어 그 인버터(INV₁)의 출력은 저전위가 된다. 이에따라 전류 I_OL이 상기 인버터(INV₁)쪽으로 흘러들어간다. 이때 저항(R₂)에 의해 전압강하된 전압이 전압계(V)이 나타나므로, 그 전압계(V)의 눈금을 읽어 출력전압 V_OL을 측정한다.

제3c도에 도시한 바와같이 출력구동능력(I_OH)측정은 스위치(SW₁, SW_2,SW₅)를 온시키면 인버터(INV₁)의 입력은 고전위가 되어 그 인버터(INV₁)의 출력은 고전위가 된다.

이에따라 상기 인버터(INV₁)에서 전류 I_OH가 흘러나와 스위치(SW₅)를 통해 0.8V의 기준전압(Vref₁)으로 인가된다.

이때 상기 인버터(INV₁)에서 흘러나온 전류 I_OH는 전류계(A)에 나타나므로, 상기 전류계(A)의 눈금을 읽어 I_OH를 측정한다.

제3d도에 도시한 바와같이 출력구동능력(I_OL)측정은 스위치(SW₂, SW₄)를 온시키면, 인버터(INV₁)의 입력은 고전위가 되어 그 인버터(INV₁)의 출력은 저전위가 된다. 이에따라 2.0V의 기준전압(Vref₂)로부터 전류 I_OL이 흘러나와 스위치(SW₂)를 통해 상기 인버터(INV₁)쪽으로 흘러들어간다. 이때 전류 I_OL은 전류계(A)에 나타나므로 그 전류계(A)의 눈금을 읽어 I_OL을 측정한다.

제3e도에 도시한 바와같이 출력구동능력(I_OS-P)(Output Short Current P-channel)의 측정은 스위치(SW₁)가 온되면 인버터(INV₁)의 입력은 저전위가 되어 그 인버터(INV₁)의 출력은 고전위가 된다. 이때 카운터(6)가 저항(R₆)과 캐패시터(C₁)에 의한 시정수값에 따라 카운팅한 값인 클럭펄스를 출력하여 스위치(SW₆)을 통해 스위치(SW₂)를 온시키면 상기 인버터(INV₁)의 출력쪽에서 전류 I_OS-P는 그 스위치(SW₅)를 통해 그라운드(GND)된 기준전압(Vref₂)으로 흘러들어간다.

따라서 전류 I_OS-P는 전류계(A)에 나타나므로 그 전류계(A)의 눈금을 읽어 I_OS-P를 측정한다.

여기서 상기 타이어(5)를 사용하는 이유는 I_OS측정시 1초이상 측정하면 반도체소자의 출력단이 손상을 입을 수 있기 때문에 스위치(SW₂)를 온-오프시켜 반도체소자를 보호하기 위해 구성된다.

제3f도에 도시한 바와같이 측정구동능력(I_OS-N)측정은 스위치(SW₁)을 오프시키면, 인버터(INV₁)의 입력은 고전위가 되어 그 인버터(INV₁)의 출력은 저전위가 된다. 이때 상기에서와 같이 타이머(5)가 클럭펄스를 출력하여 스위치(SW₆)를 통해 스위치(SW₂)를 온시키고, 스위치(SW₄)가 온되면 전원전압(V_DD)인 기준전압(Vref₁)으로부터 전류 I_OS-N이 흘러나와 상기 인버터(INV₁)쪽으로 흘러들어간다. 이때 전류 I_OS-N은 전류계(A)에 나타나므로, 그 전류계(A)의 눈금을 읽어 I_OS-N을 측정한다.

상기에서 설명한 바와같이 본 고안은 고가의 반도체 측정장비를 이용하지 않고도 누구나 값싸고 손쉽게 반도체소자의 측정장비를 제작하여 반도체소자의 출력전압(V_OH,V_OL) 및 출력구동능력(I_OH, I_OL, I_OS-P, I_OS-N)을 측정할 수 있는 효과가 있으며, 또한 휴대와 측정이 간편한 효과가 있다.

Claims

반도체소자의 구동을 위한 입력레벨을 발생하는 입력레벨발생부(1)와, 측정하고자 하는 상기 반도체소자를 내장하는 반도체소자소켓(2)과, 상기 반도체소자소켓(2)에 내장된 상기 반도체소자의 출력신호에 의해 출력전압(V_OH, V_OL)을 측정하는 출력전압측정부(3)와, 상기 반도체소자의 출력신호에 의해 출력구동능력(I_OH, I_OL, I_OS-P, I_OS-N)을 측정하는 출력구동능력측정부(4)와, 출력구동능력측정시 상기 반도체소자의 출력신호를 제어하는 타이머(5)로 구성함을 특징으로 하는 반도체소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치.
제1항에 있어서, 입력레벨발생부(1)는 전원단자(V_DD)를 저항(R₂)을 통해 반도체소자소켓(2)의 입력측에 접속함과 아울러 접지된 스위치(SW₁)에 접속하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치.
제1항에 있어서, 출력전압측정부(3)는 반도체소자소켓(2)의 출력측을 스위치(SW₃)를 통해 전압계(V)에 접속하고, 그 접속점을 전원단자(V_DD)가 저항(R₂)을 통해 일측단자에 연결된 스위치(SW₇)의 타측단자에 접속함과 아울러 접지된 저항(R₃)이 타측단자에 연결된 스위치(SW₈)의 일측단자에 접속하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치.
제1항에 있어서, 출력구동능력측정부(4)는 반도체소자소켓(2)의 출력측을 스위치(SW₂)를 통해 전류계(A)의 입력측에 접속하고, 그 전류계(A)의 출력측을 스위치(SW₄), (SW₅)에 각기 접속하고, 상기 스위치(SW₄)를 저항(R₄)을 통해 기준전압단자(Vref₁)에 접속하고, 상기 스위치(SW₅)를 저항(R₅)을 통해 기준전압단자(Vref₂)에 접속하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치.
제1항에 있어서, 타이머(5)는 저항(R₆)과 캐패시터(C₁)에 의한 시정수값에 따라 카운팅하여 스위치(SW₆)를 통해 스위치(SW₂)를 제어하는 카운터(6)로 구성됨을 특징으로 하는 반도체소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치.
제1항에 있어서, 출력전압(V_OH)측정은 스위치(SW₁, SW₃, SW₈)을 온시켜 저항(R₃)에서 전압강하된 전압을 전압계(V)로 측정함을 특징으로 하는 반도체소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치.
제1항에 있어서, 출력전압(V_OL)측정은 스위치(SW₂, SW₇)을 온시켜 저항(R₂)에서 전압강하된 전압을 전압계(V)로 측정함을 특징으로 하는 반도체소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치.
제1항에 있어서, 출력구동능력(I_OH)측정은 스위치(SW₁, SW₂, SW₅)을 온시켜 반도체소자의 출력신호가 기준전압(Vref₁)으로 흐를시의 전류를 전류계(A)로 측정하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치.
제1항에 있어서, 출력구동능력(I_OL)측정은 스위치(SW₂, SW₄)를 온시켜 기준전압(Vref₁)에서 반도체소자의 흐르는 전류를 전류계(A)로 측정하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치.
제1항에 있어서, 출력구동능력(I_OS-P)측정은 스위치(SW₁, SW₅)을 온시키고, 타이머(5)가 스위치(SW₂)를 온시켜 반도체소자에서 기준전압(Vref₂)으로 흐르는 전류를 전류계(A)로 측정하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치.
제1항에 있어서, 출력구동능력(I_OS-N)측정은 스위치(SW₄)을 온시키고, 타이머(5)가 스위치(SW₂)를 온시켜 기준전압(Vref₁)에서 반도체소자로 흐르는 전류를 전류계(A)로 측정하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 출력전압/출력구동능력 측정장치.