KR950000010B1 - Ion plating method and processing apparatus therefor - Google Patents

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히로시 가게찌까
다께시 세끼구찌
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닛폰 고오깐 가부시끼가이샤
야마시로 아끼나리
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Abstract

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Description

이온도금법 및 그 방법을 위한 장치Ion Plating Method and Apparatus for the Method

제 1 도는 본 발명이 실시예 1에 따른 이온도금 장치를 나타낸 개략도이고,1 is a schematic view showing an ion plating apparatus according to the first embodiment of the present invention,

제 2 도는 실시예 1의 장치 및 비교실시예의 통상의 장치를 사용할때의 전착속도와 이온화비 사이의 관계를 나타낸 그래프이며,2 is a graph showing the relationship between the electrodeposition rate and the ionization ratio when using the apparatus of Example 1 and the conventional apparatus of the comparative example,

제 3 도는 본 발명이 실시예 2에 따른 이온도금 장치를 나타낸 개략도이고,3 is a schematic view showing an ion plating apparatus of the present invention according to Example 2,

제 4 도는 본 발명이 실시예 3에 따른 이온도금 장치를 나타낸 개략도이고,4 is a schematic view showing an ion plating apparatus of the present invention according to Example 3,

제 5 도는 미합중국 특허 제4,828,872호(DE 3,627,151 A1)에 개시된 장치를 나타낸 개략도이다.5 is a schematic representation of the apparatus disclosed in US Pat. No. 4,828,872 (DE 3,627,151 A1).

본 발명은 이온도금법 및 이온 도금을 위한 장치, 더욱 구체적으로는 필름을 폭넓은 기재상에 고속으로 형성시키는데 적합한 이온-도금법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to devices for ion plating and ion plating, and more particularly to ion-plating methods and devices suitable for forming films at high speed on a wide range of substrates.

최근에, 건식 공정에 의해 냉간압연 강판과 같은 폭 넓은 강판상에 필름을 형성시켜 부가가치를 증가시키려는 시도가 있어 왔다. 이러한 시도들중에서도, 이온 도금이 필름의 접착력과 밀도 및 생산성면에서 우수한 방법으로 확인되었다.[Material and Process, Vol. 2, pp. 1636-1637(1989)]. 이온 도금에 있어서의 생산성을 향상시키기 위해서는, 필름 물질을 고속으로 증발시켜야만 하며, 상기 물질의 가열 수단으로서 고전력 전자총(electron gun)을 사용하는 것이 유리하다. 그러나, 높은 이온화비에서 고속으로 증발된 물질을 이온화시키는 경우에 기술적인 어려움을 경험하게 되었다. 넓은 강판에 대한 어떠한 공업적인 방법도 아직 확립되지 않았다.Recently, attempts have been made to increase the added value by forming a film on a wide steel sheet such as a cold rolled steel sheet by a dry process. Among these attempts, ion plating was found to be an excellent method in terms of adhesion, density and productivity of the film. [Material and Process, Vol. 2, pp. 1636-1637 (1989). In order to improve the productivity in ion plating, the film material must be evaporated at high speed, and it is advantageous to use a high power electron gun as the heating means of the material. However, technical difficulties have been encountered when ionizing materials that have been evaporated at high speed at high ionization ratios. No industrial method for wide steel sheet has yet been established.

이온도금법에 의해 세라믹 필름을 형성시키는 경우, 세라믹의 주성분인 금속 재료를 가열하고 증발시킨다음 이온화시킨다. 동시에, 금속 이온을 이온화도중에 동시 공급된 반응 기체와 반응시켜 기재상에 세라믹 필름을 형성시킨다. 이온 도금법중에서, HCD(Hollow Cathode Discharge)법이 플라즈마 건(plasma gun)을 사용하여 물질을 동시에 증발시키고 이온화시키는데 유용하다. 이 방법은 높은 이온화비를 갖기 때문에 반응 이온도금법으로서 사용된다. 그러나, 이 방법의 증착속도는 1/10㎛/min 정도이며, 대부분의 실용적인 시스템은 소규모의 회분식 시스템이다. 이 방법을 강판용의 연속공정 장치에 적용시키는 경우에 경제적인 단점이 불가피하게 야기된다.When the ceramic film is formed by the ion plating method, the metal material which is the main component of the ceramic is heated, evaporated and ionized. At the same time, metal ions are reacted with a reaction gas simultaneously supplied during ionization to form a ceramic film on the substrate. Among ion plating methods, the HCD (Hollow Cathode Discharge) method is useful for simultaneously evaporating and ionizing materials using a plasma gun. This method is used as a reactive ion plating method because it has a high ionization ratio. However, the deposition rate of this method is on the order of 1/10 μm / min, and most practical systems are small batch systems. The economic disadvantage is inevitably caused when this method is applied to a continuous processing apparatus for steel sheet.

일본국 공고특허 제57-57553호에는 이온화비 및 필름의 품질을 향상시키기 위하여 가열 수단으로서 전자총을 사용하고 도가니(crucible) 근처에 양(+)전극을 배열하는 방법이 제안되어 있다. 그러나 이 방법에 따르며, 고속으로 필름을 형성시키는 도중에 방출이 불안정하게 되기 때문에, 이 방법은 단지 소규모의 회분식 시스템에만 적용된다. 그러므로, 넓은 도가니를 사용하여 넓은 면적을 갖는 강판들을 고속으로 이온 도금하기가 어렵다.Japanese Patent Publication No. 57-57553 proposes a method of using an electron gun as a heating means and arranging a positive electrode near a crucible in order to improve the ionization ratio and the quality of the film. However, this method is only applicable to small batch systems because the emission becomes unstable during film formation at high speeds. Therefore, it is difficult to ion plate steel sheets having a large area at high speed by using a wide crucible.

일본국 공개특허 제57-155369호에는 도가니의 윗쪽에 위치된 후드(hood)에 의해 증기 입자를 수렴(converging)하고, 후드의 상부에 위치되어 있는 양전극 및 필라멘트에 의해 증기 입자를 이온화시키는 방법이 제안되어 있다. 이 방법에 따르면, 고속 증발시키는 도중에 조차도 안정한 방출을 얻을 수 있다. 그러나, 필라멘트의 수명이 짧으며, 따라서 이 방법은 실용적인 연속장치에 적용시킬 수 없다.Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-155369 discloses a method of converging vapor particles by a hood located above the crucible and ionizing the vapor particles by a positive electrode and a filament located above the hood. It is proposed. According to this method, a stable release can be obtained even during high-speed evaporation. However, the life of the filament is short, so this method is not applicable to practical continuous equipment.

제 5 도에 개략적으로 나타낸 바와 같이, 미합중국 특허 제4,828,872호(DE 3627 151 A1)에는 도가니(3)를 상부구멍(opening)(8)를 가진 내부 챔버(6)로 완전히 덮어 씌우고, 구멍(8)로부터의 증기 흐름을 상기구멍(8)의 윗쪽에 위치된 양전극(9)에 의해 이온화시키는 방법이 제안되어 있다. 이 방법에 따르면, 고속 증발도중에 조차도 안정한 방출이 얻어지며, 제 5 도에 도시된 배열상태가 장기간 작업에 견디어 낼 수 있다. 그러나, 내부 챔버(6)의 윗쪽에 있는 전극(9)과 도가니(3) 사이의 간격이 너무 넓기 때문에, 증기상 물질(4)에 의해 발생된 열전자(thermoelectron)를 충분히 가속시킬 수 없다. 이러한 이유 때문에, 증기입자의 이온화비가 충분히 높지 못하다. 특히, 이온화비가 고속 증발도중에 크게 감소된다.As schematically shown in FIG. 5, US Pat. No. 4,828,872 (DE 3627 151 A1) completely covers the crucible 3 with an inner chamber 6 having an opening 8, and the hole 8 A method of ionizing the vapor flow from the < RTI ID = 0.0 >) < / RTI > According to this method, stable release is obtained even during high speed evaporation, and the arrangement shown in Fig. 5 can withstand long term operation. However, because the gap between the electrode 9 and the crucible 3 on the upper side of the inner chamber 6 is too wide, it is not possible to sufficiently accelerate the thermoelectrons generated by the vaporous material 4. For this reason, the ionization ratio of the vapor particles is not high enough. In particular, the ionization ratio is greatly reduced during fast evaporation.

본 발명의 발명자들은 이러한 문제들을 고려하여 예의 연구를 한 결과, 도가니내의 증기상 물질을 전자총에 의해 가열하여 증발시키고 양전극에 의해 이온화시킬 때 도가니의 윗쪽에 증기 흐름을 수렴하는 기능을 가진 후드형(hood-like)전극을 위치시킴으로써, 간단한 구조물을 사용하여 고속으로 증발 시키는 동안에 조차도 방출을 안정화시키고 이온화비를 증가시키는 본 발명을 이룩하게 되었다.The inventors of the present invention have made intensive studies in consideration of these problems. As a result, the hood type having the function of converging the vapor flow on the top of the crucible when the vapor phase material in the crucible is heated and evaporated by an electron gun and ionized by the positive electrode ( By placing a hood-like electrode, the present invention achieves the invention of stabilizing the emission and increasing the ionization ratio even during high evaporation using a simple structure.

본 발명의 목적은, 간단한 구조물을 사용하여 대규모의 공업용 강판 및 특히 넓은 강판들을 고증착 속도 및 높은 이온화비로 안정하게 이온도금시킴으로써 이동강판상에 고품질의 금속, 합금 및 세라믹 필름을 형성시키는 이온도금법 및 이 방법에 사용하기 위한 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an ion plating method for forming a high quality metal, alloy and ceramic film on a moving steel sheet by stably ion plating a large scale industrial steel sheet and especially a wide steel sheet with a high deposition rate and a high ionization ratio using a simple structure. It is to provide an apparatus for use in this method.

본 발명에 따라, 적어도 하나의 물질상에 전자 비임을 방사하여 상기 물질을 가열하고 증발시켜 상기 물질의 증기 흐름을 발생시키는 단계 ; 후드형 전극에 의해 상기 물질의 증기 흐름을 수렴하는 단계 ; 상기 후드형 전극에 양(+)의 전압을 인가하여 상기 물질로부터 열전자를 유인(attract)하고, 이 열전자로 공기흐름을 이온화시키는 단계 ; 및 수렴되고 이온화된 증기 흐름을 강판상에 증착시키는 단계를 포함하여, 이동 강판을 이온도금시키는 방법이 제공된다. 또한, 강판상에 세라믹 필름을 형성시키려는 경우에는, 반응 기체를 전극 내측으로 공급한 다음 전극내를 유동하는 반응 기체를 증기 흐름과 함께 이온화시킴으로써, 생성 화합물을 세라믹 필름으로서 상기 강판상에 증착시킨다.According to the present invention, there is provided a method comprising: radiating an electron beam onto at least one material to heat and evaporate the material to generate a vapor flow of the material; Converging the vapor flow of the material by a hooded electrode; Applying a positive voltage to the hood electrode to attract hot electrons from the material and ionize the air flow with the hot electrons; And depositing a condensed and ionized vapor stream onto the steel sheet, thereby providing a method of ion plating a moving steel sheet. In addition, in the case where a ceramic film is to be formed on the steel sheet, the resulting compound is deposited on the steel sheet as a ceramic film by supplying the reaction gas into the electrode and then ionizing the reaction gas flowing in the electrode with the vapor flow.

또한 본 발명에 따라, 진공 대기하에 유지되고 이온도금시킬 강판이 통과하는 입구 및 출구를 가진, 상기 강판을 통과시키기 위한 진공실 ; 이온도금 물질을 함유하기 위한, 상기 진공실내의 강판 아랫쪽에 위치된 도가니 ; 상기 도금 물질상에 전자 비임을 방사하여 상기 물질을 가열하고 증발시키기 위한 방사 수단 ; 상기 도가니 윗쪽 및 상기 진공실내의 가늘고 긴 조각 아랫쪽에 위치되어 있고 상기 도가니의 상부를 덮기 위한 후드형 형상을 가지고 있으며, 전극의 하부에 형성된 가열되고 증발된 물질을 수용하기 위한 구멍 및 전극의 상부에 형성된 가열되고 증발된 물질을 강판쪽으로 방출시키기 위한 구멍을 가진 전극 ; 및 전극에 접속된 양극 단자 및 도가니에 접속된 음극 단자를 가진 DC 전원을 포함하는 이온도금 장치로 제공된다. 또한, 강판상에 세라믹 필름을 형성시키기 위한 장치는 반응 기체를 수용하기 위한 입구를 추가로 갖는다.Also according to the present invention, there is provided a vacuum chamber for passing a steel sheet, having an inlet and an outlet through which the steel sheet to be ion plated is maintained in a vacuum atmosphere; A crucible located below the steel sheet in the vacuum chamber for containing an ion plating material; Spinning means for heating and evaporating the material by radiating an electron beam onto the plating material; Located above the crucible and below the elongated fragment in the vacuum chamber and having a hood shape to cover the top of the crucible, the hole and a hole for accommodating the heated and evaporated material formed at the bottom of the electrode An electrode having a hole for releasing the formed heated and evaporated material toward the steel sheet; And a DC power supply having a positive terminal connected to the electrode and a negative terminal connected to the crucible. In addition, the apparatus for forming the ceramic film on the steel sheet further has an inlet for receiving the reaction gas.

본 발명에 따라, 후드형 전극이 도가니 윗쪽에 위치되어 있기 때문에, 증기 흐름의 확산을 방지할 수 있다. 특히, 고속 증발 도중 증기상 물질의 표면 상태에 의해 야기된 증기 교란(vapor disturbance)을 억제할 수 있으며, 그 결과 방출을 안정시킬 수 있다. 또한, 고속 증발 도중 증기상 물질 표면상의 증기압이 크게 증가하고 증기상 물질의 표면으로부터 발생된 열전자의 평균 자유 행로(mean free path)가 짧아지는 경우에 조차도, 전극의 한쪽 말단이 도가니 가까이에 위치되어 있기 때문에 열전자가 충분히 가속되어 높은 이온화비를 유지할 수 있다.According to the present invention, since the hood type electrode is located above the crucible, it is possible to prevent the diffusion of the vapor flow. In particular, it is possible to suppress vapor disturbance caused by the surface state of the vapor phase material during the high-speed evaporation, and as a result, to stabilize the emission. In addition, even when the vapor pressure on the surface of the vapor phase material is greatly increased during the high-speed evaporation and the mean free path of hot electrons generated from the surface of the vapor phase material is shortened, one end of the electrode is located near the crucible. As a result, the hot electrons are sufficiently accelerated to maintain a high ionization ratio.

본 발명의 추가 목적 및 이점들은 하기에서 상세히 설명될 것이며, 그 중 일부는 설명내용으로부터 자명해지거나, 또는 본 발명의 실시에 의해 이해될 것이다. 특히 첨부된 특허 청구범위에 지적된 수단들 및 이들의 조합을 이용하여 본 발명의 목적 및 잇점들을 실현하고 얻을 수 있다.Further objects and advantages of the invention will be described in detail below, some of which will become apparent from the description, or will be understood by practice of the invention. In particular, it is possible to realize and obtain the objects and advantages of the present invention using the means pointed out in the appended claims and combinations thereof.

명세서에 포함되어 있고 명세서의 일부를 구성하는 첨부 도면들은 본 발명의 현재의 바람직한 실시태양을 예시하는 것이며, 상술한 바와 같은 일반적인 설명 및 후술하는 바람직한 실시태양의 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하려는 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are incorporated in and constitute a part of the specification, illustrate the presently preferred embodiments of the invention and illustrate the principles of the invention together with the general description as set forth above and the detailed description of the preferred embodiments described below. I will.

[실시예 1]Example 1

제 1 도에 도시된 실례에 의해 본 발명을 상세히 기술한다. 예시된 이온도금 장치는 이동 강판(11)의 연속이온 도금 공정에 사용한다. 바람직한 강판(11)의 실례는 저탄소강판, 스테인레스강판, 자성간판, Fe-Ni합금 박판, Al 박판 및 Ti 박판이다. 상기 장치가 적당한 냉각장치를 포함하는 경우에는, 상기 장치를 중합필름 등에도 응용할 수 있다. 그러므로, 본 장치에 의해 가공되는 가판은 특정한 물질로 한정되지 않는다. 본 장치는 진공 대기를 유지시키기 위한 진공실(1)을 포함한다. 진공실(1)은 그의 상부에 입구(14)와 출구(15)를 갖고 있다. 강판(11)은 진공실(1)을 통해 연장되어 이동한다. 입구(14) 및 출구(15)는 강판(11)이 이동중에 진공을 유지하기 위한 진공 밀봉체(14a,15a)를 갖고 있다. 진공 밀봉체(14a,15a)는 진공 탱크(1)에 인접해 있는 진공실의 압력이 진공실(1)의 압력과 거의 동일한 경우에는 사용할 필요가 없다.The invention is described in detail by way of example shown in FIG. The illustrated ion plating apparatus is used for the continuous ion plating process of the moving steel plate 11. Examples of preferred steel sheets 11 are low carbon steel sheets, stainless steel sheets, magnetic plates, Fe-Ni alloy sheets, Al sheets and Ti sheets. When the apparatus includes a suitable cooling apparatus, the apparatus can be applied to a polymer film or the like. Therefore, the substrate processed by the apparatus is not limited to a specific material. The apparatus includes a vacuum chamber 1 for maintaining a vacuum atmosphere. The vacuum chamber 1 has an inlet 14 and an outlet 15 thereon. The steel plate 11 extends and moves through the vacuum chamber 1. The inlet 14 and the outlet 15 have vacuum seals 14a and 15a for holding the vacuum while the steel plate 11 is moving. The vacuum seals 14a and 15a do not need to be used when the pressure in the vacuum chamber adjacent to the vacuum tank 1 is approximately equal to the pressure in the vacuum chamber 1.

배기시스템(2)은, 진공도가 10-3Pa 미만인 경우 진공펌프를 사용해야 하므로 경제적 효율면에서 좋지않고 1Pa를 초과하는 경우 불순물 기체 분자가 형성된 이온도금 필름에 나쁜 영향을 끼치므로, 이온 도금장치를 1Pa 내지 1×10-3Pa 범위의 진공으로 유지시키기 위해 진공실(1) 상부에 배치되어 있다. 도가니(3)는 진공실(1)의 하부에 위치되어 있으며, 증기상 물질(4)은 도가니(3)에 저장된다. 도가니(3)의 폭은 강판(11)의 폭과 동일하거나 상기 폭보다 크다. 바람직한 증기상 물질의 실례는 Ni, Co, Fe, Ti, Zr, Ta, V 및 Hf이다. 기타 바람직한 증기상 물질은 Cr, Mn 등이다. 전자총(12)은 진공실(1)의 한쪽 측면에 설치되어 있다. 전자총(12)으로부터 방출된 전자 비임(7)은 자장발생기(20)에 의해 편향되며, 편향된 전자 비임은 증기상 물질(4)의 표면상에 입사된다. 후드형 전극(9)은 도가니(3)와 강판(11) 사이에 배치된다. 전극(9)의 하부는 도가니(3)에 대해 개방되어 있다. 후드형 전극(9)은 그의 상부쪽으로 점점 좁게 테이퍼져 있다. 상부에는 구멍(8)이 있다. 구멍(8)은 강판(11)과 대향하고 있다. 구멍(8)의 폭은 강판(11)의 폭과 동일하거나, 또는 상기 폭보다 크다. 구멍(16)은 전극(9)의 측면부에 형성되어 있어서 전자 비임이 구멍(16)을 통해 통과할 수 있다. 전극(9) 재료는 도가니(3)로부터 방사된 열 및 이온화 도중에 발생된 열에 저항하도록 수냉장치를 갖는 구리가 바람직하다. 전자 비임이 관통하는 측면 구멍(16)은 필수적이지는 않다. 전자 비임(7)이 전극(9)과 도가니(3) 사이의 공간을 통해 증기상 물질상에 입사된다면, 측면 구멍(16)을 생략할 수도 있다. DC 전원 (13)의 양극 단자는 전극(9)에 접속되어 있으며, DC전원(13)의 음극 단자는 도가니(13)에 접속되어 있다.Since the evacuation system 2 has to use a vacuum pump when the vacuum degree is less than 10 -3 Pa, it is not good in terms of economic efficiency, and when it exceeds 1 Pa, the exhaust system 2 has a bad effect on the ion plated film on which impurity gas molecules are formed. It is arranged above the vacuum chamber 1 to maintain a vacuum in the range of 1 Pa to 1 × 10 −3 Pa. The crucible 3 is located below the vacuum chamber 1, and the vapor phase material 4 is stored in the crucible 3. The width of the crucible 3 is equal to or greater than the width of the steel plate 11. Examples of preferred vapor phase materials are Ni, Co, Fe, Ti, Zr, Ta, V and Hf. Other preferred vapor phase materials are Cr, Mn and the like. The electron gun 12 is provided on one side of the vacuum chamber 1. The electron beam 7 emitted from the electron gun 12 is deflected by the magnetic field generator 20, and the deflected electron beam is incident on the surface of the vapor phase material 4. The hood type electrode 9 is disposed between the crucible 3 and the steel plate 11. The lower part of the electrode 9 is open with respect to the crucible 3. The hooded electrode 9 is tapered narrower towards its top. At the top there is a hole 8. The hole 8 faces the steel plate 11. The width of the hole 8 is equal to or greater than the width of the steel sheet 11. The hole 16 is formed in the side portion of the electrode 9 so that the electron beam can pass through the hole 16. The material of the electrode 9 is preferably copper having a water cooling device to resist heat radiated from the crucible 3 and heat generated during ionization. The side holes 16 through which the electron beams pass are not essential. If the electron beam 7 is incident on the vapor phase material through the space between the electrode 9 and the crucible 3, the side holes 16 may be omitted. The positive terminal of the DC power source 13 is connected to the electrode 9, and the negative terminal of the DC power source 13 is connected to the crucible 13.

본 장치에 있어서, 전자 비임(7)은 전자총(13)으로부터 방출되며, 자장 발생기(20)에 의해 편향된다. 편향된 전자 비임(7)은 진공실(1)의 하중심부에 위치된 도가니(3)상으로 입사되어 증기상 물질(4)을 가열하여 증발시킨다. 전자총(12)의 출력은, 예를들면, 40 내지 600Kw이다. 상기 물질의 증기 흐름은 후드형 전극(9)내로 수렴된다. 양전압이 전극(9)에 인가되며, 증기흐름은 증기상 물질(4)로부터 발생된 열전자에 의해 이온화 된다. 전극(9)에 인가된 전압은, 예를들면, 15 내지 100V의 범위에 있으며, 이것은 이온화비의 범위내이다. 후드형 전극에 가해지는 전압이+15V 미만인 경우에는 도가니로부터 생성되는 전자에너지가 금속의 주 이온화 포텐셜 또는 그 이상에 도달할 때까지 증가될 수 없고 따라서 방출이 일어날 수 없으며, +100V를 초과하는 경우에는 전극과 진공실 사이에 불안정한 방출이 쉽게 일어나게 되므로 바람직하지 않다. 이온화된 금속 증기는 전극(9)에 의해 수렴되고, 전극(9)의 상부 구멍(8)을 통해 상부 강판(11)상에 증착되며, 이로 인해 강판(11)상에는 금속 필름이 형성된다. 이때, 음전압을 강판(11)에 계속 인가하면, 이온화된 증기 입자가 강판(11)쪽으로 가속되며, 그 결과 필름의 접착력을 증가시킬 수 있고 성형성을 향상시킬 수 있다. 강판(11)에 인가된 전압은, -50V를 초과하는 경우 증기 입자의 에너지가 낮아서 우수한 접착력 및 가공성을 갖는 이온도금을 얻을 수 없고, -100V 미만인 경우 증기 입자의 에너지가 과도하게 높아서 강판의 온도가 과도하게 증가하거나 형성된 필름이 스퍼터링될 수 있으므로 -10 내지 -1,000V 범위내로 하는 것이 바람직하다.In the present device, the electron beam 7 is emitted from the electron gun 13 and is deflected by the magnetic field generator 20. The deflected electron beam 7 is incident on the crucible 3 located at the load core of the vacuum chamber 1 to heat and vaporize the vapor phase material 4. The output of the electron gun 12 is 40-600 Kw, for example. The vapor flow of the material converges into the hooded electrode 9. A positive voltage is applied to the electrode 9 and the vapor flow is ionized by the hot electrons generated from the vapor phase material 4. The voltage applied to the electrode 9 is, for example, in the range of 15 to 100 V, which is in the range of the ionization ratio. When the voltage applied to the hood type electrode is less than + 15V, the electron energy generated from the crucible cannot be increased until the main ionization potential of the metal is reached or higher, so that emission cannot occur, and exceeds + 100V. This is undesirable because unstable emission easily occurs between the electrode and the vacuum chamber. The ionized metal vapor is converged by the electrode 9 and deposited on the upper steel plate 11 through the upper hole 8 of the electrode 9, thereby forming a metal film on the steel plate 11. At this time, if the negative voltage is continuously applied to the steel sheet 11, the ionized vapor particles are accelerated toward the steel sheet 11, as a result can increase the adhesion of the film and improve the formability. When the voltage applied to the steel sheet 11 is higher than -50V, the energy of the steam particles is low to obtain ion plating having excellent adhesion and workability. If the voltage is lower than -100V, the temperature of the steel sheet is excessively high. It is preferable to keep the film in the range of -10 to -1,000V because the excessively increased or formed film can be sputtered.

본 장치에 있어서, 후드형 전극(9)은 도가니(3) 윗쪽에 배치되어 있으므로, 증기 흐름의 확산을 방지할수 있다. 특히, 고속 증발도중에 증기상 물질의 표면 상태에 의해 야기된 증기 교란을 억제할 수 있어, 방출을 안정화시킬 수 있다. 이외에, 전극(9) 그 자체가 후드의 기능을 갖고 있으므로, 구조를 단순화 시켜 장기간동안 안정화를 이룰 수 있다. 후드형 전극의 한쪽 말단은 도가니의 근처에 위치되어 있으므로, 전자들이 증기상 물질의 표면으로부터 발생된 열전자들의 평균 자유 행정이 더 짧은 경우에 조차도 충분히 가속화되어 높은 이온화 비율을 유지할 수 있다.In this apparatus, since the hood type electrode 9 is disposed above the crucible 3, it is possible to prevent the diffusion of the steam flow. In particular, it is possible to suppress the steam disturbance caused by the surface state of the vapor phase material during the high-speed evaporation, thereby to stabilize the emission. In addition, since the electrode 9 itself has the function of a hood, the structure can be simplified and stabilized for a long time. Since one end of the hooded electrode is located near the crucible, electrons can be sufficiently accelerated to maintain a high ionization rate even when the average free path of hot electrons generated from the surface of the vaporous material is shorter.

제 2 도는 제 1 도에 도시된 장치 및 제 5 도에 도시된 장치를 사용할 때 증착 속도와 이온화비 사이의 관계를 나타낸 그래프이다. 이 경우, 증기상 물질은 Ti이고, 전자총 출력은 40 내지 150Kw 범위로 변화한다. 전극에 인가된 전압은 +30 내지 +50V의 범위내이다. 이온화 비율은 기재를 통해 흐르는 전류값에 따라서 계산한다. 제 2 도로부터 명백히 알 수 있듯이, 통상적인 방법에서는 증착 속도를 증가시키면, 이온화비는 급격히 감속된다. 이와는 대조적으로, 본 발명에 따르면 고속증착 도중에도 통상적인 방법보다 높은 이온화 비율을 유지할 수 있다.FIG. 2 is a graph showing the relationship between deposition rate and ionization ratio when using the apparatus shown in FIG. 1 and the apparatus shown in FIG. In this case, the vapor phase material is Ti, and the electron gun output varies in the range of 40 to 150 Kw. The voltage applied to the electrode is in the range of +30 to + 50V. The ionization ratio is calculated according to the current value flowing through the substrate. As can be clearly seen from FIG. 2, in the conventional method, as the deposition rate is increased, the ionization ratio is rapidly reduced. In contrast, according to the present invention, it is possible to maintain a higher ionization rate than the conventional method even during high-speed deposition.

[실시예 2]Example 2

제 3 도에 도시된 이온도금 장치는 다음과 같은 구조를 제외하곤, 기본적으로 제 1 도의 장치와 동일하다. 즉, 최소한 2개의 도가니(3a,3b)가 강판(11)의 이동방향으로 진공실(1)의 내측 하부에 나란히 정렬되어 있다. 증발되고, 이온 도금에 의해 형성되는 합금 필름의 성분들을 함유하는 물질(4a,4b)들이 도가니(3a) 및 (3b)에 각각 저항되어 있다. 적합한 증기상 물질(4a,4b)의 실례는 Ti, Hf, Ta, W, V, Zr, Ni, Co, Fe, Cr, Al, Mn 및 Zn이다. 이들 물질중, 가열 및 증발 도중에 발생되는 많은 수의 열전자들을 갖는 내화 금속이 증기상 물질로서 적합하다. 그러나, 증기 물질은 이들 물질로 한정되는 것은 아니다. 금속을 제외한 화합물(예를들면, 질화물, 산화물, 또는 탄화물)은 목적하는 합금에 따라서 사용될 수 있다. 각 도가니(3a,3b)의 폭은 강판(11)의 폭과 동일하거나 상기 폭보다 크다.The ion plating apparatus shown in FIG. 3 is basically the same as the apparatus of FIG. 1 except for the following structure. That is, at least two crucibles 3a and 3b are arranged side by side in the lower part of the vacuum chamber 1 in the moving direction of the steel plate 11. Materials 4a and 4b which evaporate and contain the components of the alloy film formed by ion plating are resisted to crucibles 3a and 3b, respectively. Examples of suitable vapor phase materials 4a, 4b are Ti, Hf, Ta, W, V, Zr, Ni, Co, Fe, Cr, Al, Mn and Zn. Among these materials, refractory metals having a large number of hot electrons generated during heating and evaporation are suitable as vapor phase materials. However, vapor materials are not limited to these materials. Compounds other than metals (eg nitrides, oxides, or carbides) may be used depending on the desired alloy. The width of each crucible 3a, 3b is equal to or larger than the width of the steel plate 11.

전자총(11)은 진공실(1)의 한측면상에 설치되어 있다. 전자 비임(7)은 자장 발생기(20)에 의해 발생된 편향 자장에 의해 도가니쪽으로 편향된다. 편향된 전자 비임은 또한 증기상 물질(4a,4b)의 표면상에 방사된다. 전자 비임이 다수의 도가니상에 방사되는 경우, 그것은 피어스 유형(Pierce type) 전자총을 포함하는 것이 바람직하다. 피어스 유형 전자총에 한정되지 않은 두 개 이상의 전자총을 사용할 수 도 있다.The electron gun 11 is provided on one side of the vacuum chamber 1. The electron beam 7 is deflected toward the crucible by a deflection magnetic field generated by the magnetic field generator 20. The deflected electron beam is also emitted on the surface of the vapor phase material 4a, 4b. If the electron beam is emitted onto a plurality of crucibles, it preferably includes a Pierce type electron gun. It is also possible to use two or more guns, not limited to pierce type guns.

후드형 전극(9)은 도가니(3a,3b)와 강판(11) 사이에 배치되어 있다. 전극(9)은 하부 구멍에서부터 그의 상부까지 동일한 단면적을 갖고 있다. 전극(9)은 전자 비임(7)이 통과하는 측면 구멍(16)과 상부 구멍(8)을 갖고 있다. 전자 비임(7)이 통과하는 측면 구멍(16)은 필수적인 것이 아니다. 예를들면, 측면 구멍(16)은 전자 비임(7)을 전극 (9)과 도가니(3a,3b)사이에 한정되어 있는 공간을 통해 증기상 물질 (4a) 및 (4b)상에 교대로 방사시키는 경우에 생략할 수 있다. 상부 구멍(8)의 폭은 강판(11)의 폭과 동일하거나 상기 폭보다 크다. DC 전원(13)의 양극 단자는 전극(9)에 접속되어 있으며, DC 전원(13)의 음극 단자는 도가니(3a,3b)에 접속되어 있다. 동시에, 도가니(3a,3b)는 접지되어 있다.The hood electrode 9 is disposed between the crucibles 3a and 3b and the steel plate 11. The electrode 9 has the same cross-sectional area from the bottom hole to the top thereof. The electrode 9 has a side hole 16 and an upper hole 8 through which the electron beam 7 passes. The side hole 16 through which the electron beam 7 passes is not essential. For example, the side holes 16 alternately radiate the electron beam 7 onto vapor phase materials 4a and 4b through a space defined between the electrode 9 and the crucibles 3a and 3b. It may be omitted in the case of making it. The width of the upper hole 8 is equal to or larger than the width of the steel plate 11. The positive terminal of the DC power supply 13 is connected to the electrode 9, and the negative terminal of the DC power supply 13 is connected to the crucibles 3a and 3b. At the same time, the crucibles 3a and 3b are grounded.

본 장치에 있어서, 전자 비임(7)은 전자총(12)으로부터 진공실(1)에 위치된 도가니(3a,3b)내의 증기상 물질(4a,4b)상으로 교대로 방사되어 증기상 물질(4a,4b)들을 동시에 증발시킨다. 강판 폭 방향의 필름 두께 분포를 일정하게 하는 동시에 생성된 필름이 목적하는 조성을 갖도록 최적의 주사방식을 체크한다. 전자 비임(7)은 이러한 주사 방식으로 방사된다. 증기상 물질(4a,4b)에 의해 발생된 열전자들은 양전압으로 인가된 전극에 의해 가속화되고, 증기 입자와 충돌하여 증기 입자를 이온화시킨다. 이때, 전자 비임을 편향시키기 위한 자장은 열전자들을 포획함으로써 열전자들과 증기 입자들 사이의 충돌 확률을 증가시키며, 이로 인해 이온화가 가속화된다. 이온화된 증기상 물질은 후두형 전극(9)에 의해 수렴되어 기상으로 혼합되고, 합금 증기(30)가 강판(11)상에 증착된다. 그 결과, 합금 필름이 강판(11)상에 형성된다. 이때, 이온화된 증기 입자가 강판(11)쪽으로 가속화되기 때문에, 음전압이 강판(11)에 계속 인가되어 필름의 접착력을 증가시키고 성형성을 개선시킨다. 강판상에 형성된 합금 필름의 합금의 실례는 바람직하게는 Ti-Cr, Ti-Ni, Ti-Al, Co-Cr 및 Zn-Mg이다. 이들 합금은 통상적인 방법에 따르면 접착력 및 성형성이 불량한 합금이다.In the present apparatus, the electron beam 7 is alternately radiated from the electron gun 12 onto the vapor phase materials 4a and 4b in the crucibles 3a and 3b located in the vacuum chamber 1 so that the vapor phase materials 4a, 4b) are evaporated simultaneously. The optimum scanning method is checked so that the film thickness distribution in the steel plate width direction is constant and the resulting film has the desired composition. The electron beam 7 is emitted in this scanning manner. The hot electrons generated by the vapor phase materials 4a and 4b are accelerated by the electrode applied with a positive voltage and collide with the vapor particles to ionize the vapor particles. At this time, the magnetic field for deflecting the electron beam increases the collision probability between the thermoelectrics and the vapor particles by trapping the hot electrons, thereby accelerating the ionization. The ionized vapor phase material is converged by the laryngeal electrode 9 and mixed in the gas phase, and the alloy vapor 30 is deposited on the steel plate 11. As a result, an alloy film is formed on the steel plate 11. At this time, since the ionized vapor particles are accelerated toward the steel sheet 11, a negative voltage is continuously applied to the steel sheet 11 to increase the adhesion of the film and improve the formability. Examples of the alloy of the alloy film formed on the steel sheet are preferably Ti-Cr, Ti-Ni, Ti-Al, Co-Cr and Zn-Mg. These alloys are alloys with poor adhesion and formability according to conventional methods.

본 장치에 있어서, 후드형 전극(9)이 도가니(3a,3b)의 윗쪽으로 배치되어 있으므로, 증기 흐름의 확산을 방지할 수 있다. 특히, 고속으로 증발시키는 도중에 증기상 물질의 표면상태에 의해 야기된 증기 교란을 억제할 수 있으므로 방출을 안정화시킬 수 있다. 이외에도, 전극(9) 그 자체가 후드의 기능을 갖고 있으므로, 구조를 단순화시켜 장기간동안 안정성을 부여할 수 있다. 후드형 전극의 한 말단은 도가니 근처에 위치되어 있으므로, 증기상 물질의 표면으로부터 발생된 열전자들의 평균 자유 행로가 더 짧은 경우에 조차도 전자들을 충분히 가속화시킬 수 있으므로 고이온화속도를 유지할 수 있다.In this apparatus, since the hood type electrode 9 is disposed above the crucibles 3a and 3b, the diffusion of the vapor flow can be prevented. In particular, the steam disturbance caused by the surface state of the vapor phase material during the evaporation at high speed can be suppressed, so that the emission can be stabilized. In addition, since the electrode 9 itself has a function of a hood, the structure can be simplified to provide stability for a long time. Since one end of the hooded electrode is located near the crucible, high ionization rates can be maintained because the electrons can be sufficiently accelerated even when the average free path of hot electrons generated from the surface of the vaporous material is shorter.

제 3 도의 장치를 사용하여 형성시킨 합금 필름의 이온도금 결과와 한 개의 도가니 대신 2개의 도가니를 가진 비교용 장치(제 5 도)의 이온도금 결과를 비교하여 하기에 기재할 것이다. 이러한 경우, 스테인레스강을 강판으로서 사용하였으며, 증기상 물질은 Ti 및 Cr이었다. Ti 및 Cr상에 입사되는 전자 비임의 방사시간은 예비실험에서의 합금 조성물과의 관계에 따라서 측정하였다. 전극(9)에 인가된 전압은 +50V가 되도록 설정하였다. 이온화비는 이온도금 도중에 증착 속도 및 강판을 통하여 흐르는 전류에 따라서 계산하였다. 강판에는 -100V의 전압을 인가하였다.The ion plating results of the alloy film formed using the apparatus of FIG. 3 and the ion plating results of the comparative apparatus (FIG. 5) having two crucibles instead of one crucible will be described below. In this case, stainless steel was used as the steel sheet, and the vapor phase materials were Ti and Cr. The spinning time of the electron beams incident on Ti and Cr was measured according to the relationship with the alloy composition in the preliminary experiment. The voltage applied to the electrode 9 was set to be + 50V. The ionization ratio was calculated according to the deposition rate and the current flowing through the steel sheet during ion plating. A voltage of -100 V was applied to the steel sheet.

이온 도금은 본 발명의 장치에서 전자총으로부터 80KW 출력으로 수행하였으며, 증착 속도는 8㎛/min, 이온화비는 35%였다. 이때, 비교용 장치의 증착 속도는 본 발명의 장치의 증착 속도와 거의 같았다. 그러나, 비교용 장치의 이온화 비율은 8%였다.Ion plating was performed with an 80KW output from the electron gun in the apparatus of the present invention, with a deposition rate of 8 μm / min and ionization ratio of 35%. At this time, the deposition rate of the comparative device was about the same as that of the device of the present invention. However, the ionization rate of the comparative device was 8%.

이온도금을 전자총으로부터 150KW 출력으로 수행하였을 때, 본 발명 장치의 증착 속도는 20㎛/min 이었고, 이온화비는 28%였다. 그와 반대로, 비교용 장치의 이온화비는 3%로 감소했다.When ion plating was performed at an output of 150 KW from the electron gun, the deposition rate of the apparatus of the present invention was 20 µm / min, and the ionization ratio was 28%. In contrast, the ionization ratio of the comparative device was reduced to 3%.

합금 필름의 접착력 및 성형성의 시험 결과와 진공증착에 의해 형성된 필름의 시험 결과는 하기 표 1에 요약되어 있다. 표 1로부터 알수 있듯이, 본 발명의 장치를 이용하여 이온도금시킴으로써 형성된 합금 필름은 비교실시예 보다 고속증착에 의한 더 높은 이온화 비율을 갖고 더 우수한 접착력과 더 좋은 성형성을 갖는다.The test results of the adhesion and formability of the alloy film and the test results of the film formed by vacuum deposition are summarized in Table 1 below. As can be seen from Table 1, the alloy film formed by ion plating using the apparatus of the present invention has a higher ionization ratio by high speed deposition than the comparative example, and has better adhesion and better moldability.

실시예 2에서 , 2개의 도가니는 서로 근접하여 위치되어 있다. 그러나, 3개 또는 그 이상이 도가니를 서로 근접하여 배치시킬 수도 있다.In Example 2, the two crucibles are located in close proximity to each other. However, three or more crucibles may be placed in close proximity to one another.

[실시예 3]Example 3

제 4 도에 나타낸 이온 도금 장치는 강판 표면에 세라믹 필름을 형성시키느데 사용된다. 도가니(3)내의 증기상물질(4)는 세라믹 필름을 구성하는 성분중 하나이고, 그 예로는 Ti, Hf, Ta, W, V, Zr, Ni, Co, Fe, Cr, Al, Mn 및 Zn이었다. 이들 물질중 가열 및 증발 도중에 발생된 다수의 열전자들을 가진 내화 금속이 증기상 물질로서 적합하다. 그러나, 증기 물질은 이들 물질로 제한되지는 않는다. 금속을 제외한 화합물(예를들면, 질화물, 산화물, 또는 탄화물)이 원하는 합금에 따라서 사용될 수 있다. 도가니의 수는 하나로 제한되는 것은 아니다. 다수의 도가니는 서로 근접하게 배열될 수도 있으며, 다른 물질들을 동시에 증발시켜 2개의 이상의 금속 성분들을 함유한 세라믹 필름을 형성시킬 수 있다. 도가니(3)의 폭은 강판의 폭 보다 크거나 같은 것이 바람직하다.The ion plating apparatus shown in FIG. 4 is used to form a ceramic film on the steel plate surface. The vapor phase material 4 in the crucible 3 is one of the components constituting the ceramic film, for example, Ti, Hf, Ta, W, V, Zr, Ni, Co, Fe, Cr, Al, Mn and Zn It was. Among these materials, refractory metals with a large number of hot electrons generated during heating and evaporation are suitable as vapor phase materials. However, vapor materials are not limited to these materials. Compounds other than metals (eg nitrides, oxides, or carbides) may be used depending on the desired alloy. The number of crucibles is not limited to one. Multiple crucibles may be arranged in close proximity to one another and other materials may be evaporated simultaneously to form a ceramic film containing two or more metal components. The width of the crucible 3 is preferably equal to or larger than the width of the steel sheet.

전자총(12)는 진공실(1)의 한쪽 측면에 장치한다. 전자 비임(7)은 자장 발생기 (20)에 의해 발생된 편향자기장으로 인해 도가니를 향해 편향된다. 편향된 전자 비임은 증기상 물질(4)의 표면에 입사된다. 전자총(12)는 바람직하게는 진공실(1)내의 압력이 반응 기체가 공급됨에 따라 증가되어도 안전하게 작동되는 피어스 유형 전자총으로 이루어져 있다.The electron gun 12 is mounted on one side of the vacuum chamber 1. The electron beam 7 is deflected towards the crucible due to the deflection magnetic field generated by the magnetic field generator 20. The deflected electron beam is incident on the surface of the vapor phase material 4. The electron gun 12 preferably consists of a pierce type electron gun which operates safely even if the pressure in the vacuum chamber 1 increases as the reaction gas is supplied.

후드형 전극(9)는 도가니(3)과 강판(11) 사이에 배치된다. 이 구조는 기본적으로 제 1 도의 구조와 같다. 제 1 도와 같은 도면 부호는 제 4 도에서도 같은 부품들을 나타내므로, 그들의 상세한 설명은 생략한다. 이러한 전극(9)은 반응 기체(18)을 수용하기 위해 그의 측면과 상부에 형성되어 있는 입구(17a,17b)를 가지고 있어 반응 기체(18)가 후드형 전극(9)의 내부와 상부로 공급된다는 사실에 주목해야 한다. 각각의 기체유입구(17a,17b)의 말단에는 금속 리스트릭터(restrictor)장치가 있다. 수냉각 장치는 필요에 따라서 배치된다. 기체 유입구까지의 기체 파이프는 절연물질로 되어 있다. 기체 유입구(17a,17b)로 공급된 반응 기체(18)는 목적 세라믹을 구성하고 있는 한가지 이상의 성분을 함유하고 있다. 이러한 성분의 예는 N₂, O₂, CH₄, C₂H₂, H₂일 수 있으며, 목적 세라믹 필름에 따라 임의의 기체가 결정될 수 있다. 성분들의 수는 한가지로 한정되는 것은 아니다. 2가지 이상의 기체를 혼합하여 혼성 화합물을 만들고, 예로, 탄소질화물의 필름을 형성시킬 수도 있다.The hood electrode 9 is disposed between the crucible 3 and the steel plate 11. This structure is basically the same as that of FIG. Since the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same parts in FIG. 4, their detailed descriptions are omitted. This electrode 9 has inlets 17a and 17b formed at its sides and top to receive the reaction gas 18 so that the reaction gas 18 is supplied to the inside and top of the hooded electrode 9. It should be noted that At the end of each gas inlet 17a, 17b is a metal restrictor device. The water cooling device is arranged as needed. The gas pipe to the gas inlet is made of insulating material. The reaction gas 18 supplied to the gas inlets 17a and 17b contains one or more components constituting the desired ceramic. Examples of such components may be N 2, O 2, CH₄, C 2 H 2, H 2, and any gas may be determined depending on the desired ceramic film. The number of components is not limited to one. Two or more gases may be mixed to form a hybrid compound, for example, to form a film of carbon nitride.

본 장치에서, 전자총(12)로부터의 전자 비임(7)은 증기상 물질(4)를 증발시키기 위해 진공실(1)에 위치시킨 도가니(3)내에 저장된 증기상 물질(4)위에 입사된다. 강판의 폭 방향의 필름 두께 분포가 균일하게 되도록 전자 비임(7)의 최적 주사 방식을 선택한다. 전자 비임(7)은 이러한 주사 방식으로 방사하게 된다. 증기상 물질(4)에 의해 발생된 열전자들은 양전압이 인가된 전극(9)에 의해 가속화되고, 이것이 증기 입자 및 반응 기체와 충돌하여 증기 입자와 반응 기체가 이온화된다. 이때, 전자 비임을 편향시키기 위한 자장은 열전자, 증기입자 및 반응 기체 사이의 충돌 확률을 증가시키며, 이에 의해 이온화가 가속화 된다. 이온화된 증기상 물질과 반응 기체는 후드형 전극(9)에 의해 수렴되고, 화합물내에서 서로 반응한다. 이때, 이 화합물이 강판(11)상에 증착된다. 이때, 음전압이 강판(11)에 계속 인가되어 이온화된 증기 입자가 반응 기체를 강판(11) 방향으로 가속시켜 반응을 가속화시키고 필름의 접착력을 증가시키며 성형성을 개선시킨다. 이러한 방식으로, 세라믹 필름과 같은 화합물 필름이 강판(11)상에 형성된다. 필름 형성 세라믹의 예로는 TiN, TiC, CrN, TiAlN 및 TiCN이 바람직하다. 세라믹 필름을 이온도금하는 경우에는 진공실의 진공도를 10Pa 내지 1×10-3Pa 범위 이내로 하며, 1×10-3Pa미만인 경우에는 진공실로 도입될 수 있는 반응체의 양이 적기 때문에, 바람직한 성분을 갖는 세라믹이 고속으로 생성될 수 있으며, 10Pa을 초과하는 경우에는 전자빔이 대기 기체에 의해 확산되기 때문에 물질을 증기화시키는데 필요한 전자빔이 생성되는 효과가 낮게 되며, 따라서 이온도금 필름이 형성되는 속도도 또한 낮다.In the device, the electron beam 7 from the electron gun 12 is incident on the vapor phase material 4 stored in the crucible 3 which is placed in the vacuum chamber 1 to evaporate the vapor phase material 4. The optimum scanning method of the electron beam 7 is selected so that the film thickness distribution of the width direction of a steel plate may become uniform. The electron beam 7 will radiate in this scanning manner. The hot electrons generated by the vapor phase material 4 are accelerated by the electrode 9 to which a positive voltage is applied, which collides with the vapor particles and the reaction gas to ionize the vapor particles and the reaction gas. At this time, the magnetic field for deflecting the electron beam increases the collision probability between the hot electrons, steam particles and the reaction gas, thereby accelerating ionization. The ionized vapor phase material and the reactant gas converge by the hood type electrode 9 and react with each other in the compound. At this time, this compound is deposited on the steel sheet 11. At this time, a negative voltage is continuously applied to the steel sheet 11 so that the ionized vapor particles accelerate the reaction gas in the direction of the steel sheet 11 to accelerate the reaction, increase the adhesion of the film and improve the formability. In this way, a compound film such as a ceramic film is formed on the steel sheet 11. Examples of film forming ceramics are TiN, TiC, CrN, TiAlN and TiCN. In the case of ion plating the ceramic film, the vacuum degree of the vacuum chamber is within the range of 10 Pa to 1 × 10 -3 Pa, and when the ceramic film is less than 1 × 10 -3 Pa, the amount of the reactant that can be introduced into the vacuum chamber is small. The ceramic having can be produced at high speed, and if it exceeds 10 Pa, since the electron beam is diffused by the atmospheric gas, the effect of generating the electron beam required to vaporize the material is low, and thus the rate at which the ion-plated film is also formed low.

본 장치에서, 후드형 전극(9)는 도가니(3) 윗쪽에 배치되기 때문에, 증기 흐름의 확산을 방지할 수 있다. 특히, 고속증발 도중 증기상 물질의 표면 상태에 의해 야기되는 증기 교란을 억제할 수 있어 방출을 안정화 시킬 수 있다. 게다가, 후드형 전극의 한 말단이 도가니에 인접해 위치해 있어, 증기압 및 증기상 물질 표면상의 반응 기체의 압력을 고속 증착도중에도 증가시킬 수 있으며, 그 결과 전자를 충분히 가속화시키고, 이온화 비율을 유지할 수 있으며, 증기 입자와 반응 기체 사이의 반응을 증기상 물질 및 전자 비임의 편향전자에 의해 발생된 열전자의 평균 자유행정이 더 짧은 경우에도 가속화시킬 수 있다.In this apparatus, since the hood type electrode 9 is disposed above the crucible 3, it is possible to prevent the diffusion of the steam flow. In particular, it is possible to suppress the steam disturbance caused by the surface state of the vapor phase material during the high-speed evaporation to stabilize the emission. In addition, one end of the hooded electrode is located adjacent to the crucible, which allows to increase the vapor pressure and the pressure of the reaction gas on the surface of the vapor phase material during high-speed deposition, resulting in sufficient acceleration of the electrons and maintaining the ionization rate. The reaction between the vapor particles and the reactant gas can be accelerated even if the mean free stroke of the hot electrons generated by the deflection electrons of the vapor phase material and electron beam is shorter.

제 4 도에 도시된 장치를 이용해 형성시킨 화합물 필름의 이온도금 결과와 반응 기체 유입구를 추가로 형성시킨 비교용 장치(제 5 도)를 이용한 이온도금 결과를 비교하여 하기에 기재할 것이다. 스테인레스강을 강판으로서 사용하였고, Ti를 증기상 물질로서 사용하였으며, N₂를 반응 기체로서 사용하였다. +50V의 전압을 전극(9)에 인가하고 -100V의 전압을 강판에 인가하였다.The ion plating results of the compound film formed using the apparatus shown in FIG. 4 and the ion plating results using the comparative apparatus (FIG. 5) in which the reaction gas inlet is further formed will be described below. Stainless steel was used as the steel sheet, Ti was used as the vapor phase material, and N 2 was used as the reaction gas. A voltage of +50 V was applied to the electrode 9 and a voltage of -100 V was applied to the steel sheet.

전자총으로부터 120KW 출력과 전극 전류 1,250A로 인하여 제 4 도에 도시된 장치에서 이온 도금을 수행할 때, TiN에 대한 유일한 색상인 금색 필름이 9㎛/min의 증착 속도로 형성되었다. 3시간동안 증착하는 동안에 비정상적인 방출은 발생하지 않았고, 방출은 안정했다. 생성된 필름은 SEM(주사 전자 현미경)관찰에 따르면 평활표면을 갖는 조밀 구조였다. 스크랫치(scratch) 시험에서 필름의 접착력은 7kgf였고 빅커스(Vickers) 경도는 2,200kg/m㎡였다.When performing ion plating in the apparatus shown in FIG. 4 due to the 120KW output from the electron gun and the electrode current 1,250A, a gold film, the only color for TiN, was formed at a deposition rate of 9 μm / min. Abnormal release did not occur during the deposition for 3 hours, and the release was stable. The resulting film was a dense structure with a smooth surface according to SEM (scanning electron microscopy) observation. The adhesion of the film in the scratch test was 7 kgf and the Vickers hardness was 2,200 kg / m 2.

다른 한편으로, 동일한 증착 속도로 비교용 장치를 이용해 필름을 형성시켰을 때, 최대 전극 전류는 750A였고, 얻어진 필름은 암갈색이었다. SEM 관찰에 따르면 필름은 거친 표면을 갖는 취성 구조물이었다. 스크랫치 시험에서 필름의 접착력은 3.5kgf였고 빅커스 경도는 850kg/m㎡였다. 이 필름은 실시예 3의 것에 비해 질이 떨어졌다.On the other hand, when the film was formed using the comparative apparatus at the same deposition rate, the maximum electrode current was 750 A, and the film obtained was dark brown. SEM observation showed that the film was a brittle structure with a rough surface. The adhesion of the film in the scratch test was 3.5 kgf and the Vickers hardness was 850 kg / m 2. This film was inferior in quality to that of Example 3.

본 분야에서 숙련된 자라면 부가적인 장점과 변형을 쉽게 행할 수 있을 것이다. 따라서, 폭넓은 태양의 본 발명은 본문에 기재된 특정 상세한 설명, 대표적인 장치 및 예시된 실시예로 한정되지 않는다. 따라서, 첨부된 특허청구범위 및 그에 상당하는 내용에 의해 정의된 바와 같이 일반적인 발명개념의 정신 또는 범주를 이탈하지 않고도 다양하게 변형시킬 수 있다.Those skilled in the art will readily be able to make additional advantages and modifications. Accordingly, the invention in its broader aspects is not limited to the specific details, representative apparatus, and illustrated embodiments described in the text. Accordingly, various modifications may be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.

[표 1]TABLE 1

IP : 이온 도금IP: ion plating

VD : 진공 증착VD: Vacuum Deposition

밀착성은 각 샘플을 180°로 벤딩시킨 다음, 테이프 박리 시험을 한 후의 박리도에 의해 평가하였다.Adhesiveness was evaluated by the degree of peeling after each sample was bent at 180 ° and then subjected to a tape peeling test.

가공성은 각 샘플을 Ot 접촉 벤딩시킨 다음 벤딩된 부분을 SEM 관찰한 후의 크래킹 정도에 의해 평가하였다.The workability was evaluated by the degree of cracking after Ot contact bending of each sample and SEM observation of the bent portion.

Claims (31)

이온도금 물질상에 전지 비임을 방사하여 상기 이온도금 물질을 가열하고 증발시켜 상기 이온도금 물질의 증기 흐름을 발생시키는 단계 ; 후드형 (hood-like) 전극에 의해 상기이온도금 물질의 증기 흐름을 수렴(converging)하는 단계 ; 상기 후드형 전극에 양의 전압(positive voltage)을 인가하여 상기 이온도금 물질부터 열전자를 발생시키고, 이 열전자로 증기 흐름을 이온화시키는 단계 ; 및 수렴되고 이온화된 증기 흐름을 강판의 표면상에 증착시키는 단계 ; 를 포함하는, 강판상의 이온도금법.Radiating a cell beam onto the ion plating material to heat and evaporate the ion plating material to generate a vapor flow of the ion plating material; Converging the vapor flow of the bimetallic material by a hood-like electrode; Applying a positive voltage to the hood type electrode to generate hot electrons from the ion plating material, and ionizing the vapor flow with the hot electrons; And depositing a converged and ionized vapor stream onto the surface of the steel sheet; Ion plating method on a steel plate, including. 제 1 항에 있어서, 상기 방법을 1 내지 1×10-3Pa 범위내의 진공 대기에서 수행하는 방법.The method of claim 1 wherein the method is carried out in a vacuum atmosphere within the range of 1 to 1 × 10 −3 Pa. 제 1 항에 있어서, 상기 후드형 전극에 인가된 전압이 +15 내지 +100V 범위내인 방법.The method of claim 1, wherein the voltage applied to the hooded electrode is in a range of +15 to + 100V. 제 1 항에 있어서, 상기 강판에 -50 내지 -1,000V 범위내의 전압을 인가하는 방법.The method of claim 1, wherein a voltage in the range of -50 to -1,000V is applied to the steel sheet. 진공 대기하에 유지되고 이온도금시킬 강판이 통과하는 입구 및 출구를 가진, 상기 강판을 통과시키기 위한 진공실 ; 이온도금 물질을 함유하기 위한, 상기 진공실내의 강판 아랫쪽에 위치한 도가니(crucible) ; 상기 도금 물질상에 전자 비임을 방사하여 상기 물질을 가열하고 증발시키기 위한 방사 수단 ; 상기 도가니 윗쪽 및 상기 진공실내의 강판 아랫쪽에 위치되어 있고 상기 도가니의 상부를 덮기 위한 후드형 형상을 가지고 있으며, 가열되고 증발된 물질을 수용하기 위해 전극의 하부에 형성된 구멍(opening) 및 가열되고 증발된 양극 단자 및 상기 도가니에 접속된 음극단자를 가진 DC 전원을 포함하는 이온도금 장치.A vacuum chamber for passing the steel sheet, having an inlet and an outlet through which the steel sheet to be ion plated is maintained in a vacuum atmosphere; A crucible located below the steel sheet in the vacuum chamber for containing an ion plating material; Spinning means for heating and evaporating the material by radiating an electron beam onto the plating material; Located above the crucible and below the steel plate in the vacuum chamber and having a hood-like shape to cover the top of the crucible, openings formed in the lower part of the electrode to accommodate heated and evaporated material and heated and evaporated And a DC power supply having a positive terminal and a negative terminal connected to the crucible. 제 5항에 있어서, 상기 진공실의 내부가 강판의 이동 도중 진공 대기에서 유지되도록 상기 진공실의 상기 입구 및 출구가 밀봉되어 있는 장치.6. The apparatus of claim 5 wherein the inlet and outlet of the vacuum chamber are sealed such that the interior of the vacuum chamber is maintained in a vacuum atmosphere during movement of the steel sheet. 제 5항에 있어서, 상기 도가니가 강판의 폭보다 작지 않은 폭을 가진 장치.6. The apparatus of claim 5, wherein the crucible has a width not less than the width of the steel sheet. 제 5항에 있어서, 상기 방사 수단이 상기 진공실의 측부에 설치되어 있는 장치.An apparatus according to claim 5, wherein said spinning means is provided on the side of said vacuum chamber. 제 5항에 있어서, 상기 전극이, 상기 도가니와 대향되어 있는 하부의 직경이 더 크고 상부로 갈수로 끝이 좁아지는 형상을 가진 장치.6. The apparatus of claim 5, wherein the electrode has a shape in which a diameter of the lower portion facing the crucible is larger and the tip is narrowed toward the upper portion. 제 5항에 있어서, 상기 도가니쪽으로 전자 비임을 편향시키기 위한 자장 발생 수단을 추가로 포함하는 장치.6. The apparatus of claim 5, further comprising magnetic field generating means for deflecting the electron beam towards the crucible. 합금 필름의 성분을 구성하는 적어도 2가지의 상이한 이온도금 물질상에 전자 비임을 방사하여 상기 이온도금 물질을 가열하고 증발시켜 상기 이온도금 물질의 증기 흐름을 발생시키는 단계 ; 후드형 전극에 의해 상기 이온도금 물질의 증기 흐름을 수렴하는 단계 ; 상기 후드형 전극에 양의 전압을 인가하여 상기 적어도 2가지의 이온도금 물질들의 증기 입자들을 동시에 발생시킨 다음, 이 증기상 입자들을 이온화시키는 단계 ; 및 수렴되고 이온화된 증기 입자들을 강판의 표면상에 증착시킴으로써 상기 강판의 표면상에 합금 필름을 형성시키는 단계를 포함하여, 이동하는 강판상에 합금 필름을 이온도금하는 방법.Radiating an electron beam onto at least two different ion plating materials constituting a component of an alloy film to heat and evaporate the ion plating material to generate a vapor flow of the ion plating material; Converging the vapor flow of the ion plated material by a hooded electrode; Applying a positive voltage to the hood type electrode to simultaneously generate vapor particles of the at least two ion plating materials, and then ionizing the vapor phase particles; And forming an alloy film on the surface of the steel sheet by depositing condensed and ionized vapor particles on the surface of the steel sheet. 제 11 항에 있어서, 상기 방법을 1 내지 1×10-3Pa 범위내의 진공 대기에서 수행하는 방법.The method of claim 11, wherein the method is performed in a vacuum atmosphere in the range of 1 to 1 × 10 −3 Pa. 제 11 항에 있어서, 상기 후드형 전극에 인가된 전압이 +15 내지 +100V 범위내인 방법.12. The method of claim 11 wherein the voltage applied to the hooded electrode is in a range of +15 to + 100V. 제 11 항에 있어서, 상기 강판에 -50 내지 -1,000V 범위내의 전압을 인가하는 방법.The method of claim 11, wherein a voltage in the range of -50 to -1,000V is applied to the steel sheet. 진공 대기하에 유지되고 이온도금시킬 강판이 통과하는 입구 및 출구를 가진, 상기 강판을 통과시키기 위한 진공실 ; 강판상에 형성되는 합금 필름의 성분을 구성하는 이온도금 물질을 함유하기 위한, 상기 진공실내의 강판 아랫쪽에 위치된 적어도 2개의 도가니 ; 상기 물질상에 전자 비임을 방사하여 상기 물질을 가열하고 증발시키기 위한 방사 수단 ; 상기 도가니 윗쪽 및 상기 진공실내의 강판 아랫쪽에 위치되어 있고 상기 도가니의 상부를 덮기 위한 후드형 형상을 가지고 있으며, 가열되고 증발된 물질을 수용하기 위해 전극의 하부에 형성된 구멍 및 가열되고 증발된 물질을 강판쪽으로 방출시키기 위해 전극의 상부에 형성된 구멍을 가진 전극 ; 및 상기 전극에 접속된 양극 단자 및 상기 도가니에 접속된 음극단자를 가진 DC 전원을 포함하는 이온도금 장치.A vacuum chamber for passing the steel sheet, having an inlet and an outlet through which the steel sheet to be ion plated is maintained in a vacuum atmosphere; At least two crucibles located below the steel sheet in the vacuum chamber for containing an ion plating material constituting a component of an alloy film formed on the steel sheet; Spinning means for heating and evaporating the material by radiating an electron beam onto the material; It is located above the crucible and below the steel plate in the vacuum chamber, and has a hood shape to cover the top of the crucible, and has holes formed in the lower part of the electrode to accommodate the heated and evaporated material and the heated and evaporated material. An electrode having a hole formed in an upper portion of the electrode to discharge toward the steel sheet; And a DC power supply having a positive terminal connected to the electrode and a negative terminal connected to the crucible. 제 15 항에 있어서, 상기 진공실이 1 내지 1×10-3Pa 범위내의 진공 대기에서 유지되는 장치.The apparatus of claim 15 wherein said vacuum chamber is maintained in a vacuum atmosphere within the range of 1 to 1 × 10 −3 Pa. 제 15 항에 있어서, 상기 진공 대기에서 유지되도록 상기 진공실의 상기 입구 및 출구가 밀봉되어 있는 장치.The apparatus of claim 15 wherein the inlet and outlet of the vacuum chamber are sealed to maintain in the vacuum atmosphere. 제 15 항에 있어서, 상기 각각의 도가니가 강판의 폭 보다 작지 않은 폭을 가진 장치.The apparatus of claim 15, wherein each crucible has a width no less than the width of the steel sheet. 제 15 항에 있어서, 상기 방사 수단이 상기 진공실의 측부에 설치되어 있는 장치.The apparatus according to claim 15, wherein said spinning means is provided on the side of said vacuum chamber. 제 15 항에 있어서, 상기 전극이, 상기 동가니와 대향되어 있는 하부의 직경이 더 크고 상기 도가니의 상부로 갈수록 끝이 좁아지는 형상을 가진 장치.The apparatus of claim 15, wherein the electrode has a shape in which a diameter of a lower portion facing the crucible is larger and an end thereof narrows toward an upper portion of the crucible. 제 15 항에 있어서, 상기 도가니쪽으로 전자 비임을 편향시키기 위한 자장 발생 수단을 추가로 포함하는 장치.16. The apparatus of claim 15 further comprising magnetic field generating means for deflecting the electron beam towards the crucible. 이온도금 물질상에 전자 비임을 방사하여 상기 이온도금 물질을 가열하고 증발시켜 상기 이온도금 물질의 증기 흐름을 발생시키는 단계 ; 후드형 전극에 의해 상기이온도금 물질의 증기 입자를 수렴하는 단계 ; 상기 후드형 전극내로 반응 기체를 공급하는 단계 ; 상기 후드형 전극에 양의 전압을 인가하여 증기 입자 및 반응기체를 이온화시키는 단계 ; 및 이온화된 증기 입자 및 이온화된 반응 기체를 강판상에 증착시켜 강판상에 세라믹 필름을 형성시키는 단계를 포함하여, 이동하는 강판상에 세라믹 필름을 이온도금 하는 방법.Radiating an electron beam onto an ion plated material to heat and evaporate the ion plated material to generate a vapor flow of the ion plated material; Converging the vapor particles of the bimetallic material by a hooded electrode; Supplying a reaction gas into the hood type electrode; Applying a positive voltage to the hood electrode to ionize vapor particles and a reactor body; And depositing ionized vapor particles and ionized reactant gases onto the steel sheet to form a ceramic film on the steel sheet. 제 22 항에 있어서, 상기 방법을 1 내지 1×10-3Pa 범위내의 진공 대기에서 수행하는 방법.The method of claim 22, wherein the method is performed in a vacuum atmosphere within the range of 1 to 1 × 10 −3 Pa. 제 22 항에 있어서, 상기 전극에 인가된 전압이 +15 내지 +100V 범위내인 방법.23. The method of claim 22 wherein the voltage applied to the electrode is in the range of +15 to + 100V. 제 22 항에 있어서, 상기 강판에 -50 내지 -1,000V 범위내의 전압을 인가하는 방법.23. The method of claim 22, wherein a voltage in the range of -50 to -1,000V is applied to the steel sheet. 진공 대기하에 유지되고 이온도금시킬 강판이 통과하는 입구 및 출구를 가진, 상기 강판을 통과시키기 위한 진공실 ; 강판상에 형성되는 합금 필름의 성분을 구성하는 이온도금 물질을 함유하기 위한, 상기 진공실내의 강판 아랫쪽에 위치된 도가니 ; 상기 물질상에 전자 비임을 방사하여 상기 물질을 가열하고 증발시키기 위한 방사 수단 ; 상기 도가니 윗쪽 및 상기 진공실내의 강판 아랫쪽에 위치되어 있고 상기 도가니의 상부를 덮기 위한 후드형 형상을 가지고 있으며, 가열되고 증발된 물질을 수용하기 위해 전극의 하부에 형성된 구멍 및 가열되고 증발된 물질을 강판쪽으로 방출시키기 위해 전극의 상부에 형성된 구멍을 가지고 있고, 반응 기체를 위한 반응 기체 유입구를 가진 전극 ; 및 상기 전극에 접속된 양극 단자 및 상기 도가니에 접속된 음극단자를 가진 DC 전원을 포함하는 이온도금 장치.A vacuum chamber for passing the steel sheet, having an inlet and an outlet through which the steel sheet to be ion plated is maintained in a vacuum atmosphere; A crucible located below the steel sheet in the vacuum chamber for containing an ion plating material constituting a component of an alloy film formed on the steel sheet; Spinning means for heating and evaporating the material by radiating an electron beam onto the material; It is located above the crucible and below the steel plate in the vacuum chamber, and has a hood shape to cover the top of the crucible, and has holes formed in the lower part of the electrode to accommodate the heated and evaporated material and the heated and evaporated material. An electrode having a hole formed in the upper portion of the electrode for discharging toward the steel sheet, and having a reaction gas inlet for the reaction gas; And a DC power supply having a positive terminal connected to the electrode and a negative terminal connected to the crucible. 제 26 항에 있어서, 상기 진공실이 10 내지 1×10-3Pa 범위내의 진공 대기에서 유지되는 장치.27. The apparatus of claim 26, wherein the vacuum chamber is maintained in a vacuum atmosphere within the range of 10 to 1 x 10 < -3 > Pa. 제 26 항에 있어서, 상기 진공실 내부가 대기에서 유지되도록 상기 진공실의 상기 입구 및 출구가 밀봉되어 있는 장치.27. The apparatus of claim 26, wherein the inlet and outlet of the vacuum chamber are sealed such that the interior of the vacuum chamber is maintained in the atmosphere. 제 26 항에 있어서, 상기 도가니가 강판의 폭 보다 작지 않은 폭을 가진 장치.27. The apparatus of claim 26, wherein the crucible has a width no less than the width of the steel sheet. 제 26 항에 있어서, 상기 방사 수단이 상기 진공실의 측부에 설치되어 있는 장치.27. An apparatus according to claim 26, wherein said spinning means is provided on the side of said vacuum chamber. 제 26 항에 있어서, 상기 도가니쪽으로 전자 비임을 편향시키기 위한 자장 발생 수단을 추가로 포함하는 장치.27. The apparatus of claim 26, further comprising magnetic field generating means for deflecting the electron beam towards the crucible.
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