KR940016288A - 반도체메모리 및 그 선별방법 - Google Patents

반도체메모리 및 그 선별방법 Download PDF

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KR940016288A
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슘페이 고리
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오가 노리오
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Abstract

선별시에 내부신호의 타이밍여유를 엄격하게 하는 것이 가능한 반도체메모리 및 그 선별방법을 제공한다.
선별시에 p채널트랜지스터 Q1의 게이트를 "L"레벨로 함으로써, ATD펄스(리세트펄스)를 Q2에 넣음으로써 용량 C에 정전류원(定電流源) D1, D2으로부터 전하가 짧은 시간에 축적된다. 이 타이머를 사용하여 워드선구동펄스를 짧게 하여, 엄격한 조건에서의 독출특성을 검지하는 것이 가능해진다.

Description

반도체메모리 및 그 선별방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 실시예 1 에 사용한 PWL 타이머를 나타낸 회로도, 제 2 도는 본 발명의 실시예 1 의 타이밍차트, 제 3 도는 본 발명의 실시예 2 의 지연수단을 나타낸 회로도, 제 4 도는 SRAM의 요부를 나타낸 회로도.

Claims (6)

  1. 워드선펄스구동을 규정하는 타이머를 구비한 반도체메모리에 있어서, 상기 타이머가 워드선이 "H"레벨로 되는 기간을 선별시용의 짧은 기간과 출하시용의 긴 기간을 선택가능하게 한 것을 특징으로 하는 반도체메모리.
  2. 워드선펄스구동방식을 이용한 반도체메모리의 선별방법에 있어서, 워드선이 "H"레벨로 되는 기간을 선별시만 짧게 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체메모리의 선별방법.
  3. 센스앰프의 입출력을 타이머에 따라서 이퀄라이즈하는 반도체메모리에 있어서, 상기 타이머가 센스앰프의 출력을 이퀄라이즈하는 기간을 출하시와 선별시에서 상이한 기간을 선택가능한 것을 특징으로 하는 반도체메모리.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 타이머는 출하시의 센스앰프의 출력의 이퀄라이즈기간을 결정하는 출하용타이머와, 출하시의 이퀄라이즈기간보다 짧은 선별시의 이퀄라이즈기간을 결정하는 선별용타이머를 구비하고, 상기 양타이머는 선택가능한 것을 특징으로 하는 반도체메모리.
  5. 센스앰프의 입출력을 이퀄라이즈하는 반도체메모리의 선별방법에 있어서, 입력의 이퀄라이즈해방과, 출력의 이퀄라이즈해방과의 타이밍 여유를 선별시에 작게하는 것을 특징으로 하는 반도체메모리의 선별방법.
  6. 메모리셀의 리페어용 퓨즈를 가진 반도체메모리의 선별방법에 있어서, 상기 리페어용 퓨즈의 절단을 검출하는 리세트펄스를 선별시에 넣지 않는 것을 특징으로 하는 반도체메모리의 선별방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930028568A 1992-12-25 1993-12-20 반도체메모리 및 그 선별방법 KR940016288A (ko)

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