KR940014886A - 금속화합물 피막의 제조방법 - Google Patents

금속화합물 피막의 제조방법 Download PDF

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이영백
문종호
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박득표
포항종합제철 주식회사
백덕현
재단법인산업과학기술연구소
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Abstract

본 발명은 내마모성이 요구되는 베어링과 같은 기계부품 및 장식용품에 응용될 수 있는 금속화합물 피막을 반응성 이온플레이팅법에 의해 제조하는 방법에 관한 것으로서, 반응개스의 유량과 방전전류를 적절히 조절하므로서, 간단하게 증발율을 제어할 수 있을 뿐만 아니라 재현성이 있는 피막을 형성할 수 있는 향상된 금속화합물 피막의 제조방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.
본 발명은 진공실내에 설치되는 기판홀더, 이 기판홀더와 대향되게 설치되어 증발물질을 증기화시키키는 증발원, 및 이 증발원에 인접하게 설치되어 증기를 이온화시키는 이온화전극을 구비하여 구성되는 이온플레이팅 장치의 진공조내에 반응개스를 도입시켜 반응성 이온플레이팅에 의해 금속화합물 피막을 제조하는 방법에 있어서, 반응개스 유량을 200SCCM 이하에서 일정하게 유지하고, 그리고 아아크 방전전류를 1-80A의 범위로 유지하여 피막의 화합물 성분비를 제어하는 금속화합물 피막의 제어방법을 그 요지로 한다.

Description

금속화합물 피막의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 적용될 수 있는 이온플레이팅 장치의 일례를 나타내는 개략도.
제2도는 이온화전류에 따른 증착율 변화를 나타내는 그래프.

Claims (4)

  1. 진공실내에 설치되는 기판홀더, 이 기판홀더와 대항되게 설치되어 증발물질을 증기화시키는 증발원, 및 이 증발원에 인접하게 설치되어 증기를 이온화시키는 이온화전극을 구비하여 구성되는 이온플레이팅 장치의 진공조내에 반응개스를 도입시켜 반응성 이온플레이팅시킴으로써 금속화합물피막을 제조하는 방법에 있어서, 반응개스 유량을 200SCCM 이하에서 일정하게 유지하고, 그리고 아아크 방전전류를 1-80A의 범위로 유지하여 피막의 화합물 성분비를 제어하는 것을 특징으로 하는 금속화하물 피막의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 아아크방전을 위해 이온화전극에 40-100V의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 금속화합물 피막의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 기판의 가열온도가 200-300℃인 것을 특징으로 하는 금속화합물 피막의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 제3항중의 어느 한 항에 있어서, 금속화합물피막이 Ti 화합물피막 Cr 화합물피막 및 Al 화합물 피막으로 이루어진 그룹중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속화합물 피막의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920025737A 1992-12-28 1992-12-28 금속화합물 피막의 제조방법 KR950004782B1 (ko)

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