Claims (15)
질소제거제로서, Ti, Zr, Hf, V, Nb 및 Ta로 구성되어 있는 군으로 부터 선택된 하나 이상의 성분 및 Ti, Zr, Hf, V, Nb 및 Ta중의 하나 이상의 탄화물을 분해할 수 있는 물질을 용매금속에 첨가시키는 것을 포함하는, 온도 경도 방법에 의한 다이아몬드 단결정의 합성방법.As a nitrogen removing agent, a solvent is provided which is capable of decomposing one or more components selected from the group consisting of Ti, Zr, Hf, V, Nb and Ta and one or more carbides among Ti, Zr, Hf, V, Nb and Ta. A method for synthesizing a diamond single crystal by the temperature hardness method, comprising adding it to a metal.
제 1 항에 Ti, Zr, Hf, V, Nb 및 Ta중의 하나 이상의 탄화물을 분해할 수 있는 물질이, Cu, Ag, Au, Zn 및 Cd로 구성되어 있는 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속인, 온도 경도 방법에 의한 다이아몬드 단결정의 합성방법.The temperature hardness of claim 1, wherein the substance capable of decomposing one or more carbides among Ti, Zr, Hf, V, Nb and Ta is at least one metal selected from the group consisting of Cu, Ag, Au, Zn and Cd. Synthesis method of diamond single crystal by the method.
제 1 항에 있어서, 질소제거제로서 첨가되는, Ti, Zr, Hf, V, Nb 및 Ta로 구성되어 있는 군으로부터 선택된 하나 이상의 성분의 양이, 용매 기준으로 0.1∼5중량%이며, 용매에 첨가되는 Ti, Zr, Hf, V, Nb 및 Ta중의 하나 이상의 탄화물을 분해할 수 있는 물질의 양이, 용매기준으로 0.1∼20중량%인, 온도 경도 방법에 의한 다이아몬드 단결정의 합성방법.The amount of at least one component selected from the group consisting of Ti, Zr, Hf, V, Nb and Ta, which is added as a nitrogen removing agent, is 0.1 to 5% by weight based on a solvent, and is added to the solvent. A method for synthesizing diamond single crystals by the temperature hardness method, wherein the amount of a substance capable of decomposing one or more carbides among Ti, Zr, Hf, V, Nb, and Ta is 0.1 to 20% by weight based on a solvent.
X-Y형(X는 Ti, Zr, Hf, V, Nb 및 Ta로 구성되어 있는 군으로부터 선택되며, Y는 Cu, Ag, Au, Zn, Cd로 구성되어 있는 군으로부터 선택된다)의 합금 또는 금속간 화합물을 첨가하는 것을 포함하는, 온도 경도 방법에 의한 다이아몬드 단결정의 합성방법.Intermetallic or intermetallic of XY type (X is selected from the group consisting of Ti, Zr, Hf, V, Nb and Ta, and Y is selected from the group consisting of Cu, Ag, Au, Zn, Cd) A method for synthesizing a single crystal of diamond by the temperature hardness method, comprising adding a compound.
제 4 항에 있어서, X-Y형(X는 Ti, Zr, Hf, V, Nb 및 Ta로 구성되어 있는 군으로부터 선택되며, Y는 Cu, Ag, Au, Zn, Cd로 구성되어 있는 군으로부터 선택된다)의 합금 또는 금속간 화합물의 양이 용매기준으로 0.1∼10중량%인, 온도 경도 방법에 의한 다이아몬드 단결정의 합성방법.The XY type (X is selected from the group consisting of Ti, Zr, Hf, V, Nb and Ta, and Y is selected from the group consisting of Cu, Ag, Au, Zn, Cd). A method of synthesizing a single crystal of diamond by the temperature hardness method, wherein the amount of the alloy or the intermetallic compound of the c) is 0.1 to 10% by weight based on the solvent.
제 1 항에 있어서, 용매금속이 Fe, Co, Ni, Mn 및 Cr로 구성되어 있는 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속으로 0.1∼6.0중량%의 탄소를 함유하는, 온도 경도 방버에 의한 다이아몬드 단결정의 합성방법.The method for synthesizing diamond single crystals according to claim 1, wherein the solvent metal contains 0.1 to 6.0% by weight of carbon in at least one metal selected from the group consisting of Fe, Co, Ni, Mn, and Cr. .
질소제거제로서, Ti, Zr, Hf, V, Nb 및 Ta로 구성되어 있는 군으로 부터 선택된 하나 이상의 성분을 첨가하고, 용매금속과 씨결정 사이에 금속판이 배치된 상태하에서 다이아몬드의 합성을 개시하는 것을 포함하는, 온도 경도 방법에 의한 다이아몬드 단결정의 합성방법.As a nitrogen remover, adding one or more components selected from the group consisting of Ti, Zr, Hf, V, Nb and Ta, and initiating the synthesis of diamond with a metal plate disposed between the solvent metal and the seed crystals A method of synthesizing a diamond single crystal, comprising a temperature hardness method.
제 7 항에 있어서, 금속판이, Al, Ga, Tn, Tl, Sn 및 Pb로 구성되어 있는 군으로부터 선택된 하나이상의 금속으로 구성되는, 온도 경도 방법에 의한 다이아몬드 단결정의 합성방법.The method for synthesizing a diamond single crystal according to claim 7, wherein the metal plate is made of at least one metal selected from the group consisting of Al, Ga, Tn, Tl, Sn, and Pb.
제 8 항에 있어서, 금속 판의 두께가 0.01∼0.3mm인, 온도 경도 방법에 의한 다이아몬드 단결정의 합성방법.The method for synthesizing a single crystal diamond according to claim 8, wherein the metal plate has a thickness of 0.01 to 0.3 mm.
제 7 항에 있어서, 금속판이, Cu, Ag, Au, Zn 및 Cd로 구성되어 있는 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속으로 구성되는, 온도 경도 방법에 의한 다이아몬드 단결정의 합성방법.The method for synthesizing a diamond single crystal according to claim 7, wherein the metal plate is made of at least one metal selected from the group consisting of Cu, Ag, Au, Zn, and Cd.
제10항에 있어서, 금속판의 두께가 0.01∼1mm인, 온도 경도 방법에 의한 다이아몬드 단결정의 합성방법.The method for synthesizing a single crystal diamond according to claim 10, wherein the metal plate has a thickness of 0.01 to 1 mm.
제 7 항에 있어서, 금속판이, Fe, Co, Ni 및 Mn으로 구성되어 있는 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속으로 구성되는, 온도 경도 방법에 의한 다이아몬드 단결정의 합성방법.The method for synthesizing a diamond single crystal according to claim 7, wherein the metal plate is made of at least one metal selected from the group consisting of Fe, Co, Ni, and Mn.
제12항에 있어서, 금속판의 두께가 0.1∼0.5mm인, 온도 경도 방법에 의한 다이아몬드 단결정의 합성방법.The method for synthesizing a single crystal diamond according to claim 12, wherein the metal plate has a thickness of 0.1 to 0.5 mm.
제 7 항에 있어서, 질소제거제로서, Ti, Zr, Hf, V, Nb 및 Ta로 구성되어 있는 군으로부터 선택된 하나 이상의 성분의 양이 0.2∼10중량%인, 온도 경도 방법에 의한 다이아몬드 단결정의 합성방법.8. Synthesis of diamond single crystal by the temperature hardness method according to claim 7, wherein the amount of at least one component selected from the group consisting of Ti, Zr, Hf, V, Nb, and Ta as a nitrogen removing agent is 0.2 to 10% by weight. Way.
제 7 항에 있어서, 용매금속이 Fe, Co, Ni, Mn 및 Cr로 구성되어 있는 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속으로, 0.1∼6.0중량%의 탄소를 함유하는, 온도 경도 방법에 의한 다이아몬드 단결정의 합성방법.8. Synthesis of diamond single crystal by the temperature hardness method according to claim 7, wherein the solvent metal contains 0.1 to 6.0% by weight of carbon with at least one metal selected from the group consisting of Fe, Co, Ni, Mn and Cr. Way.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.