KR940010547A - 셀룰라폰의 갈륨비소 전력 증폭기 모듈 - Google Patents

셀룰라폰의 갈륨비소 전력 증폭기 모듈 Download PDF

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KR940010547A
KR940010547A KR1019920020020A KR920020020A KR940010547A KR 940010547 A KR940010547 A KR 940010547A KR 1019920020020 A KR1019920020020 A KR 1019920020020A KR 920020020 A KR920020020 A KR 920020020A KR 940010547 A KR940010547 A KR 940010547A
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KR
South Korea
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power amplifier
gallium arsenide
amplifier module
circuit
vgg
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KR1019920020020A
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Inventor
박정표
Original Assignee
백중영
금성통신 주식회사
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Abstract

본 발명은 갈륨 비소 전력 증폭기 모듈을 사용한 셀룰라폰의 갈륨비소전력 증폭기 모듈 회로에 관한 것으로, 종래에는 갈륨비소 전력 증폭기 모듈의 주변회로로부터 갈륨비소전력 증폭기 모듈로 가해지는 바이어스 전원이 불안정하게 제공될때는 이러한 갈륨비소전력증폭기 모듈을 파괴하게 되는 현상을 자주 유발시키고 있어 문제가 되어 왔다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 개선할 수 있도록, 갈륨비소 전력증폭기 모듈의 주변 바이어스 회로에는 -Vgg발생기의 출력과 캐리어 온 오프단으로 제어되는 스위칭 트랜지스터 회로 사이에 -Vgg발생기의 출력 조건에 따라 시스템 바이어스 회로를 이어주는 파괴방지부를 구비한 갈륨비소전력 증폭기 모듈율 제공하는데 있다.

Description

셀룰라폰의 갈륨비소 전력 증폭기 모듈
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 갈률비소(GaAs)전력 증폭기 모듈을 사용한 셀룰라폰에서 갈륨비소전력 증폭기 모듈 및 그 주변회로를 나타낸 회로도,
제2도는 본 발명에 의한 파괴방지부가 구비된 갈륨비소전력증폭기 모듈의 회로도.

Claims (2)

  1. RF입력단(RF1), RF출력단(RFO), -Vgg단, Vcom단 등을 갖는 갈륨비소 전력 증폭기 모듈, 트랜지스터(Q1, Q2), -Vgg발생기(21) 및 ALC부(22)를 포함하는 셀룰라폰의 갈륨비소 전력 증폭기 모듈회로에 있어서, 상기 -Vgg발생기(21)의 출력(Q7)이 이어지는 -Vgg단과, 캐리어 온 오프단(CON)으로 제어되는 트랜지스터(Q2) 회로 사이에 -Vgg발생기(21)의 출력 조건에 지배되어 바이어스 회로를 이어주는 파괴방지부(1)를 구비하는 것을 특징으로 하는 셀룰라폰의 갈륨비소 전력 증폭기 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 파괴방지부(1)는 -Vgg발생기(OT)의 출력에 의해 온 오프 제어되는 FET트랜지스터(FT)회로와, 이 FET트랜지스터(FT)의 동작 온 오프 조건에 따라 트랜지스터(Q2) 회로를 제어하는 트랜지스터(Q3) 회로로 구성된 것을 특징으로 하는 셀룰라폰의 갈륨비소 전력 증폭기 모듈.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920020020A 1992-10-29 1992-10-29 셀룰라폰의 갈륨비소 전력 증폭기 모듈 KR940010547A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100438440B1 (ko) * 1997-02-04 2004-09-18 삼성전자주식회사 셀룰라폰에서 갈륨비소 전력모듈 안정화장치

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KR100438440B1 (ko) * 1997-02-04 2004-09-18 삼성전자주식회사 셀룰라폰에서 갈륨비소 전력모듈 안정화장치

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