KR940007557A - 전자기 방사주파수를 상승시키는 광학소자 및 광전자 장치 - Google Patents

전자기 방사주파수를 상승시키는 광학소자 및 광전자 장치 Download PDF

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KR940007557A
KR940007557A KR1019930016652A KR930016652A KR940007557A KR 940007557 A KR940007557 A KR 940007557A KR 1019930016652 A KR1019930016652 A KR 1019930016652A KR 930016652 A KR930016652 A KR 930016652A KR 940007557 A KR940007557 A KR 940007557A
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electromagnetic radiation
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KR1019930016652A
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헨리쿠스 요한네스 베누이젠 안토니우스
라디스라우스 요한네스 안드레아스 리켄 게라르두스
예안네 엘리자베스 세펜 콘스탄라체
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에프. 제이. 스미트
필립스 일렉트로닉스 엔. 브이
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    • G02OPTICS
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    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35Non-linear optics
    • G02F1/37Non-linear optics for second-harmonic generation
    • G02F1/377Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure

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Abstract

위상 매칭이 되도록 비-선형 광학 물질에서의 파장 산란을 보상하기 위해 광학 변조 구조(21)와 비-선형 광학 매질을 포함하고 전자 방사의 주파수가 상승되는 광학 소자(7)가 기술된다. 변조 구조(21)에 근접한 높은 굴절율을 갖는 종속층(15)을 제공하므로서, 위상 매칭이 일어나는 파장은 비-선형 광학 매질의 층 두께에 대해 임계가 아니다.
주파수-상승 소자로서의 그런 소자(7)를 포함하는, 적자 방사의 주파수를 상승시키는 광학-전자학 장치(1)가 역시 기술된다.

Description

전자기 방사주파수를 상승시키는 광학소자 및 광전자 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 소자가 채널 도파관인 제2d도에 도시되 발명에 따른 광학 소자의 횡단면도,
제4도는 실리콘 로칼 산화(LOCOS)로서 얻어진 채널 도파관의 형태로 본 발명에 따른 광학 소자의 실시예의 횡단면도,
제5도는 광학 변조구조가 주파수-상승층에 제공된 본 발명에 따른 광학 소자 실시예의 횡단면도.

Claims (11)

  1. 전자 방사의 기본파 주파수를 상승시키고, 광학 변조구조(optical modulation structure)와, 주파수가 상승되어 굴절율(n1)을 갖는 비-선형 광학 매질로 이루어지는 광학 소자에 있어서, n2〉n1인 굴절율 n2을 갖는 종속층이 변조 구조에 근사적으로 제공되는 것을 특징으로 하는 광학 소자(optical component).
  2. 제1항에 있어서, 비-선형 광학 매질이 n3〈n1인 굴절율 n3을 갖는 기판상에 나타나는 도파관이고, 광학변조 구조가 nm〈n2인 비-선형 도파판과 직접 접촉하는 도파관과 기판사이에 굴절율 nm을 갖는 선형 물질의 주기적으로 형성된 클래딩 층(cladding layer)을 제공하여서 구현되는 것을 특징으로 하는 광학소자.
  3. 제2항에 있어서, 클래딩 층은 저자 방사의 전자 방향에 가로로 위치한 일련의 스트립(strip)으로 이루어지고 상기 일련의 스트립은 두께 d2와 폭 L2를 갖는 제2스트립을 교차시키는 두께 d1와 폭 L1을 갖는 제1스트립으로 형성되고 L1과 L2는 전자 방사의 전파 방향으로 측정되고 L1=(2n+1) 1c, m 및 L2=(2m+1) 1c,NLO이고, d1〉d2로 n과 m은 정수로 1c, m은 변조구조가 선형 광학 물질로 형성되는 제1영역의 결합 길이이고 1c,NLO는 변조구조가 선형 광학 물질로 부분적으로 형성되는 제2영역의 결합 길이인 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  4. 제3항에 있어서, d2=0인 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  5. 제2,3 또는 제4항에 있어서, 클래딩 층은 실리콘 산화질화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  6. 제2항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 있어서, 도파관은 중합체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광학소자.
  7. 선행한 중의 어느 한 항에 있어서, 광학소자는 채널 도파관인 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  8. 선행항중의 어느 한 항에 있어서, 종속층은 Si3N4로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  9. 제2항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 있어서, 비-선형 광학층에서의 기본파와 더 높은고저파에 대한 효과적인 굴절율의 차이는 기본파와 더 높은 고조파에 대한 효과적인 굴절율의 차이는 클래딩 층에서의 효과적인 귤절율 차이와 적어도 실질적으로 동일하다는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  10. 제2항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 있엇, 본 방사 및/또는 더 높은 고조파 방사에 대한 비-선형 광학층의 굴절율은 클래딩 층에 대한 상응하는 굴절율과 적어도 실제로 동일하다는 것을 특징으로 하는 광학 소자.
  11. 전자 방사의 기본파 주파수를 상승시키는 광학-전자학 장치는 전자 방사를 발생시키는데 제공되는 다이오드 레이져 밑에 있는 지지대와 주파수가 상승되는 광학 소자를 구비하는 광학 소자를 구비하는 광학-전자학 장치에 있어서, 광학 소자는 선행항중의 어느 한 항에 있어서 청구된 소자이고 기본파가 전파되는 광학 소자가 다이오드 레이져의 액티브층과 일치하고 다이오드 레이져의 출구 평면과 광학 소자의 출구 평면이 서로 반대로 위치한 것을 특징츠로하는 광학-전자학 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930016652A 1992-09-07 1993-08-26 전자기 방사주파수를 상승시키는 광학소자 및 광전자 장치 KR940007557A (ko)

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EP92202695 1992-09-07

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ATE173095T1 (de) 1998-11-15
DE69321913D1 (de) 1998-12-10
DE69321913T2 (de) 1999-05-27
CN1086019A (zh) 1994-04-27
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SG44725A1 (en) 1997-12-19
CN1041864C (zh) 1999-01-27

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