KR940005432B1

KR940005432B1 - 다중 모드모니터의 모드별 과전압 보호회로

Info

Publication number: KR940005432B1
Application number: KR1019910025568A
Authority: KR
Inventors: 안효열
Original assignee: 주식회사 금성사; 이헌조
Priority date: 1991-12-31
Filing date: 1991-12-31
Publication date: 1994-06-18
Also published as: KR930013939A

Abstract

내용 없음.

Description

다중 모드모니터의 모드별 과전압 보호회로

제1도는 종래의 모니터 과전압 보호회로 구성도.

제2도는 본 발명의 다중모드 모니터의 모드별 과전압 보호회로.

제3도는 본 발명에 따른 모드별 과전압 범위 설명도.

제4도는 본 발명에 따른 아날로그 스위치의 진리표.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

R₁∼R : 저항 C₁: 커패시터

ZD₁∼ZD₆: 제어다이오드 Q₁: 트랜지스터

AS₁∼AS₅: 아날로그스위치 IC₁∼IC₂: 인버터

IC₃: 논리곱 IC₄: 배타논리합

IC₅: 논리합 1 : 스위칭부

2 : 바이어스 설정부 3 : 모드검출회로부

4 : 논리회로부 5 : 과전압 설정부

본 발명은 모니터의 과전압 보호회로 관한 것으로 특히 다중모드 모니터에서 모드별로 과전압 범위를 설정하여 안정된 전원공급과 적당한 과전압회로를 선택할수 있도록 한 것이다.

종래의 모니터 과전압 보호회로를 첨부된 제1도를 참조하여 설명하면 전위전압(V⁺)의 플라이 백 트랜스포머(FBT) 사이에 과전압이 인가될때 전원전압(V⁺)을 접지측으로 스위칭 시키는 다이리스터(SCR)와, 과전압이 인가될때, "온"되어 상기 다이리스터(SCR)의 게이트(gat)에 전전압을 인가하는 제너다이오드(ZD₁, ZD₂) 및 저항(R₁)과 커패시터(C₁)로 구성된다.

이와같이 구성된 종래의 모니터 과전압 보호회로는 다음과 같이 동작한다.

즉, 정상 상태에서는 제너다이오드(ZD₁, ZD₂)가 개방상태이며 저항(R₁)과 커패시터(C₂)에도 전압이 인가되지 않고 V(ZD₁+ZD₂)VB⁺의 관계로 부품이 조립되어 있기 때문에 에스씨알의 개방상태가 되어 인가전압(B⁺)은 플라이백 트랜스포머(FBT)에 인가된다. 그러나 과전압이 인가되어 비정상 상태일때는 제너다이오드(ZD₁, ZD₂)가 동작하여 에스씨알의 게이트에 전압이 인가되어 동작하게 되고 따라서 이때 인가전압(B⁺)는 프랄이백 트랜스포머(FBT)에 인가되지 않아 고압이 발생되지 않고 수평 발진이 일어나지 않아 모니터가 안정된 상태가 된다.

그러나 종래의 모니터 과전압 보호 회로에서는 모니터가 하나의 모드로만 동작할때는 효과적이나 다중모드 모니터에서는 분합리하다. 그런데, 종래에서는 모드에 관계없이 가장높은 인가전압(B⁺)에 맞도록 제너다이오드를 설정하므로 주파수가 낮거나 인가전압이 낮는 전압이 과전압이나 비정상 상태에서는 보호회로가 동작하지 않게 되어 모니터의 신뢰성이 저하되는 문제가 있다. 다중 모드의 모니터에 있어서 각 모드별로 과전압 범위를 설정하고 신뢰성 모니터를 설계하는데 그 목적이 있다.

이와같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 제2도 내지 제4도를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

제2도는 본 발명의 다중 모드모니터의 모드별 과전압 보호회로를 나타낸 것으로써, 트랜지스터(Q₁), 커패시터(C₁) 저항(R₃, R₄)등으로 이루어져 정상 상태로 조정된 고압 검출전압과 바이어스 설정부에 의해 일정한 바이어스가 인가되어 항상 "온"되어 다이리스터(SCR)의 게이트에 전압을 인가하는 스위칭부(1)와, 아날로그 스위치(A/S₁∼A/S₃)와, 제너다이오드(ZD₁∼ZD₃)등으로 이루어지고 고압 검출단자에 연결되어 모드 검출회로부 모드에 따라 적당한 바이어스를 결정하는 바이어스 설정부(2)와, 각각 다른 주파수와 인가 전압을 갖는 모드를 검출하는 모드검출회로부(3)와, 인버터(IC₁, IC₂), 논리곱(I(3)), 배타논리합(IC₄), 논리합(IC₅)등의 게이트로 이루어져 모드에 따라 과전압범위를 결정하도록 하는 논리회로부(4)와, 제너다이오드(ZD₄∼ZD₅)와 다이리스터(SCR), 아날로그 스위치(A/S₄, A/S₅)등으로 이루어져 각모드의 과전압 범위에 따라 동작하여 플라이백 트랜스포머(FBT)로 과전압이 인가되지 않게 하는 과전압 설정부(5)로 구성된다.

이와같이 구성된 본 발명의 동작은 아래와 같다. 정상상태로 조정된 고압 검출전압과, 바이어스 설정부(1)에 의해 일정한 바이어스가 트랜지스터(Q₁)의 베이스에 인가되어 트랜지스터(Q₁)는 항상 "온" 동작을 하게되어 다이리스터(SCR)의 게이트에 전압을 인가하므로 다이리스터(SCR)도 "온"동작을 한다.

그리고 모든조건 즉, 제어다이오드의 전압은 VZD₁<VZD₂<VZD₃, 이고 모드별 주파수 및 B저압은 F모드₁<F모드₂<F모드₃, V모드₁<V모드₂<V모드₃이므로 모드 검출회로부(3)에서 모드 1신호가 입력되면 바이어스 설정부(2) 아날로그 스위치(A/S₃)가 "온"되어 제너다이오드(ZD₄)에만 전압이 인가되게 된다.

즉, 수평주파수가 인가전압(B⁺)이 낮은 모드가 입력될때는 제5도에서 빗금친 부분만큼의 과전압 범위(VZD₄)가 설정된다.

또한 수평주파수가 인가전압(B⁺)이 모드 1모다 높은 모드 2가 입력되면 바이어스 설정부(2)의 아날로그 스위치(A/S₂)가 동작하고 과전압 설정부(5)의 아날로그 스위치(A/S₄)가 동작하여 제5도에서와 같이 과전압 범위(V(ZD₄+ZD₅)가 설정되고 수평주파수나 인가전압(B⁺)이 가장 높은 모드 3이 입력되면 바이어스 설정부(2)의 아날로그 스위치(A/S₁)만 동작하고 과전압 설정부(5)의 아날로그 스위치(A/S₄, A/S)는 동작하지 과전압범위(VZD₄+VZD₅+VZD₆)가 설정된다.

이상에서 설명한 바와같이 본 발명은 다니모드 모터에서 플라이백 트랜스포머(FBT)의 입력전압 모드에 따라 과전압 보호회로를 구성함으로써 낮은 주파수의 모드에서 과전압 보호회로가 동작하지 않았던 문제를 해결하여 최적의 과전압 보호회로로 동작하고 이에 따라서 모니터의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.

Claims

일정한 바이어스의 인가로 항상 동작하는 스위칭부(1)와, 각각 다른 주파수와 전압을 갖는 모드를 검출하는 모드검출회로부(3)와, 모드검출회로부(3)의 모드에 따라 바이어스를 결정하는 바이어스 설정부(2)와, 모드에 따라 과전압 범위를 결정하는 논리회로부(4)와, 상기 스위칭부(1)와, 논리회로부(4)에 의해 동작하는 과전압 설정부(5)를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 다중모드 모니터의 모드별 과전압 보호회로.