KR940004998Y1 - Memory module - Google Patents

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Abstract

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Description

메모리모듈Memory module

제1(a)도는 종래 메모리모듈의 정면도.1 (a) is a front view of a conventional memory module.

제1(b)도는 종래 메모리모듈의 측면도.Figure 1 (b) is a side view of a conventional memory module.

제2(a)도는 본 고안의 메모리모듈의 일실시예의 정면도.Figure 2 (a) is a front view of one embodiment of a memory module of the present invention.

제2(b)도는 본 고안의 메모리모듈의 일실시예의 정면도.Figure 2 (b) is a front view of one embodiment of a memory module of the present invention.

제3도는 본 고안에 따른 메모리모듈의 패턴회로를 도시한 개략 회로도.3 is a schematic circuit diagram showing a pattern circuit of a memory module according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10,20 : 독립된 기판 P1∼P9: PLCC형 메모리 칩10,20: independent substrate P 1 to P 9 : PLCC type memory chip

11,21 : 핀 T1∼T30: 단자11, 21: pin T 1 -T 30 : terminal

M1∼M3: DIP형 메모리 칩 22 : 홀M 1 to M 3 : DIP type memory chip 22: Hole

본 고안은 메모리모듈에 관한 것으로, 특히, 주기판상에 입체적으로 결합될 수 있는 독립된 메모리모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a memory module, and more particularly, to an independent memory module that can be three-dimensionally coupled on the main board.

일반적으로, 마이크로 컴퓨터 또는 퍼스날 컴퓨터(PC)는 CRT, 프린터 등의 접속이 가능하고 하드 또는 플로피 디스크를 장비하여, 명령을 집행하고, 프로그램이 명시한대로 데이타를 처리하는 기본적인 기능을 수행하는 중앙처리장치(CPU), 메모리, 입출력 인터페이스의 3가지 기본 장치들로 구성된 작은 규모의 컴퓨터 시스템을 말한다.In general, a microcomputer or a personal computer (PC) is a central processing unit capable of accessing a CRT, a printer, or the like, and is equipped with a hard or floppy disk to execute a command and process data as specified by a program. A small computer system consisting of three basic devices (CPU), memory, and input / output interfaces.

이들의 본체를 이루는 기본 부품들은 최근 반도체 기술의 급속한 발전에 따라, 성능면에서 눈부시게 향상되고, 고밀도 집적으로 부품 크기가 상당히 축소되었다. 즉, 주로 설계 시점에서 IC의 집적도를 최대한 이용하는 형태로 아키텍처가 제작되고 있다. 또한, 이러한 발전형태는 특히 비트수의 증가라는 형태로 나타나고 있는데, 초기의 4비트에서 점차 8비트, 16비트, 32비트 데이타로 발전되고 있다.The basic components that make up their bodies have been greatly improved in performance in recent years with the rapid development of semiconductor technology, and the size of components has been significantly reduced due to the high density. In other words, architectures are being manufactured to make the most of IC integration at the design time. In addition, this form of development is especially shown in the form of an increase in the number of bits, which is gradually developing from the initial 4 bits to 8 bits, 16 bits, 32 bits data.

이처럼 중앙처리장치(이하 CPU 라함)의 처리용량이 높아짐에 따라 그 주변에 부가되는 메모리의 확장 용량도 커지게 된다. 통상, CPU에 따르는 메모리로는 데이타와 변수 및 중간 결과가 저장되며, 내용을 바꾸기가 용이한 RAM과, 값이 고정되어 변하지 않을 프로그램이나 상수표가 저장되는 ROM이 있다. 상술한 바와같은 소규모 컴퓨터 시스템에서는 부착된 메모리의 크기가 특정한 응용을 위해 필요한 프로그램이나 데이타의 크기에 달려 있다.As the processing capacity of the central processing unit (hereinafter, referred to as CPU) increases, the expansion capacity of the memory added to the periphery thereof also increases. In general, the memory of the CPU includes data, variables, and intermediate results, RAM which is easy to change contents, and ROM which stores programs or constant tables that are fixed and whose values are not changed. In a small computer system as described above, the size of the attached memory depends on the size of the program or data required for a particular application.

소규모 컴퓨터 시스템에 적절한 메모리 용량을 갖게 하기 위해서는, IC화한 이렁용량의 단위 메모리칩을 다수개 사용함으로 실현할 수 있다. 이때 메모리는 통상적으로 핀이 칩의 종축에 대칭으로 두줄로 배열된 것(Dual-in Line Package : 이하 DIP 라함)이 사용되어, 기판상에 배열되는데, 예를들면, 기억용량이 256KB인 DRAM을 기판상에 구현하기 위해서는 시중에서 구입가능한 256K×1비트 DRAM 칩을 9개를 사용하여 8개의 비트 즉, 컴퓨터에서 사용자가 기억장치에서 처리할 수 있는 최소단위인 1바이트 정보로를 구성하고 나머지 1개의 데이타 비트를 이용하여 패리티체크할 수 있도록 구성한다. 이렇게 8비트, 즉 1바이트로 구성되는 메모리 칩의 접속체는 CPU의 처리 비트수에 따라 다수개가 필요하다. 예를들면, 32비트인 경우, 상술한 바와같이 칩9개로 구성되어 8비트를 형성하는 메모리 칩 접속체 4개가 필요하게 된다. 이러한 메모리 칩을 주기판상에 통상적으로 평면배열하게 되면 많은 면적을 차지하게 된다.In order to have a suitable memory capacity in a small computer system, it can implement | achieve by using many IC memory unit memory chips. In this case, the memory is typically arranged in two rows of pins symmetrically on the vertical axis of the chip (Dual-in Line Package (hereinafter referred to as DIP)), and is arranged on the substrate. To implement on the board, 9 commercially available 256K × 1 bit DRAM chips are used to configure 8 bits, that is, 1 byte information, which is the smallest unit that a user can process in the storage device, and the remaining 1 Parity check is performed using two data bits. Thus, a plurality of connections of a memory chip composed of 8 bits, that is, 1 byte, are required depending on the number of processing bits of the CPU. For example, in the case of 32 bits, as described above, four memory chip connectors consisting of nine chips and forming eight bits are required. If the memory chip is generally arranged in a plane on the main board, it takes up a large area.

그러나, 개인용 컴퓨터 또는 소규모 컴퓨터 시스템에서는 주기판의 면적을 메모리 구성을 위해 무한히 확장할 수 없다.However, in a personal computer or a small computer system, the area of the motherboard cannot be infinitely expanded for the memory configuration.

왜냐하면, 이러한 소규모 컴퓨터 시스템의 장점이라 할 수 있는 것이 가격이 저렴하고 시스템의 크기가 작고 사용이 용이하며, 그에 비해 처리용량이 크다는 점에 있기 때문이다. 따라서, 이러한 관점에서 볼때 주기판상에서의 메모리 칩의 평면배열에 따른 주기판의 면적증가는 소형화에 커다란 장애요소였다.This is because the advantages of such a small computer system is that it is inexpensive, small in size, easy to use, and large in processing capacity. Therefore, from this point of view, the increase in the area of the main board due to the planar arrangement of the memory chips on the main board was a major obstacle to miniaturization.

이러한 문제를 해결하기 위해, 예를들면, 종래에는 제1도에 도시한 바와같이 DIP형 DRAM에 비해 크기가 작은 PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)라는 DRAM(P1-P2)을 하나의 독립기판(10)상에 1바이트 단위로 배열 구성하여, 주기판상에 그 독립기판을 결합함으로써 면적을 줄이고자 했다. 즉, 256K×1비트의 PLCC형 메모리 칩(P1-P9)9개를 독립기판(10)상에 PLCC형 메모리 칩의 핀(11) 구조에 따라 표면솔더링을 하여 일렬로 배열하고 독립기판(10) 후면에는 회로패턴을 형성하여, PLCC형 메모리 칩(P1-P6)의 핀과 일치하게 설치된 독립기판(10) 전후면을 관통하는 작은 홀 내부에 있는 도전체에 의해 패턴과 핀이 접속될 수 있게 하였다. 이와같은 패턴은 외부 CPU와 통신하기 위해 독립기판(10)의 종방향 일측 변부에 일렬로 형성한 다수개(예를들면 30개)의 단자(T1-T30)와 연결된다. 이렇게 구성한 독립기판(10)을 주기판상에 설치한 대응 콘넥터와 결합하거나, 길게 연장된 단자(T1-T30)을 주기판상에 형성한 홀을 통해 주기판 뒷면에서 솔더링하여 결합하고, 전체적으로 주기판상에 수직 또는 어느정도 각을 주어 설치되게 함으로써, 평면 배열에 비해 전체 메모리의 설치면적을 줄이게 되었다. 그러나, 이러한 형태의 메모리모듈의 경우, PLCC형 메모리 칩(P1-P3)의 핀구조로 인해 기판 전면상에서 솔더링을 해야 하기 때문에 이러한 솔더링을 위한 특별하고, 고가의 장비가 필요하며, 9개의 칩을 배열하기 위해서 칩간 간격이 좁기 때문에 제작이 어려워지고, 가격이 증대되며 수율 또한 크게 떨어지게 되는 등의 커다란 문제가 있었다.In order to solve such a problem, for example, conventionally, as shown in FIG. 1 , a single independent substrate may be a DRAM (P 1 -P 2 ) called PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier), which is smaller in size than a DIP type DRAM. An arrangement was made on (10) in units of 1 byte, and the area was reduced by joining the independent substrates onto the main board. That is, nine 256K × 1 bit PLCC type memory chips (P 1 -P 9 ) are arranged on a separate substrate 10 in a line by surface soldering in accordance with the structure of the pins 11 of the PLCC type memory chip. (10) A circuit pattern is formed on the rear surface, and the pattern and the pins are formed by a conductor inside a small hole penetrating the front and rear surfaces of the independent substrate 10 provided in correspondence with the pins of the PLCC type memory chips P 1 -P 6 . This could be accessed. Such a pattern is connected to a plurality of terminals (T 1 -T 30 ) formed in a row on one side of the longitudinal substrate 10 in order to communicate with an external CPU. The independent substrate 10 configured as described above is combined with a corresponding connector installed on the main board, or the long extended terminals T 1 -T 30 are soldered together at the back of the main board through holes formed on the main board, and the entire main board is formed. By installing them perpendicularly or at an angle to them, the total footprint of the memory is reduced compared to a flat array. However, this type of memory module requires special, expensive equipment for such soldering because of the pin structure of the PLCC type memory chips (P 1 -P 3 ) to be soldered on the front surface of the board. Since the gap between chips is small to arrange the chips, manufacturing is difficult, the price is increased, and the yield is also greatly reduced.

따라서, 본 고안의 목적은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로 제조시 공정이 간편하고, 수율을 크게 향상시키며, 적은 면적으로 확장이 용이한 값싼 메모리모듈을 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve such a problem and to provide a cheap memory module that is simple in manufacturing, greatly improves yield, and is easily expanded in a small area.

본 고안에 따르면, 메모리모듈은 다수개의 홀을 갖는 기판과, 상기 기판의 일측변부에 제공된 다수개의 도전성 단자와, 제각기 상기 대응 홀을 통하여 상기 기판의 전면으로부터 후면으로 연장하여 돌출하는 다수개의 핀을 갖되, 메모리 칩 2개는 4비트 데이타 입출력핀을 갖고 메모리 칩 1개는 1비트 데이타 입출력핀을 갖는 적어도 3개의 DIP형 메모리 칩과, 상기 기판의 후면상으로 돌출된 핀과 상기 도전성 단자 간을 전기적으로 접속하되 메모리칩 2개는 각각 4비트 데이타 입출력 핀과 접속하고, 메모리 칩 1개는 1비트 데이타 입출력핀과 접속하는 상기 기판에 인쇄된 회로패턴을 포함한다.According to the present invention, a memory module includes a substrate having a plurality of holes, a plurality of conductive terminals provided on one side of the substrate, and a plurality of pins extending from the front surface to the rear surface of the substrate through the corresponding holes, respectively. Wherein two memory chips have four bit data input / output pins and one memory chip has at least three DIP type memory chips having one bit data input / output pins, between the pins protruding on the rear surface of the substrate and the conductive terminal. Are electrically connected to each other, and each of the two memory chips is connected to a 4-bit data input / output pin, and each of the memory chips includes a circuit pattern printed on the substrate to be connected to the one-bit data input / output pin.

이하, 본 고안을 첨부한 도면을 참조하여 일실시예로서 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, described in detail as an embodiment with reference to the accompanying drawings of the present invention.

제2(a)도 제2(b)도는 본 고안의 메모리모듈을 도시한 정면도와 측면도를 보인 것이다. 독립된 기판(20)에 256K×4비트의 DIP형 메모리 칩(M1,M2)2개와 256K×1비트의 DIP형 메모리 칩(M3) 1개를 설치하기 위해 메모리 칩의 핀(21) 수와 동일한 갯수의 홀(22)을 형성하고, 형성된 홀(22)을 통해 메모리 칩(M1-M3)의 핀(21)을 삽입하여 상기 독립된 기판(20)의 뒷면에서 일괄적으로 솔더링한다. 또한, 독립된 기판(20)의 종방향 일측 변부에는 독립기판(20)상의 메모리와 주기판상의 CPU와의 통신을 위한 30개의 도전성단자(T1-T30)를 형성한다. 단자(T1-T30)는 상기 일측변부를 감싸며, 소정폭의 패드 형상을 취한다. 이들 단자(T1-T30)와 메모리 칩(M1-M3)의 단자(21)를 연결하는 독립된 기판(20)에 인쇄된 패턴의 회로도를 제3도에 도시하였다.Figure 2 (a) Figure 2 (b) is a front view and a side view showing a memory module of the present invention. Pin 21 of the memory chip to install two 256K × 4 bit DIP type memory chips (M 1 , M 2 ) and one 256K × 1 bit DIP type memory chip (M 3 ) on an independent substrate 20. The same number of holes 22 as the number is formed, and the pins 21 of the memory chips M 1 to M 3 are inserted through the formed holes 22 to collectively solder on the back surface of the independent substrate 20. do. In addition, thirty conductive terminals T 1 -T 30 are formed on one side of the independent substrate 20 in the longitudinal direction to communicate the memory on the independent substrate 20 and the CPU on the main substrate. The terminals T 1 -T 30 surround the one side portion and have a pad shape having a predetermined width. These terminals (T 1 -T 30) and a circuit diagram of a printed pattern on an isolated substrate 20 to connect the terminal 21 of the memory chip (M 1 -M 3) are shown in FIG. 3.

우선 상기 30개의 단자중 단자(T4,T5,T7,T8,T11,T12,T14,T15,T17)는 제3도의 각 메모리 칩(M1-M3)의 어드레스 선(A0-A8)의 각 레벨을 공유하는 9개의 선(A0-A8)과 결합된다. 단자(T3,T6,T10,T13,T16,T20,T23,T25,T26,T27)는 각 메모리 칩(M1-M3)의 각 데이타 입출력단자(D1-D9,Q9)의 10개선과 각각 결합된다. 단자(T1,T30)는 각 메모리 칩(M1-M3)의 전원(도시안됨)에 연결되며, 단자(T2)는 메모리 칩(M1,M2)의 행 어드레스 스트로브 단자(CAS)에 연결되고, 단자(T9,T22)는 각 메모리 칩(M1-M3)의 접지(도시안됨)단자에 연결된다. 단자(T27)는 각 메모리 칩(M1-M3)의 각 열 어드레스 스트로브 단자(RAS)에 연결된다. 단자, (T21)는 각 메모리 칩(M1-M3)의 기록 인에이블 단자(W)에 연결된다. 단자(T28)는 메모리 칩(M3)의 행 어드레스 스트로브 단자(CAS9)에 연결된다. 여분의 3단자(T18,T19,T24)는 연결되지 않으나 그중 단자(T19)는 노이즈 방지를 위해 각 메모리(M1-M3)의 접지 단자와 연결되며, 나머지 (T18,T24)는 메모리 용량을 위한 확장용 핀으로 사용된다.First, the terminals T 4 , T 5 , T 7 , T 8 , T 11 , T 12 , T 14 , T 15 , and T 17 of the 30 terminals are connected to each of the memory chips M 1 to M 3 of FIG. 3 . It is coupled with nine lines A 0 -A 8 that share each level of address lines A 0 -A 8 . Terminals T 3 , T 6 , T 10 , T 13 , T 16 , T 20 , T 23 , T 25 , T 26 , and T 27 are each data input / output terminal D of each memory chip M 1 -M 3 . 1 -D 9 , Q 9 ) and 10 improvement lines, respectively. Terminals T 1 and T 30 are connected to the power supply (not shown) of each memory chip M 1 -M 3 , and terminal T 2 is connected to the row address strobe terminal (of the memory chips M 1 , M 2 ). CAS), and terminals T 9 and T 22 are connected to ground (not shown) terminals of each memory chip M 1 -M 3 . Terminal T 27 is connected to each column address strobe terminal RAS of each memory chip M 1 -M 3 . The terminal T 21 is connected to the write enable terminal W of each memory chip M 1 -M 3 . The terminal T 28 is connected to the row address strobe terminal CAS 9 of the memory chip M 3 . The extra three terminals (T 18 , T 19 , T 24 ) are not connected, but terminal (T 19 ) is connected to the ground terminal of each memory (M 1 -M 3 ) for noise prevention, and the rest (T 18 , T 24 ) is used as an expansion pin for memory capacity.

이러한 구성으로 제작된 메모리모듈은 주기판상에 수직 또는 일정한 각도를 가지고 콘넥터를 통해 주기판과 결합하거나, 단자가 독립기판(10)의 외부로 연장한 핀 형태를 가짐으로서 주기판상에 형성한 홀을 통해 상기 단자핀을 삽입하여 기판 뒷면에서 솔더링하여 연결할 수도 있다. 이렇게, 1바이트 단위로 구성한 메모리모듈의 동작은 이 분야의 통상적인 것이므로 설명을 생략하겠다./The memory module fabricated in this configuration may be coupled to the main board through a connector at a vertical or constant angle on the main board, or through a hole formed on the main board by having a pin having a terminal extending outward of the independent substrate 10. The terminal pin may be inserted and soldered from the back of the board to be connected. Thus, the operation of the memory module configured in units of 1 byte is common in this field and will not be described.

따라서 본 고안의 메모리모듈은 DIP형 메모리 칩을 사용함으로 기판의 뒷면에서 일괄적으로 솔더링을 할 수 있으므로 제작하는데 고가의 특별장비가 필요치 않으며, 데이타 출력비트가 확장된 메모리를 이용하여 칩수를 줄임으로서 그에 따른 칩의 핀수가 크게 감소하게 되고, 배선이 매우 간단화되어 메모리모듈을 제작하는데 필요한 제작비를 크게 줄일 수 있으며, 메모리의 용량을 확장하기 위해서 기판전체를 바꾸어야 하는 불편함을 줄일 수 있고, 제작시 작업시간을 단축하며, 수율이 크게 향상되는 등의 커다란 효과가 있다.Therefore, the memory module of the present invention can be soldered collectively on the back side of the board by using the DIP type memory chip, so that no expensive special equipment is required, and the number of chips is reduced by using the memory with the extended data output bits. As a result, the number of pins of the chip is greatly reduced, and the wiring is very simple, greatly reducing the manufacturing cost required to manufacture the memory module, and reducing the inconvenience of changing the entire board to expand the memory capacity. It has a big effect such as shortening the working time and greatly improving the yield.

Claims (3)

다수개의 홀(22)을 갖는 기판(20)과; 상기 기판의 일측변부에 제공된 다수개의 도전성 단자(T1∼T30)와; 제각기 상기 대응 홀(22)을 통하여 상기 기판의 전면으로부터 후면으로 연장하여 돌출하는 다수개의 핀(21)을 갖되, 메모리 칩 2개(M1∼M2)는 4비트 데이타 입출력된을 갖고 메모리 칩 1개(M3)는 1비트 데이타 입출력핀을 갖는 적어도 3개의 DIP형 메모리 칩(M1∼M3)과; 상기 기판의 후면상으로 돌출된 핀과 상기 도전성 단자 간을 전기적으로 접속하되, 메모리칩 2개(M1∼M2)는 각각 4비트 데이타 입출력핀과 접속하고, 메모리 칩 1개(M3)는 1비트 데이타 입출력핀과 접속하는 상기 기판에 인쇄된 회로패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리모듈.A substrate 20 having a plurality of holes 22; A plurality of conductive terminals T 1 to T 30 provided on one side of the substrate; Each of the plurality of pins 21 extends from the front side to the rear side of the substrate through the corresponding holes 22, and each of the two memory chips M 1 to M 2 has 4 bit data input / output and a memory chip. 1 (M 3) is 1-bit data input and output pins at least three DIP-type memory chip (M 1 ~M 3) and having; But the connection between the pin and the conductive terminal projecting rear surface of the substrate in electrical memory chip 2 (M 2 1 ~M) is 4-bit data input and output pins and the connection, and the memory chip 1, respectively (M 3) Is a memory module including a circuit pattern printed on the substrate connected to the 1-bit data input and output pins. 제1항에 있어서, 상기 단자(T1∼T30)가 각각 상기 일측변부를 감싸도록 된 것을 특징으로 하는 메모리모듈.2. The memory module according to claim 1, wherein the terminals (T 1 to T 30 ) respectively surround the one side portion. 제1항에 있어서, 상기 단자(T1∼T30)가 상기 일측변부로부터 외측으로 돌출하여 연장하는 것을 특징으로 하는 메모리모듈.The memory module of claim 1, wherein the terminals (T 1 to T 30 ) protrude outwardly from the one side portion.
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