KR940004867A - 포토 다이오드의 제조방법 - Google Patents
포토 다이오드의 제조방법 Download PDFInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
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Abstract
본 발명은 포토 다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 특히 포토 다이오드의 제조에 있어서 에칭 균등성(etching uniformity)와 포토(Photo)/다크(Dark) 전류비를 증가시키기 위한 포토 다이오드의 제조방법에 관한 것이다.
이와같은 본 발명에 의한 포토 다이오드의 제조방법은, 유리기판(1)위에 메탈 일렉트로이드층(2), a-Si : H층(3) 및 ITO막(4)을 순차적으로 증착하는 단계와, 상기 ITO막(4)에 대해 O2에싱을 실시한 후, 어넬링을 실시하는 단계와, 상기 ITO막(4) 및 상기 a-Si : H층(3)을 패턴닝하는 단계와, 이후, 패시베이션막(6)을 증착한후, 상기 ITO막(4)의 상부 소정부위에 콘텍되도록 상부 금속전극(7)을 증착하여 패터닝하는 단계와로 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 포토 다이오드의 제조공정중 O2에싱공정을 보인 설명도.
Claims (4)
- 유리기판(1)위에 메탈 일렉트로이드층(2), a-Si : H층(3) 및 ITO막(4)을 순차적으로 증착하는 단계와, 상기 ITO막(4)에 대해 O2에싱을 실시한 후, 어넬링을 실시하는 단계와, 상기 ITO막(4) 및 상기 a-Si : H층(3)을 패턴닝 하는 단계와, 이후, 패시베이션막(6)을 증착한후, 상기 ITO막(4)의 상부 소정부위에 콘텍되도록 상부 금속전극(7)을 증착하여 패터닝 하는 단계와로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 O2에싱은, O2리액티브 이온 에칭에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 어넬링은, 200℃ 내외에서 약 1시간 정도 실시하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드의 제조방법.
- 유리기판(1)위에 메탈 일렉트로이드층(2), a-Si : H층(3) 및 ITO막(4)을 순차적으로 증착하는 단계와, 상기 ITO막(4) 및 상기 a-Si : H층(3)을 패턴닝 하는 단계와, 상기 ITO막(4)에 대해 O2에싱을 실시한후, 어넬링을 실시하는 단계와, 이후, 패시베이션막(6)을 증착한후, 상기 ITO막(4)의 상부 소정부위에 콘텍되도록 상부 금속전극(7)을 증착하여 패터닝 하는 단계와로 이루어진것을 특징으로 하는 포토 다이오드의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920014014A KR950008855B1 (ko) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | 포토 다이오드의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920014014A KR950008855B1 (ko) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | 포토 다이오드의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940004867A true KR940004867A (ko) | 1994-03-16 |
| KR950008855B1 KR950008855B1 (ko) | 1995-08-08 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920014014A KR950008855B1 (ko) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | 포토 다이오드의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950008855B1 (ko) |
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1992
- 1992-08-04 KR KR1019920014014A patent/KR950008855B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR950008855B1 (ko) | 1995-08-08 |
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