KR940004660B1 - 감광막의 접착도 측정방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

감광막의 접착도 측정방법

첨부된 도면은 본 발명의 측정방법을 보인 설명도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 실리콘 산화막 2 : 감광막

3, 3' : 이오닉 솔루션 4, 4' : 프로우브

5 : 전압원 6 : 암메타

본 발명은 반도체의 사진식각 공정에 있어서, 웨이퍼(wafer)에 도포한 감광막의 접착도를 측정하는 측정 방법에 관한 것으로, 특히 감광막을 파괴시키지 않고 접착도를 측정할 수 있게한 감광막의 접착도 측정방법에 관한 것이다.

종래에는 감광막의 접착도를 물리적인 힘에 의한 파괴적인 방법으로 측정하였다. 즉, 접착테이프의 인장력으로 단위면적당 어느 정도의 감광막이 훼손되는지를 측정하거나 또는 초음파를 이용하여 감광막의 단위 아이솔레이션(Isolation)을 일정한 시간 및 일정 전력으로 단위면적당 떨어지는 감광막 아이솔레이션 수의 비로 측정하였으나, 이는 측정조건의 상태에 따라 결과가 일정하지 못하여 측정데이타가 균일하지 못함은 물론 측정치의 분석이 어려운 결함이 있었다.

본 발명은 이와 같은 종래의 결함을 감안하여, 이온 미그레이션(Ion-Migration)법을 이용하여 감광막을 파괴시키지 않고 감광막의 접착도를 측정하게 창안한 것으로, 이를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

첨부된 도면에 도시한 바와 같이 실리콘산화막(1)에 도포된 감광막(2)의 양측을 현상하여 윈도우(window)하고, 그 윈도우된 부위에 이오닉 솔루션(Ionic Solution)(3)(3')을 실리콘 산화막(1)과 감광막(2)에 접촉되게 설치하며, 그 이노닉 솔루션(3)(3')에 백금으로 된 프로우브(4)(4')를 접촉시키고, 전압원(5)으로 포텐셜(potertial)전압을 인가하여 암메타(6)로 흐르는 전류를 측정하고 기록계(7)로 기록한다.

이와 같은 본 발명은 프로우브(4)(4')에 인가된 전압에 의하여 이오닉 솔루션(3)(3')의 이온(Ion)들이 감광막(2)과 실리콘 산화막(1) 사이에서 미그레이션을 발생시키게 되고, 그 경계면 사이를 지나가는 전해이온은 전류의 흐름으로 나타나며, 시간의 흐름에 따라 변화하게 된다.

그리고, 일정한 거리 즉, 이오닉 솔루션(3)(3')간의 거리를 이온들이 지나가는데 걸리는 시간은 경계면의 실리콘 산화막(1)과 감광막(2)의 상호작용의 강도를 해석할 수 있고, 경계면의 임피던스로도 측정될 수 있다.

실험적으로 이오닉 솔루션(3)(3')은 항상 실리콘 산화막(1)과 감광막(2)의 경계면을 통과하고, 이렇게 됨으로써 저항이 감소되며, 이와 같이하여 측정되는 시간과 감광막(2)의 종류 및 실리콘 산화막(1)의 상태에 따른 데이터를 분석할 수 있고, 시간이 길수록 감광막(2)의 접착도가 좋음을 나타낸다.

이상에서와 같은 본 발명은 감광막을 파괴시키지 않고서도 감광막의 접착도를 측정할 수 있고, 또한 간단하고 정확히 측정할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 실리콘 산화막(1)에 도포된 감광막(2)의 양측을 현상하여 그 현상된 부위에 이오닉 솔루션(3)(3')을 설치하여 실리콘 산화막(1)과 감광막(2)에 접촉되게 하고, 그 이오닉 솔루션(3)(3')에 프로우브(4)(4')를 접촉시키고, 전압원(5)으로 포텐셜 전압을 인가한 후 암메타(6)로 흐르는 전류를 측정하여 감광막의 접착도를 측정함을 특징으로 하는 감광막의 접착도 측정방법.

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