KR940003062A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
측면 방출형 레이저 다이오드의 레이저 빔을 반사막으로 반사시키는 반도체 장치 및 제조방법에 관한 것으로서, 반도체 기판상에 소정두께의 반도체층을 형성한후, 상기 반도체층을 45°기울기의 경사면이 형성되도록 식각 하고, 상기 경사면의 반도체층에 확산영역을 형성하여 LD의 빛의 세기를 감지하는 PIN형 PD를 형성하였다. 그 다음 상기 경사면상에 소정의 반사율을 갖는 반사막을 형성하고, 레이저 빔 방출면중 일측에 멀티 코팅으로 거울 면이 형성되어 있는 통상의 측면 방출형 레이저 다이오드를상기 반사막과 대응되도록 서브 마운트상에 장착하여 패키지 공정을 단순화하였다.
따라서 제조공정이 간단한 통상의 측면 방출형 레이저 다이오드와, 반사막을 구비하는 하부기판을 사용하여 상기 측면방출형 레이저 다이오드의 레이저 빔의 세기를 감지하는 포토 다이오드를 형성하여 반사막을 투과하는 레이저 빔을 이용하므로 패키지 공정이 간단하다. 또한 상기 측면 방출형 레이저 다이오드의 레이저 방출면중 후부면에 멀티코팅하여 반사율을 높여 광효율을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 이 발명에 따른 반도체 장치의 단면도.
제3(A)∼(D)도는 이 발명에 따른 반도체 장치의 제조공정도이다.
Claims (9)
- 반도체 장치에 있어서. 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판상에 형성되어 있으며 상부면과 하부면 및 그 사이의 경사면으로 구성되어 있는 반도체층과, 상기 경사면의 반도체층에 제2도전형의 불순물로 형성되어 있는 확산영역을 구비하는 포토 다이오드와, 상기 경사면의 반도체층에 소정의 반사율을 갖도록 형성되어 있는 반사막과, 상기 반사막상에 레이저 빔이 방출되도록 상기 반도체층상에 장착되어 있는 측면방출형 레이저 다이오드를 구비하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판 및 반도체층이 Si, GaAs 및 InP로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 반도체로 이루어지는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반사막이 상기 측면 방출형 레이저 다이오드의 레이저 빔과 45°의 각을 이루는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반사막이 90% 이상의 반사율을 갖는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반사막이 산화규소 또는 알루미나로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나 또는 두개의 물질을 적층하여 형성되는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 측면 방출형 레이저 다이오드의 레이저 빔 방출면이 상기 반사막과 50∼100㎛ 거리에 장착되어 있는 반도체 장치,
- 제1항에 있어서, 상기 측면 방출형 레이저 다이오드의 레이저 빔 방출면중 상기 반사막과 면하지 않은 방출면에 반사율이 99% 이상인 거울면이 형성되어 있는 반도체 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 거울면이 산화규소 또는 알루미나로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나 또는 두개의 물질을 적층하여 형성되는 반도체 장치
- 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체 기판상에 반도체층을 형성한 후, 상기 반도체층의 일측을 소정두께 제거하여 경사면을 형성하고, 상기 경사면의 반도체층에 제2도전형의 불순물로 확산영역을 형성하여 상기 반도체 기판과 반도체층 및 확산영역을 포함하는 포토 다이소드를 형성하는 공정과, 상기 경사면의 표면에 소정의 반사율을 갖는 반사막을 형성하는 공정과, 상기 반도체층의 타측에 상기 반사면으로 레이저 빔이 입사되도록 측면방출형 레이저 다이오드를 부착하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법.※ 참고사항：최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|---|
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1992
- 1992-07-18 KR KR1019920012817A patent/KR950013436B1/ko not_active IP Right Cessation
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| WO2019088763A1 (ko) * | 2017-11-02 | 2019-05-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 |
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Also Published As
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