KR940003034Y1

KR940003034Y1 - High voltage stabilization device for monitor

Info

Publication number: KR940003034Y1
Application number: KR2019880019455U
Authority: KR
Inventors: 박찬석
Original assignee: 주식회사 금성사; 최근선
Priority date: 1988-11-30
Filing date: 1988-11-30
Publication date: 1994-05-11
Also published as: KR900011044U

Abstract

내용 없음.No content.

Description

High Pressure Stabilizer of Monitor

제1도는 본 고안 장치의 회로도.1 is a circuit diagram of the device of the present invention.

제2도는 종래 모니터의 고압 안정화 장치 회로도.2 is a circuit diagram of a high pressure stabilization device of a conventional monitor.

본 고안은 모니터의 고압 안정화 장치에 관한 것으로서 특히, 통상의 FBT일차코일에 다수개의 트랜지스터와 다이오드 및 콘덴서 그리고 트랜스등으로 구성된 전압제어부를 설치하여서 된 모니터의 고압 안정화 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a high pressure stabilization device for a monitor, and more particularly, to a high voltage stabilization device for a monitor, which is provided with a voltage control unit including a plurality of transistors, diodes, capacitors, and transformers in a conventional FBT primary coil.

종래의 모니터 고압 안정화장치는 제2도에 도시된 바와같이 수평출력부(31)의 출력에 연결된 FBT(32)의 일차코일은 SMPS전원부(33)에 연결하되 콘덴서(C2,C3)의 접속점은 역방향 다이오드(D2)를 통해 접지된 전압감지부(34)의 출력에 연결하고 음극선관(35)에 연결된 FBT(32)의 출력은 가변저항(VR1-VR3)과 콘덴서(C4)를 통해 접지하며, 가변저항(VR3)의 가동단자에 연결 접지된 분배저항(R1,R2)의 연결점(A)은 전압감지부(34)의 증폭기(OP1)의 입력에 연결하여 된 것으로서, SMPS전원부(33)에 의해 FBT(32)에 전원(B＋)이 공급되고, 주파수가 낮은 수평 입력 신호가 입력되면 수평출력부(31)의 수평출력 트랜지스터(Q1)의 온시간이 길게되어 출력이 증가하게 됨에따라 FBT(32)의 2차코일에 유기되는 고압이 높게 된다.In the conventional monitor high pressure stabilization device, as shown in FIG. 2, the primary coil of the FBT 32 connected to the output of the horizontal output unit 31 is connected to the SMPS power supply 33, but the connection point of the capacitors C2 and C3 is The output of the FBT 32 connected to the output of the voltage sensing unit 34 grounded through the reverse diode D2 and the cathode ray tube 35 is grounded through the variable resistors VR1-VR3 and the capacitor C4. The connection point A of the distribution resistors R1 and R2 grounded to the movable terminal of the variable resistor VR3 is connected to the input of the amplifier OP1 of the voltage sensing unit 34, and the SMPS power supply 33 When the power supply B + is supplied to the FBT 32 and the horizontal input signal having a low frequency is inputted, the ON time of the horizontal output transistor Q1 of the horizontal output unit 31 is lengthened so that the output is increased. The high pressure induced by the secondary coil of (32) becomes high.

따라서 분배저항(R1,R2)의 연결점(A)의 전압이 높게되어 전압감지부(34)의 증폭부(OP1)의 출력이 높게 되므로 트랜지스터(Q2,Q3)가 온이 되어 콘덴서(C2,C3)의 접속점(C)이 접지전위가 됨에따라 튜닝콘덴서(C1,C2)의 용량이 높게되어 FBT(32)의 고압출력을 낮게 한다.Therefore, since the voltage at the connection point A of the distribution resistors R1 and R2 becomes high and the output of the amplifier OP1 of the voltage sensing unit 34 becomes high, the transistors Q2 and Q3 are turned on so that the capacitors C2 and C3 are turned on. As the connection point C of the C) becomes the ground potential, the capacity of the tuning capacitors C1 and C2 becomes high, thereby lowering the high voltage output of the FBT 32.

또한 주파수가 높은 수평 입력신호가 입력되면 수평출력 트랜지스터(Q1)의 온시간이 짧게되어 수평출력부(31)의 출력이 낮아지게 됨에따라 FBT(32)의 출력전압인 고압도 낮아지게 되므로 A점의 전위가 낮아지게 되고, 연산증폭기(OP1)의 출력인 B점의 전위도 낮아지게 되어 트랜지스터(Q2,Q3)가 오프된다.In addition, when the high frequency horizontal input signal is input, the on-time of the horizontal output transistor Q1 is shortened, and as the output of the horizontal output unit 31 is lowered, the high voltage, which is the output voltage of the FBT 32, is also lowered. The potential of is lowered, the potential at point B, which is the output of the operational amplifier OP1, is also lowered, and the transistors Q2 and Q3 are turned off.

따라서 튜닝콘덴서(C1 및 C2, C3)의 용량이 낮아지게 되어 FBT(32)의 출력은 정상상태로 돌아오나 입력되는 여러가지의 수평주파수에 따른 콘덴서(C2)의 접지 또는 비접지상태로 신속하게 동작하지 않게 됨에 따라 전압감지부(34)의 트랜지스터(Q2,Q3)가 불안정한 동작상태가 될뿐만 아니라 충격전류가 흐르게 되어 열이 발생하게 된다.Therefore, the capacity of the tuning capacitors (C1, C2, C3) is lowered, and the output of the FBT 32 returns to its normal state, but quickly operates in the grounded or ungrounded state of the capacitor C2 according to various horizontal frequencies inputted. As a result, the transistors Q2 and Q3 of the voltage sensing unit 34 become not only in an unstable operating state but also a shock current flows to generate heat.

다시말해서 튜닝콘덴서의 용량변화에 의해 FBT의 고압을 제어하게 됨에다라 콘덴서의 특성상 신속한 동작을 행할 수 없이 전압검지부의 손상 및 파손을 갖게 되는 단점이 있다.In other words, the high voltage of the FBT is controlled by the change of the capacity of the tuning capacitor, and thus, the voltage detection unit may be damaged or damaged without a quick operation due to the characteristics of the capacitor.

본 고안은 이와같은 종래의 단점을 해결하기 위하여 다수개의 트랜지스터와 트랜스 및 다이오드등으로 구성된 전압제어부의 입력에는 SMPS전원부의 출력을 연결하고, 그 출력은 전압감지부의 출력이 연결된 FBT의 1차코일에 연결하여 트랜지스터의 온시간에 의해 FBT의 1차코일에 인가되는 전원을 제어하므로 어떤 수평주파수가 입력되더라도 신속하고 안정하게 고압을 출력시킬 수 있도록한 모니터의 고압 안정한 장치를 제공하는 것을 목적으로 하며, 이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 구성 및 작용효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.The present invention connects the output of the SMPS power supply to the input of the voltage control unit composed of a plurality of transistors, transformers and diodes, and the output is connected to the primary coil of the FBT connected to the output of the voltage sensing unit. By controlling the power applied to the primary coil of the FBT by the on time of the transistor by connecting the transistor, it is an object of the present invention to provide a high voltage stable device of a monitor that can output a high voltage quickly and stably even when any horizontal frequency is input. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration and effect of the present invention.

제1도에 의하면 본 고안 장치는 수평출력부(1)와 FBT(2) 및 음극선관(3) 그리고 전압검출부(4)와 SMPS전원부(5)를 포함하는 모니터의 고압 안정화 장치에 있어서, SMPS전원부(5)의 출력은 전압 제어부(6)의 트랜스(T1)의 일차코일을 통해 트랜지스터(Q5)의 콜렉터에 연결함과 동시에 트랜지스터(Q4,Q5)에 에미터와 베이스 및 일측이 역방향 다이오드(D3)를 통해 접지된 트랜스(T1)의 2차코일의 타측에 연결하고, 트랜지스터(Q3,Q4)의 에미터와 콜렉터는 트랜지스터(Q5)의 에미터에 연결하되 트랜지스터(Q4)의 베이스에는 트랜지스터(Q3)의 콜렉터에 연결하며, 트랜지스터(Q3)의 베이스는 저항(R6,R7)의 접속접과 트랜지스터(Q2)의 에미터에 연결하고, 다이오드(D2)를 통해 SMPS전원부(5)의 출력에 연결된 트랜스(T1)의 2차코일의 중간단자는 저항(R5,R6)과 접지콘덴서(C2)및 FMT(2)의 일차코일이 연결된 접속점(C)에 연결하여서 된 것으로서 SMPS전원부(5)로부터 전원(B＋)이 공급되면 저항(R10)을 통해 트랜지스터(Q5)의 베이스 바이어스 전압이 인가됨과 동시에 트랜스(T1)의 1차코일을 통해 트랜지스터(Q5)의 콜렉터에 전류가 공급됨에 따라 트랜스(T1)의 1차코일을 통해 트랜지스터(Q5)의 콜렉터에 전류가 공급됨에 따라 트랜스(T1)의 2차코일에 전압이 유기되고, 이 전압은 다시 다이오드(D2)를 통해 트랜지스터(Q5)의 베이스에 인가된다.According to FIG. 1, the device of the present invention includes a horizontal output unit 1, an FBT 2, a cathode ray tube 3, a voltage detector 4, and an SMPS power supply unit 5. The output of the power supply unit 5 is connected to the collector of the transistor Q5 through the primary coil of the transformer T1 of the voltage controller 6, and at the same time, the emitter, the base, and one side of the transistor Q4 and Q5 are reversed. Connect to the other side of the secondary coil of the transformer T1 grounded through D3), and the emitter and collector of the transistors Q3 and Q4 are connected to the emitter of the transistor Q5, but the transistor is connected to the base of the transistor Q4. To the collector of Q3, the base of transistor Q3 to the contact of resistors R6 and R7 and the emitter of transistor Q2, and output of SMPS power supply 5 through diode D2. The middle terminal of the secondary coil of the transformer (T1) connected to the resistor (R5, R6) and the ground capacitor (C2) and the primary of the FMT (2) Connected to the connection point C connected to the coil. When the power supply B + is supplied from the SMPS power supply unit 5, the base bias voltage of the transistor Q5 is applied through the resistor R10, and at the same time, the primary of the transformer T1 is applied. As the current is supplied to the collector of transistor Q5 through the coil, as the current is supplied to the collector of transistor Q5 through the primary coil of transformer T1, the voltage is induced in the secondary coil of transformer T1. This voltage is again applied to the base of transistor Q5 via diode D2.

따라서 트랜지스터(Q6)의 베이스에는 저항(R10)을 통한 전류와 다이오드(D2)를 통한 전류가 중첩되어 인가됨으로 트랜지스터(Q5)의 베이스에 공급되는 전류가 증가하게 되어 트랜스( T1)의 1차코일 양단전압도 증가히게 되어 2차코일에 유기되는 전압도 증가하게 된다.Therefore, the current supplied through the resistor R10 and the current through the diode D2 are overlapped and applied to the base of the transistor Q6, thereby increasing the current supplied to the base of the transistor Q5, thereby increasing the primary coil of the transformer T1. The voltage at both ends is also increased to increase the voltage induced in the secondary coil.

즉, 트랜지스터(Q6)의 베이스 전류는 더욱 증가하게 되어 턴은 레벨에 도달하는 순간이 되면 트랜지스터(Q5)가 순간적으로 온하게 되므로 전압제어부(6)의 출력전압이 FBT(2) 1차코일에 전원(B＋)으로 공급된다.That is, the base current of the transistor Q6 increases further, and when the turn reaches the level, the transistor Q5 is turned on momentarily, so that the output voltage of the voltage controller 6 reaches the primary coil of the FBT (2). It is supplied to the power supply B +.

이때 트랜스(T1)의 1차코일에는 입력전압이 그대로 걸리게 되고, 트랜지스터(Q6)의 콜렉터 전류도 증가하여 최대(Ip=hfe×Ib : 여기서 hfe는 전류증폭률이고 Ib는 베이스 전류를 말한다)에 도달하게 되면 그 증가가 멈추며, 트랜지스터 (Q5)는 오프되어 트랜지스터(Q5)의 콜렉터와 에미터간의 전압(V_CE)이 증가하게 되고, 이에따라 트랜스(T1)의 1차코일에 인가되는 전압이 감소되므로 2차코일에 유기되는 전압도 감소하게 되어 트랜지스터(Q5)의 베이스 전류도 감소하게 된다.At this time, the input voltage is applied to the primary coil of the transformer T1 as it is, and the collector current of the transistor Q6 is also increased to reach the maximum (Ip = hfe × Ib, where hfe is the current amplification factor and Ib is the base current). When the increase is stopped, the transistor Q5 is turned off, and thus the voltage V _CE between the collector and the emitter of the transistor Q5 is increased, thereby decreasing the voltage applied to the primary coil of the transformer T1. The voltage induced in the secondary coil is also reduced, so that the base current of the transistor Q5 is also reduced.

또한 트랜지스터(Q5)의 콜렉터 전류도 감소하게 되는데 이때 트랜스(T1)의 1차코일 양단에서는 콜렉터 전류를 저지하려는 방향으로 기전력(즉, 역기전력)이 방생되고, 이 역기전력의 주성은 초기의 극성과 반대로 되어 트랜스(T1)의 2차코일로 방출함에 따라 트랜지스터(Q5)의 베이스와 에미터간에는 역바이어스가 걸리게 되어 트랜지스터(Q5)는 완전히 오프된다.In addition, the collector current of transistor Q5 is also reduced. At this time, electromotive force (i.e., counter electromotive force) is generated in a direction to block the collector current at both ends of the primary coil of transformer T1, and the mainity of the counter electromotive force is opposite to the initial polarity. As a result of the release of the secondary coil of the transformer T1, a reverse bias is applied between the base and the emitter of the transistor Q5, and the transistor Q5 is completely turned off.

한편 트랜스(T1)의 1차코일에 축적된 에너지의 방출이 완료되면 트랜지스터(Q5)의 콜렉터와 에미터간의 접합용량에 충전되어 있던 역기전력이 트랜스(T1)의 1차코일을 통해 방전하기 시작하므로 트랜스(T1)의 1차코일의 양단의 전압극성을 초기의 극성으로 전환되고, 트랜스의 2차코일에도 초기 극성의 전압이 유기되어 트랜지스터(Q5)의 역바이어스는 제거되며, 다시 트랜지스터(Q5)의 베이스에 전류가 공급되기 시작한다.On the other hand, when the discharge of energy accumulated in the primary coil of the transformer T1 is completed, the counter electromotive force charged in the junction capacitance between the collector of the transistor Q5 and the emitter starts to discharge through the primary coil of the transformer T1. The voltage polarity of both ends of the primary coil of the transformer T1 is converted to the initial polarity, the voltage of the initial polarity is induced in the secondary coil of the transformer, and the reverse bias of the transistor Q5 is removed, and the transistor Q5 is again. Current begins to be supplied to the base.

이에따라 트랜지스터(Q5)는 다시 온되어 전술과 같이 전압제어부(6)의 출력전압이 FBT(2)의 전원공급원(B＋)으로 공급된다.Accordingly, the transistor Q5 is turned on again, and the output voltage of the voltage controller 6 is supplied to the power supply source B + of the FBT 2 as described above.

따라서 어떤 제어기능으로 트랜지스터(Q5)의 온-오프시긴만 조절하면 출력전압이 변화되어 FBT(2)의 1차코일에 인가되는 전원(B+)이 변화되므로 이 FBT(2)에 입력되는 전원공급원(B＋)과 FBT(2)의 출력전압인 고압은 비례관계에 있으므로 수평주파수의 입력에 따른 고압변동을 항상 일정하게 안정화시킬수 있다.Therefore, by controlling only the on-off time of the transistor Q5 by a certain control function, the output voltage changes and thus the power source B + applied to the primary coil of the FBT 2 changes, so that the power supply source input to this FBT 2 is supplied. Since the high voltage, which is the output voltage of (B +) and the FBT (2), is proportional to each other, it is possible to constantly stabilize the high voltage fluctuations caused by the horizontal frequency input.

다시 말해서, 수평주파수가 낮게 입력되면 수평출력 트랜지스터(Q1)의 온시간이 길게 되어 FBT(2)의 출력에 연결된 저항(R1,R2)의 접속점 전압이 상승하게 됨에따라 증폭기(OP1)의 출력 전압도 증가하게 되어 트랜지스터(Q2-Q4)가 온이되나 트랜지스터(Q4)의 온시간이 길게 됨에따라 트랜지스터(Q5)의 온시간이 짧게 되어 (트랜지스터(Q4)가 온되면 트랜지스터(Q5)가 오프되므로 트랜지스터(Q4)가 온되는 시간과 트랜지스터의(Q5)가 온되는 시간이 반비례하기 때문임)FBT(2)의 1차코일에 공급되는 전원(B＋)이 낮아지게 되어 FBT(2)의 2차코일에 유기되는 전압이 낮아지게 되므로 고압출력이 일정하게 유지된다.In other words, when the horizontal frequency is input low, the on-time of the horizontal output transistor Q1 becomes long, and as a result, the connection voltage of the resistors R1 and R2 connected to the output of the FBT 2 increases, thereby increasing the output voltage of the amplifier OP1. In addition, the transistors Q2-Q4 are turned on, but as the on-time of the transistor Q4 becomes longer, the on-time of the transistor Q5 becomes shorter (when the transistor Q4 is turned on, the transistor Q5 is turned off. This is because the time at which the transistor Q4 is turned on is inversely proportional to the time at which the transistor Q5 is turned on. The power B + supplied to the primary coil of the FBT 2 is lowered, and the secondary of the FBT 2 is reduced. Since the voltage induced in the coil is lowered, the high voltage output is kept constant.

또한 수평주파수가 높게 입력되면 수평출력 트랜지스터(Q1)의 온시간이 짧게 되어 FBT(2)의 출력에 연결접지된 저항(R1,R2)의 접속점에 나타나는 전압이 낮아지게 됨에따라 증폭기(OP1)의 출력전압도 낮아지게 되어 트랜지스터(Q2,Q3)가 오프되는데 트랜지스터(Q4)의 온시간은 짧게 되고, 트랜지스터(Q5)의 온시간은 길게 됨에따라 FBT(2)의 1차코일에 인가되는 전원(B+)이 상승하게 되어 FBT(2)의 출력 역시 증가하게 된다.In addition, when the horizontal frequency is input high, the on time of the horizontal output transistor Q1 is shortened, and the voltage appearing at the connection point of the resistors R1 and R2 connected to the output of the FBT 2 is lowered. As the output voltage is also lowered, the transistors Q2 and Q3 are turned off, but the on-time of the transistor Q4 is shortened and the on-time of the transistor Q5 is long, so that the power source applied to the primary coil of the FBT 2 ( B +) rises and the output of the FBT 2 also increases.

본 고안은 이와같이 트랜지스터의 온시간에 의해 FBT의 1차코일에 인가되는 전압을 변화시킴으로써 어떤 수평주파수가 입력되더라도 항상 일정한 전압(즉, 고압)을 출력시킬 수 있어서 어떤 모드에서도 적용이 가능하여 모니터 이외에도 TV수상기등에 응용할 수 있다.The present invention changes the voltage applied to the primary coil of the FBT according to the on time of the transistor so that a constant voltage (i.e., high voltage) can be output at any time even if any horizontal frequency is input. It can be applied to TV receivers.

Claims

FBT (2) for supplying the high pressure induced on the secondary side to the cathode ray tube (3) of the horizontal output unit (1) for outputting the horizontal signal, and the primary side of the FBT (2) In the high voltage supply circuit of the monitor, which is composed of an SMPS power supply unit 5 for supplying power to the power supply unit and a detection unit 4 corresponding to the horizontal frequency and detecting the increase / decrease of the voltage induced on the FBT secondary side, the SMPS The on / off time of the power source B + supplied from the primary side of the FBT 2 in the power supply unit 5 is varied according to the detection voltage of the voltage detector 4 to increase / decrease the primary power supply level of the FBT 2 primary side. High voltage stabilization device of the monitor, characterized in that it comprises a voltage control unit (6).