KR940001264A - 개선된 반도체 제조 확산공정 방법 - Google Patents

개선된 반도체 제조 확산공정 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 개스유량, 온도, 압력을 제어 및 관리하여 일정량의 불순물을 반도체 웨이퍼내로 주입시키거나 불순물의 양을 조절하여 반도체 웨이퍼내에서 최종농도분포를 형성시키기 위한 개선된 반도체 제조 확산공정 방법에 관한 것이다.
본 발명은 (1) 시작 단계, (2) 세이프파이로 단계, (3) 스탠바이 단계, (5) 보우트인 단계, (6) 세이프개스 단계, (7) 프로세스 단계, (8) 스탠바이 단계. (7) 딜레이오프 단계, (10) 보우트아웃 단계, (11) 완료 단계, (12) 중지 단계를 갖는 반도체 제조 확산공정에 있어서, 상기 스탠바이 단계와 상기 보우트인 단계의 사이에, 상기 프로세스 단계가 수행되기 전에 프로세스 조건과 동일한 조건하에서 필요한 개스의 유량 및 컨트롤 상태, 온도 컨트롤 상태와 각종 센서의 정상 동작여부, 압력 상태와 개스의 누출 여부를 실제 프로세스 이상오차의 허용 범위보다 상향설정된 규격으로 짧은 시간 내에 점검하는 플로우 테스트가 수행되는 것을 그 특징으로 한다.

Description

개선된 반도체 제조 확산공정 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 개스 정글 박스부(GAS JUNGLE BOX UNIT)의 개략적 배관도이다.
제2도는 컨트롤부, 소오스 퍼니스부, 메인 퍼니스부 및 로드/언로드부의 구성 및 관계를 나타내는 개략도이다.
제4도는 본 발명에 의한 확산공정 순서를 나타낸 플로우 차트이다.

Claims (5)

  1. (1) 시작 단계, (2) 세이프파이로 단계, (3) 스탠바이 단계, (5) 보우트인 단계, (6) 세이프개스 단계, (7) 프로세스 단계, (8) 스탠바이 단계, (9) 딜레이오프 단계, (10) 보우트아웃 단계, (11) 완료 단계, (12) 중지 단계를 갖는 반도체 제조 확산공정에 있어서, 상기 스탠바이 단계와 상기 보우트인 단계의 사이에, 상기 프로세스 단계가 수행되기 전에 프로세스 조건과 동일한 조건하에서 확산설비의 이상유무 상태를 점검하는 플로우 테스트 단계가 수행되는 것을 특징으로 하는 개선된 반도체 제조 확산공정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플로우 테스트 단계가, 반도체 웨이피가 투입되기 전에 실제 프로세스 조건과 동일한 조건하에서 필요한 개스의 유량 및 컨트롤 상태를 점검하도록 된 것을 특징으로 하는 개선된 반도체 제조 확산공정 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 플로우 테스트 단계가 반도체 웨이퍼가 투입되기 전에 실제 프로세스 조건과 동일한 조건하에서 설비의 온도 컨트롤 상태 및 각종 센서의 정상 동작여부를 점검하도록 하는 것을 특징으로 하는 개선된 반도체 제조 확산공정 방법.
  4. 제3항에 있어서, 반도체 웨이퍼가 투입되기 전에 실제 프로세스 조건과 동일한 조건하에서 설비의 압력 컨트롤 상태가 개스 누출여부를 점검 하는 플로우 테스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 반도체 제조 확산공정방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 플로우 테스트는 실제 프로세스의 이상오차 허용범위보다 상향설정된 규격으로 짧은 시간내에 실시되는 것을 특징으로 하는 개선된 반도체 제조 확산공정 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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