KR940000200A - 고경도금속을 함유하는 분할형 환상체에서의 다층표면피복 용접법 - Google Patents
고경도금속을 함유하는 분할형 환상체에서의 다층표면피복 용접법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 수직 로울 밀에서 분할형 테이블 또는 편입된 로울의 마모면상에 다층 표면 피복 용접하기 위한 방법에 관한 것이다. 용접에 의해 이루어진 다층은 선행 기술과 비교해서 경도가 충분히 높고, 더 큰 두께로 켜지고 분할면이 부드럽다. 이렇게 하기 위해, 용접할 분할 성분을 성분사이의 간격을 1내지 10mm로 하여 환상 형태를 형성하면서 차례로 배치하고, 입열량 J(60x아크 전압Vx 용접 전류 A/용접 속도 cm/분으로 계산한다)는 2,000내지 6,000J/cm의 범위로 제한되며, 층간 온도는 또한 300℃이하로 제한하여서 다수의 미세한 크랙크를 비이드에 직각 방향으로 분산시키고, 환상으로 배치된 성분을 사이간격에 기계적 외력을 적용시켜서 실질적으로 간격의 면을 따라서 분리성분으로 이형시킨다. 이러한 다층 용접에 의해 형성된 표면 피복층의 경도 및 두께는 공지된 것들 보다 유리하게 더 우수하고 표면 피복층의 수명이 연장되었다. 다른 장점은 각 성분의 종단면에 거의 일치하 는 분할 단면을 형성시키므로서 표면 피복된 성분을 이형시키기 위해서 비교적 작은 기계적 외력도 충분하고, 마무리 공정을 수작업에 의해 용이하고 간편하게 수행할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(A)도 및 제2(B)도는 각각 본 발명의 양태를 도시하는 종단정면도(A)와 종단측면도(B)이고,
제2도는 동일양태의 금속 조직을 도시하는 확대 사진이고,
제3도는 분할의 일예를 도시하는 평면도이다.
Claims (7)
- 용접시킬 분할 성분들을 서로의 간격이 1내지 10mm인 환상이 형성되도록 나란히 위치시키고, 기본 금속의 표면상에 다층 용접물을 도포할때, 등식 J=60×I×E/v[여기서, J는 입열량(J/cm)이고; E는 아크(arc) 전압(V)이고, I는 용접 전류(A)이고; v는 용접 속도(cm/분)이다]로 산출되는 입열량 J를 2,000 내지 6,000J/cm범위로 제한하고; 층간 온도를 항상 300℃ 이하로 제한함으로써 용착 금속의 비이드(bead)상에 비이드 방향과 수직인 방향으로 다수의 미세한 크랙크(crack)가 균등하게 분산되어 생성되도록 하며 상기 간격에 하중을 가함으로써 환상 성분을 실질적으로 이 간격의 표면을 따라서 개별 성분으로 분할시키는 단계들 포함함을 특징으로 하여, 고경도 금속을 함유하는 분할형 환상체에 다층 표면 피복 용접하는 방법.
- 제1항에 있어서, 오픈 아크(open arc)전자동 용접법을 이용함을 특징으로 하여, 고경도 금속을 함유하는 분할형 환상체에 다층 표면 피복 용접하는 방법.
- 제2항에 있어서, 오픈 아크 전자동 용접법에서 사용하는 심선(core wire)으로서 플럭스(flux)심선을 사용함을 특징으로 하여, 고경도 금속을 함유하는 분할형 환상체에 다층 표면 피복 용접하는 방법.
- 제3항에 있어서, 심선을 3,000cm/분까지 공급할 수 있는 고속 와이어 공급장치를 사용함을 특징으로 하여, 고경도 금속을 함유하는 분할형 환상체에 다층 표면 피복 용접하는 방법.
- 제1항에 있어서, 다층 용접에서 사용하는 고경도 금속의 경도가 적어도 Hv 600을 초과하고, 목적하는 두께를 수득하기 위해서는 층수의 제한없는 수의 층을 형성시킬 수 있음을 특징으로 하여, 고경도 금속을 함유하는 분할형 환상체에 다층 표면 피복 용접하는 방법.
- 제5항에 있어서, 피복시키기 위해 사용하는 고경도 금속이 (1)C : 3.0 내지 7.0%, Si : 0.5 내지 2.0%, Mn : 0.5 내지 4.0%, 및 Cr : 20.0 내지 35.0%, 또는 (2)상기 금속에 2%이하의 비로 첨가되는 Mo, W, V Zr, Ti, B, Nb, Cd, Co 및 Al중에서 선택된 1개 이상의 성분으로 구성됨을 특징으로 하여, 고경도 금속을 함유하는 분할형 환상체에 다층 표면 피복 용접하는 방법.
- 제5항에 있어서, 피복시키기 위해 사용하는 고경도 금속이 (1)C : 3.0 내지 7.0%, Si : 0.5 내지 2.0%, Mn : 0.5 내지 4.0%, V : 10.0 내지 20.0%, W : 3.0 내지 10.0%; 또는 (2)상기 금속에 2%이하의 비로 첨가되는 Mo, W, V, Zr, Ti, B, Nb, Cd, Co 및 Al중에서 선택된 1개 이상의 성분으로 구성됨을 특징으로 하여, 고경도 금속을 함유하는 분할형 환상체에 다층 표면 피복 용접하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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