KR930024123A - 반도체 웨이퍼의 열처리 방법 및 장치 - Google Patents
반도체 웨이퍼의 열처리 방법 및 장치 Download PDFInfo
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Abstract
반도체웨이퍼의 산화막형성, 어닐링, 불순물활성화, 금속박막증착후의 오믹콘택 또는 절연층의 리플로우공정등에 적용되는반도체웨이퍼의 열처리 방법.
스트립형의 가열수단을 사용하여 반도체웨이퍼의 표면을 국부적으로 주사하면서 열처리함.
또한, 스트립형 상부히이터와, 하부히이터와, 웨이퍼수납대와, 온도측정장치 및 웨이퍼수납대 구동수단등으로 구성되는 상기 열처리방법을 수행할수 있는 반도체웨이퍼의 열처리방법을 제공함.
스트립형 상부히이터의 온도를 정확히 측정하는 것이 가능하기 때문에 제어가 용이하며, 온도의 균일성을 제고할수 있으며, 열처리온도의 반복성이 우수하며, 국부가열에 의한 방법이므로 종래의 급속열처리등에서 발생하였던 슬립등의 반도체웨이퍼의 결함을 없앨수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반도체웨이퍼 옆처리장치의 정면도, 제4도는 제3도의 장치의 작용을 설명하는 요부의 사시도, 제5도는 본 반도체웨이퍼의 온도와 상부히이터에 인가되는 전압사이의 관계를 나타낸 도면.
Claims (8)
- 반도체웨이퍼의 열처리공정에 있어서, 스트립형 히이터를 사용하여 반도체웨이퍼의 표면을 국부적으로 주사하면서 열처리하는 반도체웨이퍼의 열처리 방법.
- 제1항에 있어서, 반도체웨이퍼의 열처리공정은, 산화막 형성공정, 어닐링공정, 불순물활성공정, 절연층의 리플로우공정, 오믹 콘택 또는 실리사이드형성공정등의 열처리공정으로 이루어지는 군중에서 선택되는 공정인 반도체웨이퍼의 열처리 방법.
- 열처리할 반도체웨이퍼를 수납하는 웨이퍼 수납대(13)와, 상기 웨이퍼 수납대(13)에 수납된 반도체웨이퍼의 상부에 위치하며 반도체웨이퍼를 국부적으로 열처리하는 한개 이상의 스트립형 상부가열수단(11)과, 상기 웨이퍼 수납대(13)의 하부에 위치하며 그를 가열하는 하부가열수단(12)과, 상기 상부가열수단(11)의 온도를 측정하는 온도측정수단(15) 및, 상기 상부가열수단(11)이 반도체웨이퍼를 국부적으로 열처리할 수 있도록 상기 웨이퍼 수납대(13)를 구동하는 웨이퍼수납대 구동수단으로 구성되는 반도체웨이퍼의 열처리 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 스트립형 상부가열수단(11)의 갯수는 1 내지 3개인 반도체웨이퍼의 열처리장치.
- 제3항 또는 제4항에 있어서, 스트립형 상부가열수단(11)의 단면의 크기는 가로, 세로의 길이를 1 내지 20㎜의 범위인 반도체웨이퍼의 열처리장치.
- 제5항에 있어서, 스트립형 상부가열수단(11)의 재질은 흑연 또는 세라믹코팅된 흑연으로 된 반도체웨이퍼의 열처리장치.
- 제3항에 있어서, 반도체웨이퍼와 스트립형 상부가열수단(11) 사이의 간격은 0.5내지 3㎜이며, 반도체웨이퍼의 표면주사속도는 0.05 내지 2㎜/sec인 반도체웨이퍼의 열처리장치.
- 제3항에 있어서, 상기 웨이퍼수납대(13)는 300℃ 내지 600℃의 온도로 예열되는 반도체웨이퍼의 열처리장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920007667A KR950003232B1 (ko) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | 반도체웨이퍼의 열처리방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019920007667A KR950003232B1 (ko) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | 반도체웨이퍼의 열처리방법 및 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930024123A true KR930024123A (ko) | 1993-12-22 |
| KR950003232B1 KR950003232B1 (ko) | 1995-04-06 |
Family
ID=19332763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920007667A KR950003232B1 (ko) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | 반도체웨이퍼의 열처리방법 및 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950003232B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7792437B2 (en) | 2005-11-04 | 2010-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for detecting cover opening of image forming apparatus and method and apparatus for controlling supply of power |
-
1992
- 1992-05-06 KR KR1019920007667A patent/KR950003232B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7792437B2 (en) | 2005-11-04 | 2010-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for detecting cover opening of image forming apparatus and method and apparatus for controlling supply of power |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950003232B1 (ko) | 1995-04-06 |
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