KR930020703A - 촬상소자 및 촬상소자 어레이 - Google Patents

촬상소자 및 촬상소자 어레이 Download PDF

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KR930020703A
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준지 오까따
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미야하라 아끼라
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Abstract

순방향 또는 역방향 전압이 동일방향으로 직렬 접속된 2개의 다이오드 (1.2)에 공급되면 2개의 다이오드의 접속점 CP가, 비교적 저임피던스상태에서 고임피던스 상태로 또는 그 반대로 전환됨으로써, 접속점 CP에 접속된 광전변환소자(3)가 리세트, 또는 축척상태로 된다.
이러한 구성을 갖는 개량된 촬상소자에 의하면, 접속점 CP의 임피던스가 광전변화 소자(3)에 대한 광조사량에 의해 영향을 받지 않고 항상 저레벨에 일정히 유지될 수 있고 따라서 소정의 리세트시간내에 포화시켜 잔류전하의 발생을 방지할 수 있다.

Description

촬상소자 및 촬상조사 어레이
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 제1태양에 의한 촬상소자의 일실시예를 나타낸 등가회로도이다.
제5도는 제4도의 촬상소자의 독출동작을 설명키 위한 파형도이다.
제6도는 본 발명의 제1태양에 의한 촬상소자 어레이의 일실시예를 나타낸 등가회로도이다.
제7도는 제6도의 촬상소자 어레이의 독출동작을 설명키 위한 타이밍챠트도이다.
제8도는 본 발명의 촬상소자에서의 독출 및 리세트 동작을 종래 소자와 비교설명키 위한 파형도이다.
제9도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 촬상소자의 다른 실시예를 나타낸 등가회로도이다.
제10도는 본 발명에 의한 촬상소자의 다른 실시예를 나타낸 등가회로도이다.

Claims (27)

  1. 동일방향으로 직결 접속된 2개의 다이오드를 갖는 정류소자 수단과, 상기 2개의 다이오드의 접속점에 접속된 광전변환소자와, 순방향 또는 역방향 전압을 상기 정류소자 수단에 공급함으로써 상기 접속점이 비교적 저임피던스상태에서 고임피던스상태로 또는 그 반대로 전환되도록 하는 전원수단을 구비한 것을 특징으로 하는 촬상소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정류소자 수단의 2개의 다이오드가 각각 비정질 반도체로 된 것이 특징인 촬상소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 정류소자 수단의 2개의 다이오드가 각각 다정질 반도체로 된 것이 특징인 촬상소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 광전변환소자가 광다이오드로 구성하고 있고, 그의 음극이 상기 접속점에 접속돼 있고, 그의 양극이 신호출력선에 접속돼 있는 것이 특징인 촬상소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 접속점에 콘덴서의 일단부가 접속돼 있고, 상기 콘덴서의 타단부가 신호출력선에 접속돼 있는 것이 특징이 촬상소자.
  6. 제5항에 있어서, 상기 광전변화소자가 광다이오드인 것이 특징인 촬상소자.
  7. 제5항에 있어서, 상기 광전변환소자가 광콘덕터인 것이 특징인 촬상소자.
  8. 제5항에 있어서, 상기 신호출력선에 접속된 연산증폭기를 더 구비하고 있고, 상기 연산증폭기에 대해 가상 접지점을 제공하는 전압이, 상기 접속점으로부터 이격된 광전변환소자 측면에 공급되는 것이 특징인 촬상소자.
  9. 비정질 또는 다결정 반도체로 된 광다이오드와 다이오드를 동일방향으로 직렬 접속하여된 갖는 정류소자 수단과, 상기 2개의 다이오드의 접속점에 일단부가 접속된 신호출력선과, 순방향 또는 역방향 전압을 상기 정류소자 수단에 공급함으로써, 상기 접속점이 비교적 저임피던스 상태에서 고임피던스 상태로 또는 그 반대로 전환되도록 하는 전원수단을 구비한 것이 특징인 촬상소자.
  10. 제1항에 있어서, 상기 전원수단이 상기 정류소자 수단의 음극에 정전압을 공급하는 dc전원과 상기 정류소자 수단의 양측에 펄스전압을 공급하는 펄서를 구비하고 있고 상기 dc전원으로부터의 정전압Vb, 고레벨 펄스전압 Vh 및 저레벨 펄스전압 Vℓ이 하기 관계식 ｜Vℓ｜｜Vb｜Vh｜을 만족하는 특징인 촬상소자.
  11. 제9항에 있어서, 상가 전원수단이 상기 정류소자 수단의 음극에 정전압을 공급하는 dc전원과 상기 정류소자 수단의 양극에 펄스전압을 공급하는 펄서를 구비하고 있고 상기 dc전원으로부터의 정전압Vb, 고레벨 펄스전압Vh 및 저레벨 펄스전압 Vℓ이 하기 관계식 ｜Vℓ｜｜Vb｜Vh｜을 만족하는 특징인 촬상소자.
  12. 제4항 기재의 촬상소자 복수개를 병설하여 구성되고, 공통의 신호출력선을 갖고 있는 것이 특징인 촬상소자 어레이.
  13. 제5항 기재의 촬상소자 복수개를 병설하여 구성되고, 공통의 신호출력선을 갖고 있는 것이 특징인 촬상소자 어레이.
  14. 제9항 기재의 촬상소자 복수개를 병설하여 구성되고 공통의 신호출력선을 갖고 있는 것이 특징인 촬상소자 어레이.
  15. 제10항 기재의 촬상소자 복수개를 2차원 매트릭스 형태로 병설하여 구성되고, 상기 전원수단의 dc전원이 모든 촬상소자에 대해 공통으로 설치된 한편, 상기 펄서가 어레이를 구성한 촬상소자의 각 행에 대해 공통으로 설치돼 있는 것이 특징인 촬상소자 어레이 시스템.
  16. 제11항 기재의 촬상소자 복수개를 2차원 매트릭스 형태로 병설하여 구성되고, 상기 전원수단의 dc전원이 모든 촬상소자에 대해 공통으로 설치된 한편, 상기 펄서가 어레이를 구성한 촬상소자의 각 행에 대해 공통으로 설치돼 있는 것이 특징인 촬상소자 어레이 시스템.
  17. 제1항 기재의 촬상소자 복수개를 병설하고 1블록을 형성하고, 이 블록 복수개를 배열하여, 구성된 어레이에 있어서, 각 촬상소자 블록의 정류소자 그룹의 음극들이 제1쉬프트 레지스터의 관련된 단자들에 접속돼 있는 한편, 각 촬상소자 블록의 상기 정류소자 수단의 양극들이 제2쉬프트 레지스터의 관련된 양극들이 접속돼 있고, 상기 제1쉬프트 레지스터의 각 단자들로부터 순차로 출력된 고레벨 펄스전압 Vrh와 저레벨 펄스전압 Vrl과, 상기 제2쉬프트 레지스터의 각 단자들로 부터 순차로 고레벨 펄스전압 Vch와 저레벨 펄스전압 Vcl이 관계식 VclVrlVchVrh을 만족하는 것이 특징인 촬상소자 어레이.
  18. 제9항 기재의 촬상소자 복수개를 병설하고 1블록을 형성하고, 이 블록 복수개를 배열하여, 구성된 어레이에 있어서, 각 촬상소자 블록의 정류소자 그룹의 음극들이 제1쉬프트 레지스터의 관련된 단자들에 접속돼 있는 한편, 각 촬상소자 블록의 상기 정류소자 수단의 양극들이 제2쉬프트 레지스터의 관련된 단자들에 접속돼 있고, 상기 제1쉬프트 레지스터의 각 단자들로부터 순차로 출력된 고레벨 펄스전압 Vrh와 저레벨 펄스전압 Vrl과, 상기 제2쉬프트 레지스터의 각 단자들로 부터 순차로 고레벨 펄스전압 Vch와 저레벨 펄스전 Vcl이 관계식 VclVrlVchVrh을 만족하는 것이 특징인 촬상소자 어레이.
  19. 제17항에 있어서, 각 블록의 촬상소자가 2이상의 화소가 1그룹을 형성하고 있고, 촬상소자 그룹 전부가 신호출력선에 접속돼 있는 것이 특징인 촬상소자 어레이.
  20. 제9항에 있어서, 상기 전원수단이 상기 순방향 또는 역방향 전압을 상기 정류소자 그룹의 상기 광다이오드에 직접 공급하는 것이 특징인 촬상소자 어레이.
  21. 동일방향으로 직렬수단, 제1광다이오드와 다이오드를 갖는 정류소자 수단과, 상기 제1광다이오드와 상기 다이오드의 접속점에 상기 제1광다이오드와 동극성을 갖는 단부가 접속된 제2광다이오드와, 상기 접속점으로부터 이격된 상기 제2광다이오드의 다른 단부에 접속된 독출회로와, 상기 제2광다이오드에 병렬로 접속된 용량부 및 상기 접속점이 비교적 저임피던스상태에서 고임피던스상태로 또는 그 반대로 전환되고, 상기 제1광다이오드와 상기 다이오드간의 용량비가 상기 제2광다이오드와 상기 용량부간의 용량비와 대략 동등하게 되도록, 순방향 또는 역방향 전압을 상기 정류소자수단에 공급하는 전원수단을 구비한 것을 특징으로 하는 화상센서.
  22. 제21항에 있어서, 상기 제2광다이오드가 하부전극과 클리어 상부전극간에 생드위치된 광전변환소자층을 갖고 있고, 상기 클리어 상부전극의 일부가 차광되어 상기 용량부를 구성하고 있는 것이 특징인 화상센서.
  23. 제21항에 있어서, 상기 전원수단이 상기 다이오드에 정전압을 공급하여 정류소자 수단을 역바이어스 하기 위한 dc전원과 상기 제1광다이오드에 펄스전압을 공급하는 펄서를 구비하고 있고 상기 dc전원으로부터의 정전압Vb, 고레벨 펄스전압 Vh 및 저레벨 펄스전압 Vℓ이 하기 관계식 ｜Vℓ｜｜Vb｜Vh｜을 만족하는 특징인 화상센서.
  24. 제21항에 있어서, 상기 광다이오드와 상기 다이오드 각각이, 하부전극과 상부전극간에 샌드위치된 광전변환소자층을 갖고 있고, 상기 전변화소자층이 비우프된 a-Si : H층과 내측 도우프된 a-Si : H층 및 이 내측 도우프된 a-Si : H층보다 비저항이 낮은 외측 도우프된 a-Si : H층으로 구성돼 있고, 그 최상층의 비도우프된 a-Si : H층이 역바이어싱중 전자들을 차단하는 전극으로 덮여있는 것이 특징인 화상센서.
  25. 제21항에 있어서, 상기 광다이오드와 상기 다이오드 각각이, 하부전극과 상부 전극간에 샌드위치된 광전변환소자층을 갖고 있고, 상기 광전변환소자층이 외측의 비도우프된 a-Si : H층과 이 내측 도우프된 a-Si : H층보다 더 높은 기판온도에서 증착된 내측 비도우프된 a-Si : H층과 도우프된 a-Si : H층으로 구성돼 있고, 그 최상층의 외측 비도우프된 a-Si : H층이 역바이어싱중 전자들을 차단하는 전극으로 덮여 있는 것이 특징인 화상센서.
  26. 제21항에 있어서, 하부전극상에 분리된 광전변환소자층들이 형성돼 있고, 상기 각 광전변화소자층상에 상부전극이 형성되어 상기 제1과 제2광다이오드를 형성하고 있고, 광전변화소자층과 전극이 상기 제1또는 제2광다이오드 하부에 설치되어 상기 다이오드를 구성하고 있는 것이 특징인 화상센서.
  27. 제26항에 있어서, 상기 하부전극이 도우프된 a-Si : H막으로 구성된 것이 특징인 화상센서.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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