Claims (14)
반도체장치의 미세패턴 형성방법에 있어서, 반도체기판상에 제1물질층을 형성하는 공정, 상기 제1물질층상에 감광막패턴을 형성하는 공정 및 상기 감광막패턴을 식각마스크로 이용하여 상기 제1물질층을 소정량 언더컷함으로써 미세패턴을 형성하는 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.A method of forming a fine pattern of a semiconductor device, the method comprising: forming a first material layer on a semiconductor substrate; forming a photoresist pattern on the first material layer; and using the photoresist pattern as an etching mask. The fine pattern forming method of a semiconductor device, characterized in that the step of forming a fine pattern by undercut a predetermined amount.
제1항에 있어서, 감광막패턴을 식각마스크로 이용하여 제1물질층을 소정량 언더컷함으로써 미세패턴을 형성하는 상기 공정은, 감광막패턴을 식각마스크로 하고 반도체기판을 식각종료점으로 한 이방성식각을 결과물전면에 행함으로씨 상기 감광막패턴과 동일한 모양으로 형성된 제1물질층패턴을 먼저 형성한 후, 상기 제1물질층패턴을 식각대상물로 하는 등방성식각을 추가로 행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.The process of claim 1, wherein the step of forming a fine pattern by undercutting the first material layer by a predetermined amount using the photoresist pattern as an etching mask comprises anisotropic etching using the photoresist pattern as an etching mask and the semiconductor substrate as an end point. Fine pattern of the semiconductor device, further comprising first forming a first material layer pattern formed in the same shape as that of the photoresist pattern, followed by isotropic etching using the first material layer pattern as an etching target Formation method.
제1항에 있어서, 감광막패턴을 식각마스크로 이용하여 상기 제1물질층을 소정량 언더컷함으로써 미세패턴을 형성하는 상기 공정은, 등방성식각으로 행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.The method of forming a fine pattern of a semiconductor device according to claim 1, wherein the step of forming a fine pattern by undercutting the first material layer by a predetermined amount using the photoresist pattern as an etching mask is performed by isotropic etching.
제3항에 있어서, 상기 제1물질층을 구성하는 물질로는, 패턴형성이 가능하고 상기 등방성식각에 대해 상기 반도체기판과는 그 식각율이 다른 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.4. The semiconductor device as claimed in claim 3, wherein the material constituting the first material layer includes a material capable of forming a pattern and having an etching rate different from that of the semiconductor substrate for the isotropic etching. Pattern formation method.
제3항에 있어서, 상기 등방성식각은 건식식각인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.The method of claim 3, wherein the isotropic etching is a dry etching.
제3항에 있어서, 상기 등방성식각은 습식식각인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.The method of claim 3, wherein the isotropic etching is wet etching.
제2항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1물질층의 두께는 등방성식각에 대한 상기 제1물질층의 식각율과 원하는 미세패턴의 크기에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.The semiconductor device according to claim 2, wherein the thickness of the first material layer is determined by an etching rate of the first material layer with respect to isotropic etching and a size of a desired fine pattern. Method of forming a fine pattern.
반도체장치의 미세패턴 형성방법에 있어서, 반도체기판상에 제1물질층을 형성하는 공정, 상기 제1물질층상에 제2물질층을 형성하는 공정, 상기 제2물질층 상에 감광막패턴을 형성하는 공정, 상기 감광막패턴을 식각마스크로 이용하여 상기 제2물질층을 소정량 언더컷함으로써 제1미세패턴을 형성하는 공정, 및 상기 제1미세패턴을 식각마스크로 이용하여 상기 제1물질충을 식각함으로써 제2미세패턴을 형성하는 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.A method of forming a fine pattern of a semiconductor device, the method comprising: forming a first material layer on a semiconductor substrate; forming a second material layer on the first material layer; and forming a photoresist pattern on the second material layer. Forming a first fine pattern by undercutting the second material layer by a predetermined amount using the photoresist pattern as an etching mask; and etching the first material charge using the first fine pattern as an etching mask. The fine pattern forming method of a semiconductor device, characterized in that the process proceeds to form a second fine pattern.
제8항에 있어서, 상기 제2물질층은 임의의 이방성식각 및 등방성식각에 대해 상기 제1물질층을 구성하는 물질과는 그 식각율이 다른 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.The semiconductor device of claim 8, wherein the second material layer is formed of a material having an etch rate different from that of the material constituting the first material layer for any anisotropic or isotropic etching. Formation method.
제8항에 있어서, 상기 제2물질층은 상기 제1물질층을 산화시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.The method of claim 8, wherein the second material layer is formed by oxidizing the first material layer.
제8항에 있어서, 상기 제1미세패턴은 제거되지 않는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.The method of claim 8, wherein the first fine pattern is not removed.
제11항에 있어서, 제1물질층을 부분적으로 제거함으로써 제2미세패턴을 형성하는 상기 공정이후, 이방성식각에 대해 상기 제2물질층과는 그 식각율이 다른 물질을 결과물전면에 도포하여 제3물질층을 형성하고, 상기 제1미세패턴의 상부 표면까지 상기 제3물질층을 에치백한 후, 상기 제1 및 제2미세패턴을 제거하는 공정을 추가하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.12. The method of claim 11, wherein after the step of forming the second fine pattern by partially removing the first material layer, a material having a different etch rate from the second material layer for anisotropic etching is applied to the entire surface of the resultant material. Forming a third material layer, etching back the third material layer to an upper surface of the first fine pattern, and then removing the first and second fine patterns. Pattern formation method.
제8항에 있어서, 상기 제1미세패턴은 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.The method of claim 8, wherein the first fine pattern is removed.
제13항에 있어서, 상기 제1미세패턴을 제거한 후, 이방성식각에 대해 상기 제1물질층과는 그 식각율이 다른 물질을 결과물전면에 도포하여 제3물질층을 형성하고, 상기 제2미세패턴의 상부표면까지 상기 제3물질층을 에치백한 후, 상기 제2미세패턴을 제거하는 공정을 추가하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.The method of claim 13, wherein after removing the first fine pattern, a third material layer is formed by applying a material having a different etch rate from the first material layer to the entire surface of the resultant material for anisotropic etching. And etching the third material layer to the upper surface of the pattern, and then removing the second fine pattern.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.