KR930006824A - 이온 비임 프로파일링 방법 및 장치 - Google Patents
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2446—Position sensitive detectors
- H01J2237/24465—Sectored detectors, e.g. quadrants
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31703—Dosimetry
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Measurement Of Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 이온비임세기와 방출측정장치(10)에 관한 것이다. 기판(130),(450)은 이온비임(20)이 충덜하는 전도영역 또는 영역(R),(452)를 지지한다.
전도영역(R),(452)은 전도영역위에 축적된 전하에 상응하는 출력을 발생시키는 적분회로(260)를 통해 주기적으로 방전된다.
이온비임이 충돌하는 이러한 다중 영역에 대한 전하를 결정하므로서 비임세기때 위치의 이차원 맵핑이 실시간을 토대로 얻어진다.
방출마스크(400)는 기판(130),(450)위에 위치되어 있고 방출의 측정 또는 이온비임의 넓이가 얻어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이온이 공작물에 충돌하므로서 공작물을 처리하는 이온주입장치의 개략도,
제2도는 이온 비임의 세기가 방출을 감지하는 이온비임 프로파일을 도시한 단면도,
제3도는 절연기판이 지지한 다수의 이러한 영역의 단일전하 수집영역을 도시한 확대 단면도.
Claims (10)
- (가) 절연기판에 결합된 전도체가 각각의 전하수집영역(R),(452)를 형성하는 다수의 전하수집영역(R),(452)를 지지하는 절연기판(130),(450)과 (나)전하 수집영역을 충돌시키기 위해 이온주입 영역을 시간적으로 차단하는 주사수단과 (다) 전하수집영역을 방출하므로서 전하수집영역에 이온비임이 충돌로 인하여 전하 수집영역에 축적된 전하를 주기적으로 결정하는 회로수단(200), 다수의 전하수집영역을 공통회로출력에 결합시키는 상호 연결수단(210)과 상호 연결수단의 공통회로출력에 결합된 충전결정수단(260),(262)과 이온비임의 차단영역의 세기 맵핑을 형성하기 위해 다수의 충전 수집영역으로부터 신호를 축적하는 축적회로(392)를 포함하는 상기 회로수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임(20)을 따라 이온 비임세기 분배를 감지하는 이온주입장치(100).
- 제1항에 있어서, 충전수집영역은 다수의 공간을 둔 동심대전링R을 포함하고 주사수단은 대전링의 중심위치 주위에서 회전하도록 설치된 관통된 상사상 슬롯(144)을 가진 차폐수단(142)을 포함하여 이온비임의 부분은 원주로 바꾸어 이온비임을 방사상 슬롯을 통하게 하고 공간을 둔 동심링에 충돌하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치.
- 제1항에 있어서, 절연기판은 수집영역(452)의 정렬된 구조를 지지하는 신장부재(450)를 포함하고 상기 주사 수단은 이온비임을 통해 신장부재와 수집영역의 정렬된 구조를 이동시키기 위해 액츄레이터 수단(420)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치.
- 제3항에 있어서, 액츄레이터 수단은 선형이동통로를 따라 신장부재를 이동시키는 수단(440)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치.
- 제1항에 있어서 세기맵핑의 시각 묘사를 제공하는 디스플레이 수단(392)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치.
- 제1항에 있어서, 이온비임을 전하수집 영역에 충돌시키는 구멍(410) 구조를 가진 이온비임 차단마스크(400)를 더 포함하고 회로수단은 차단마스크의 구멍 구조를 토대로 한 이온비임 프로파일과 이온비임 세기 데이타를 비교하는 테이블 록업수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치.
- 제1항에 있어서, 충전결정회로는 공통회로 출력에 접속된 입력과 전하수집 영역상의 전하에 관한 전압신호를 제공하는 적분회로 출력을 가진 작분회로(260)를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임 주입장치.
- (가)절연기판(130),(450)상의 공간을 둔 전하 수집 전도영역(R),(452)의 이차원 구조를 정렬하는 단계와 (나)이온비임을 공간을 둥 전하 수집 전도 영역의 이차원 구조에 충돌시키기 위해 이온비임(20) 내에 기판(130),(450)을 위치시키는 단계와 (다) 각각의 공간을 둔 전하 수집전도영역을 방출시키고 메모리의 각각의 영역의 충전에 관한 충전신호를 축적하는 단계와 (라) 공간을 둔 충전 수집전도영역의 구조에 대한 충전신호를 기초로한 이온비임내의 위치의 함수로서 이온비임세기의 시각 맵핑을 디스플레이하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임 주입기내에 위치한 함수로 이온비임 세기를 감지하는 방법.
- 제8항에 있어서, 전도영역위의 전하를 결정하는 단계는 방전회로를 통해 각각으 방전영역을 방전시키는 방전회로로부터의 전압출력과 영역상의 전하를 상호 관련시키므로서 성취되는 것을 특징으로 하는 이온비임세기를 감지하는 방법.
- 제8항에 있어서, 결정단계는 이온비임의 시간적 변화영역을 차단하기 위해 선형 이동통로를 따라 전도영역(452)의 선형구조를 이동시키크로서 실행되는 것을 특징으로 하는 이온비임 세기를 감지하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/767,027 US5198676A (en) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | Ion beam profiling method and apparatus |
US767,027 | 1991-09-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930006824A true KR930006824A (ko) | 1993-04-22 |
KR0160786B1 KR0160786B1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=25078277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920017492A KR0160786B1 (ko) | 1991-09-27 | 1992-09-25 | 이온비임 프로파일링 방법 및 장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5198676A (ko) |
EP (1) | EP0534737B1 (ko) |
JP (1) | JPH05217542A (ko) |
KR (1) | KR0160786B1 (ko) |
DE (1) | DE69210522T2 (ko) |
TW (1) | TW220006B (ko) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05135731A (ja) * | 1991-07-08 | 1993-06-01 | Sony Corp | イオン注入装置 |
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1991
- 1991-09-27 US US07/767,027 patent/US5198676A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-09-23 EP EP92308673A patent/EP0534737B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-23 DE DE69210522T patent/DE69210522T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-09-24 JP JP4279544A patent/JPH05217542A/ja active Pending
- 1992-09-25 KR KR1019920017492A patent/KR0160786B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-10-07 TW TW081107979A patent/TW220006B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0534737B1 (en) | 1996-05-08 |
DE69210522D1 (de) | 1996-06-13 |
TW220006B (ko) | 1994-02-01 |
EP0534737A1 (en) | 1993-03-31 |
JPH05217542A (ja) | 1993-08-27 |
KR0160786B1 (ko) | 1999-02-01 |
US5198676A (en) | 1993-03-30 |
DE69210522T2 (de) | 1996-09-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20030711 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |