KR930004308Y1 - 지연시간 조정회로 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

지연시간 조정회로

제1도는 본 고안에 따른 지연시간 조정회로도.

제2도는 제1도의 동작 파형도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 인버터 2a₁-2a_n: 앤드게이트

3a₁-3a_n,5 : 엔모오스 트랜지스터 4a₁-4a_n: 정전용량콘덴서

6 : 기준저항 Iref : 기준정전류

I₁-I_n: 정전류 V₁-V_n: 정전용량전압

본 고안은 정전류원을 이용한 지연시간 조정회로에 관한 것으로, 특히 정전류를 정전용량에 충전시켜서 정전용량 전압의 기울기를 직선화하여 지연시간을 임의로 조정할 수 있도록한 지연시간 조정회로에 관한 것이다.

종래의 지연회로에 있어서는 입력신호를 설정된 소정시간동안 지연시켜 출력하게 되어 있으므로, 그 지연시간을 임의로 조절할 수 없는 문제점이 있었다.

본 고안은 이러한 종래의 문제점을 감안하여, 하나의 입력신호를 서로다른 시간으로 지연시켜 다수개의 지연신호를 출력할 수 있도록 안출한 것으로, 이를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

제1도는 본 고안에 따른 지연시간 조정회로도로서, 이에 도시한 바와같이 콘트롤 신호를 스위칭 트랜지스터인 엔모오스 트랜지스터(5)의 게이트 및 앤드게이트(2a₁-2a_n)의 일측입력단자에 인가되게 접속함과 아울러 인버터(I₁)를 통해 엔모오스 트랜지스터(3a₁-3a_n)의 게이트에 인가되게 접속하고, 상기 엔모오스 트랜지스터(5,3a-3a_n)의 각 소오스는 접지하고, 엔모오스 트랜지스터(5)의 드레인은 기준저항(6)을 통해 기준정전류(Iref)와 연결하고, 엔모오스 트랜지스터(3a₁-3a_n)의 각 드레인은 각각 정전류(Ia-I_n), 정전용량콘덴서(4a₁-4a_n)의 일측 및 앤드게이트(2a₁-2a_n)에 입력에 각기 공통접속하여, 정전용량 콘덴서(4a₁-4a_n)의 다른측은 접지하고, 정전류(Ifef, I₁-I_n)에는 전원(Vdd)을 인가하고, 상기 엔드게이트(2a₁-2a_n)의 출력단자에서 출력신호(out₁-out_n)을 얻도록 구성한 것으로, 이와 같이 구성된 본 고안의 작용효과를 제2도의 파형도를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

제2도의 파형도에서와 같이 콘트롤신호가 고전위로 인가되며, 그 고전위신호에 의해 엔모오스 트랜지스터(5)가 도통되고, 상기 고전위신호를 인버터(I_n)에서 저전위신호로 반전되므로 엔모오스 트랜지스터(3a₁-3a_n)가 오프된다.

따라서, 이때 기준저항(6)을 통하는 전류에 의해 기준정전류(Iref)가 공급되고, 이 기준정전류(Iref)에 상관되는 정전류(I₁,I₂,…I_n)가 만들어져 정전용량 콘덴서(4a₁-4a_n)에 각각 충전되며, 이때 제2도의 파형도에서와 같이 콘덴서(4a₁-4a_n)의 정전용량 전압(V₁-V_n)은 증가하는데, 이는 하기와 같은 식에 의해 시간에 일차적인 함수가 되어 직선이 된다.

(여기서 Q는 전하량, C는 정전용량, V는 정전압, I는 정전류, t는 시간) 여기서, 앤드게이트(2a₁-2a_n)의 로직 드레스홀드 전압이 Vt라고 하면, 상기 콘덴서(4a₁-4a_n)의 정전용량 전압(V₁-V_n)이 그 드레시홀드전압(Vt)보다 높게되는 시간(t₀-t_n)에서 앤그게이트(2a₁-2a_n)로 부터 고전위의 출력신호(out₁-out₂)가 출력된다.

이때 상기의 식에서 알수 있듯이 정전류(I)와 정전용량(C)를 가변시킴으로써 사용목적에 따른 지연시간을 쉽게 얻을 수 있게 된다. 즉, 기준저항(6)을 조절하여 기준정전류(Iref)을 얻고, 이 기준정전류(Iref)에 의해 각각의 정전류(I₁-I_n)를 얻으므로 해서 기울기가 각각 다른 정전용량 전압(V₁-V_n)을 얻고, 이에 따라 지연시간이 각각 다른 출력(out₁-out₂)를 얻을 수 있다.

한편, 시간(te)에서 콘트롤 신호가 저전위로 되면, 그 저전위신호에 의해 앤드게이트(2a₁-2a_n)의 출력신호(out₁-out_n)는 모두 저전위로 되고, 또한 상기 저전위신호에 의해 엔모오스 트랜지스터(5)가 오프됨과 아울러 그 저전위신호가 인터버(I₁)에서 고고전위신호로 반전되므로 엔모오스 트랜지스터(3a₁-3a_n)가 도통되며, 이에따라 콘덴서(4a₁-4a_n)의 정전용량 전압(V₁-V_n)이 그 엔모오스 트랜지스터(3a₁-3a_n)를 통해 방전된다.

이상에서 상세히 설명한 바와같이, 본 고안은 저항과 정전용량 콘덴서를 이용하여 정전류를 만들어 임의로 지연시간을 조절할 수 있기 때문에 다수개의 지연시간을 필요로 하는 회로에 쉽게 응용할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 콘트롤신호를 게이트에 인가받아 기준 정전류(Iref)를 공급하는 엔모오스 트랜지스터(5)와, 상기 기준점 전류(Iref)에 상관되는 정전류(I₁-I_n)를 각기 다른 기울기로 충전하여 정전용량전압(V₁-V_n)을 출력하는 정전용량 콘덴서(4a₁-4a_n)와, 상기 콘트롤신호를 반전하는 인버터(1) 및 그 인버터(1)의 출력신호를 게이트에 인가받아 상기 정전용량 콘덴서(4a₁-4a_n)의 방전통로가 되는 엔모오스 트랜지스터(3a₁-3a_n)와, 상기 정전용량 콘덴서(4a₁-4a_n)의 정전용량전압(V₁-V_n)을 상기 콘트롤신호와 각기 앤드조합하여 출력신호(out₁-out_n)로 출력하는 앤드게이트(2a₁-2a_n)로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 지연시간 조정회로.