Claims (4)
반도체기판상에 형성된 소정패턴의 단차물이 덮혀지도록 제1절연층을 평탄화시키는 공정, 상기 평탄화된 제1절연층의 소정부분에 돌출부를 형성하기 위하여 상기 제1절연층을 식각하는 공정, 상기 돌출부를 구비한 제1절연층의 형상을 따라 하부배선층을 형성하는 공정, 상기 하부 배선층 형성후, 상기 하부배선층의 최상부만이 노출되도록 제2절연층을 형성하는 공정, 그리고, 상기 노출된 하부배선층의 최상부와 연결되도록 상부 배선층을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 다층배선구조의 금속배선층 형성방법.Planarizing the first insulating layer so that the stepped part of the predetermined pattern formed on the semiconductor substrate is covered; etching the first insulating layer to form a protrusion at a predetermined portion of the flattened first insulating layer; Forming a lower wiring layer according to a shape of the first insulating layer having a shape, forming a second insulating layer so that only an uppermost portion of the lower wiring layer is exposed after the lower wiring layer is formed, and the exposed lower wiring layer And a step of forming an upper wiring layer to be connected to the uppermost part.
제1항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 제1절연층의 식각방법에 따라 사다리형, 혹은 정방형, 혹은 원추형, 흑은 사각뿔형의 어느 하나의 형태로 형성됨을 특징으로 하는 다층배선구조의 금속배선층 형성방법.The metal wiring layer of claim 1, wherein the protrusion is formed in any one of a ladder shape, a square shape, a conical shape, and a black square pyramid shape according to the etching method of the first insulating layer. Way.
제1항에 혹은 제2항의 어느 한 항에 있어서, 상기 하부배선층의 최상부만을 노출시키는 공정은, 상기 하부배선층 위에 제2절연층 및 포토래지스트막을 차례로 형성한 후 에치백 공정을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층배선구조의 금속배선층 형성방법.The process of claim 1 or 2, wherein exposing only the uppermost portion of the lower wiring layer is performed through an etch back process after sequentially forming a second insulating layer and a photoresist film on the lower wiring layer. A metal wiring layer forming method of a multilayer wiring structure.
제1항에 있어서, 상기 제1절연층의 식각방법에 따라 상기 돌출부의 경사도와 돌출부 상단부 크기에 따라 경사도와 돌출부 상단부 크기에 따라 상기 하부배선층의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 다층배선구조의 금속배선층 형성방법.The metal of the multi-layered wiring structure according to claim 1, wherein the size of the lower wiring layer is adjusted according to the inclination of the protrusion and the size of the upper end of the protrusion according to the etching method of the first insulating layer. Wiring layer formation method.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.