KR930003251A - 레이저 리소그라피 장치에서 간섭계를 이용한 촛점 찾는 방법 - Google Patents

레이저 리소그라피 장치에서 간섭계를 이용한 촛점 찾는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR930003251A
KR930003251A KR1019910011402A KR910011402A KR930003251A KR 930003251 A KR930003251 A KR 930003251A KR 1019910011402 A KR1019910011402 A KR 1019910011402A KR 910011402 A KR910011402 A KR 910011402A KR 930003251 A KR930003251 A KR 930003251A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
interferometer
laser lithography
light
lithography equipment
focus finding
Prior art date
Application number
KR1019910011402A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940001227B1 (ko
Inventor
박경현
김동환
김선호
최상삼
이규행
변영태
Original Assignee
박원희
한국과학기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 박원희, 한국과학기술연구원 filed Critical 박원희
Priority to KR1019910011402A priority Critical patent/KR940001227B1/ko
Publication of KR930003251A publication Critical patent/KR930003251A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940001227B1 publication Critical patent/KR940001227B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
  • Automatic Focus Adjustment (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

레이저 리소그라피 장치에서 간섭계를 이용한 촛점 찾는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 간섭계의 구조를 개략적으로 보인 설명도,
제3(가)도의 내지 제3(다)도는 본 발명의 간섭계에서 촛점거리별 빛의 진행경로를 보인 설명도,
제4(가)도의 내지 제4(다)도는 제3(가)도의 내지 제3(다)도 상태에서 나타나는 간섭무늬에 대한 사진.

Claims (1)

  1. 레이저로부터 방출되어 콜리메이터를 거쳐 광분할기로 입사된 빛의 일부분은 거울로 진행하다 반사되어 다시 광분할기로 향하고, 빛의 다른 부분은 직진하여 집속렌즈를 지나 시료에서 반사되어 다시 광분할기로 향하여 이들 두개의 거울에서 반사된 빛과 시료에서 반사된 빛이 광분할기를 거치면서 간섭을 일으키는 간섭계에서 관찰도는 특정의 간섭무늬를 직선이 되도록 조정하여 시료에 촛점 이 맺히게 함을 특징으로 하는 레이저 리소그라피장치에서 간섭계를 이용한 촛점 찾는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910011402A 1991-07-05 1991-07-05 레이저 리소그라피장치에서 간섭계를 이용한 촛점 찾는 방법 KR940001227B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910011402A KR940001227B1 (ko) 1991-07-05 1991-07-05 레이저 리소그라피장치에서 간섭계를 이용한 촛점 찾는 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910011402A KR940001227B1 (ko) 1991-07-05 1991-07-05 레이저 리소그라피장치에서 간섭계를 이용한 촛점 찾는 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930003251A true KR930003251A (ko) 1993-02-24
KR940001227B1 KR940001227B1 (ko) 1994-02-17

Family

ID=19316811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910011402A KR940001227B1 (ko) 1991-07-05 1991-07-05 레이저 리소그라피장치에서 간섭계를 이용한 촛점 찾는 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR940001227B1 (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7242464B2 (en) 1999-06-24 2007-07-10 Asml Holdings N.V. Method for characterizing optical systems using holographic reticles
US6934038B2 (en) 2000-02-15 2005-08-23 Asml Holding N.V. Method for optical system coherence testing
US7751030B2 (en) 2005-02-01 2010-07-06 Asml Holding N.V. Interferometric lithographic projection apparatus
US7440078B2 (en) 2005-12-20 2008-10-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and maskless exposure units
US7561252B2 (en) 2005-12-29 2009-07-14 Asml Holding N.V. Interferometric lithography system and method used to generate equal path lengths of interfering beams
US7952803B2 (en) 2006-05-15 2011-05-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7443514B2 (en) 2006-10-02 2008-10-28 Asml Holding N.V. Diffractive null corrector employing a spatial light modulator
US7684014B2 (en) 2006-12-01 2010-03-23 Asml Holding B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN103207532B (zh) * 2013-04-21 2014-10-22 中国科学院光电技术研究所 一种同轴检焦测量系统及其测量方法
KR101480162B1 (ko) * 2013-08-02 2015-01-09 한국기계연구원 포커스 측정 기능을 가지는 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
WO2015016624A1 (ko) * 2013-08-02 2015-02-05 한국기계연구원 포커스 측정 기능을 가지는 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
CN108941897A (zh) * 2018-09-14 2018-12-07 北京工业大学 一种自动寻焦方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR940001227B1 (ko) 1994-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930003251A (ko) 레이저 리소그라피 장치에서 간섭계를 이용한 촛점 찾는 방법
ATE297006T1 (de) System und verfahren zum ausführen von bestimmten optischen messungen
FR2519148B1 (fr) Selecteur de longueurs d'ondes
ATE236417T1 (de) Direkt-digitale holographie, holographische interferometrie und holovision
SE8702890L (sv) Optiskt vinkelmaetdon
NO883924L (no) Optikk for maaling av krummingsvariasjon.
KR880004446A (ko) 광학 픽업장치
EP0797121A3 (en) Exposure apparatus
DE58907622D1 (de) Positionsmesseinrichtung.
US3532431A (en) Shearing interferometry by means of holography
KR950029817A (ko) 액정표시소자의 배향장치 및 배향방법
ATE127594T1 (de) Optisches phasenmessabtastmikroskop.
Avudainayagam et al. Lau effect and beam collimation
US3533675A (en) Small-angle interferometer for making holograms
KR950010004A (ko) 검사장치
US5347376A (en) Method and apparatus for producing a holographic shadowgram
KR940015458A (ko) 홀로 그래픽 간섭계의 프린치 확대장치
KR970017263A (ko) 대물 렌즈에 입사될 광의 빔 직경을 증가시키기 위한 렌즈계를 갖는 광 헤드 장치
KR940008012A (ko) 가시광 레이저와 초퍼를 이용한 홀로그래픽 간섭 노광 장치
JPS5473065A (en) Interferometer
RU2067291C1 (ru) Интерферометр
JPH0448370B2 (ko)
JPS58117426A (ja) 二光束マイケルソン型干渉計
Patten et al. Pulsed Coherence Length Measurement Device.
JPS5722538A (en) Retroreflector

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20010111

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee