KR930001255Y1 - Over current relay - Google Patents

Over current relay Download PDF

Info

Publication number
KR930001255Y1
KR930001255Y1 KR2019900017749U KR900017749U KR930001255Y1 KR 930001255 Y1 KR930001255 Y1 KR 930001255Y1 KR 2019900017749 U KR2019900017749 U KR 2019900017749U KR 900017749 U KR900017749 U KR 900017749U KR 930001255 Y1 KR930001255 Y1 KR 930001255Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
power supply
circuit
overcurrent
power
Prior art date
Application number
KR2019900017749U
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR920010518U (en
Inventor
박웅남
Original Assignee
삼성전자 주식회사
강진구
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사, 강진구 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR2019900017749U priority Critical patent/KR930001255Y1/en
Publication of KR920010518U publication Critical patent/KR920010518U/en
Application granted granted Critical
Publication of KR930001255Y1 publication Critical patent/KR930001255Y1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/02—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess current
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/008—Intrinsically safe circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

내용 없음.No content.

Description

과전류 검출 및 보호회로Overcurrent Detection and Protection Circuit

본 고안의 실시 회로도.Implementation circuit diagram of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

5 : 전원 투입회로 10 : 보호회로5: power supply circuit 10: protection circuit

15 : 과전류 검출회로 Q1-Q4: 트랜지스터15: overcurrent detection circuit Q 1 -Q 4 : transistor

ZD1: 제너다이오드 C1, C2: 콘덴서ZD 1 : Zener Diodes C 1 , C 2 : Condenser

R1-R7: 저항 RY : 릴레이R 1 -R 7 : Resistance RY: Relay

본 고안은 안정된 전원을 공급해 주도록 하는 전원 공급회로에 있어서, 부하단에 공급되는 과전류를 검출하여 세트의 동작을 차단시킴으로써 세트의 안정성을 도모하도록 한 과전류 검출 및 보호회로에 관한 것으로, 특히 IC전원 전원인 5V전원을 안정적으로 공급하는데 적합한 고안이다.The present invention is a power supply circuit for supplying a stable power supply, the over-current detection and protection circuit to achieve the stability of the set by detecting the over-current supplied to the load end to block the operation of the set, in particular IC power supply It is designed to supply 5V power supply stably.

종래의 IC전용전원(5V)를 사용하는 세트에서는 전류가 작게 흐르는 관계로 간단히 레귤레이터 IC를 사용하여 과전압으로부터 세트를 보호해 줄 수 있었으나 점차 세트의 다기능 및 고부가 가치화 되는 추세에서는 IC에 많은 전류공급을 요하게 되고 이에 따라 과전류로부터 세트를 안정시키게 위해서는 고가의 레귤레이터 IC를 사용하여야 하였다.In the case of a conventional IC-only power supply (5V), since the current flows small, it is possible to simply protect the set from overvoltage by using a regulator IC. Expensive regulator ICs have to be used to stabilize the set from overcurrent.

그러나 고가인 레귤레이터 IC를 사용할 경우 그에 따른 생산비 앙등이 초래 되어지고 또한 과전류를 처리하는데 따른 방열판의 크기가 커지게 되며 방열판의 부착에 따른 문제점 및 세트 공간이 확대되는 문제가 발생되는 것이었다.However, when expensive regulator IC is used, production cost increases, and the size of the heat sink is increased due to the processing of overcurrent, and the problem of attaching the heat sink and expanding the set space is caused.

본 고안은 상기와 같은 점을 감안하여 IC 전용 전원의 출력측에서 직접 과전류 인가 여부를 검출한 후 과전류가 검출되어 지면 세트의 전원 공급을 차단시켜 세트의 안정성을 추구하고자 하는 것으로 이같은 목적으로 달성하기 위하여 본 고안은 세트의 주전원 공급을 제어하는 전원 투입회로가 구성된 전원 회로에 있어서, IC전용 전원의 과전류 흐름을 검출하는 과전류 검출수단과, 상기 과전류 검출 수단에 의하여 과전류가 검출될 경우 상기 전원 투입 회로의 동작을 차단시켜 세트를 보호하는 보호 수단을 구비시킨 것이다.In order to achieve this purpose, the present invention seeks stability of the set by shutting off the power supply of the ground set after detecting whether the overcurrent is directly applied at the output side of the IC dedicated power supply in view of the above. The present invention is a power supply circuit comprising a power supply circuit for controlling the supply of the main power supply, an overcurrent detecting means for detecting an overcurrent flow of an IC dedicated power supply, and when the overcurrent is detected by the overcurrent detecting means, It is equipped with a protective means for blocking the operation to protect the set.

이하 본 고안에 대한 구성 및 작용효과를 첨부된 실시 도면에 의거 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and effect of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

스텐 바이 전원(+ST)의 공급에 따라 트랜지스터(Q4)의 구동이 제어되고 상기 트랜지스터(Q4)의 동작에 따라 AC 전원을 투입시키는 전원 투입회로(5)가 구성된 전원 회로에 있어서, IC 전용 전원(+B)의 과전류 흐름을 제너다이오드(ZD1)로 검출하여 트랜지스터(Q3)을 동작시키고 상기 트랜지스터(Q3)의 출력 레벨을 저항(R4)(R5)으로 분배시키는 과전류 검출회로(15)와, 상기 저항(R4)(R5)의 분배된 전압에 의하여 트랜지스터(Q2)가 구동되고 상기 트랜지스터(Q2)의 구동에 의하여 트랜지스터(Q1)가 동작되어 자기 바이어스를 유지하며 상기 트랜지스터(Q1)(Q2)의 동작으로 상기 전원 투입회로(5)의 구동을 차단시키는 보호회로(10)로 구성되어진다.In the power supply circuit having a power supply circuit 5 configured to control the driving of the transistor Q 4 in accordance with the supply of the standby power supply (+ ST) and to supply AC power according to the operation of the transistor Q 4 . by detecting the over-current flow of a dedicated power supply (+ B) to the zener diode (ZD 1) operating the transistor (Q 3) and over-current to distribute an output level of the transistor (Q 3) with resistor (R 4) (R 5) and a detection circuit 15, the resistance (R 4) (R 5) is by the divided voltage, the transistor (Q 2) and the driver transistor (Q 1) by the drive of the transistor (Q 2) is the operation of the magnetic And a protection circuit 10 which maintains a bias and cuts off the driving of the power supply circuit 5 by the operation of the transistors Q 1 and Q 2 .

이와같은 구성의 본 고안에서 먼저 전원 투입회로(5)에 대하여 살펴본다.In the present invention of such a configuration first looks at the power input circuit (5).

전원 투입회로(5)는 파우어 온/오프 시 AC전원 투입을 제어하는 회로로써 파우어 '온'시에는 스텐바이 전원(+ST)의 공급이 중단되게 된다. 파우어 '온'시 스텐바이 전원(+ST)이 공급되게 되면 저항(R7)과 다이오드(D2)를 통하여 콘덴서(C2)에 충전되어짐과 동시에 트랜지스터(Q4)의 베이스에 인가되게 되므로 트랜지스터(Q4)는 스텐바이 전원(+ST)공급시 '턴온'되어지게 된다.The power supply circuit 5 is a circuit for controlling the AC power input when the power on / off, when the power 'on' the supply of the standby power (+ ST) is stopped. When the standby power supply (+ ST) is supplied when the power is turned on, the capacitor (C 2 ) is charged through the resistor (R 7 ) and the diode (D 2 ) and is applied to the base of the transistor (Q 4 ). Transistor Q 4 is 'turned on' when the standby power supply (+ ST) is supplied.

트랜지스터(Q4)가 '턴온'되면 스텐바이 전원(+ST)이 릴레이(RY)와 트랜지스터(Q4)를 통하여 흐르게 되므로 릴레이(RY)가 구동하여 AC 전원이 투입되게 된다.When the transistor Q 4 is 'turned on', the standby power supply (+ ST) flows through the relay RY and the transistor Q 4 , so that the relay RY is driven to supply AC power.

그러나, 파우어 '오프'시에는 스텐바이 전원(+ST)이 공급되지 못하여 트랜지스터(Q4)가 '턴오프'되게 되고 이에 따라 릴레이(RY)의 구동도 중단되어 AC 전원의 투입은 중단되어지게 된다.However, when the power is 'off', the standby power supply (+ ST) is not supplied and thus the transistor Q 4 is 'turned off'. Accordingly, the driving of the relay RY is also interrupted and the input of the AC power is stopped. do.

이같은 전원 투입회로(5)는 AC 전원 투입의 제어에 흔히 사용되어지는 통상의 기술 내용이다.This power supply circuit 5 is a general technical content commonly used for control of AC power supply.

한편 파우어 '온'시 전원 투입 회로(5)에서 AC 전원이 투입되어지면 도시되지 아니한 전원공급회로에서 세트에 필요한 각종 전원을 출력시키게 되며 그중 IC 전원 전원(+B)도 출력시켜 IC에 공급해 주게 된다.On the other hand, when AC power is supplied from the power supply circuit (5) when powering on, the power supply circuit (not shown) outputs various powers required for the set, and the IC power supply (+ B) is also output and supplied to the IC. do.

그리고 파우어 '온'시 스텐바이 전원(+ST)이 공급되어지면 트랜지스터(Q1)의 베이스에 하이레벨로 공급되어 트랜지스터(Q1)는 '턴오프'되게 되며 또한 IC 전원 전원(+B)은 정상적으로 공급될때 제너다이오드(ZD1)를 '온'시키지 못하고 과전류가 공급될때 제너다이오드(ZD1)를 '온'시키게 된다.When the standby power supply (+ ST) is supplied when the power is turned on, the power supply is supplied to the base of the transistor Q 1 at a high level so that the transistor Q 1 is turned off and the IC power supply (B). Does not 'on' the zener diode (ZD 1 ) when normally supplied, but turns on the zener diode (ZD 1 ) when an overcurrent is supplied.

즉 IC 전용 전원(+B)은 통상 5V를 사용하여 IC가 손상되는 전압인 5.4V이상이 되면 제너다이오드(ZD1)를 '온'시키게 한 것이다.That is, the IC dedicated power supply (+ B) normally uses 5V to turn on the zener diode (ZD 1 ) when the voltage of the IC becomes higher than 5.4V.

따라서 IC 전용 전원(+B)이 5.4V이내로 공급되어지면 제너다이오드(ZD1)가 '오프'되어 트랜지스터(Q3)가 '턴오프'되게 되며 이에 따라 트랜지스터(Q2)도 '턴오프'되어 IC에는 정상적으로 전원(+B)이 공급되게 된다.Therefore, when the IC dedicated power supply (+ B) is supplied within 5.4V, the zener diode ZD 1 is 'off' and the transistor Q 3 is 'turned off'. Accordingly, the transistor Q 2 is also 'turned off'. The power supply (+ B) is normally supplied to the IC.

그러나 IC가 파괴 되어 버리는 5.4V이상으로 전원(+B)이 공급되게 되면 과전류 검출회로(15)의 제너다이오드(ZD1)가 '온'되어 일단 전위를 낮추어 주고 제너다이오드(ZD1)가 '온'되면 트랜지스터(Q3)의 베이스에 하이레벨이 인가되어 트랜지스터(Q3)를 '턴온'되면 트랜지스터(Q3)의 에미터 출력은 저항(R4)(R5)으로 분배된후 콘덴서(C1)에 충전되어짐과 동시에 저항(R3)을 통하여 트랜지스터(Q2)의 베이스에 인가되게 된다.However, when the power supply (+ B) is supplied above 5.4V where the IC is destroyed, the zener diode (ZD 1 ) of the overcurrent detection circuit 15 is' on 'to lower the potential and the zener diode (ZD 1 ) becomes' on 'when are the high level is applied to the base of the transistor (Q 3) transistors (Q 3), the emitter when turned on, transistor (Q 3) output is then distributed to the resistor (R 4) (R 5) condenser It is charged to (C 1 ) and applied to the base of transistor Q 2 through resistor R 3 .

따라서 트랜지스터(Q2)가 '턴온'되어지고 트랜지스터(Q2)가 '턴온'되면 콜렉터측 전위가 낮아져 결국 트랜지스터(Q1)의 베이스전위가 로우레벨이 되어 트랜지스터(Q1)의 베이스전위가 로우레벨이 되어 트랜지스터(Q1)를 '턴온'시키게 되고 트랜지스터(Q1)가 '턴온'되게 되면 콜렉터측 전위는 저항(R2)(R3)으로 분배된후 트랜지스터(Q2)의 베이스에 공급되게 되므로써 트랜지스터(Q1)(Q2)는 자기 바이어스에 의하여 스텐바이 전원(+ST)이 차단될 때까지 '턴온'상태를 유지하게 된다.Therefore, when the transistor (Q 2) is "turned on" is becoming transistor (Q 2) a "turn-on" the collector-side potential becomes lower the base potential of the end transistor (Q 1) is at a low level, the base potential of the transistor (Q 1) Low level turns transistor Q 1 'on' and when transistor Q 1 turns on, the collector side potential is distributed to resistor R 2 (R 3 ) and then the base of transistor Q 2 . By being supplied to the transistor, the transistor Q 1 and Q 2 remain 'turned on' until the standby power supply (+ ST) is cut off by magnetic bias.

그리고 트랜지스터(Q1)(Q2)가 '턴온'된 상태를 유지하게 되면 스탠바이 전원(+ST)이 트랜지스터(Q1)를 통하여 흐를게 되어 전원 투입회로(5)에는 공급되지 못하게 되므로써 트랜지스터(Q4)가 '턴오프'되고 이에 따라 릴레이(RY)의 동작도 중단되므로 AC전원 투입이 차단되어 IC전원 전원(+B)의 공급이 중단되게 된다.When the transistors Q 1 and Q 2 remain in the 'turned on' state, the standby power supply (+ ST) flows through the transistor Q 1 and thus cannot be supplied to the power supply circuit 5. Q 4 ) is 'turned off' and accordingly the operation of the relay (RY) is also interrupted, the AC power supply is cut off, the supply of IC power (+ B) is stopped.

즉 IC 전용전원(+B)이 과전류로 인가되어지면 이를 과전류 검출회로(15)의 제너다이오드(ZD1)로 검출하여 보호회로(10)의 트랜지스터(Q1)(Q2)를 '턴온'시킴으로써 전원 투입회로(5)의 동작을 차단시켜 세트의 구동을 '오프'시킴으로써 과전류로부터 IC의 손상을 방지할 수 있게 된다.That is, when the IC dedicated power supply (+ B) is applied as an overcurrent, it is detected by the zener diode ZD 1 of the overcurrent detection circuit 15 to turn on the transistors Q 1 and Q 2 of the protection circuit 10. In this way, the operation of the power supply circuit 5 is cut off, and the driving of the set is turned off, thereby preventing damage to the IC from overcurrent.

이때 제너다이오드(ZD1)의 제너전압은 과전류 검출 전압으로 잘 설정해 주어야 하고 트랜지스터(Q3)의 에미터 출력과 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 출력으로 트랜지스터(Q2)를 '턴온'시키기 위하여 저항(R2-R5)값을 질 설정해 주어야 한다.At this time, the zener voltage of the zener diode ZD 1 should be set well as the overcurrent detection voltage and the resistor is turned on to turn on the transistor Q 2 by the emitter output of the transistor Q 3 and the collector output of the transistor Q 1 . The quality of (R 2 -R 5 ) should be set.

그리고 다이오드(D1)(D2)는 역전압 방지용이고 다이오드(D3)는 릴레이(RY)보호용이다.The diodes D 1 and D 2 are for preventing reverse voltage and the diodes D 3 are for protection of the relay RY.

이상에서와 같이 본 고안은 IC 전용 전원의 과전류 흐름을 과전류 검출회로에서의 검출하여 보호회로를 동작시킴으로써 전원 투입회로의 동작을 중단시켜 과전류 인가로부터 IC를 보호해 줄 수 있도록 한 것으로 IC에 공급되는 전원을 안정화 시켜주어 세트의 신뢰도를 높일 수 있는 효과가 있는 것이다.As described above, the present invention is designed to stop the operation of the power supply circuit by detecting the overcurrent flow of the IC dedicated power supply in the overcurrent detection circuit and to protect the IC from the overcurrent application. Stabilizing the power supply has the effect of increasing the reliability of the set.

Claims (1)

스텐바이 전원(+ST)의 온/오프 로 트랜지스터(Q4)의 구동을 제어하고 상기 트랜지스터(Q4)의 구동에 의하여 릴레이(RY)를 동작시켜 AC 전원을 투입하는 전원 투입회로(5)가 구성된 전원 회로에 있어서, IC 전용전원(+B)의 과전류 흐름을 검출하는 제너다이오드(ZD1)와, 상기 제너다이오드(ZD1)의 구동에 따라 동작되는 트랜지스터(Q3)와, 상기 트랜지스터(Q3)의 출력을 분배하는 저항(R4)(R5)으로 구성된 과전류 검출회로(10)를 구비하고 상기 저항(R4)(R5)의 분배 전압에 의하여 구동되는 트랜지스터(Q2)와, 상기 트랜지스터(Q2)의 동작으로 구동되고 전원투입회로(5)의 스텐바이 전원(+ST)공급을 차단하는 트랜지스터(Q1)와, 상기 트랜지스터(Q1)의 출력을 분배하여 트랜지스터(Q2)를 구동시키는 저항(R2)(R3)으로 구성된 보호회로(5)를 구비시킨 것을 특징으로 하는 과전류 검출 및 보호회로.A power supply circuit 5 for controlling the driving of the transistor Q 4 by turning on / off the standby power supply + ST and operating the relay RY by driving the transistor Q 4 to supply AC power. In the power supply circuit comprising: a zener diode (ZD 1 ) for detecting an overcurrent flow of an IC dedicated power supply (+ B), a transistor (Q 3 ) operated in accordance with driving of the zener diode (ZD 1 ), and the transistor Transistor Q 2 having an overcurrent detection circuit 10 composed of resistors R 4 and R 5 for distributing the output of Q 3 and driven by the divider voltage of resistors R 4 and R 5 . ) and, with said transistor (Q 2) is driven in the operating power-circuit the standby power of (5) (+ ST) transistor (Q 1) to stop the supply of, and distributing an output of the transistor (Q 1) Patent that was equipped with a transistor (Q 2), a resistance (R 2) (R 3) a protection circuit (5) consisting of driving the Over current detection and protection circuit of.
KR2019900017749U 1990-11-17 1990-11-17 Over current relay KR930001255Y1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019900017749U KR930001255Y1 (en) 1990-11-17 1990-11-17 Over current relay

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019900017749U KR930001255Y1 (en) 1990-11-17 1990-11-17 Over current relay

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920010518U KR920010518U (en) 1992-06-17
KR930001255Y1 true KR930001255Y1 (en) 1993-03-22

Family

ID=19305592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019900017749U KR930001255Y1 (en) 1990-11-17 1990-11-17 Over current relay

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR930001255Y1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100952431B1 (en) * 2008-06-10 2010-04-14 주식회사 네이스코 A circuit to be protected from the over-current which is used in the flasher unit for a vehicle

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010104842A (en) * 2000-05-16 2001-11-28 김형광 Circuit for protecting second grounding in high-volfage device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100952431B1 (en) * 2008-06-10 2010-04-14 주식회사 네이스코 A circuit to be protected from the over-current which is used in the flasher unit for a vehicle

Also Published As

Publication number Publication date
KR920010518U (en) 1992-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6731486B2 (en) Output-powered over-voltage protection circuit
US7430131B2 (en) Start-up circuit for providing a start-up voltage to an application circuit
KR930003176B1 (en) Electronic circuit device
US4609982A (en) Power on-off control circuit
JPH0668709B2 (en) Voltage stabilizer
KR930001255Y1 (en) Over current relay
US7064940B2 (en) Over heat protection circuit for a brushless dc motor
JP2003078361A (en) Power source circuit and semiconductor device
JPH11299223A (en) Switching power unit
KR200176401Y1 (en) Circuit of preventing rush current of capacitor
KR200144600Y1 (en) Gate drive circuit with overcurrent protection
JPH0467724A (en) Power supply interrupter
KR930001681Y1 (en) Tr protective circuit
KR0126851Y1 (en) The power regulator circuits
KR19990017219U (en) Overvoltage Protection Circuit
JPH0863241A (en) Overcurrent protecting circuit of power unit
KR910002046Y1 (en) Over voltage,over current protective circuit
KR910001017Y1 (en) High voltage stabilization circuit
KR910002050Y1 (en) Power circuit
KR860000791Y1 (en) Power circuit
KR950006057Y1 (en) Zener diode protection circuit
KR880002126Y1 (en) Reset circuit of microprocess
KR0129000Y1 (en) Apparatus for supplying secondary power
KR200285758Y1 (en) Apparatus for protection of SMPS
KR20020079092A (en) Contactless switch is utilized backward voltage cutoff diode

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19970829

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee