KR0129000Y1 - Apparatus for supplying secondary power - Google Patents

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KR0129000Y1 KR2019950012325U KR19950012325U KR0129000Y1 KR 0129000 Y1 KR0129000 Y1 KR 0129000Y1 KR 2019950012325 U KR2019950012325 U KR 2019950012325U KR 19950012325 U KR19950012325 U KR 19950012325U KR 0129000 Y1 KR0129000 Y1 KR 0129000Y1
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Abstract

본 고안은 개선된 이차 전원 공급 장치에 관한 것으로서, 이를 위하여, 스위칭용 제1트랜지스터(Q1)로 구성되며, 전원 구동 제어 신호(POWER ON/OFF)에 따라 구동하여 제1구동 전원(EVER 6V)을 전달하는 스위칭부(10)와; 상기 스위칭부(10)로부터 전달되는 제1구동 전원(EVER 6V)에 따라 구동하는 스위칭용 제2트랜지스터(Q2)와, 상기 제2트랜지스터(Q2)의 구동시 제2구동 전원(EVER 12V)을 소정 전압으로 분압하여 출력하는 제1,2전압 분배용 저항(R2,R3)과, 상기 제1,2저항(R2,R3)에 의하여 분압된 전압에 따라 구동하여 제1부하에 제1이차 전원(ON/OFF 12V)을 공급하는 제3트랜지스터(Q3)를 구비하는 제1전원 공급부(20)와; 상기 제3트랜지스터(Q3)의 구동에 따라 구동하는 제4트랜지스터(Q4) 및 상기 제4트랜지스터(Q4)의 출력 전압을 충방전하는 캐패시터(C1)를 포함하여 상기 제1구동 전원(EVER 6V)을 제2부하에 제2이차 전원(ON/OFF 5V)으로 공급하는 제2전원 공급부(30)와; 상기 제1트랜지스터(Q1) 및 상기 제4트랜지스터(Q4) 사이에 연결되며 상기 제2트랜지스터(Q2)로 공급되는 제1구동 전원(EVER 6V)을 상기 제4트랜지스터(Q4)와 상기 캐패시터(C1) 사이에 공급하여 상기 캐패시터(C1) 및 제2부하 쇼트시 상기 제4트랜지스터(Q4)의 구동을 선택적으로 제어하기 위한 보호부(40)를 포함하는 개선된 이차 전원 공급 장치를 제공함으로써, 이차 전원(ON/OFF 5V) 라인의 쇼트시 트랜지스터(Q4)를 보호할 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to an improved secondary power supply, and for this purpose, it is composed of a switching first transistor (Q1), driving according to the power drive control signal (POWER ON / OFF) to drive the first drive power (EVER 6V) Switching unit 10 for transmitting the; The switching second transistor Q2 driving in accordance with the first driving power source EVER 6V transmitted from the switching unit 10 and the second driving power source EVER 12V when the second transistor Q2 is driven. The first secondary power supply is driven according to the voltage divided by the first and second voltage distribution resistors R2 and R3 and the voltage divided by the first and second resistors R2 and R3. A first power supply 20 having a third transistor Q3 for supplying (ON / OFF 12V); The first driving power source EVER 6V includes a fourth transistor Q4 driven according to the driving of the third transistor Q3 and a capacitor C1 charging and discharging the output voltage of the fourth transistor Q4. A second power supply unit 30 supplying the second load to the second secondary power source (ON / OFF 5V); The first driving power EVER 6V connected between the first transistor Q1 and the fourth transistor Q4 and supplied to the second transistor Q2 receives the fourth transistor Q4 and the capacitor C1. By providing a secondary secondary power supply comprising a protection unit 40 for selectively controlling the driving of the fourth transistor (Q4) when the capacitor (C1) and the second load short-circuit by supplying between), The transistor Q4 can be protected when the power supply (ON / OFF 5V) line is shorted.

Description

이차 전원 공급 장치Secondary power supply

본 고안은 이차 전원 공급 장치에 관한 것으로서, 특히 이차 전원 라인이 쇼트되었을 경우에 이차 전원 공급 장치의 부품을 보호할 수 있도록 한 이차 전원 공급 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a secondary power supply, and more particularly to a secondary power supply that can protect the components of the secondary power supply when the secondary power line is shorted.

일반적으로, 이차 전원은 주전원 공급 장치로부터의 소정의 상시 전원을 이용하여 마이컴의 제어를 받아 선택적으로 전자기기의 각 구성부로 인가되는 소정전원이다.In general, the secondary power source is a predetermined power source which is selectively controlled by the microcomputer using a predetermined constant power source from the main power supply device and selectively applied to each component of the electronic device.

제1도는 종래의 전형적인 이차 전원 공급 장치에 대한 회로도로서, 스위칭부(10), 제1전원 공급부(20), 제2전원 공급부(30)를 포함한다.FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional typical secondary power supply, and includes a switching unit 10, a first power supply 20, and a second power supply 30.

동 도면에 있어서, 스위칭부(10)는 주전원 공급부로부터의 상시 전원(EVER 6V)이 저항(R1)을 통하여 NPN형 트랜지스터(Q1)의 컬렉터에 연결되고 마이컴으로부터의 소정의 전원 온/오프 신호(POWER ON/OFF)가 베이스에 연결되며, 이미터는 그라운드에 접지되어 구성된다.In the figure, the switching unit 10 has a constant power supply (EVER 6V) from the main power supply unit connected to the collector of the NPN transistor Q1 through a resistor R1, and a predetermined power on / off signal from the microcomputer ( POWER ON / OFF) is connected to the base and the emitter is grounded.

그리고, 제1전원 공급부(20)는 주전원 공급부로부터의 상시 전원(EVER 12V)이 저항(R2,R3)을 거쳐 NPN형 트랜지스터(Q2)의 컬렉터에, 베이스는 스위칭부(10)의 저항(R1)과 트랜지스터(Q1) 사이에, 이미터는 그라운드에 접지되어 구성된다.The first power supply unit 20 has a constant power supply EVER 12V from the main power supply unit through the resistors R2 and R3 to the collector of the NPN type transistor Q2, and the base has a resistance R1 of the switching unit 10. ) And transistor Q1, the emitter is configured to ground to ground.

또한, 주전원 공급부로부터의 상시 전원(EVER 12V)가 PNP형 트랜지스터(Q3)의 이미터에, 베이스는 저항(R2)과 저항(R3) 사이에 연결되어 구성되며, 트랜지스터(Q3)의 컬렉터로 선택적으로 이차 전원(ON/OFF 12V)이 출력된다.In addition, the constant power (EVER 12V) from the main power supply is connected to the emitter of the PNP type transistor Q3, and the base is configured between the resistor R2 and the resistor R3, and is selected as a collector of the transistor Q3. Secondary power supply (ON / OFF 12V) is output.

한편, 제2전원 공급부(30)는 주전원 공급부로부터의 상시 전원(EVER 6V)이 NPN형 트랜지스터(Q4)의 컬렉터에, 제1전원 공급부(20)의 트랜지스터(Q3) 컬렉터가 저항(R4)를 거치고 그라운드에 역방향으로 접지된 제너 다이오드(ZD1)를 거쳐서 트랜지스터(Q4)의 베이스에 연결되며, 트랜지스터(Q4)의 이미터로 선택적으로 이차 전원(ON/OFF 5V)를 출력한다.On the other hand, in the second power supply unit 30, the constant power source EVER 6V from the main power supply unit is connected to the collector of the NPN transistor Q4, and the transistor Q3 collector of the first power supply unit 20 supplies the resistor R4. It is connected to the base of the transistor Q4 via the zener diode ZD1 grounded in the reverse direction to the ground, and selectively outputs the secondary power (ON / OFF 5V) to the emitter of the transistor Q4.

또한 트랜지스터(Q4)의 이미터는 그라운드에 접지된 커패시터(C1)이 연결되어 구성된다.In addition, the emitter of the transistor Q4 is configured by connecting a capacitor C1 grounded to ground.

이하 상술한 구성부를 포함하는 종래의 이차 전원 공급 장치의 동작 과정을 상세히 설명한다.Hereinafter, an operation process of the conventional secondary power supply apparatus including the above-described component will be described in detail.

먼저, 도시 생략된 주전원 공급부로부터 상시 전원(EVER 6V,12V)이 공급되고 도시생략된 마이컴으로부터 전원 온을 위한 소정의 로우 레벨 신호가 스위칭부(10)의 트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가된다.First, the constant power (EVER 6V, 12V) is supplied from the main power supply (not shown), and a predetermined low level signal for power-on from the micom (not shown) is applied to the base of the transistor Q1 of the switching unit 10.

따라서, 트랜지스터(Q1)가 턴오프되고, 트랜지스터(Q2)는 턴온되며, 트랜지스터(Q3)도 턴온되어 이차 전원(ON/OFF 12V)이 출력된다.Accordingly, the transistor Q1 is turned off, the transistor Q2 is turned on, the transistor Q3 is also turned on, and the secondary power source (ON / OFF 12V) is output.

또한, 트랜지스터(Q4) 역시 턴온되어 이차 전원(ON/OFF 5V)이 출력된다.In addition, the transistor Q4 is also turned on to output the secondary power source (ON / OFF 5V).

반대로, 마이컴으로부터 전원 오프를 위한 소정의 하이 레벨 신호가 트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가되면, 트랜지스터(Q1)은 턴온, 트랜지스터(Q2)는 턴오프, 트랜지스터(Q3)는 턴오프, 트랜지스터(Q4)는 턴오프되어 이차 전원(ON/OFF 5V,12V)의 공급이 차단된다.Conversely, if a predetermined high level signal for powering off from the microcomputer is applied to the base of transistor Q1, transistor Q1 is turned on, transistor Q2 is turned off, transistor Q3 is turned off, and transistor Q4. ) Is turned off to cut off the supply of secondary power (ON / OFF 5V, 12V).

그러나, 상술한 바와 같이 마이컴으로부터 전원 온을 위한 소정의 로우 레벨 신호가 스위칭부(10)의 트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가되어 제1전원 공급부(20)에서 제1이차 전원(ON/OFF 12V)이 출력되고, 제2전원 공급부(30)에서 제2이차 전원(ON/OFF 5V)이 출력될 경우에 제2이차 전원(ON/OFF 5V) 라인이 쇼트(Short)되거나 커패시터(C1)이 쇼트될 경우에 제2전원 공급부(30)의 트랜지스터(Q4)가 과열로 파괴되는 문제점이 있었다.However, as described above, a predetermined low level signal for powering on from the microcomputer is applied to the base of the transistor Q1 of the switching unit 10 so that the first secondary power supply (ON / OFF 12V) is applied to the first power supply unit 20. ) Is output, and when the second secondary power supply (ON / OFF 5V) is output from the second power supply unit 30, the second secondary power supply (ON / OFF 5V) line is shorted or the capacitor C1 is shorted. When shorted, there is a problem that the transistor Q4 of the second power supply 30 is destroyed by overheating.

따라서, 본 고안은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 고안의 목적은, 이차 전원 라인이 쇼트될 경우에 이차 전원 공급부의 부품 파괴를 방지할 수 있도록 한 이차 전원 공급 장치를 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above-described problems of the prior art, an object of the present invention is to provide a secondary power supply that can prevent the destruction of the components of the secondary power supply when the secondary power line is shorted. have.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 고안의 특징은, 스위칭용 제1트랜지스터(Q1)로 구성되며, 전원 구동 제어 신호(POWER ON/OFF)에 따라 구동하여 제1구동 전원(EVER 6V)을 전달하는 스위칭부(10)와; 상기 스위칭(10)로부터 전달되는 제1구동 전원(EVER 6V)에 따라 구동하는 스위칭용 제2트랜지스터(Q2)와, 상기 제2트랜지스터(Q2)의 구동시 제2구동 전원(EVER 12V)을 소정 전압으로 분압하여 출력하는 제1,2전압 분배용 저항(R2,R3)과, 상기 제1,2저항(R2,R3)에 의하여 분압된 전압에 따라 구동하여 제1부하에 제1이차 전원(ON/OFF 12V)을 공급하는 제3트랜지스터(Q3)를 구비하는 제1전원 공급부(20)와; 상기 제3트랜지스터(Q3)의 구동에 따라 구동하는 제4트랜지스터(Q4) 및 상기 제4트랜지스터(Q4)의 출력 전압을 충방전하는 캐패시터(C1)를 포함하여 상기 제1구동 전원(EVER 6V)을 제2부하에 제2이차 전원(ON/OFF 5V)으로 공급하는 제2전원 공급부(30)와; 애노드가 제1트랜지스터(Q1)의 컬렉터에, 캐소드가 제4트랜지스터(Q4)의 이미터의 커패시터(C1) 사이에 연결된 다이오드(D1)로 구성되며, 상기 트랜지스터(Q1) 및 상기 제4트랜지스터(Q4) 사이에 연결되고, 상기 제2트랜지스터(Q2)로 공급되는 제1구동 전원(EVER 6V)을 상기 제4트랜지스터(Q4)와 상기 캐패시터(C1) 사이에 공급하여 상기 캐패시터(C1) 및 제2부하 쇼트시 상기 제4트랜지스터(Q4)의 구동을 선택적으로 제어하기 위한 보호부(40)를 포함하는 개선된 이차 전원 공급 장치를 제공한다. 또한, 보호부는 애노드가 제1트랜지스터의 컬렉터에, 캐소드가 제4트랜지스터의 이미터와 커패시터 사이에 연결된 다이오드로 구성된 것을 특징으로 한다.A feature of the present invention for achieving this purpose is composed of a switching first transistor (Q1), switching according to the power drive control signal (POWER ON / OFF) to transfer the first drive power (EVER 6V) Section 10; The switching second transistor Q2 driving in accordance with the first driving power source EVER 6V transmitted from the switching 10 and the second driving power source EVER 12V when the second transistor Q2 is driven are predetermined. The first and second voltage distribution resistors R2 and R3 are divided by the voltage and outputted according to the voltage divided by the first and second resistors R2 and R3, and the first secondary power source is applied to the first load. A first power supply 20 having a third transistor Q3 for supplying ON / OFF 12V; The first driving power source EVER 6V includes a fourth transistor Q4 driven according to the driving of the third transistor Q3 and a capacitor C1 charging and discharging the output voltage of the fourth transistor Q4. A second power supply unit 30 supplying the second load to the second secondary power source (ON / OFF 5V); The anode consists of a diode D1 connected between the collector of the first transistor Q1 and the cathode between the capacitor C1 of the emitter of the fourth transistor Q4. The transistor Q1 and the fourth transistor ( Q4) is connected between the fourth transistor Q4 and the capacitor C1 to supply the first driving power EVER 6V supplied to the second transistor Q2 to the capacitor C1 and the first transistor. Provided is an improved secondary power supply including a protection unit 40 for selectively controlling the driving of the fourth transistor Q4 when two loads are shorted. In addition, the protection unit is characterized in that the anode is composed of a diode connected to the collector of the first transistor, the cathode between the emitter and the capacitor of the fourth transistor.

제1도는 종래의 이차 전원 공급 장치에 대한 회로도.1 is a circuit diagram of a conventional secondary power supply.

제2도는 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 이차측 전원 라인 쇼트시 부품보호 장치가 부가된 이차 전원 공급 장치에 대한 회로도.2 is a circuit diagram of a secondary power supply to which the component protection device is added when the secondary power line is shorted according to a preferred embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : 스위칭부 20 : 제1전원 공급부10: switching unit 20: first power supply unit

30 : 제2전원 공급부 40 : 보호부30: second power supply unit 40: protection unit

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제2도는 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 이차 전원 공급 장치에 대한 회로도로서 종래의 이차 전원 공급 장치에 스위칭부(10)의 트랜지스터(Q1)의 컬렉터에 애노드(Anode)를 연결하고 캐소드(Cathode)를 제2전원 공급부(30) 트랜지스터(Q4)의 이미터에 연결한 다이오드(D1)로 구성한 보호부(40)를 더 부가하여 구성한 것을 특징으로 하며, 하기에서는 보호부(40)의 동작 과정을 중심으로 설명한다.2 is a circuit diagram of a secondary power supply according to a preferred embodiment of the present invention, and connects an anode to a collector of the transistor Q1 of the switching unit 10 in a conventional secondary power supply and a cathode. Is further configured to further include a protection unit 40 composed of a diode D1 connected to the emitter of the second power supply unit 30 transistor Q4. Hereinafter, an operation process of the protection unit 40 will be described. The explanation is centered.

먼저, 도시 생략된 마이컴으로부터 전원 온(POWER ON)을 위한 로우 레벨의 전원 구동 제어 신호가 스위칭부(10)의 트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가되면 트랜지스터(Q1)이 턴오프되고, 트랜지스터(Q2,Q3,Q4)가 연동하여 턴온되어 이차 전원(ON/OFF 5V,12V)이 부하로 출력된다.First, when a low-level power supply driving control signal for power-on from a microcomputer (not shown) is applied to the base of the transistor Q1 of the switching unit 10, the transistor Q1 is turned off, and the transistor Q2. , Q3, Q4 are turned on in conjunction with the secondary power (ON / OFF 5V, 12V) is output to the load.

이때, 보호부(40)의 다이오드(D1)은 동 도면에 도시된 바와 같이 애노드측 전위가 캐소드측 전위보다 낮기 때문에 구동되지 않음을 알 수 있다.At this time, it can be seen that the diode D1 of the protection part 40 is not driven because the anode side potential is lower than the cathode side potential as shown in the figure.

또한, 마이컴으로부터 전원 오프(POWER OFF)를 위한 하이 레벨의 전원 구동 제어 신호가 스위칭부(10)의 트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가되면, 종래와 동일하게 트랜지스터(Q1)은 턴온되고, 연동하여 트랜지스터(Q2,Q3,Q4)가 턴오프되어 이차 전원(ON/OFF 5V,12V)이 출력되지 않는다.In addition, when a high-level power supply driving control signal for powering off from the microcomputer is applied to the base of the transistor Q1 of the switching unit 10, the transistor Q1 is turned on as in the prior art and is interlocked. The transistors Q2, Q3, and Q4 are turned off so that the secondary power sources ON / OFF 5V and 12V are not output.

한편, 마이컴으로부터 전원 온을 위한 로우 레벨의 전원 구동 제어 신호가 트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가되어 트랜지스터(Q1)가 턴오프되고, 연동하여 트랜지스터(Q2Q3,Q4)가 턴온되어 이차 전원(ON/OFF 5V,12V)이 출력할 경우에, 만약 제2이차 전원(ON/OFF 5V) 라인의 부하가 쇼트된다면 트랜지스터(Q4)에 과전류가 흐르게 되어 트랜지스터(Q4)가 발열되어 파괴된다.On the other hand, a low-level power supply driving control signal for turning on the power supply from the microcomputer is applied to the base of the transistor Q1 so that the transistor Q1 is turned off, and the transistors Q2Q3 and Q4 are turned on in conjunction with the secondary power source (ON / When the outputs of the OFF 5V and 12V are output, if the load of the second secondary power supply (ON / OFF 5V) line is shorted, an overcurrent flows in the transistor Q4 and the transistor Q4 generates heat and is destroyed.

그러나, 보호부(40)의 다이오드(D)가 추가됨으로써, 제2이차 전원(ON/OFF 5V) 라인의 부하가 쇼트될 경우에 다이오드(D1)의 캐소드 전위가 애노드 전위보다 상대적으로 낮아지므로 다이오드(D1)가 도통된다.However, when the diode D of the protection unit 40 is added, the cathode potential of the diode D1 becomes relatively lower than the anode potential when the load of the second secondary power supply (ON / OFF 5V) line is shorted. (D1) becomes conductive.

따라서, 트랜지스터(Q2)의 베이스에 인가되는 전류가 다이오드(D1)을 통해 바이패스되며, 턴온 상태이던 트랜지스터(Q2)가 턴오프되고, 연동하여 트랜지스터(Q3,Q4)도 턴오프되어 동작하지 않으므로 트랜지스터(Q4)를 보호할 수 있게 된다.Accordingly, since the current applied to the base of the transistor Q2 is bypassed through the diode D1, the transistor Q2 which is turned on is turned off, and the transistors Q3 and Q4 are also turned off and do not operate. The transistor Q4 can be protected.

이상 설명한 바와 같이 본 고안에 따르면, 이차 전원 라인의 쇼트시 이차 전원 공급부의 부품 파괴를 방지할 수 있는 효과가 있는 것이다.As described above, according to the present invention, when the secondary power line is shorted, there is an effect capable of preventing component destruction of the secondary power supply unit.

Claims (1)

스위칭용 제1트랜지스터(Q1)로 구성되며, 전원 구동 제어 신호(POWER ON/OFF)에 따라 구동하여 제1구동 전원(EVER 6V)을 전달하는 스위칭부(10)와; 상기 스위칭(10)로부터 전달되는 제1구동 전원(EVER 6V)에 따라 구동하는 스위칭용 제2트랜지스터(Q2)와, 상기 제2트랜지스터(Q2)의 구동시 제2구동 전원(EVER 12V)을 소정 전압으로 분압하여 출력하는 제1,2전압 분배용 저항(R2,R3)과, 상기 제1,2저항(R2,R3)에 의하여 분압된 전압에 따라 구동하여 제1부하에 제1이차 전원(ON/OFF 12V)을 공급하는 제3트랜지스터(Q3)를 구비하는 제1전원 공급부(20)와; 상기 제3트랜지스터(Q3)의 구동에 따라 구동하는 제4트랜지스터(Q4) 및 상기 제4트랜지스터(Q4)의 출력 전압을 충방전하는 캐패시터(C1)를 포함하여 상기 제1구동 전원(EVER 6V)을 제2부하에 제2이차 전원(ON/OFF 5V)으로 공급하는 제2전원 공급부(30)와; 애노드가 제1트랜지스터(Q1)의 컬렉터에, 캐소드가 제4트랜지스터(Q4)의 이미터의 커패시터(C1) 사이에 연결된 다이오드(D1)로 구성되며, 상기 트랜지스터(Q1) 및 상기 제4트랜지스터(Q4) 사이에 연결되고, 상기 제2트랜지스터(Q2)로 공급되는 제1구동 전원(EVER 6V)을 상기 제4트랜지스터(Q4)와 상기 캐패시터(C1) 사이에 공급하여 상기 캐패시터(C1) 및 제2부하 쇼트시 상기 제4트랜지스터(Q4)의 구동을 선택적으로 제어하기 위한 보호부(40)를 포함하는 개선된 이차 전원 공급 장치.A switching unit 10 including a first transistor Q1 for switching and transmitting the first driving power EVER 6V by driving according to a power driving control signal (POWER ON / OFF); The switching second transistor Q2 driving in accordance with the first driving power source EVER 6V transmitted from the switching 10 and the second driving power source EVER 12V when the second transistor Q2 is driven are predetermined. The first and second voltage distribution resistors R2 and R3 are divided by the voltage and outputted according to the voltage divided by the first and second resistors R2 and R3, and the first secondary power source is applied to the first load. A first power supply 20 having a third transistor Q3 for supplying ON / OFF 12V; The first driving power source EVER 6V includes a fourth transistor Q4 driven according to the driving of the third transistor Q3 and a capacitor C1 charging and discharging the output voltage of the fourth transistor Q4. A second power supply unit 30 supplying the second load to the second secondary power source (ON / OFF 5V); The anode consists of a diode D1 connected between the collector of the first transistor Q1 and the cathode between the capacitor C1 of the emitter of the fourth transistor Q4. The transistor Q1 and the fourth transistor ( Q4) is connected between the fourth transistor Q4 and the capacitor C1 to supply the first driving power EVER 6V supplied to the second transistor Q2 to the capacitor C1 and the first transistor. An improved secondary power supply comprising a protection part (40) for selectively controlling the driving of the fourth transistor (Q4) at two load shorts.
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