KR920701859A - 파브리 페로 모듈레이터 - Google Patents
파브리 페로 모듈레이터Info
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 모델 파브리 페로의 개략도, 제2도는 제1도의 실시예의 계산된 바이어스 및 역바이어스 반사율의 그래프, 제3도는 제1도의 실시예의 입력파장에 따라 계산된 콘트라스트의 변동의 그래프.
Claims (12)
- 다른 반사율의 앞 뒤 반사면으로 규정된 공진 캐비티 및 전자 흡수 수단을 포함하며, 상기 흡수는 캐비티의 반사율이 캐비티의 공진 주파수에서 영으로 강하하는 값에 바이어스 신호의 인가에 의해 감소될수 있는 것을 특징으로 하는 파브리 페로 모듈레이터.
- 제1항에 있어서, 다중 양자 웰 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 파브리 페로 모듈레이터.
- 제2항에 있어서, GaAs-AlGaAs다중 웰 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 파브리 페로 모듈레이터.
- 제3항에 있어서, 다수의 100Å GaAs 웰 및 100Å Al0.3Ga0.7As 장벽 진성 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 파브리 페로 모듈레이터.
- 제3항에 있어서, 다수의 90 GaAs 웰 및 60Å Al0.3Ga0.7As 장벽 진성 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 파브리 페로 모듈레이터.
- 제2항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 상기 다중 양자 웰 구조는 두꺼운 장벽 진성 영역 60Å을 갖는 것을 특징으로 하는 파브리 페로 모듈레이터.
- 제2항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 상기 다중 양자 웰 구조는 두꺼운 장벽 진성 영역 40Å을 갖는 것을 특징으로 하는 파브리 페로 모듈레이터.
- 제2항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 상기 다중 양자 웰 구조는 두꺼운 0.5㎛인 것을 특징으로 하는 파브리 페로 모듈레이터.
- 상기 크레임중 어느 한 항에 있어서, GaAs n+기판상에 에피택셜형으로 성장된 다층 뒤 반사기 스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 파브리 페로 모듈레이터.
- 제2항 내지 제9항중 어느 한 항에 있어서, 상기 앞반사면은 다중양자 웰 구조의 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 파브리 페로 모듈레이터.
- 제2항 내지 제10항중 어느 한 항에 있어서, 상기 다중양자 웰 구조는 핀 다이오드의 부품인 것을 특징으로 하는 파브리 페로 모듈레이터.
- 상기 크레임중 어느 한 항에 있어서, 상기 앞 반사면의 반사율은 45%이하인 것을 특징으로 하는 파브리 페로 모듈레이터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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