KR920021749A - Ga-이트륨 아이언가네트(YIGaG) 단결정 제조법 - Google Patents
Ga-이트륨 아이언가네트(YIGaG) 단결정 제조법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제조 공정도.
Claims (1)
- Y2O3, F2O3Ga2O3의 3N고순도 시약을 3 : 4 : 1의 소재봉 조성과 2.5 : 4.5 : 1 용융대 조성을 각각 평량하고 습식혼합하여 고무튜브에 다져넣고 정수압 1000㎏/㎠의 압력으로 성형하며 그 상단 또는 하단에 1-2㎜의 구멍을 뚫은 시료를 1400-1600℃의 로에서 2시간가량 1.2㎝/min의 속도로 이동시키면서 소성시켜 육성에 필요한 YIGaG 다결정체 및 용융대 조성의 다결정체를 얻은후 용매이동 부유대역 용융장치(TSFZ)를 이용하여 산소분위기에서 육성시키고 1시간가량 1700℃의 적외선으로 가열하여 다결정체 및 소재봉의 끝이 용융되면 종결정과 연결시키고 육성을 시작, 용융재를 하강시켜 재결정시킴을 특징으로 하는 Ga-이트륨 아이언가네트(YIGaG) 단결정 제조법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910008069A KR920021749A (ko) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Ga-이트륨 아이언가네트(YIGaG) 단결정 제조법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910008069A KR920021749A (ko) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Ga-이트륨 아이언가네트(YIGaG) 단결정 제조법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920021749A true KR920021749A (ko) | 1992-12-18 |
Family
ID=67433159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910008069A KR920021749A (ko) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Ga-이트륨 아이언가네트(YIGaG) 단결정 제조법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920021749A (ko) |
-
1991
- 1991-05-17 KR KR1019910008069A patent/KR920021749A/ko not_active Application Discontinuation
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