KR920012178A - 실리콘 변성 폴리이미드 수지의 제조방법 및 이를 함유한 수지 조성물 - Google Patents

실리콘 변성 폴리이미드 수지의 제조방법 및 이를 함유한 수지 조성물 Download PDF

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KR920012178A
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김충세
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors

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Abstract

내용 없음

Description

실리콘 변성 폴리이미드 수지의 제조방법 및 이를 함유한 수지 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (6)

  1. 하기 일반식(I)로 표시되는 비스말레이드 및 하기 일반식(II)로 표시되는 소수성 알킬기를 도입한 변성비스말레이미드의 혼합물에 각기 일반식(III), (IV) 및 (V)로 표시되는 방향족 1급 디아민, 방향족 2급 디아민 및 소수성 알킬기를 도입한 방향족 1급 디아민으로 구성된 방향족 디아민의 혼합물을 1차 마이클 부가반응시켜 폴리이미드를 제조한 다음, 상기 폴리이미드에 하기 일반식(VI)로 표시되는 메르캅토 또는 아민 변성 폴리실록산을 2차 마이클 부가 반응시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 변성 폴리이미드 수지의 제조방법.
    상기 일반식(I), (II)에서 Ar1, Ar2은 방향족 2가 라디칼로서, Ar1은
    이며, Ar1′은
    여기에서 A1, A2는 각기 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나 할로겐 원소이며, b1, b3는 각기 수소, 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬이거나 할로겐 원소이며 X는 -CH2-, -O-, SO2- 또는 -C(CH3)2-이다.
    상기 일반식(I), (II)에서 Ar1, Ar2은 방향족 2가 라디칼로서, Ar1은
    이며, Ar1′은
    여기에서 A1, A2는 각기 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나 할로겐 원소이며, b1, b3는 각기 수소, 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬이거나 할로겐 원소이며 X는 -CH2-, -O-, SO2- 또는 -C(CH3)2-이다.
    상기 일반식(I), (II)에서 Ar1, Ar2은 방향족 2가 라디칼로서, Ar1은
    이며, Ar1′은
    여기에서 A1, A2는 각기 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나 할로겐 원소이며, b1, b3는 각기 수소, 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬이거나 할로겐 원소이며 X는 -CH2-, -O-, SO2- 또는 -C(CH3)2-이다.
    이며, Ar1′은
    여기에서 A1, A2는 각기 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나 할로겐 원소이며, b1, b3는 각기 수소, 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬이거나 할로겐 원소이며 X는 -CH2-, -O-, SO2- 또는 -C(CH3)2-이다.
    이며, Ar1′은
    여기에서 A1, A2는 각기 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나 할로겐 원소이며, b1, b3는 각기 수소, 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬이거나 할로겐 원소이며 X는 -CH2-, -O-, SO2- 또는 -C(CH3)2-이다.
    이며, Ar1′은
    여기에서 A1, A2는 각기 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나 할로겐 원소이며, b1, b3는 각기 수소, 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬이거나 할로겐 원소이며 X는 -CH2-, -O-, SO2- 또는 -C(CH3)2-이다.
    여기에서 A1, A2는 각기 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나 할로겐 원소이며, b1, b3는 각기 수소, 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬이거나 할로겐 원소이며 X는 -CH2-, -O-, SO2- 또는 -C(CH3)2-이다.
    여기에서 A1, A2는 각기 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나 할로겐 원소이며, b1, b3는 각기 수소, 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬이거나 할로겐 원소이며 X는 -CH2-, -O-, SO2- 또는 -C(CH3)2-이다.
    H2N-Ar2-NH2·······(III)
    ·······(IV)
    H2N-Ar2′-NH2······(V)
    상기 일반식 (III), (IV), (V)에서 Ar2, Ar3, Ar2′은 방향족 2가 라디칼로서, Ar2, Ar3는 상기 일반식(I)의 Ar1과 동일한 기를 의미하며, Ar2′는 상기 일반식(II)의 Ar1′과 동일한 기를 의미한다. 또 R은 탄소수 1∼6개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나 탄소수 5∼6개의 지환족링이거나 방향족기이다.
    ·······(IV)
    H2N-Ar2′-NH2······(V)
    상기 일반식 (III), (IV), (V)에서 Ar2, Ar3, Ar2′은 방향족 2가 라디칼로서, Ar2, Ar3는 상기 일반식(I)의 Ar1과 동일한 기를 의미하며, Ar2′는 상기 일반식(II)의 Ar1′과 동일한 기를 의미한다. 또 R은 탄소수 1∼6개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나 탄소수 5∼6개의 지환족링이거나 방향족기이다.
    H2N-Ar2′-NH2······(V)
    상기 일반식 (III), (IV), (V)에서 Ar2, Ar3, Ar2′은 방향족 2가 라디칼로서, Ar2, Ar3는 상기 일반식(I)의 Ar1과 동일한 기를 의미하며, Ar2′는 상기 일반식(II)의 Ar1′과 동일한 기를 의미한다. 또 R은 탄소수 1∼6개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나 탄소수 5∼6개의 지환족링이거나 방향족기이다.
    상기 일반식 (III), (IV), (V)에서 Ar2, Ar3, Ar2′은 방향족 2가 라디칼로서, Ar2, Ar3는 상기 일반식(I)의 Ar1과 동일한 기를 의미하며, Ar2′는 상기 일반식(II)의 Ar1′과 동일한 기를 의미한다. 또 R은 탄소수 1∼6개의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나 탄소수 5∼6개의 지환족링이거나 방향족기이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 일반식(I) 및 일반식(II)의 이미드 혼합물과 상기 일반식(III), (IV) 및 (V)의 방향족 디아민의 혼합물을 반응시켜 상기 폴리이미드를 제조할 때 이미드 디아민의 반응몰비 {(I+II)/(III+IV+V)}가 1.2∼20인 것을 특징으로 하는 실리콘 변성 폴리이미드 수지의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 폴리이미드와 상기 일반식(IV)의 변성 폴리실록산이 반응시 상기 폴리이미드 100중량부에 대해 상기 일반식(IV)의 변성 폴리실록산이 1∼30중량부가 부가되는 것을 특징으로 하는 실리콘 변성 폴리이미드 수지의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 일반식(IV)의 비스말레이미드 대 상기 일반식(II)의 변성 비스말레이미드의 혼합물을 비{(III+V)/(IV)}가 10∼0.1인 것을 특징으로 하는 실리콘 변성 폴리이미드 수지의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 일반식(III)의 방향족 1급 디아민 및 상기 일반식(V)의 변성 방향족 1급 디아민 대상기 일반식(IV)의 방향족 2급 디아민의 혼합물몰비{(III+V)/(IV)}가 10∼0.1인 것을 특징으로 하는 실리콘 변성 폴리이미드 수지의 제조방법.
  6. 제1항 내지 제5항중 어느 한항의 방법으로 제조된 실리콘 변성 폴리이미드 수지 10∼40중량부, 부기충진제 50∼85중량부, 경화촉진제 0.1∼5중량부, 아미실란 커플링제 및 왁스가 각각 0.5∼4중량부로 구성됨을 특징으로 하는 반도체소자 봉지용 실리콘 변성 폴리이미드 수지 조성물.
    ※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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