KR920007416B1 - 디스펜서 음극 구조체의 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

디스펜서 음극 구조체의 제조방법

제1도는 일반적인 디스펜서 음극구조체의 입단면도.

제2도는 종래 전자방사물질이 함침된 음극기체가 저장조에 장착된 상태를 보인 단면도.

제3도는 본 발명에 따른 디스펜서 음극구조체의 음극기체에 내열성금속이 피복된 상태를 보인 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

2 : 음극기체 3, 10 : 저장조

4 : 슬리이브 4a : 히이터

본 발명은 디스펜서 음극구조체의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 히이터의 열효율이 향상되어 빔전류가 고밀도화되고 그 수명이 연장된 함침형 디스펜서 음극 구조체의 제조방법에 관한 것이다.

통상적으로 디스펜서 음극은 그 구조에 따라 저장형(Cavity reservoir type), 함침형(impregnated type), 소결형(Sintered type)등으로 대별되는데, 이들의 공통적인 특징은 빔전류의 고밀도화가 가능하여 대형 브라운관이나 투사관등에 적합한 것이며 특히, 수명이 매우 길다는 것이다.

제1도에는 이러한 디스펜서 음극의 하나인 함침형 디스펜서 음극구조체의 일예를 나타내 보였다.

이것은 텅스텐, 몰리브덴과 같은 고융점 다공질의 금속기체에 바륨등을 주체로한 전자방출물질을 함침하여 제작한 음극기체(2)와, 상기 음극기체(2)를 감싸지지하는 저장조(3)와, 상기 저장조(3)를 하방에서 지지하며 히이터(4a)가 내장된 슬리이브(4)를 구비하여 된 구성이다.

이러한 함침형 음극구조체(1)는 그 음극특성은 매우 우수하나 동작온도가 매우 높고 제조방법이 매우 까다로운 문제점이 있었다. 즉, 함침형 디스펜서 음극구조체(1)를 제조하기 위해서는 먼저 전자방사물질이 함침된 음극기체를 몰리브덴 또는 텅스텐등의 재료로된 대략 컵형의 저장조(3)에 삽입하고 음극기체(2)와 저장조(3)를 용접한후, 상기 저장조(2)와 슬리이브(4)를 용접하게 되는데, 상기 음극기체(2)와 저장조(3)를 상호 결합할 수 있도록 제조하는 과정에서 상기 저장조(3)의 재질인 몰리브덴, 또는 텅스텐등의 가공성이 용이하지 못하므로 음극기체(2)와 저장조(3)의 용접시 저장조(3) 바닥면의 모서리부와 음극기체의 모서리부가 밀착되지 않을 뿐만 아니라 음극 기체(2)의 직경과 저장조(3)의 직경이 일치하지 않게 되는 문제점이 있었다. 이와 같이 음극기체(2)와 저장조(3)가 밀착되지 않게 되면 슬리이브(4)내부의 히이터(4a)로 부터 음극기체(2)로의 열전달이 용이하게 이루어지지 않게 되어 음극구조체의 히이터 용량이 커지게 되면 나아가서는 전자방출특성이 저하된다.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 음극기체와 저장조의 밀착력을 향상시켜 저온하에서도 빔전류의 고밀도와가 가능하며 지속적으로 안정된 전자방출특성을 가지도록 하는 디스펜서 음극구조체의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.

또한 본 발명의 다른 목적은 음극기체의 대량생산이 가능하게 되면 종래와 같이 음극기체와 저장조의 결합에 따른 불량발생원인을 근본적으로 해결하여 제품의 생산성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 디스펜서 음극구조체의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 다공질 내열성금속에 전자방사물질이 함침된 음극기체와, 상기 음극기체를 감싸지지하는 저장조와, 상기 저장조를 하부에서 지지하며 히이터가 내장된 슬리이브를 구비하여된 디스펜서 음극구조체의 제조방법에 있어서, 상기 음극기체의 일측면을 고정하여 이를 지지하고 상기 음극기체에 내열성금속을 소정의 금속피복법에 의해 직접 피복하여 저장조를 형성하는 단계포함하는 것을 그 특징으로 한다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 한 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.

제1도에는 일반적인 함침형 디스펜서 음극구조체가 도시되어 있는바 이는 바듐(Ba)을 주체로 한 전자방출물질이 함침된 음극기체(2)와, 상기 음극기체를 감싸지지하는 저장조(10)와, 저장조(10)를 하부에서 지지하며 히이터(4a)가 내장된 슬리이브(4)를 구비하여 구성된다. 이와 같이 구성된 함침형 디스펜서 음극구조체(1)를 제조하기 위해서는 먼저, 다공질의 금속기체(이하 음극기체라 칭함)에 바륨(Ba)을 주체로하는 전자방출물질을 함침시킨 후 쇼트브라스팅(Short Blasting)등의 연마에 의해 음극기체(2)의 표면 및 측면에 부착된 전자방출물질 즉, 함침 잔류물질을 제거한다. 그리고 본 발명의 특징에 따라 지지판(미도시)에 전자방사물질이 함침된 음극기체(2)의 일측을 접촉시켜 이를 지지하고, 상기 음극기체(2)에 저장조(10)재질인 텅스텐, 몰리브덴등을 플라즈마 용사피복방법으로서 직접피복하여 저장조(10)를 형성한다. 즉, 음극기체(2)에 초고온 플라즈마제트를 이용하여 저장조(3)의 재질인 텅스텐 또는 몰리브덴등의 내열성금속을 용융시키고 이를 고속으로 분사하여 피복한다. 이때에 상기 음극기체(2)에 고융점의 피복하는 방법은 프레임 스프레이법을 사용하여도 무방하다.

상기 음극기체(2)에 텅스텐, 몰리브덴과 같은 내열성 금속을 피복하여 저장조(10)를 형성한 후 이를 히이터(4a)가 내장된 슬리이브(4)의 상부에 삽입한 후 용접한다.

이와 같은 방법으로 제조된 디스펜서 음극구조체는 전자방사물질이 함침된 음극기체에 내열성금속이 피복되어 저장조(10)를 이루고 있으므로 음극기체(2)와 저장조(10)가 밀착되게 되어 슬리이브(4)내부의 히이터(4a)로 부터 발생되는 열이 용이하게 음극기체(2)에 열전달되게 된다.

따라서 음극기체(2)가 짧은 시간내에 정상적으로 열전자를 방출하는 온도에 도달하는 속동성이 향상된다.

특히, 저장조(10)와 음극기체(2)의 접착력의 향상은 음극기체(2)를 동작온도로 가열하는 히이터의 용량을 줄일 수 있어 히이터의 소비전력을 줄일 수 있으며 나아가서는 히이터의 수명을 연장시킬 수 있다.

이와 같이 본 발명 디스펜서 음극구조체의 제작방법은 음극기체에 내열성금속을 피복하여 저장조를 제작하게 되므로 종래와 같이 음극기체와 저장조의 접촉불량으로 인한 불량 발생원인을 근본적으로 해결하여 그 생산성을 향상시킬 수 있으며 나아가서는 전자방출특성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

Claims (2)

1. 다공질 내열성금속에 전자방사물질이 함침된 음극기체와, 상기 음극기체를 감싸지지하는 저장조와, 상기 저장조를 하부에서 지지하며 히이터가 내장된 슬리이브를 구비하여된 디스펜서 음극구조체의 제조방법에 있어서, 상기 음극기체(2)에 내열성금속을 소정의 금속 피복법에 의해 직접 피복하여 상기 저장조(10)를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는디스펜서 음극구조체의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 금속피복방법이 플라즈마 용사피복법 또는 프레임 스프레이법인 것을 특징으로 하는 디스펜서 음극 구조체의 제조방법.

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