KR920006821Y1 - 함침형 음극구조체 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

함침형 음극구조체

제1도 종래함칭형 음극구조체의 입단면도.

제2도 본 고안에 따른 함침형 음극구조체를 도시한 분리 사시도.

제3도 및 제4도 본 고안에 따른 함침형 음극 구조체의 다른 실시예를 도시한 사시도 및 입단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

11 : 히이터 11a : (히이터의)단자

12 : 저장조 12a : (저장조의)단자인출부

13 : 음극기체

본 고안은 디스펜서 음극구조체에 관한 것으로서, 특히 함침형 디스펜서 음극구조체에 관한 것이다.

일반적으로 디스펜서 음극은 그 구조적 특징에 따라 저장형(Cavity reservoir type), 함침형(impregnated type), 소결형(sintered type)등으로 대별되는데, 이들의 공통적인 특징은 빔전류의 고밀도화가 가능하여 대형브라운관이나 투사관등에 적합한 것이며 특히, 수명이 매우 길다는 것이다.

제1도에는 이러한 디스펜서 음극구조체중 함침형 음극구조체의 일예를 나타내 보였다.

이것은 소정크기의 다공질 텅스텐에 전자방출물질을 함침시켜 음극기체(2)를 제작하고 이 음극기체(2)는 대략 컵형의 저장조(3)에 삽입한 후 이들을 용접하여 상기 음극기체(2)를 저장조(3)에 지지시키고, 상기 저장조(3)는 히이터(4a)가 내장되며 홀더(5)에 의해 지지되는 원통형의 슬리이브(4)상부에 용접고정하여 된 것이다.

이때에 상기 음극기체(2)의 표면에는 음극의 일함수를 낮추기 위하여 Os-Ru,Ir등의 희토류금속을 코팅한 금속코팅층(6)을 형성한다.

이와 같이 구성된 종래의 함침형 음극구조체(1)는 상기 저장조(3)에 지지되는 음극기체(2)가 슬리이브(4)에 내장된 히이터(4a)에 의해 가열됨으로써 열전자를 방출하게 된다.

그런데, 상기 함침형 음극구조체(1)의 음극기체(2)는 1100℃∼1200℃의 고온에서 동작하기 때문에 브라운관등의 전자관에 채용하기 어렵다는 단점이 있고 부수적으로는 전자관의 인근 부품에 열적 영향을 크게 미침으로써 내구력을 저하시킨다든가 부품의 열변형을 수반하는 문제점이 있었다.

또한 상기 함침형 음극구조체(1)의 히이터(4a)는 음극기체(2)를 고온으로 가열하여야 하므로 히이터(4a)의 용량이 매우 커야 하고, 상기 슬리이브(4)및 저장조(3)를 몰리브덴 또는 텅스텐등과 같은 고융점 금속을 사용하여야 하므로 제조원가가 상승하는 문제점이 있었다.

본 고안은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 구조가 매우 간단하고 음극기체로부터 짧은시간내에 열전자를 방출할 수 있도록 하여 음극선관의 화면 출화시간을 단축시키고 히이터의 용량을 대폭 줄일수 있는 함침형 음극구조체를 제공함에 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 다공질 텅스톈에 전자방사물질이 함침된 음극기체와, 이 음극기체를 감싸 지지하는 저장조와, 상기 음극기체를 가열하는 히이터를 구비하여 된 함침형 음극구조체에 있어서, 상기 저장조의 주면에 단자인출부를 형성하고 이 저장조에 히이터와 음극기체가 순차적으로 삽입되어 된 것을 특징으로 한다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안에 따른 한 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.

제2도에는 본 고안에 따른 함침형 음극구조체(10)가 도시되어 있는바, 이는 히이터(11)의 단자(11b)가 인출되는 히이터 단자인출부(12a)가 복수개소에 형성된 저장조(12)에 히이터(11)와, 다공질의 텅스텐에 전자방사물질 함침되어 된 음극기체(13)가 순차적으로 삽입되어 된 것이다.

여기에서 상기 저장조(12)에 형성된 히이터단자 인출부(12a)는 저장조(12)의 상단부로부터 바닥면까지 소정의 폭으로 절제되어 된 것이나 제3도 및 제4도에 나타내 보인 바와 같이 주면 또는 바닥면에 관통공(12c)을 형성하여 제작하여도 무방하다.

그리고 상기 히이터(11)는 저장조(12)의 바닥면의 크기와 대략 동일한 크기를 가지는 관상의 몸체(11a)양측에 단자(11b)가 설치되어 있으며 그 몸체(11a)는 그 가장자리로부터 교호적으로 소정길이의 인입부(11c)를 형성함이 바람직하다.

이와 같이 구성된 본 고안에 따른 함침형 음극구조체(10)는 도면에는 도시되어 있지 않으나 전자총의 제어전극에 지지되는 인슐레이터의 지지체에 상기 히이터단자가 지지되어 상기 조장조(12)에 지지된 음극기체(13)가 제어전극의 전자빔통과공과 인접되도록 설치되어 사용되게 되는데, 발열체인 히이터(11)가 저장조(12)의 바닥면(12b)과 저장조(12)에 지지된 음극기체(13)사이에 개재되어 있으므로 히이터(11)의 발열에 따른 음극기체(13)의 열전자방출이 짧은 시간내에 이루어지게 된다.

즉, 상기 히이터(11)의 단자(11b)에 전원이 인가되어 히이터(11)가 발열하게 되면 상기 히이터(11)의 발생열이 음극기체(13)에 직접 전달되게 되므로 음극기체(13)를 짧은 시간내에 가열할 수 있게 되는 것이다.

따라서 이를 채용한 음극선관의 화면출화시간을 대폭 줄일 수 있으며 히이터(11)의 열용량을 대폭 줄일 수 있다.

또한 상기 함침형 음극구조체(10)는 종래에 비하여 부품수를 대폭 줄일 수 있으므로 생산원가를 절감할 수 있다.

이와 같이 본 고안 함침형 음극구조체는 발열체인 히이터가 저장조의 바닥면과 상기 저장조에 삽입지지되는 음극기체 사이에 개재되어 있으므로 히이터의 발열에 따른 열전자의 방출이 짧은 시간내에 이루어질 수 있게되며 이를 채용한 음극선관의 화면 출화시간을 대폭 줄일 수 있다.

또한 본 고안은 히이터의 용량을 줄일 수 있으므로 인접하는 부품의 열변형을 방지할 수 있는 이점이 있다.

Claims (4)

1. 다공질의 텅스텐에 전자방사물질이 함침된 음극기체와, 이 음극기체를 감싸 지지하는 저장조와, 상기 음극기체를 가열하는 히이터를 구비하여 된 함침형 음극구조체에 있어서, 상기 저장조(12)의 주면에 단자인출부(12a)를 형성하고, 이 저장조(12)에 상기 히이터(11)와, 음극기체(13)를 순차적으로 삽입고정하여 된 것을 특징으로 하는 함짐형 음극구조체.
2. 제1항에 있어서, 상기 저장조(12)의 주면에 형성된 단자인출부(12a)가 상기 저장조(12)의 상단부로부터 하방으로 절제되어 된 것을 특징으로 하는 함짐형 음극구조체.
3. 제1항에 있어서, 상기 저장조(12)와 주면에 형성된 단자인출부(12a)가 상기 저장조(12)의 바닥면(12b)형성된 관통공(12c)인 것을 특징으로 하는 함침형 음극구조체.
4. 제1항에 있어서, 상기 히이터(11)가 소정의 각도로 복수의 절곡부를 가지는 판상소재로 이루어지도록 된것을 특징으로 하는 함침형 음극구조체.