KR920004065Y1 - 과전압 보호회로 - Google Patents

과전압 보호회로 Download PDF

Info

Publication number
KR920004065Y1
KR920004065Y1 KR2019890017420U KR890017420U KR920004065Y1 KR 920004065 Y1 KR920004065 Y1 KR 920004065Y1 KR 2019890017420 U KR2019890017420 U KR 2019890017420U KR 890017420 U KR890017420 U KR 890017420U KR 920004065 Y1 KR920004065 Y1 KR 920004065Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
overvoltage
transistor
voltage
resistor
rectifier
Prior art date
Application number
KR2019890017420U
Other languages
English (en)
Other versions
KR910010125U (ko
Inventor
박승환
Original Assignee
삼성전자 주식회사
정용문
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사, 정용문 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR2019890017420U priority Critical patent/KR920004065Y1/ko
Publication of KR910010125U publication Critical patent/KR910010125U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR920004065Y1 publication Critical patent/KR920004065Y1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/32Means for protecting converters other than automatic disconnection
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/601Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors using transformer coupling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Rectifiers (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

과전압 보호회로
제1도는 종래의 회로도.
제2도는 본 고안에 따른 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 정류부 20 : SMPS구동부
30 : 스노버부 T1 : 트랜스포머
R1-R5 : 저항 C1 : 캐패시터
SCR1 : 실리콘 제어정류기 LED1 : 발광다이오드
D1-D2 : 다이오드
본 고안은 스위칭모드 전원장치에 관한 것으로서, 특히 과전압을 검출하여 스위칭 구동을 차단시켜 세트를 보호할 수 있는 과전압 보호회로에 관한 것이다.
종래의 스위칭모드 전원장치는 제1도와 같은 회로가 적용되었다. 교류전원을 입력하는 정류부(1)는 정류하여 평활된 직류전원을 출력한다.
상기 정류부(1)에서 출력된 직류전원은 저항(R1)을 통해 트랜지스터(Q1)의 베이스로 인가되어 상기 트랜지스터(Q1)가 턴온된다. 상기 트랜지스터(Q1)이 턴온되면 트랜스포머(T1)는 상기 정류부(1)의 출력인 1차측 전압을 2차측 전압으로 유기시킨다. 상기 트랜스포머(T1)의 2차측으로 유기된 전압을 정류하여 사용하게 된다. 여기서 설명하지 않은 캐패시터(C1), 저항(R2), 다이오드(D1)로 구성된 스노버부(2)는 상기 트랜지스터(Q1)를 과부하로 부터 보호하기 위한 것이며, 다이오드(D2)는 상기 트랜지스터(Q1)의 역베이스 전류 방지용이다.
상기와 같은 제1도의 종래의 회로는 허용범위 이상의 과전압이 인가되면 세트가 망손되는 문제점이 있었다.
따라서 본 고안의 목적은 입력전원이 허용범위 이상의 과전압이 인가될 경우 과전압이 인가되고 있음을 표시함과 동시에 스위칭모드의 스위칭 동작을 차단시켜 세트를 보호할 수 있는 과전압 보호회로를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 고안은 정류부를 구비한 과전압 보호회로에 있어서, 상기 정류부의 출력전압을 입력하여 허용범위 이상의 과전압을 검출하는 저항과, 상기 저항 양단의 전압하에 의해 허용범위 이상의 과전압이 검출될때 스위칭 온되어 전압을 출력하는 트랜지스터와, 상기 트랜지스터의 출력전압을 받아 과전압이 검출됨을 표시하는 발광다이오드와, 상기 트랜지스터의 출력전압을 입력하여 과전압을 일시적으로 패스시키는 실리콘 제어정류기로 구성함을 특징으로 한다.
이하 본 고안을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제2도는 본 고안에 따른 회로도로서, 교류전원이 입력되면 정류하여 평활된 전원을 출력하는 정류부(10)와, 저항(R1), 다이오드(D2), 트랜지스터(Q1)로 구성되어, 상기 정류부(10)의 출력전원을 입력하여 소정의 PWM 제어신호에 의해 스위칭 작용을 수행하는 SMPS구동부(20)와, 캐패시터(C1), 저항(R2), 다이오드(D1)로 구성되어 상기 정류부(10)의 출력전원을 입력하여 완충작용을 수행하여 상기 SMPS구동부(20)을 보호하기 위한 스노버부(30)와, 상기 SMPS구동부(20)의 제어에 의해 상기 정류부(10)에서 출력된 1차측 전압을 2차측으로 유기시키기 위한 트랜스포머(T1)와, 상기 정류부(10)의 출력전압을 입력하여 허용범위 이상의 과전압을 검출하는 저항(R3)과, 상기 저항(R3) 양단의 전압차에 의해 허용범위 이상의 과전압이 검출될때 스위칭 온되어 전압을 출력하는 트랜지스터(Q1)와, 상기 트랜지스터(Q1)의 출력전압을 입력하여 과전압을 일시적으로 패스시키는 실리콘 제어 정류기(SCR1)로 구성된다.
상술한 구성에 의거 본 고안의 일실시예를 제2도를 참조하여 상세히 설명한다.
과전압이 인가되지 않을때에는 제1도의 동작과 같으므로 생략하고 본고안의 동작만을 설명하면 하기와 같다. 교류전원을 입력하는 정류부(10)는 정류하여 평활된 전원을 출력한다.
상기 정류부(10)의 출력전원이 저항(R3)를 통해 트랜지스터(Q2)의 베이스에 인가되는데 이때 저항(R3)에 의해 라인(A)전압과 라인(B)의 전압차가 0.7V이상이 되면 상기 트랜지스터(Q2)가 턴온되므로 과전압이 인가됨을 검출하게 된다. 상기 트랜지스터(Q2)가 턴온되면 상기 정류부(10)의 출력전압이 저항(R4)를 통해 발광다이오드(LED1)에 과전압 검출표시를 하게 된다. 또한 상기 정류부(10)의 출력전압이 저항(R5)을 통해 실리콘 제어정류기(SCR1)가 게이트에 인가되면 상기 실리콘 제어정류기(SCR1)가 온되어 저항(R1)을 통하는 온되어 과전압을 패스시키게 되면 트랜지스터(Q1)가 오프되어 스위칭모드 전원장치의 동작이 중지된다.
상술한 바와같이 입력전압이 허용범위 이상의 과전압이 검출될 경우 과전압을 제어하므로서 세트를 보호할 수 있는 이점이 있다.

Claims (1)

  1. 스위칭 모드 전원장치의 과전압 보호회로에 있어서, 정류된 직류전압을 입력하여 허용범위 이상의 과전압을 검출하는 저항(R3)과, 상기 저항(R3)양단의 전압차에 의해 허용범위 이상의 과전압이 검출될때 스위칭 온되어 전압을 출력하는 트랜지스터(Q1)와, 상기 트랜지스터(Q1)의 출력전압을 받아 과전압이 검출됨을 표시하는 발광다이오드(LED1)와, 상기 트랜지스터(Q1)의 출력전압을 입력하여 과전압을 일시적으로 패스시키는 실리콘 제어정류기(SCR1)로 구성함을 특징으로 하는 회로.
KR2019890017420U 1989-11-24 1989-11-24 과전압 보호회로 KR920004065Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019890017420U KR920004065Y1 (ko) 1989-11-24 1989-11-24 과전압 보호회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019890017420U KR920004065Y1 (ko) 1989-11-24 1989-11-24 과전압 보호회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910010125U KR910010125U (ko) 1991-06-29
KR920004065Y1 true KR920004065Y1 (ko) 1992-06-20

Family

ID=19292216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019890017420U KR920004065Y1 (ko) 1989-11-24 1989-11-24 과전압 보호회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR920004065Y1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR910010125U (ko) 1991-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20070047274A1 (en) Power supplying apparatus and power supplying method
KR920004065Y1 (ko) 과전압 보호회로
KR100332799B1 (ko) 인버터의 과전류 보호회로
KR960027204A (ko) 전원공급장치의 보호 회로
KR19990052422A (ko) 스위칭 모드 파워 서플라이
KR970004437B1 (ko) 텔레비젼의 스위칭 전원 트랜스 2차측 정류단 단락 보호회로
KR910005625Y1 (ko) 과전류 보호회로
KR19980058781U (ko) 전원장치에서 과열 방지 회로
KR100208394B1 (ko) 전원 공급 장치의 보호 회로
KR910001694Y1 (ko) 다출력전원회로의 보호회로
JP4136134B2 (ja) 直流電源回路
KR0123530Y1 (ko) 프린터 전원 제한 회로
KR200143416Y1 (ko) 과전압 보호회로
KR0111722Y1 (ko) 전원 공급 장치의 과부하 보호회로
KR970006426Y1 (ko) 전원 공급장치
KR970005106Y1 (ko) 전원회로의 저전압 보호회로
KR920008472B1 (ko) 복사기의 노광램프 보호회로
KR0128665Y1 (ko) 전원공급장치의 출력회로
KR950003019Y1 (ko) 전원공급 장치의 보호회로
KR900009471Y1 (ko) 절연형 다출력 스위칭모드 전원공급장치의 보호회로
KR200159250Y1 (ko) 과전류 보호회로
KR200145144Y1 (ko) 전원장치의 과도상태 안정화회로
KR20010083403A (ko) 모니터의 과전류 보호 회로
KR0136598Y1 (ko) 과전류 보호 회로
KR950006922Y1 (ko) 반파 정류회로에서의 퓨즈단선 표시회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19980528

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee