KR920003211B1

KR920003211B1 - Surface grinding apparatus

Info

Publication number: KR920003211B1
Application number: KR1019850008040A
Authority: KR
Inventors: 도시유끼 모리
Original assignee: 가부시끼가이샤 디스코; 세끼야 겐이찌
Priority date: 1984-10-30
Filing date: 1985-10-30
Publication date: 1992-04-24
Also published as: EP0180175A2; KR860003081A; EP0180175A3; JPS61109656A

Abstract

내용 없음.No content.

Description

Surface computing device

제1도는 본 발명에 따라 제조된 표면 연삭 장치의 한 실시예의 주요 구성 부분을 도시한 개략적인 평면도.1 is a schematic plan view showing the main components of one embodiment of a surface grinding apparatus manufactured according to the present invention.

제2도는 제1도의 표면 연삭 장치의 일부를 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view showing a part of the surface grinding apparatus of FIG. 1.

제3도 및 제4도는 제1도의 표면 연삭 장치에 의해 표면 연삭 방법의 변형예를 설명하기 위한 개략적인 부분 평면도.3 and 4 are schematic partial plan views for explaining a modification of the surface grinding method by the surface grinding apparatus of FIG.

제5도는 척테이블 회전 수단의 변형된 실시예를 도시한 제2도와 유사한 단면도.FIG. 5 is a cross sectional view similar to FIG. 2 showing a modified embodiment of the chuck table rotating means.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

4 : 지지 테이블 8 : 연삭 휘일4: support table 8: grinding wheel

10 : 테이블 회전 수단 24, 74, 110 : 회전축10: table rotation means 24, 74, 110: rotation axis

36, 40, 270 : 통로 38 : 매니폴드36, 40, 270: passage 38: manifold

42, 272 : 스위치 밸브 76 : 척 테이블 회전 수단42, 272: switch valve 76: chuck table rotation means

78, 80, 262, 278 : 기어 102 : 수평 이동 블록78, 80, 262, 278: gear 102: horizontal moving block

106 : 수직 이동 블록 200 : 중앙 지지 블록106: vertical movement block 200: center support block

244 : 마찰판 260 : 스톱링244: friction plate 260: stop ring

268 : 스프링 수단268 spring means

본 발명은 표면 연삭 장치, 특히, 반도체 웨이퍼의 표면을 연삭하기에 적합한 표면 연삭 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a surface grinding device, in particular a surface grinding device suitable for grinding the surface of a semiconductor wafer.

본 기술 분야에 숙련된 자들에게 잘 공지되어 있는 바와 같이, 반도체 기구의 제조는 반도체 웨이퍼의 두께를 요구대로 만들기 위해 거의 디스크형 반도체 웨이퍼의 표면의 연삭을 요구한다. 일반적으로, 일본국 공개 특허공보 소 56-152562호(또는 미합중국 특허 제4,481,738호 또는 유럽 특허공보 제0039209호)의 명세서내에 기술된 바와 같은 표면 연삭 장치는 반도체 웨이퍼의 표면을 연삭하기 위해 표면 연삭 장치로서 편리하게 사용된다. 이 표면 연삭 장치는 회전가능하게 설치된 지지 테이블, 지지 테이블에 고정된 복수개의 반도체 웨이퍼 지지척 테이블, 지지 테이블의 회전 방향으로 일정 간격으로 회전 가능하게 설치된 복수개의 연삭 휘일, 지지 테이블을 회전시키기 위한 테이블 회전 수단, 그리고 연삭 휘일을 회전시키기 위한 휘일 회전 수단을 구비한다.As is well known to those skilled in the art, the fabrication of semiconductor devices requires the grinding of the surface of nearly disk-like semiconductor wafers in order to make the thickness of the semiconductor wafer as desired. Generally, the surface grinding apparatus as described in the specification of Japanese Patent Laid-Open No. 56-152562 (or US Patent No. 4,481,738 or European Patent Publication No. 0039209) is a surface grinding apparatus for grinding the surface of a semiconductor wafer. It is conveniently used as. The surface grinding apparatus includes a support table rotatably installed, a plurality of semiconductor wafer support chuck tables fixed to the support table, a plurality of grinding wheels rotatably installed at regular intervals in a rotational direction of the support table, and a table for rotating the support table. Rotating means and wheel rotating means for rotating the grinding wheel.

상기한 표면 연삭 장치에 있어서, 그의 표면이 연삭될 반도체 웨이퍼는 척테이블상에 지지된다. 복수개의 각각의 연삭 휘일은 비교적 높은 속도로 회전되고, 지지 테이블은 또한 비교적 낮은 속도로 회전된다. 따라서, 지지 테이블에 고정된 척테이블상에 지지된 반도체 웨이퍼는 복수개의 회전 연삭 휘일의 아래로 연속적으로 통과가 허용되며, 이에 의하여 반도체 웨이퍼의 표면은 회전 연삭 휘일에 의해 연삭된다.In the surface grinding apparatus described above, the semiconductor wafer whose surface is to be ground is supported on the chuck table. Each of the plurality of grinding wheels is rotated at a relatively high speed, and the support table is also rotated at a relatively low speed. Thus, the semiconductor wafer supported on the chuck table fixed to the support table is allowed to pass continuously under the plurality of rotary grinding wheels, whereby the surface of the semiconductor wafer is ground by the rotary grinding wheels.

일본국 공개 특허공보 소 56-152562호(또는 미합중국 특허 제4,481,738호 또는 유럽 특허공보 제0039209호)의 명세서의 설명으로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기한 표면 연삭 장치는 종래의 표면 연삭장치인 다른 형태에 비해 다양한 잇점들을 가진다. 그러나, 이것은 충분히 만족할만한 것은 못되며, 이것은 (a), 환상 형태의 연삭 휘일은 전체적으로 상기한 표면 연삭 장치에서 사용되며 연삭 휘일의 외경은 그러한 연삭 휘일에 의해 반도체 웨이퍼의 전체 표면을 균일하게 연삭하기 위해 연삭될 반도체 웨이퍼의 외경보다 충분히 더 커야할 필요가 있다는 해결되어야 할 문제점들을 가진다. 그러므로, 반도체 웨이퍼를 크게 만들때, 연삭 휘일은 이에 대응하여 크게 만들어져야 할 필요가 있다. 그러나, 휘일 제작 방법의 여러 관점에 비추어 적합한 방법에 의해 천연 또는 인조 다이어몬드 연마제 입자와 같은 그러한 최상품의 연마제입자들은 결합시킴으로써 큰 직경의 연삭 휘일을 제조하는 것은 그리 쉬운 것은 아니다; (b), 연삭시에 있어서 회전 연삭 휘일에 대한 반도체 웨이퍼의 상대 운동은 비교적 낮은 속도의 지지 테이블의 회전에 의해 수반된 반도체 웨이퍼의 이송 운동에 지나지 않고 반도체 웨이퍼상의 연삭 휘일에 의한 연삭 자극은 회전 연삭 휘일의 외측 원주 가장자리의 운동에 의해 형성된 단순한 아아치형 자국이다. 그러므로, 연삭 저항이 비교적 크며 이 저항은 반도체 웨이퍼의 상기한 이송 운동에 따라 주로 상대적으로 변화한다. 그래서, 반도체 웨이퍼의 전체 표면을 통해 충분히 균일한 연삭을 성취하기가 어려우며 연삭 정도가 제한된다.As can be seen from the description in the specification of Japanese Patent Application Laid-open No. 56-152562 (or US Patent No. 4,481,738 or European Patent Publication No. 0039209), the surface grinding apparatus described above is another type of conventional surface grinding apparatus. It has a variety of advantages. However, this is not satisfactory enough, and (a), the annular shaped grinding wheel is used in the above-described surface grinding apparatus and the outer diameter of the grinding wheel is used to uniformly grind the entire surface of the semiconductor wafer by such grinding wheel. There is a problem to be solved that it needs to be sufficiently larger than the outer diameter of the semiconductor wafer to be ground. Therefore, when making a semiconductor wafer large, the grinding wheel needs to be made correspondingly large. However, in view of the various aspects of the wheel manufacturing method, it is not so easy to produce a large diameter grinding wheel by combining such fine abrasive particles such as natural or artificial diamond abrasive particles by a suitable method; (b) The relative movement of the semiconductor wafer with respect to the rotary grinding wheel at the time of grinding is only a conveyance movement of the semiconductor wafer accompanied by the rotation of the support table at a relatively low speed, and the grinding stimulus by the grinding wheel on the semiconductor wafer is rotated. It is a simple arched mark formed by the motion of the outer circumferential edge of the grinding wheel. Therefore, the grinding resistance is relatively large and this resistance mainly changes relatively in accordance with the above-described transfer motion of the semiconductor wafer. Thus, it is difficult to achieve sufficiently uniform grinding throughout the entire surface of the semiconductor wafer and the degree of grinding is limited.

본 발명의 주요 목적은 개선된 표면 연삭 장치, 특히 반도체 웨이퍼의 직경을 크게 만들때에도 연삭 휘일의 직경이 반듯이 크게 만들 필요없이 반도체 웨이퍼의 전체 표면을 통해 충분히 균일한 연삭을 수행함과 동시에 원하는 연삭 정도를 얻는 것이 가능한, 반도체 웨이퍼의 표면을 연삭하기에 적합한 표면 연삭 장치를 제공하는데 있다.The main object of the present invention is to improve the surface grinding apparatus, in particular, even when the diameter of the semiconductor wafer is made large, the grinding wheel needs to be sufficiently uniform in the entire surface of the semiconductor wafer without the need to make the diameter of the grinding wheel large. It is providing the surface grinding apparatus suitable for grinding the surface of a semiconductor wafer which can be obtained.

상기한 목적이, 반도체 웨이퍼 지지척 테이블을 지지 스탠드상에 회전 가능하게 설치함으로써, 이 반도체 웨이퍼 지지척 테이블을 회전시키기 위해 척테이블 회전 수단을 제공함으로써, 그리고 연삭 휘일로 척테이블상에 지지된 반도체 웨이퍼의 표면을 연삭할때, 연삭 휘일을 회전시키고 또한 종래의 표면 연삭 장치의 지지 테이블과 같은 지지 스탠드에 반도체 웨이퍼 지지척 테이블이 고정되었다 해도 척테이블상에 지지된 반도체 웨이퍼를 회전시키기 위해 척테이블을 회전시킴으로써 성취될 수 있다는 것은 본 발명의 광범위한 연구 및 실험의 결과로서 발견되었다.The above object is to provide a chuck table rotating means for rotating the semiconductor wafer support chuck table by rotatably installing the semiconductor wafer support chuck table on the support stand, and the semiconductor supported on the chuck table by the grinding wheel. When grinding the surface of the wafer, the chuck table is rotated to rotate the grinding wheel and to rotate the semiconductor wafer supported on the chuck table even if the semiconductor wafer support chuck table is fixed to a support stand such as a support table of a conventional surface grinding apparatus. It has been found that as a result of extensive research and experimentation of the present invention it can be achieved by rotating.

본 발명에 따라서, 지지 스탠드, 지지 스탠드상에 회전 가능하게 설치된 적어도 하나의 반도체 웨이퍼 지지척 테이블, 척테이블상에 지지된 반도체 웨이퍼의 표면을 연삭하기 위한 회전 가능하게 설치된 연삭 휘일, 척테이블을 회전시키기 위한 척테이블 회전 수단, 그리고 연삭 휘일을 회전시키기 위한 휘일 회전 수단을 구비함과 아울러, 연삭 휘일로 척테이블상에 지지된 반도체 웨이퍼의 표면을 연삭할 때, 연삭 휘일이 회전되고 또한 척테이블상에 지지된 반도체 웨이퍼를 회전시키기 위해 척테이블이 회전되는 표면 연삭 장치를 제공한다.According to the present invention, a support stand, at least one semiconductor wafer support chuck table rotatably mounted on a support stand, a rotationally installed grinding wheel for grinding a surface of a semiconductor wafer supported on a chuck table, a chuck table are rotated. The grinding wheel is rotated and the chuck table is rotated when grinding the surface of the semiconductor wafer supported on the chuck table by the grinding wheel, and the chuck table rotating means for rotating the grinding wheel. Provided is a surface grinding apparatus in which a chuck table is rotated to rotate a semiconductor wafer supported thereon.

본 발명에 따라 구성된 표면 연삭 장치의 양호한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 하기에 상세히 설명하기로 하자.Preferred embodiments of the surface grinding apparatus constructed according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.

제1도는 본 발명에 따라 구성된 표면 연삭 장치의 한 양호한 실시예의 주요구성을 도시한다. 도시된 표면 연삭 장치는(제1도에서 종이에 대해 수직으로) 연장된 중앙축(2)을 중심으로 회전하기 위해 장착된 비교적 큰 직경의 디스크형 지지 테이블(4)을 구비하고 있다. 도시된 실시예에서 4개로 도시된 복수개의 디스크형 반도체 웨이퍼 지지척 테이블(6)은 원주 방향으로 이격된 위치에 지지 스탠드를 구성하는 지지 테이블(4)상에 회전 가능하게 설치된다. 편리하게는, 복수개의 척테이블(6)은 중앙축(2)으로부터의 방사상 거리가 서로 같고, 지지 테이블(4)의 원주방향으로 균일한 간격으로(즉, 균일한 각도의 간격으로) 복수개의 위치에 각각 배열된다.1 shows the main configuration of one preferred embodiment of a surface grinding apparatus constructed in accordance with the present invention. The surface grinding apparatus shown has a relatively large diameter disk-shaped support table 4 mounted for rotation about an extended central axis 2 (perpendicular to the paper in FIG. 1). In the illustrated embodiment, the plurality of disk-shaped semiconductor wafer support chuck tables 6 shown in four are rotatably mounted on the support table 4 constituting the support stand in the circumferentially spaced position. Conveniently, the plurality of chuck tables 6 have the same radial distance from the central axis 2, and the plurality of chuck tables 6 are equally spaced in the circumferential direction of the support table 4 (that is, at intervals of uniform angles). Each at a location.

작업 위치 A, B, C 및 D는 지지 테이블(4)의 원주방향으로 이격된, 도시된 실시예에서 4개로 도시된 상기한 복수개의 위치에 각각 형성된다. 편리하게는, 이들 작업 위치 A, B, C 및 D는 지지 테이블(4)의 원주 방향으로 균일한 간격으로(즉, 균일한 각도의 간격으로) 위치되고, 작업 위치 A, B, C 및 D 사이의 상호 각도 간격은 복수개의 척테이블(6)들 사이의 상호 각도 간격과 일치한다. 작업 위치 A는 반도체 웨이퍼 언로딩 및 로딩 위치이다. 반도체 웨이퍼 언로딩 및 로딩 위치 A에서, 그 표면상에서 연삭된 작업편은 적합한 언로딩 수단(도시되지 않음)에 의해 척테이블(6)로부터 제거되고, 그 표면상에서 연삭될 새로운 반도체 웨이퍼가 적합한 로딩 수단(도시되지 않음)에 의해 척테이블(6)상에 배치된다. 작업 위치 B, C 및 D는 각각 거친 연삭 위치, 중간 연삭 위치 및 마무리 연삭 위치이다. 연삭 휘일(8)을 가진 연삭 휘일 조립체는 이들 연삭 작업 위치 B, C 및 D의 각각에 배치된다. 척테이블(6)상에 지지된 반도체 웨이퍼의 표면은 이후 상세히 기술될 거친 연삭 위치 B에서의 거친 연삭을 받고 중간 연삭 위치에서의 중간 연삭을 받고 그리고 마무리 연삭 위치 D에서의 마무리 연삭을 받는다.The working positions A, B, C and D are each formed in the above-described plurality of positions shown in four in the illustrated embodiment, spaced circumferentially of the support table 4. Conveniently, these working positions A, B, C and D are located at even intervals (ie at uniform angle intervals) in the circumferential direction of the support table 4 and the working positions A, B, C and D The mutual angular spacing therebetween coincides with the mutual angular spacing between the plurality of chuck tables 6. Working position A is the semiconductor wafer unloading and loading position. At the semiconductor wafer unloading and loading position A, the workpiece ground on its surface is removed from the chuck table 6 by suitable unloading means (not shown), and a new semiconductor wafer to be ground on the surface is loaded with suitable loading means. (Not shown) on the chuck table 6. The working positions B, C and D are rough grinding positions, intermediate grinding positions and finish grinding positions, respectively. The grinding wheel assembly with the grinding wheel 8 is arranged in each of these grinding work positions B, C and D. The surface of the semiconductor wafer supported on the chuck table 6 is subjected to rough grinding at the rough grinding position B, intermediate grinding at the intermediate grinding position, and finish grinding at the final grinding position D, which will be described later in detail.

제1도와 함께 제2도를 참조하면, 지지 테이블(4)에 정착된 척테이블(6) 및 지지 테이블(4) 구조에 대하여 상세히 설명하기로 하자. 도시된 표면 연삭 장치에서, 지지 테이블(4)의 중앙축(2)을 따라 실제로 수직으로 연장된 고정 주 지지축(도시되지 않음)이 배치되고 지지 테이블(4)은 상기 주지지축의 상부 단부상에 회전 가능하게 장착되어 있다. 전기 모터와 같은 테이블 회전 수단(10)이 적합한 전달 부재(도시되지 않음)을 통해 지지 테이블(4)에 구동 가능하게 연결되어 있고, 지지 테이블(4)은 하기에 더욱 상세히 기술된 테이블 회전 수단(10)에 의해 제1도에서 화살표(12)로 표시된 방향으로 간헐적으로 또는 연속적으로 회전된다. 4개의 척테이블 지지 블록(14)(제2도에서 이들중 하나만 도시됨)은 원주 방향으로 균일하게 이격된 위치에서 지지 테이블(4)의 수평 상부 평면의 원주 가장자리 부분에 고정되며, 척테이블(6)은 이들 각각의 척테이블 지지 블록(14)상에 회전 가능하게 장착된다. 특히, 상향으로 개방된 원형 구멍(16)은 거의 원통형일 수 있는 척테이블 지지 블록(14)내에 형성되고, 베어링 부재(18,20)는 이 구멍(16)내에 배치된다. 베어링부재(18)의 하부 표면은 구멍(16)내에 형성된 환상의 견부에 대항하여 접촉하고, 베어링 부재(18,20)의 사이에는 환상 스페이서 부재(22)가 배치되며, 척테이블 지지 블록(14)의 상부 표면에 고정된 환상 지지판(23)의 하부 표면에 내측 원주 가장자리 부분은 베어링 부재(20)의 상부 표면에 대하여 접촉하여, 이에 의해 베어링 부재(18,20)가 요구되는 위치에 지지된다. 회전축(24)의 하부 부분은 베어링 부재(18,20)내에 삽입되고, 이에 의해 회전축(24)이 척테이블 지지 블록(14)상에 회전 가능하게 설치된다.Referring to FIG. 2 together with FIG. 1, the structure of the chuck table 6 and the support table 4 fixed to the support table 4 will be described in detail. In the surface grinding apparatus shown, a fixed main support shaft (not shown) is arranged which extends substantially vertically along the central axis 2 of the support table 4 and the support table 4 is on the upper end of the known support axis. It is rotatably mounted on. A table rotating means 10, such as an electric motor, is operably connected to the support table 4 via a suitable transmission member (not shown), and the support table 4 is a table rotating means (described in more detail below). 10) rotates intermittently or continuously in the direction indicated by the arrow 12 in FIG. The four chuck table support blocks 14 (only one of them shown in FIG. 2) are fixed to the circumferential edge portion of the horizontal upper plane of the support table 4 at positions evenly spaced in the circumferential direction, and the chuck table ( 6) is rotatably mounted on each of these chuck table support blocks 14. In particular, the upwardly open circular bore 16 is formed in the chuck table support block 14, which may be almost cylindrical, and the bearing members 18, 20 are arranged in the bore 16. The lower surface of the bearing member 18 abuts against an annular shoulder formed in the hole 16, and an annular spacer member 22 is disposed between the bearing members 18, 20, and the chuck table support block 14. The inner circumferential edge portion of the lower surface of the annular support plate 23 fixed to the upper surface of the contact with the upper surface of the bearing member 20, whereby the bearing members 18, 20 are supported at the required position. . The lower part of the rotary shaft 24 is inserted into the bearing members 18 and 20, whereby the rotary shaft 24 is rotatably mounted on the chuck table support block 14.

척테이블(6)은 척테이블 지지 블록(14)을 지나서 상향으로 돌출된 회전축(24)의 상부 단부에 고정된다. 도시된 척테이블(6)은 디스크형 주요부분(26), 주요부분(26)의 하부 표면상에 형성된 원형 돌출부(28) 및 원형 돌출부(28)의 중심으로부터 하향으로 연장된 연결 스크류 부분(30)를 가진다. 반면에, 척테이블(6)의 원형 돌출부(28)를 수용하기 위한 원형홈(32)과 원형홈(32)의 중앙에 뚫린 스크류 호올(33)은 회전축(24)의 상부 표면에 형성되어 있다. 척테이블(6)의 연결용 스크류 부분(30)은 회전축(24)의 스크류 호올(33)에 나사 결합되고, 이에 의해 척테이블(6)이 회전축(24)의 상부 단부에 고정된다. 척테이블(6)이 요구되는 바와 같이 회전축(24)에 고정된 상태에 있어서는, 척테이블(6)의 원형 돌출부(28)의 하부 표면과 회전축(24)의 원형홈(32)의 바닥 표면과의 사이에 작은 간극이 존재하며, 이들 사이에 폐쇄된 공간(34)이 형성된다. 회전축(24)에는 원형홈(32)의 바닥 표면으로 개방된 회전축(24)의 상부 단부로부터 회전축(24)의 하부 표면으로 개방된 회전축(24)의 하부 단부까지 축방향으로 연장하는 통로(36)가 형성된다. 척테이블 지지 블록(14)내에 형성된 구멍(16)의 바닥 표면의 중앙 부분에는 중공의 매니폴드(38)가 고정되고 통로(36)의 하부 단부는 이 매니폴드(38)가 연통되도록 되어 있다.The chuck table 6 is fixed to the upper end of the rotating shaft 24 protruding upward beyond the chuck table support block 14. The illustrated chuck table 6 has a disc-shaped main part 26, a circular protrusion 28 formed on the lower surface of the main part 26 and a connecting screw portion 30 extending downward from the center of the circular protrusion 28. ) On the other hand, the circular groove 32 for accommodating the circular projection 28 of the chuck table 6 and the screw hole 33 drilled in the center of the circular groove 32 are formed on the upper surface of the rotating shaft 24. . The connecting screw part 30 of the chuck table 6 is screwed into the screw hole 33 of the rotary shaft 24, whereby the chuck table 6 is fixed to the upper end of the rotary shaft 24. In the state where the chuck table 6 is fixed to the rotary shaft 24 as required, the lower surface of the circular projection 28 of the chuck table 6 and the bottom surface of the circular groove 32 of the rotary shaft 24 There is a small gap between and the closed space 34 is formed between them. The rotary shaft 24 has an passage 36 extending axially from the upper end of the rotary shaft 24 open to the bottom surface of the circular groove 32 to the lower end of the rotary shaft 24 open to the lower surface of the rotary shaft 24. ) Is formed. A hollow manifold 38 is fixed to the central portion of the bottom surface of the hole 16 formed in the chuck table support block 14, and the lower end of the passage 36 allows the manifold 38 to communicate.

척테이블 지지 블록(14)의 하부 단부에는 매니폴드(38)와 연통되도록 된 내측 단부로부터 척테이블 지지 블록(14)의 외측 원주 표면으로 개방된 외부 단부까지 방사 방향으로 연장된 통로(40)가 형성된다. 통로(40)의 외부 단부는 적합한 스위치 밸브(42)를 가지는 도관(44)을 통해 진공원(46)에 물과 같은 액체의 공급원(48)에 연결된다. 한편, 척테이블(6)의 원형 돌출부(28)와 주요부분(26)에는 원형 돌출부(28)의 하부 표면으로부터 주요부분(26)의 상부 표면까지 연장된 복수개의 구멍(도시되지 않음)이 형성되어 있다. 반도체 웨이퍼와 같은 반도체 웨이퍼가 반도체 웨이퍼 언로딩 및 로딩 위치 A에서 척테이블(6)의 상부 표면상에 배치될때, 스위칭 밸브(42)는 통로(40)를 진공원(46)에 연결시키도록 작동된다. 다음에, 공기가 척테이블(6)내에 형성된 복수개의 구멍(도시되지 않음), 공간(34), 통로(36), 매니폴드(38), 통로(40) 및 도관(44)을 통해 흡인되고 이러한 흡인에 의해 척테이블(6)상에 반도체 웨이퍼를 지지한다. 반도체 웨이퍼 언로딩 및 로딩 위치 A에서 척테이블(6)로부터 제거될때, 스위칭 밸브(42)는 통로(40)를 공급원(48)에 연결시키도록 작동된다. 다음에, 물과 같은 액체가 도관(44), 통로(40), 매니폴드(38), 통로(36), 공간(34) 및 척테이블(6)내에 형성된 복수개의 구멍(도시되지 않음)을 통해 척테이블(6)의 상부 표면으로 공급되고, 다음에 흡인에 의해 척테이블(6)에 지지되어 있던 반도체 웨이퍼가 부상하게 된다.At the lower end of the chuck table support block 14 there is a passage 40 extending radially from the inner end in communication with the manifold 38 to the outer end open to the outer circumferential surface of the chuck table support block 14. Is formed. The outer end of the passage 40 is connected to a source 48 of liquid, such as water, to the vacuum source 46 via a conduit 44 having a suitable switch valve 42. On the other hand, the circular protrusion 28 and the main portion 26 of the chuck table 6 are formed with a plurality of holes (not shown) extending from the lower surface of the circular protrusion 28 to the upper surface of the main portion 26. It is. When a semiconductor wafer, such as a semiconductor wafer, is placed on the upper surface of the chuck table 6 at the semiconductor wafer unloading and loading position A, the switching valve 42 operates to connect the passage 40 to the vacuum source 46. do. Air is then aspirated through a plurality of holes (not shown), space 34, passage 36, manifold 38, passage 40 and conduit 44 formed in chuck table 6. By this suction, the semiconductor wafer is supported on the chuck table 6. When removed from the chuck table 6 at the semiconductor wafer unloading and loading position A, the switching valve 42 is operated to connect the passage 40 to the source 48. Next, a liquid, such as water, forms a plurality of holes (not shown) formed in the conduit 44, the passage 40, the manifold 38, the passage 36, the space 34 and the chuck table 6. The semiconductor wafer that is supplied to the upper surface of the chuck table 6 through the chuck table 6 is then floated by suction.

도시된 표면 연삭 장치에 있어서, 복수개의 척테이블(6)을 회전시키기 위한 척테이블 회전 수단이 또한 제공되어 있다. 제2도를 참조하면, 거의 디스크형 중앙 지지 블록(50)이 지지 테이블(4)의 실제로 수평한 상부 표면의 중앙 부분에 고정되어 있다. 이 중앙 지지 블록(50)의 원주 가장자리 부분에는 상향으로 연장된 연통형 수직벽(52)이 일체로 형성되고, 이 수직벽(52)상에 디스크형 지지판(54)이 고정된다. 중앙 지지 블록(50)의 상부 표면의 중앙 부분에는 원형홈(56)이 형성되고 지지판(54)의 중앙 부분에는 수직 방향으로 연장하는 원형 관통구멍(58)이 형성된다. 베어링 부재(60,62)는 홈(56) 및 구멍(58)내에 각각 배치되고, 홈(56)으로부터 실제로 수직 상방으로 연장된 중앙 회전축(64)은 이들 베어링 부재(60,62)에 의해 회전 가능하게 지지된다.In the surface grinding apparatus shown, chuck table rotating means for rotating the plurality of chuck tables 6 are also provided. Referring to FIG. 2, a substantially disc shaped central support block 50 is fixed to the central portion of the substantially horizontal top surface of the support table 4. An upwardly extending communicating vertical wall 52 is integrally formed at the circumferential edge portion of the central support block 50, and the disk-shaped support plate 54 is fixed on the vertical wall 52. A circular groove 56 is formed in the central portion of the upper surface of the central support block 50, and a circular through hole 58 extending in the vertical direction is formed in the central portion of the support plate 54. The bearing members 60, 62 are disposed in the grooves 56 and the holes 58, respectively, and the central axis of rotation 64 extending substantially vertically upward from the grooves 56 is rotated by these bearing members 60, 62. Possibly supported.

중앙 지지 블록(50)의 상부 표면에는 척테이블(6)의 각진 위치에 대응하게 위치된 4개의 원형홈(66)이 각각 형성되고, 지지판(54)에는 이들 4개의 홈(66)에 각각 대응되게 배치된 4개의 원형구멍(68)이 형성된다. (하나의 홈(66)과 하나의 구멍(68)만이 제2도에 도시되어 있음) 베어링 부재(70,72)는 홈(66)과 구멍(68)내에 각각 배치되고, 홈(66)으로부터 실제로 수직 상향으로 연장된 회전축(74)은 이들 베어링 부재(70,72)에 의해 회전 가능하게 지지된다. 지지판(54)을 지나 상향으로 연장된 상기한 중앙 회전축(64)의 상부 단부는 적합한 전달 부재(도시되지 않음)를 통해 전기 모터와 같은 회전원(76)에 구동가능하게 연결된다. 회전원(76)은 적합한 지지 프레임(도시되지 않음)을 통해 지지 테이블(4)상에 설치되거나 또는 지지 테이블(4)로부터 독립된 적합한 위치에 설치될 수 있다. 기어(78)는 중앙 지지 블록(50)과 지지판(54)과의 사이의 중간 위치에서 중앙 회전축(64)에 고정된다. 한편, 기어(80)는 중앙 지지 블록(50)과 지지판(54)과의 사이의 중간 위치에서 회전축(74)에 각각 고정되고, 이들 기어(80)의 각각은 기어(78)와 맞물리게 된다. 이빨이 형성된 풀리(82)는 지지판(54)을 지나서 상향으로 돌출된 회전축(74)의 상부 단부에서 회전축(74)에 각각 고정된다.Four circular grooves 66 are formed on the upper surface of the central support block 50 and correspond to the angular positions of the chuck table 6, and the support plate 54 corresponds to these four grooves 66, respectively. Four circular holes 68 are formed. (Only one groove 66 and one hole 68 are shown in FIG. 2) The bearing members 70, 72 are disposed in the groove 66 and the hole 68, respectively, and from the groove 66 In fact, the axis of rotation 74 extending vertically upwards is rotatably supported by these bearing members 70, 72. The upper end of the central axis of rotation 64 extending upward beyond the support plate 54 is operably connected to a rotating source 76 such as an electric motor via a suitable transmission member (not shown). The rotating source 76 may be mounted on the support table 4 via a suitable support frame (not shown) or in a suitable position independent of the support table 4. The gear 78 is fixed to the central rotation shaft 64 at an intermediate position between the central support block 50 and the support plate 54. On the other hand, the gears 80 are respectively fixed to the rotation shaft 74 at an intermediate position between the central support block 50 and the support plate 54, and each of these gears 80 meshes with the gear 78. Teeth-formed pulleys 82 are respectively fixed to the rotation shaft 74 at the upper end of the rotation shaft 74 protruding upward beyond the support plate 54.

또한, 이빨이 형성된 풀리(84)도 척테이블(6)이 고정된 회전축(24)에 각각 고정되고, 이빨이 형성된 무한 벨트(86)는 이와 대응하게 이빨이 형성된 풀리(82,84)의 주위에 각각 감겨진다. 결과적으로, 이해할 수 있는 바와 같이, 통상의 회전원(76)이 중앙 회전축(64)을, 예를 들면 제1도에서 화살표(88)로 표시된 방향으로 회전시키기 위해 여기화 되면 복수개의 척테이블(6)의 각각의 통상의 구동 연결 수단(즉, 기어(78))과, 복수개의 척테이블(6)의 각각에 대하여 제공된 구동 연결 수단(즉, 기어(80), 이빨이 형성된 풀리(82), 이빨이 형성된 벨트(86) 및 이빨이 형성된 풀리(84)을 통해 제1도에서 화살표(90)로 표시된 방향으로 회전하게 된다.In addition, the toothed pulley 84 is also fixed to the rotary shaft 24 on which the chuck table 6 is fixed, and the endless belt 86 on which the teeth are formed corresponds to the periphery of the toothed pulleys 82 and 84. Are wound on each. As a result, as can be appreciated, a conventional rotary source 76 is excited to rotate the central axis of rotation 64, for example, in the direction indicated by the arrow 88 in FIG. Each conventional drive connection means (i.e. gear 78) of 6) and drive connection means (i.e. gear 80, toothed pulley 82) provided for each of the plurality of chuck tables 6 The toothed belt 86 and the toothed pulley 84 rotate in the direction indicated by the arrow 90 in FIG.

도시된 양호한 실시예에 있어서, 보호덮개(92,94,96)는 또한 적합한 지지 수단(도시되지 않음)에 의해 지지 테이블(4)상에 배치된다. 이들 보호덮개(92,94,96)는 하기에 기술될 척테이블(6)상에 지지된 반도체 웨이퍼를 연삭 휘일(8)로 연삭할때 사용된 물과 같은 냉각 액체 또는 생성된 연삭칩이 전술한 다양한 회전 지지 구성 부품들 및 지지 테이블(4)상에 배치된 구동 연결 부재에 유입되는 것을 방지해준다.In the preferred embodiment shown, the shrouds 92, 94 and 96 are also arranged on the support table 4 by suitable support means (not shown). These protective covers 92, 94 and 96 are formed by a cooling liquid such as water used when grinding a semiconductor wafer supported on the chuck table 6 with the grinding wheel 8, which will be described later. It is prevented from entering the various rotating support components and the drive connecting member disposed on the support table 4.

제1도에서 문자 B, C 및 D로 표시된 각각의 연삭 위치에 있어서, 연삭 휘일 조립체는 지지 테이블(4)에 인접하게 배치된다.(연삭 휘일 조립체에서 연삭 휘일(8)만이 도면을 명료하게 하기 위해 제1도에서 2점쇄선으로 간략하게 도시되어 있다) 연삭 위치 B, C 및 D에 배치된 연삭 휘일 조립체의 구조는 실제로 동일하며, 하나의 연삭 휘일 조립체만이 제2도에 도시되어 있다. 제2도를 참조하면, 참조 번호(98)로 전반적으로 표시된 연삭 휘일 조립체(98)는 지지 테이블(4)의 외주 가장자리에 인접하게 배치된 고정 지지 베이스 스탠드(100)를 가진다. 수평 이동 블럭(102)은 제2도에서 좌측 및 우측 방향으로 실질적으로 수평으로 이동하기 적합한 지지 수단(도시되지 않음)에 의해 베이스 스탠드(100)상에 장착된다. 편리하게는, 수평 이동 블록(102)의 이동 방향은 지지 테이블(4)의 반경 방향과 실제로 일치한다. 전기 모터와 같은 구동원을 포함하는 제1휘일 이동 수단(104)은 베이스 스탠드(100)와 수평 이동 블럭(102)사이에 존재하며, 수평 이동 블럭(102)은 상기 제1휘일 이동 수단(104)에 의해 이동된다. 수직 이동 블럭(106)은 상하 방향으로 실제로 수직하게 이동하기 적합한 지지 수단(도시되지 않음)에 의해 수평 이동 블럭(102)상에 장착된다.At each grinding position indicated by the letters B, C and D in FIG. 1, the grinding wheel assembly is arranged adjacent to the support table 4. (Only in the grinding wheel assembly the grinding wheel 8 is to clarify the drawing. The structure of the grinding wheel assembly disposed at the grinding positions B, C and D is actually the same, and only one grinding wheel assembly is shown in FIG. Referring to FIG. 2, the grinding wheel assembly 98, indicated generally by the reference numeral 98, has a fixed support base stand 100 disposed adjacent the outer circumferential edge of the support table 4. The horizontal moving block 102 is mounted on the base stand 100 by supporting means (not shown) suitable for moving substantially horizontally in the left and right directions in FIG. 2. Conveniently, the moving direction of the horizontal moving block 102 actually coincides with the radial direction of the support table 4. A first wheel moving means 104 comprising a drive source such as an electric motor is present between the base stand 100 and the horizontal moving block 102, the horizontal moving block 102 being the first wheel moving means 104. Is moved by. The vertical moving block 106 is mounted on the horizontal moving block 102 by supporting means (not shown) suitable for moving substantially vertically in the vertical direction.

전기 모터와 같은 구동원을 포함하는 제2휘일 이동 수단(108)은 수평 이동 블럭(102)과 수직 이동 블럭(106)사이에 존재하며, 수직 이동 블럭(106)은 상기 제2휘일 이동 수단(108)에 의해 수직 방향으로 이동된다. 회전축(110)은 수직 이동 블럭(106)상에 회전 가능하게 설치된다. 편리하게는 소위 컵형 연삭 휘일 조립체인 연삭 휘일 조립체(112)는 수직 이동 블럭(106)으로부터 하향으로 돌출된 회전축(110)의 하부 단부에 고정된다. 도시된 연삭 휘일 조립체(112)는 회전축(110)의 하부 단부에 고정된 뒤집혀진 컵형 지지 부재(114)와 지지 부재(114)의 환상 개방 단부에 고정된 연삭 휘일(8)로 구성된다. 연삭 휘일(8)은 전체적으로 환상 형태로 하는 것이 양호하지만, 도시된 바와 같이 환상으로 연속하여 연장하는 것이 제한되지는 않으며, 복수개의 아아크형 피스를 원주 방향으로 이격된 위치에서 지지 부재(114)의 환상 개방 단부에 고정시킴으로써 전체적으로 환상으로 만들어진 연삭 휘일(8)도 또한 편리하게 사용될 수 있다. 회전축(110)은 수직 이동 블록(106)상에 설치된 전기 모터와 같은 휘일 회전 수단(116)에 구동 가능하게 연결되며, 회전축(110)과 그곳에 고정된 연삭 휘일 조립체(112)는 상기 휘일 회전 수단(116)에 의해 회전축(110)의 중앙 축선(118)을 중심으로 회전된다. 중앙축선(118)은 실질적으로 수직으로 연장된다. 원한다면, 중앙축선(118)은 소정의 방향으로 예를 들면, 중앙축선(118)이 제2도에서 아래로 향할때 적은 각도(예를 들면, 0.004°내지 0.01°)에 의해 오른쪽 방향으로 경사질 수 있다.A second wheel moving means 108 comprising a drive source such as an electric motor is present between the horizontal moving block 102 and the vertical moving block 106, the vertical moving block 106 being the second wheel moving means 108. In the vertical direction. The rotating shaft 110 is rotatably installed on the vertical moving block 106. The grinding wheel assembly 112, which is conveniently a so-called cup grinding wheel assembly, is fixed to the lower end of the rotating shaft 110 protruding downward from the vertical movement block 106. The illustrated grinding wheel assembly 112 consists of an inverted cup-shaped support member 114 fixed to the lower end of the rotation shaft 110 and a grinding wheel 8 fixed to the annular open end of the support member 114. The grinding wheel 8 is preferably in an annular shape as a whole, but is not limited to continuously extending in an annular shape as shown in the drawing, and the plurality of arc-shaped pieces may be arranged at circumferentially spaced positions of the support member 114. A grinding wheel 8 made entirely annular by fixing to an annular open end can also be conveniently used. The rotating shaft 110 is operably connected to a wheel rotating means 116 such as an electric motor installed on the vertical moving block 106, and the rotating shaft 110 and the grinding wheel assembly 112 fixed thereto are mounted to the wheel rotating means. 116 is rotated about the central axis 118 of the rotation shaft 110. The central axis 118 extends substantially vertically. If desired, the central axis 118 is inclined in the desired direction by a small angle (eg, 0.004 ° to 0.01 °) when the center axis 118 is directed downward in FIG. 2. Can be.

편리하게는, 연삭 휘일(8)자체는 천연 또는 합성 다이아몬드 입자 또는 입방정 질화붕소 입자와 같은 우수한 연마제 입자를 적합한 방법에 의해 결합시킴으로써 형성된 것이다. 양호하게는, 거친 연삭 위치 B에서 사용된 연마 휘일(8)의 입도는 비교적 크고, 중간 연삭 위치 C에서 사용된 연삭 휘일(8) 입도는 중간이고, 마무리 연삭 위치 D에서 사용된 연삭 휘일(8)의 입도는 비교적 작다.Conveniently, the grinding wheels 8 themselves are formed by combining, by suitable methods, good abrasive particles such as natural or synthetic diamond particles or cubic boron nitride particles. Preferably, the particle size of the abrasive wheel 8 used at the rough grinding position B is relatively large, and the particle size of the grinding wheel 8 used at the intermediate grinding position C is medium, and the grinding wheel 8 used at the finish grinding position D ) Particle size is relatively small.

다음에, 전술한 표면 연삭 장치에 의한 반도체 웨이퍼의 표면 연삭 방법을 설명하기로 한다.Next, the surface grinding method of the semiconductor wafer by the above-mentioned surface grinding apparatus is demonstrated.

제1표면 연삭 방법에 있어서, 지지 테이블(4)은, 제1도에 도시된 각진 위치로부터 화살표(12)로 표시된 방향으로 90°씩 간헐적으로 회전된다. 따라서, 지지 테이블(4)상에 설치된 4개의 척테이블(6)의 각각은 반도체 웨이퍼 인로딩 및 로딩 위치 A, 거친 연삭 위치 B, 중간 연삭 위치 C 및 마무리 연삭 위치 D로 순차적으로 배치된다. 척테이블(6)이 반도체 웨이퍼 언로딩 및 로딩 위치 A에 배치되어 있는 동안, 척테이블(6)의 표면위에서 연삭된 반도체 웨이퍼(W)는 전술한 바와 같이 적합한 언로딩 수단(도시되지 않음)에 의해, 척테이블(6)로부터 제거된다. 그다음, 척테이블(6)의 표면위에서 연삭될 새로운 반도체 웨이퍼(W)가 제1도 및 제2도에서 2점 쇄선으로 도시된 바와 같이 적합한 로딩 수단(도시되지 않음)에 의해 척테이블(6)상에 배치되고, 앞에서 기술한 바와 같이 흡인에 의해 척테이블(6)상에 지지된다. 반도체 웨이퍼(W)의 이들 언로딩 및 로딩시에, 척테이블(6) 자체의 회전을 저지시키는 것이 필요하며, 따라서, 척테이블(6)의 회전은 지지 테이블(4)이 90°회전되고 특별한 각진 위치에서 정지된후 예정된 시간동안 시작되지 않으며, 이 시기중에 반도체 웨이퍼(W)의 언로딩 및 로딩이 반도체 웨이퍼 언로딩 및 로딩 위치 A에서 수행된다. 이어서, 척테이블(6)은 연삭 위치 B, C 및 D에서의 연삭을 위해 회전을 시작한다.In the first surface grinding method, the support table 4 is intermittently rotated by 90 ° from the angled position shown in FIG. 1 in the direction indicated by the arrow 12. Therefore, each of the four chuck tables 6 provided on the support table 4 is sequentially disposed at the semiconductor wafer inloading and loading positions A, the rough grinding positions B, the intermediate grinding positions C, and the finish grinding positions D. FIG. While the chuck table 6 is disposed at the semiconductor wafer unloading and loading positions A, the semiconductor wafer W ground on the surface of the chuck table 6 is transferred to a suitable unloading means (not shown) as described above. It removes from the chuck table 6 by this. Then, the new semiconductor wafer W to be ground on the surface of the chuck table 6 is chucked on the chuck table 6 by means of suitable loading means (not shown) as shown by the dashed-dotted lines in FIGS. 1 and 2. And is supported on the chuck table 6 by suction as described above. In these unloading and loading of the semiconductor wafer W, it is necessary to prevent the rotation of the chuck table 6 itself, so that the rotation of the chuck table 6 causes the support table 4 to be rotated 90 ° and a special It does not start for a predetermined time after stopping at the angular position, during which the unloading and loading of the semiconductor wafer W is performed at the semiconductor wafer unloading and loading position A. The chuck table 6 then starts to rotate for grinding at the grinding positions B, C and D.

연삭 위치 B, C 및 D의 각각의 위치에서의 연삭은 다음의 절차에 의해 수행될 수 있다. 주로 제1도를 참조하면, 지지 테이블(4)의 회전이 특별한 각진 위치에서 지지 테이블(4)를 정지시키기 위해 정지되면, 연삭 휘일(8)은 연삭 위치 B, C 및 D의 각각의 위치에서 척테이블(6)상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)위에 배치된다. 제1도 및 제2도에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)에 대한 연삭 휘일(8)의 상대 위치는 양호하게는 연삭 휘일(8)의 연삭 가장자리가 거의 디스크형 반도체 웨이퍼(W)의 표면의 실질적인 중앙을 통과하게 되는 위치이다.(일반적으로, 반도체 웨이퍼(W)는 방위 평면으로 불리우는 수직선 원둘레를 제외하고는 실질적으로 원형이다).Grinding at each position of the grinding positions B, C and D can be performed by the following procedure. Referring mainly to FIG. 1, when the rotation of the support table 4 is stopped to stop the support table 4 at a particular angular position, the grinding wheel 8 is at each position of the grinding positions B, C and D. It is disposed on the semiconductor wafer W supported on the chuck table 6. As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the relative position of the grinding wheel 8 with respect to the semiconductor wafer W is preferably that the grinding edge of the grinding wheel 8 is almost the disk-shaped semiconductor wafer W. As shown in FIG. It is the position that will pass through substantially the center of the surface (generally, the semiconductor wafer W is substantially circular except for the vertical circumference called the azimuth plane).

이 요구를 충족시키기 위해, 제1도 및 제2도에서, 연삭 휘일(8)의 중앙 축선(118)(제2도)은 반도체 웨이퍼(W)의(제1도에서 지면에 수직으로 연장되고 제2도에서는 상하 방향으로 연장된) 중앙축선에 관하여 지지 테이블(4)의 방사상 방향에서 외향에서 이동되어 있다. 그러나, 필요하다면, 다른 방향으로, 예를 들면 제3도에 도시된 바와 같이 지지 테이블(4)의 원주 방향으로 이동될 수도 있다. 반도체 웨이퍼(W)의 표면을 연삭하기 위해, 척테이블(6) 및 그 위에 지지된 반도체 웨이퍼(W)는 척테이블 회전 수단(76)(제2도)에 의해 화살표(90)로 표시된 방향으로(또는 그의 역방향으로), 예를들면 1 내지 100r.p.m.으로 회전된다. 동시에, 연삭 휘일(8)은 휘일 회전 수단(116)(제2도)에 의해 예를 들면, 500 내지 5000r.p.m.의 비교적 높은 속도로 화살표(120)로 표시된 방향으로(또는 그의 역방향으로) 회전된다. 또한, 수직 이동 블럭(106)은 연삭 휘일(8)을 반도체 웨이퍼(W)를 향해 하강시키기 위해 제2휘일 이동 수단(108)(제2도)에 의해 예를 들면, 0.001 내지 1.0mm/min의 비교적 낮은 속도로 하강된다. 결과적으로 회전하는 연삭 휘일(8)은 회전하는 반도체 웨이퍼(W)상에서 작동하며, 그럼으로써 반도체 웨이퍼(W))의 표면은 점진적으로 증대된 연삭깊이로 연삭된다. 반도체 웨이퍼(W)의 표면의 연삭 깊이는 연삭 휘일(8)의 하강된 양에 의해 결정된다. 이와 같은 표면 연삭 방법에 있어서, 연삭 휘일(8)의 연삭 가장자리와 반도체 웨이퍼(W)의 표면의 실질적인 중심과의 사이에 작은 편차가 존재한다면, 쉽게 이해할 수 있는 바와 같이, 작은 비연삭 돌출부가 반도체 웨이퍼(W)의 표면의 중앙 영역에 남게 된다. 이 경우에, 연삭 휘일(8)이 예정된 양만큼 하강된 후, 수평 이동 블록(102)은 연삭 휘일(8)을 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 대해 어느 정도까지 왕복 운동시키기 위해 어느 정도까지 왕복 운동을 행하게 되며, 그럼으로써 비연삭 돌출부가 연삭되어 없어지게 된다. 반도체 웨이퍼(W)의 표면이 원하는 대로 연삭되면, 연삭 휘일(8)은 상승되고, 연삭 휘일(8)의 회전과 척테이블(6) 및 그위에 지지된 반도체 웨이퍼(W)의 회전이 정지된다. 그후에, 지지 테이블(4)이 90°회전된다.To meet this demand, in FIGS. 1 and 2, the central axis 118 (FIG. 2) of the grinding wheel 8 extends perpendicular to the ground (in FIG. 1) of the semiconductor wafer W and In FIG. 2 it is moved outwardly in the radial direction of the support table 4 with respect to the central axis extending in the vertical direction. However, if necessary, it may be moved in another direction, for example in the circumferential direction of the support table 4 as shown in FIG. In order to grind the surface of the semiconductor wafer W, the chuck table 6 and the semiconductor wafer W supported thereon are moved in the direction indicated by the arrow 90 by the chuck table rotating means 76 (FIG. 2). (Or vice versa), for example, from 1 to 100 r.pm. At the same time, the grinding wheel 8 is rotated by the wheel rotation means 116 (FIG. 2) in the direction indicated by the arrow 120 (or vice versa) at a relatively high speed, for example, from 500 to 5000 r.pm. do. Further, the vertical movement block 106 is, for example, 0.001 to 1.0 mm / min by the second wheel movement means 108 (FIG. 2) to lower the grinding wheel 8 toward the semiconductor wafer W. FIG. Descent at a relatively low rate. As a result, the rotating grinding wheel 8 operates on the rotating semiconductor wafer W, whereby the surface of the semiconductor wafer W is ground to a gradually increased grinding depth. The grinding depth of the surface of the semiconductor wafer W is determined by the lowered amount of the grinding wheel 8. In such a surface grinding method, if there is a small deviation between the grinding edge of the grinding wheel 8 and the substantial center of the surface of the semiconductor wafer W, as can be readily understood, the small non-grinding protrusions are semiconductor. It remains in the center region of the surface of the wafer W. In this case, after the grinding wheel 8 is lowered by a predetermined amount, the horizontal moving block 102 reciprocates to some extent to reciprocate the grinding wheel 8 to some extent with respect to the surface of the semiconductor wafer W. Movement, whereby the non-grinding protrusions are ground and removed. When the surface of the semiconductor wafer W is ground as desired, the grinding wheel 8 is raised to stop the rotation of the grinding wheel 8 and the rotation of the chuck table 6 and the semiconductor wafer W supported thereon. . Thereafter, the support table 4 is rotated 90 degrees.

전술된 제1표면 연삭 방법 대신에, 다음의 제2표면 연삭 방법이 수행될 수 있다. 이 제2표면 연삭 방법에 있어서는, 연삭의 초기에, 연삭 휘일(8)이 제4도에서 2점쇄선(8A)에 의해 표시된 바와 같이, 척테이블(6)상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)의 바깥쪽에 배치된다. 연삭 휘일(8)의 수직 위치는 요구된 연삭 깊이로 설정되고, 즉, 연삭 휘일(8)의 하부 단부가 요구된 연삭 깊이에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 표면보다 아래에 있도록 설정된다. 제1표면 연삭 방법과 유사한 방식으로서, 척테이블(6)과 그 위에 지지된 반도체 웨이퍼(W)는 화살표(90)로 표시된 방향으로(또는 그의 역방향으로) 비교적 높은 속도로 회전되며, 연삭 휘일(8)은 화살표(120)로 표시된 방향으로(또는 그의 역방향으로) 비교적 높은 속도로 회전된다. 더욱이, 수평 이동 블록(102)은 제1휘일 이동 수단(104)에 의해 예를 들면, 100 내지 500mm/min의 비교적 낮은 속도로 제4도에서 왼쪽 방향으로 이동되며, 이에 의해 연삭 휘일(8)을 제4도에서 2점쇄선(8A)으로 표시된 위치로부터 1점쇄선(8B)으로 표시된 위치까지 화살표(122)의 방향으로 이동시킨다. 제4도에서 2점쇄선(8B)으로 표시된 연삭 휘일(8)의 위치는 제1도에서 2점쇄선으로 표시된 연삭 휘일(8)의 위치와 같다. 결과적으로, 회전하는 연삭 휘일(8)은 반도체 웨이퍼(W)의 표면을 연삭하기 위해 화살표(122)의 방향에서의 이동에 따라 그외 외주 가장자리로부터 그의 중심을 향하여 반도체 웨이퍼(W)위에서 연속적으로 작용한다. 반도체 웨이퍼(W)의 표면의 연삭 깊이는 연삭 휘일(8)의 초기에 설정된 연삭 깊이에 의해 제한된다.Instead of the first surface grinding method described above, the following second surface grinding method may be performed. In this second surface grinding method, at the beginning of grinding, the grinding wheel 8 is supported on the chuck table 6 as indicated by the dashed-dotted line 8A in FIG. 4. Is placed outside of the. The vertical position of the grinding wheel 8 is set to the required grinding depth, that is, the lower end of the grinding wheel 8 is set below the surface of the semiconductor wafer W by the required grinding depth. In a manner similar to the first surface grinding method, the chuck table 6 and the semiconductor wafers W supported thereon are rotated at a relatively high speed in the direction indicated by the arrow 90 (or vice versa), and the grinding wheel ( 8 is rotated at a relatively high speed in the direction indicated by arrow 120 (or vice versa). Moreover, the horizontal moving block 102 is moved by the first wheel moving means 104 to the left in FIG. 4 at a relatively low speed of, for example, 100 to 500 mm / min, whereby the grinding wheel 8 Is moved in the direction of the arrow 122 from the position indicated by the dashed-dotted line 8A in FIG. 4 to the position indicated by the dashed-dotted line 8B. The position of the grinding wheel 8 indicated by the dashed-dotted line 8B in FIG. 4 is the same as the position of the grinding wheel 8 indicated by the dashed-dotted line in FIG. As a result, the rotating grinding wheel 8 acts continuously on the semiconductor wafer W from its outer peripheral edge towards its center in accordance with the movement in the direction of the arrow 122 for grinding the surface of the semiconductor wafer W. do. The grinding depth of the surface of the semiconductor wafer W is limited by the grinding depth set at the beginning of the grinding wheel 8.

상술한 제1 및 제2표면 연삭 방법 대신에, 다음의 제3표면 연삭 방법이 수행될 수 있다. 주로 제1도를 참조하면, 제1 및 제2표면 연삭 방법에서는 지지 테이블(4)이 연삭중 특별한 각진 위치에서 정지되는 반면, 제3표면 연삭 방법에 있어서 지지 테이블(4)은 척테이블(6)상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)를 화살표(12) 방향으로 연속적으로 이동시키고, 연삭 휘일(8)의 아래의 통로를 적어도 연삭 위치 B, C 및 D내에 허용하기 위해 화살표(12)의 방향에서 척테이블(6)상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)의 이동 속도인 예를 들면, 100 내지 500mm/min의 비교적 낮은 속도로 화살표(12)의 방향으로 연속 회전된다. 한편, 연삭 휘일(8)은 요구된 연삭 깊이로 설정되고, 즉 연삭 휘일(8)의 하부 단부가 제3도에서 2점쇄선으로 표시된 위치에서(또는 제1도에서 2점쇄선으로 표시된 위치에서 또는 방사 방향의 위치보다 약간 내측의 위치에서), 요구된 연삭 깊이에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 표면 아래에 있도록 설정된다. 제1 및 제2표면 연삭 방법과 유사하게, 척테이블(6)상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)는 비교적 높은 속도로 화살표(90)의 방향으로(또는 그의 역방향으로) 회전되며, 연삭 휘일(8)은 화살표(120)의 방향으로(또는 그의 역방향에서) 비교적 높은 속도로 회전된다. 결과적으로, 척테이블상에 지지된 반도체 웨이퍼(W)가 지지 테이블(4)의 연속 회전에 의해 연삭 휘일(8)의 바로 아래와 통과를 허용하면, 회전하는 연삭 휘일(8)이 작동하여 회전하는 반도체 웨이퍼(W)의 표면을 연삭한다. 반도체 웨이퍼(W)의 표면의 연삭 깊이는 연삭 휘일(8)의 초기에 설정된 연삭 깊이에 의해 한정된다.Instead of the above described first and second surface grinding methods, the following third surface grinding method can be performed. Referring mainly to FIG. 1, in the first and second surface grinding methods, the support table 4 is stopped at a special angular position during grinding, while in the third surface grinding method the support table 4 is a chuck table 6 Direction of the arrow 12 in order to continuously move the semiconductor wafer W supported on the cross section in the direction of the arrow 12 and to allow the passage below the grinding wheel 8 to be at least in the grinding positions B, C and D. Is continuously rotated in the direction of the arrow 12 at a relatively low speed of, for example, 100 to 500 mm / min, which is the moving speed of the semiconductor wafer W supported on the chuck table 6. On the other hand, the grinding wheel 8 is set to the required grinding depth, that is, at the position where the lower end of the grinding wheel 8 is indicated by the dashed-dotted line in FIG. 3 (or at the position indicated by the dashed-dotted line in FIG. 1). Or at a position slightly inward of the radial position), so as to be below the surface of the semiconductor wafer W by the required grinding depth. Similar to the first and second surface grinding methods, the semiconductor wafer W supported on the chuck table 6 is rotated in the direction of the arrow 90 (or vice versa) at a relatively high speed, and the grinding wheel ( 8 is rotated at a relatively high speed in the direction of arrow 120 (or in its reverse direction). As a result, when the semiconductor wafer W supported on the chuck table permits the passage immediately below the grinding wheel 8 by the continuous rotation of the support table 4, the rotating grinding wheel 8 operates and rotates. The surface of the semiconductor wafer W is ground. The grinding depth of the surface of the semiconductor wafer W is defined by the grinding depth set at the beginning of the grinding wheel 8.

본 발명에 따라 구성된 표면 연삭 장치의 한가지 양호한 실시예에 대한 상기한 설명으로부터 명료하게 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따라 구성된 표면 연삭 장치에 있어서, 연삭 휘일(8)은 회전되고 반도체 웨이퍼(W)와 같은 반도체 웨이퍼는 반도체 웨이퍼의 표면을 연삭할때 또한 회전된다. 그러므로, 반도체 웨이퍼의 외경보다 훨씬 더 큰 외경을 가지는 연삭 휘일(8)이 도시된 양호한 실시예에서 사용되기는 하지만, 연삭 휘일(8)의 외경이 반도체 웨이퍼의 외경과 거의 같거나 또는 다소 더 작다고 할지라도, 반도체 웨이퍼의 전체 표면을 균일하게 연삭할 수 있다. 그 다음에, 예를 들면, 반도체 웨이퍼(W)가 직경이 크게 만들어진다고 해도, 반듯이 이에 따라 직경이 큰 연삭 휘일(8)을 만들 필요는 없다. 더욱이, 연삭 작업시에 반도체 웨이퍼와 연삭 휘일(8)의 상대 이동이 적어도 연삭 휘일(8)의 회전과 반도체 웨이퍼의 회전에 의해 제한되므로, 반도체 웨이퍼의 표면상에서의 연삭 휘일(8)에 의한 연삭 흔적은 반도체 웨이퍼의 전체 표면을 통해 다양한 방법으로 연장되며 대단히 복잡하게 된다. 그러므로, 연삭 저항은 비교적 작고 연삭 저항의 파동은 충분히 작게 된다. 반도체 웨이퍼의 전체 표면을 통해 충분히 균일한 연삭을 수행하는 것이 가능하다.As can be clearly seen from the above description of one preferred embodiment of the surface grinding apparatus constructed according to the invention, in the surface grinding apparatus constructed according to the invention, the grinding wheel 8 is rotated and the semiconductor wafer W The semiconductor wafer, such as), is also rotated when grinding the surface of the semiconductor wafer. Therefore, although the grinding wheel 8 having an outer diameter much larger than the outer diameter of the semiconductor wafer is used in the preferred embodiment shown, it may be said that the outer diameter of the grinding wheel 8 is about the same as or slightly smaller than the outer diameter of the semiconductor wafer. Also, the entire surface of the semiconductor wafer can be ground uniformly. Then, for example, even if the semiconductor wafer W is made large in diameter, it is not necessary to make the grinding wheel 8 with a large diameter accordingly. Furthermore, since the relative movement of the semiconductor wafer and the grinding wheel 8 in the grinding operation is limited by at least the rotation of the grinding wheel 8 and the rotation of the semiconductor wafer, grinding by the grinding wheel 8 on the surface of the semiconductor wafer is performed. Traces extend in various ways through the entire surface of the semiconductor wafer and become extremely complex. Therefore, the grinding resistance is relatively small and the wave of the grinding resistance is sufficiently small. It is possible to perform sufficiently uniform grinding throughout the entire surface of the semiconductor wafer.

제5도는 척테이블 회전 수단의 변형된 실시예를 도시한다. 이 변형된 실시예에서, 중앙 지지 블록(200)이 지지 테이블(4)의 수평한 상부 표면의 중앙 부분에 고정된다. 이 중앙 지지 블록(200)은 디스크형 베이스 부분(202)과 이 베이스 부분(202)의 상부 표면의 중앙 부분으로부터 실제로 수직하게 상향으로 연장된 원통형 지지 부분(204)을 가진다. 한편, 중앙 회전축(206)의 하부 부분에서는 직경이 큰 부분(208)이 형성되고, 이 직경이 큰 부분(208)에는 하향으로 개방된 원형홈(210)이 형성된다. 중앙 회전축(206)의 직경이 큰 부분(208)은 베어링 부재(212,214)를 통해 중앙 지지 블록(200)의 원통형 지지 부분(204)상에 회전 가능하게 장착된다. 특히, 베어링 부재(212)의 하부 표면은 중앙 지지 블록(200)의 베이스 부분(202)의 상부 표면에 대해 접촉하고, 환상 스페이서 부재(216)는 베어링 부재(212)와 베어링 부재(214)와의 사이에 장착되며, 베어링 부재(214)의 상부 표면은 원형홈(210)의 바닥 표면(상부 표면)에 대해 접촉하게 되며, 이에 의해 베어링 부재(212,214)가 원하는 위치에 지지된다. 중앙 회전축(206)의 상부 단부는 적합한 전달 부재(도시되지 않음)를 통해 전기 모터와 같은 회전원(76)에 구동 가능하게 연결된다. 중앙 회전축(206)의 직경이 큰 부분(208)의 외측 원주 표면상에는 환상 플랜지(218)가 형성되고, 이 환상 플랜지(218)상에 기어(220)가 고정된다.5 shows a modified embodiment of the chuck table rotating means. In this variant embodiment, the central support block 200 is fixed to the central part of the horizontal upper surface of the support table 4. This central support block 200 has a disc shaped base portion 202 and a cylindrical support portion 204 extending substantially vertically upward from the central portion of the upper surface of the base portion 202. On the other hand, in the lower portion of the central rotation shaft 206, a large diameter portion 208 is formed, the large diameter portion 208 is formed with a circular groove 210 open downward. The large diameter portion 208 of the central rotation shaft 206 is rotatably mounted on the cylindrical support portion 204 of the central support block 200 via the bearing members 212, 214. In particular, the lower surface of the bearing member 212 is in contact with the upper surface of the base portion 202 of the central support block 200, and the annular spacer member 216 is formed of the bearing member 212 and the bearing member 214. Mounted therebetween, the upper surface of the bearing member 214 comes into contact with the bottom surface (upper surface) of the circular groove 210, whereby the bearing members 212, 214 are supported in the desired position. The upper end of the central axis of rotation 206 is operably connected to a rotation source 76 such as an electric motor through a suitable transmission member (not shown). An annular flange 218 is formed on the outer circumferential surface of the large diameter portion 208 of the central rotating shaft 206, and the gear 220 is fixed on the annular flange 218.

또한, 4개의 반도체 웨이퍼 지지척 테이블(6)의 각진 위치에 각각 대응하여 배치된 4개의 지지 블록(222)이 지지 테이블(4)의 상부 표면에 고정된다.(하나의 지지 블록(222)만이 제5도에 도시되어 있다. 지지 블록(222)의 각각에는 공압 클러치를 포함하는 구동 연결 부재가 구비되어 있다. 특히 지지 블록(222)의 각각은 직경이 큰 하부 원통형 부분(224)과 직경이 작은 상부 원통형 부분(226)을 가진다. 거의 원통형인 회전부재(232)는 베어링 부재(228,230)를 통해 직경이 작은 상부 원통형 부분(226)상에 회전 가능하게 설치된다. 특히, 베어링 부재(228)의 하부 표면은 직경이 큰 원통형 부분(224)의 상부 표면에 대해 접촉하고, 환상 스페이서 부재(234)는 베어링 부재(228)와 베어링 부재(230)와의 사이에 배치되고, 베어링 부재(230)의 상부 표면은 회전 부재(232)의 내측 원주 표면상에 형성된 환상 플랜지(236)의 하부 표면에 대해 접촉하게 되고 이에 의해 베어링 부재(228,230)가 원하는 위치에 지지된다.In addition, four support blocks 222 disposed corresponding to the angular positions of the four semiconductor wafer support chuck tables 6 are fixed to the upper surface of the support table 4 (only one support block 222). It is shown in Figure 5. Each of the support blocks 222 is provided with a drive connecting member comprising a pneumatic clutch, in particular each of the support blocks 222 has a diameter and a lower cylindrical portion 224 having a larger diameter. It has a small upper cylindrical portion 226. The substantially cylindrical rotating member 232 is rotatably mounted on the upper cylindrical portion 226 having a small diameter through the bearing members 228 and 230. In particular, the bearing member 228 The bottom surface of is in contact with the top surface of the large diameter cylindrical portion 224, the annular spacer member 234 is disposed between the bearing member 228 and the bearing member 230, and the The upper surface is the inner circumference of the rotating member 232 It is brought into contact against the lower surface of the annular flange 236 formed on the rear surface with a bearing member (228 230) and thereby is supported at a desired position.

환상 부재(238)는 직경이 작은 상부 원통형 부분(226)의 상부 표면상에 고정되고, 회전 부재(232)의 환상 플랜지(236)는 회전 부재(232)가 상향으로 이동하는 것을 방지하기 위해 상기 환상 부재(238)의 하부 표면에 의해 속박된다. 환상 플랜지(240)는 회전 부재(232)의 외측 원주 표면상에 형성되고 기어(242)와 상기 환상 플랜지(240)상에 고정된다. 이 기어(242)는 앞에서 기술한 제어(220)와 결합한다. 회전 부재(232)의 상부 단부에는 인조 고무와 같은 높은 마찰률을 가지는 물질로 만들어진 환상 마찰판(244)이 고정된다. 한편, 지지 블록(222)의 직경이 큰 하부 원통형 부분(224)에는 하향으로 개방된 원형홈(246)이 형성된다. 이 원형홈(246)의 하부 표면은 지지 테이블(4)에 의해 폐쇄되고 원형홈(246)은 이하의 설명으로부터 명백히 알 수 있는 바와 같이 공압 메커니즘의 실린더로서 작용한다. 실제로 수직으로 연장된 관통구멍(248)은 지지블록(222)내에 형성되고 축(254)은 수직 방향으로 이동하도록 이 관통구멍(248)내에 미끄럼 가능하게 설치된다. 축(254)은 직경이 작은 상부 원통형 부분(226)의 상부 표면을 지나서 상향으로 연장하며 기어(262)는 기어(262)가 축(254)에 대하여 축선 방향으로 이동할 수 없도록 베어링 부재(258)와 스톱링(260)에 의해 축(254)의 상부 단부상에 회전 가능하게 설치된다. 기어(262)의 하부 표면상에는 마찰판(244)을 향하고 있는 환상 돌출부(264)가 형성된다.The annular member 238 is fixed on the upper surface of the small diameter upper cylindrical portion 226, and the annular flange 236 of the rotating member 232 is used to prevent the rotating member 232 from moving upward. It is bound by the lower surface of the annular member 238. An annular flange 240 is formed on the outer circumferential surface of the rotating member 232 and is fixed on the gear 242 and the annular flange 240. This gear 242 engages with the control 220 described above. At the upper end of the rotating member 232, an annular friction plate 244 made of a material having a high friction rate such as artificial rubber is fixed. On the other hand, the lower cylindrical portion 224 of the large diameter of the support block 222 is formed with a circular groove 246 opened downward. The lower surface of the circular groove 246 is closed by the support table 4 and the circular groove 246 acts as a cylinder of the pneumatic mechanism as will be apparent from the description below. In fact, the vertically extending through hole 248 is formed in the support block 222 and the shaft 254 is slidably installed in the through hole 248 to move in the vertical direction. The shaft 254 extends upwardly beyond the top surface of the small diameter upper cylindrical portion 226 and the gear 262 is such that the bearing member 258 prevents the gear 262 from moving in the axial direction with respect to the shaft 254. And a stop ring 260 is rotatably mounted on the upper end of the shaft 254. On the lower surface of the gear 262 is formed an annular projection 264 facing the friction plate 244.

원형홈(246)내에 배치된 축(254)의 하부 단부에는 공압 실린더 메커니즘의 피스톤으로 작용하는 디스크(266)가 고정된다. 복수개의 평면 스프링과 같은 스프링 수단(268)은 지지 테이블(4)의 상부 표면과 디스크(266)와의 사이에 배치되고, 이 스프링 수단(268)은 디스크(266)를 상향으로 탄성적으로 편향시키며, 이에 따라서 축(254)과 그 위에 설치된 기어(262)도 상향으로 편향된다. 한편, 지지 블록(222)의 직경이 큰 하부 원통형 부분(224)에는 원형홈(246)의 상부 단부로 개방된 내측 단부로부터 직경이 큰 단부 원통형 부분(224)의 외측 가장자리 표면으로 개방된 외측 단부까지 연장하는 통로(270)가 형성된다.At the lower end of the shaft 254 disposed in the circular groove 246 a disk 266 acting as a piston of the pneumatic cylinder mechanism is fixed. Spring means 268, such as a plurality of planar springs, are disposed between the top surface of the support table 4 and the disk 266, which spring means 268 elastically deflect the disk 266 upwards. Accordingly, the shaft 254 and the gear 262 mounted thereon are also deflected upward. On the other hand, the lower cylindrical portion 224 having a larger diameter of the support block 222 has an outer end opening to the outer edge surface of the large diameter cylindrical portion 224 from the inner end that is open to the upper end of the circular groove 246. A passage 270 extending to is formed.

통로(270)의 외측 단부는 적합한 스위칭 밸브(272)를 가지는 도관(274)을 통해 압축 공기 공급원(276) 또는 대기와 선택적으로 연통할 수 있도록 되어 있다. 압축 공기 공급원(276)과 통로(270)가 연통되며, 디스크(266)는 원형홈(246)으로 공급된 압축 공기에 의해 스프링 수단(268)의 탄성적인 편향 작용에 대항하여 도시된 위치로 하강된다. 그러므로, 축(254)과 기어(262)는 실선으로 도시된 위치로 하강된다. 이 연결 위치에서, 기어(262)의 하부 표면상에 형성된 환상 돌출부(264)는 마찰판(244)에 대항하여 압축되고 기어(262)가 회전 부재(232)에 마찰 가능하게 연결된다. 한편, 통로(270)와 대기가 연통되면, 디스크(266)는 스프링 수단(268)의 탄성적인 편향 작용에 의해 상승된다. 그러므로, 축(254)과 기어(262)는 2점 쇄선으로 표시된 해제 위치로 상승된다. 이 해제 위치에서, 기어(262)의 하부 표면상에 형성된 환상 돌출부(264)는 마찰판(244)으로부터 상향으로 이격되어 유지되며 기어(262)와 회전 부재(232)의 연결이 해제된다. 더욱이, 기어(278)는 척테이블(6)이 고정된 회전축(24)에 고정되고, 이 기어(278)는 기어(262)와 맞물린다. 척테이블(6)의 장착 방법과 같은 제5도에 도시된 변형된 실시예의 구조가 전술한 구조를 제외하고는 제2도에 도시된 실시예의 구조와 실제로 같기 때문에, 그의 설명은 본 명세서에서 생략된다.The outer end of the passage 270 is adapted to selectively communicate with the compressed air source 276 or the atmosphere through a conduit 274 having a suitable switching valve 272. The compressed air source 276 and the passage 270 communicate with each other, and the disk 266 is lowered to the position shown against the elastic deflection action of the spring means 268 by the compressed air supplied into the circular groove 246. do. Therefore, the shaft 254 and the gear 262 are lowered to the position shown by the solid line. In this connecting position, the annular protrusion 264 formed on the lower surface of the gear 262 is compressed against the friction plate 244 and the gear 262 is frictionally connected to the rotating member 232. On the other hand, when the passage 270 and the atmosphere communicate, the disk 266 is raised by the elastic deflection action of the spring means 268. Therefore, the shaft 254 and the gear 262 are raised to the unlocked position indicated by the two-dot chain line. In this release position, the annular projection 264 formed on the lower surface of the gear 262 is kept spaced upwardly from the friction plate 244 and the gear 262 and the rotation member 232 are disconnected. Moreover, the gear 278 is fixed to the rotating shaft 24 to which the chuck table 6 is fixed, which meshes with the gear 262. Since the structure of the modified embodiment shown in FIG. 5, such as the mounting method of the chuck table 6, is actually the same as that of the embodiment shown in FIG. 2 except for the structure described above, its description is omitted herein. do.

제5도에 도시된 변형된 양호한 실시예에 있어서, 통상의 구동원(76)과 복수개(4개)의 각각의 척테이블(6)의 사이에 배치된 구동 연결 수단은 클러치 수단(즉, 회전 부재(232)에 고정된 마찰판(244)과 기어(262)등에 형성된 환상 돌출부(264)을 포함한다. 결과적으로, 복수개의 척테이블(6)의 각각의 회전은 독립적으로 제어될 수 있다. 특히, 기어(262)가 실선으로 표시된 연결 위치로 하강될때, 구동원(76)의 회전은 중앙 회전축(206), 기어(220), 기어(242), 회전 부재(232), 마찰판(244), 기어(262) 및 기어(278)를 통해 척테이블(6)로 전달되며, 이에 의해 척테이블(6)이 회전된다. 기어(262)가 2점쇄선으로 표시된 해제 위치로 상승되면, 마찰판(244)과 기어(262)와의 사이의 연결이 해제되고, 이에 의해 척테이블(6)의 회전이 정지된다. 필요하다면, 기어(262)가 2점쇄선으로 표시된 해제 위치까지 상승될때 척테이블(6)의 회전을 즉시 정지시키기 위해, 기어(262)의 상승과 동시에 척테이블(6)상에서 작용하는 제동 수단(도시되지 않음)을 또한 구비할 수 있다.In the modified preferred embodiment shown in FIG. 5, the drive connecting means disposed between the conventional drive source 76 and the plurality of four chuck tables 6 includes clutch means (i.e., rotational members). Friction plate 244 fixed to 232 and annular projection 264 formed on gear 262, etc. As a result, each rotation of the plurality of chuck tables 6 can be controlled independently. When the gear 262 is lowered to the connecting position indicated by the solid line, the rotation of the drive source 76 is controlled by the central rotation shaft 206, the gear 220, the gear 242, the rotating member 232, the friction plate 244, and the gear ( 262 and gear 278 are transmitted to the chuck table 6, thereby rotating the chuck table 6. When the gear 262 is raised to the release position indicated by the double-dotted line, the friction plate 244 and The connection between the gears 262 is released, thereby stopping the rotation of the chuck table 6. If necessary, the solution 262 is indicated by a dashed line. In order to immediately stop the rotation of the chuck when raised to the position table (6), a braking means (not shown) acting on the table 6 at the same time with the rise of the chuck gear 262 may also be provided.

제5도에 도시된 변형된 실시예에 있어서, 복수개의 척테이블(6)의 각각의 회전이 독립적으로 제어될 수 있기 때문에, 예를 들면, 연삭 작업은 연삭 위치 B, C 및 D내에 각각 존재하는 3개의 척테이블(6)을 회전시키는 동안 연삭 위치 B, C 및 D(제1도)내에서 각각 수행될 수 있고 반면 반도체 웨이퍼 언로딩 및 로딩작업은 반도체 웨이퍼 언로딩 및 로딩 위치 A내에 존재하는 척테이블(6)을 정지시키는 동안 반도체 웨이퍼 언로딩 및 로딩 위치 A(제1도)내에서 수행될 수 있으며, 이에 의해 작업 효율이 개선될 수 있다. 필요하다면, 클러치 수단의 연결 및 해제를 자동으로 제어하기 위해, 척테이블(6)의 각각이 적어도 연삭 위치 B, C 및 D내에 존재하는 동안 척테이블(6)을 회전시키기 위해, 그리고 척테이블(6)의 각각이 적어도 반도체 웨이퍼 언로딩 및 로딩 위치 A내에 존재하는 동안 척테이블(6)을 정지시키기 위해 위치 검출기(도시되지 않음)가 척테이블(6)의 각각에 부가적으로 제공될 수 있다.In the modified embodiment shown in FIG. 5, for example, since the rotation of each of the plurality of chuck tables 6 can be controlled independently, for example, the grinding operation is present in the grinding positions B, C and D respectively. Can be performed in grinding positions B, C, and D (FIG. 1) respectively while rotating the three chuck tables 6 while the semiconductor wafer unloading and loading operations are present in the semiconductor wafer unloading and loading positions A. Can be performed in the semiconductor wafer unloading and loading position A (FIG. 1) while stopping the chuck table 6, whereby the working efficiency can be improved. If necessary, to automatically control the connection and disengagement of the clutch means, to rotate the chuck table 6 while each of the chuck tables 6 is at least in the grinding positions B, C and D, and the chuck table ( A position detector (not shown) may additionally be provided to each of the chuck tables 6 to stop the chuck table 6 while each of 6) is present in at least the semiconductor wafer unloading and loading positions A. .

본 발명이 본 발명에 따라 구성된 표면 연삭 장치의 특별한 실시예를 도시한 첨부도면을 참조로 하여 지금까지 상세히 기술되었지만, 본 발명이 이들 특별한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 범주로부터 벗어나지 않고 다양한 변경 및 변형이 가능하다는 것을 이해해야 한다.Although the present invention has been described in detail above with reference to the accompanying drawings which show particular embodiments of surface grinding devices constructed in accordance with the present invention, the invention is not limited to these particular embodiments and various modifications may be made without departing from the scope of the invention. It is to be understood that changes and variations are possible.

Claims

In order to grind the surface of the support stand 4, the at least one semiconductor wafer support chuck table 6 mounted on the support stand 4, and the surface of the semiconductor wafer W supported on the chuck table 6; In the surface grinding apparatus having the grinding wheel 8 rotatably mounted and the wheel rotation means 116 for rotating the grinding wheel 8, the chuck table 6 is rotatably mounted, Surface grinding apparatus comprising a chuck table rotating means (76) for rotating a table.

2. The grinding wheel (8) according to claim 1, wherein the grinding wheel (8) is generally in an annular shape and the central axis (118) of rotation of the grinding wheel (8) is disposed substantially parallel to the central axis of rotation of the chuck table (6). Surface grinding apparatus.

2. Surface grinding apparatus according to claim 1, characterized in that the support stand has a support table (4) rotatably mounted and provided with table rotating means (76) for rotating the support table (4).

4. The grinding wheel (8) according to claim 3, wherein the grinding wheel (8) is installed to move in the direction of the central rotation axis (118), and the wheel moving means (108) moves the grinding wheel (8) in the direction of the central rotation axis (118). When grinding the surface of the semiconductor wafer W provided on the chuck table 6 with the grinding wheel 8, the support table 4 is supported on the chuck table 6. ) Is stopped at an angular position predetermined to have a predetermined relationship with the grinding wheel 8, and the grinding wheel 8 is moved by the wheel moving means 108 to gradually increase the grinding depth of the surface of the semiconductor wafer W. Surface grinding apparatus characterized in that it is moved toward the chuck table (6).

5. The semiconductor wafer (W) according to claim 4, wherein the semiconductor wafer (W) is almost disk-shaped, and when the support table (4) is stopped at a predetermined angular position, the semiconductor wafer (W) has a semiconductor wafer outer peripheral edge of the grinding wheel (8). Surface grinding apparatus characterized in that it is disposed relative to the grinding wheel (8) to pass through the substantial center of (W).

4. The semiconductor wafer according to claim 3, wherein when grinding the surface of the semiconductor wafer W supported on the chuck table 6 with the grinding wheel 8, the support table 4 is supported on the chuck table 6; Surface grinding apparatus characterized in that it is continuously rotated by the table rotating means (76) to allow the passage of (W) under the grinding wheel (8).

4. The grinding wheel (8) according to claim 3, wherein the grinding wheel (8) is installed for movement in a direction generally perpendicular to the central rotation axis (118), and the wheel movement means (104) is substantially perpendicular to the central rotation axis (118). The support table 4 is provided for moving the grinding wheel 8 in the direction, and for grinding the surface of the semiconductor wafer W supported on the chuck table 6 with the grinding wheel 8. The grinding wheel 8 is stopped at and the semiconductor wafer W supported on the chuck table 6 by the wheel moving means 104 for gradually grinding the surface of the semiconductor wafer W from its circumferential edge toward the center. Surface grinding apparatus, which is moved from the circumferential edge toward the center.

8. The wheel wafer movement means (104) according to claim 7, wherein the semiconductor wafer (W) is substantially disk-shaped and the grinding wheel (8) has the wheel moving means (104) to a position at which its outer circumferential edge passes through a substantial center of the surface of the semiconductor wafer (W). Surface grinding apparatus characterized in that moved by.

4. The support table (4) is provided with a plurality of semiconductor wafer (W) support chuck tables (6) at positions spaced in the circumferential direction and the chuck table rotation means (76) is a conventional drive source and a conventional drive source. And a plurality of drive connecting means respectively disposed between the drive source and each of the plurality of chuck tables (6).

10. Surface grinding apparatus according to claim 9, wherein the plurality of drive connecting means each have clutch means for controlling the connection and the release.

The surface grinding apparatus according to claim 10, wherein the clutch means is a pneumatic clutch controlled by compressed air.

The semiconductor wafer (W) unloading and loading position (A) and the plurality of grinding positions (B, C, D) are limited to the circumferentially spaced positions of the support table 4 and are ground. Surface (8), characterized in that the wheel (8) is provided in each of the plurality of grinding positions (B, C, D).

13. The clutch means according to claim 12, while each of the plurality of chuck tables 6 is in at least one of the plurality of grinding positions B, C, D, and the clutch means are connected and each of the plurality of chuck tables 6 Is rotated, while the clutch means are released and each rotation of the plurality of chuck tables 6 is stopped while each of the plurality of chuck tables 6 is present in at least the semiconductor wafer unloading and loading positions. Surface grinding device.

14. The support table (4) according to claim 13, wherein the support table (4) is continuously rotated by the table rotating means (76), whereby each of the plurality of chuck tables (6) is a semiconductor wafer unloading and loading position (A) and a plurality of Surface grinding apparatus characterized in that it is continuously moved through the grinding position (B, C, D).

The surface grinding apparatus according to claim 1, wherein the workpiece is a semiconductor wafer (W).