KR920000333B1 - Regulatng circuit for braking low power with currunt ratio - Google Patents

Regulatng circuit for braking low power with currunt ratio Download PDF

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KR920000333B1 KR1019890020229A KR890020229A KR920000333B1 KR 920000333 B1 KR920000333 B1 KR 920000333B1 KR 1019890020229 A KR1019890020229 A KR 1019890020229A KR 890020229 A KR890020229 A KR 890020229A KR 920000333 B1 KR920000333 B1 KR 920000333B1
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Abstract

The circuit is capable of blocking the power supplied to the driving circuit, the blocking being made until the power source returns to the normal operation. A constant current section supplies a constant current to the system, and a biasing section supplies the constant current of the constant current section to a current ratio setting section. A signal output section outputs signals for withholding the power from the current ratio setting section, and a hysteresis section holds a hysteresis property for improving the stability of the output signals of the signal output section.

Description

전류비를 이용한 저전원 공급차단회로의 안정화 회로Stabilization Circuit of Low Power Supply Shutdown Circuit Using Current Ratio

제1도는 종래의 전류비를 이용한 저전원 공급차단회로를 나타낸 상세회로도.1 is a detailed circuit diagram showing a low power supply cut-off circuit using a conventional current ratio.

제2도는 본 발명의 전류비를 이용한 저전원 공급차단회로의 안정화회로를 나타낸 상세회로도.2 is a detailed circuit diagram showing a stabilization circuit of a low power supply cut-off circuit using the current ratio of the present invention.

제3도는 본 발명의 전류비를 이용한 저전원 공급차단회로의 안정화회로의 출력파형도이다.3 is an output waveform diagram of the stabilization circuit of the low power supply cutoff circuit using the current ratio of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1 : 정전류부 2 : 바이어스부1: constant current part 2: bias part

3 : 전류비설정부 4 : 출력부3: Current ratio setting part 4: Output part

5 : 히스테르시스부 Q1∼Q14 : 트랜지스터5: Hysteresis section Q1 to Q14: transistor

R1∼R12 : 저항 VREF : 기준전압R1 to R12: Resistance VREF: Reference voltage

VIN : 공급전원VIN: Supply Power

본 발명은 전원공급 장치에 관한 것으로, 특히 공급되는 전원이 정상동작할 수 있는 입력전압이 될 때까지 구동회로에 인가되는 공급전원을 차단시키는 저전원 공급차단회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power supply device, and more particularly, to a low power supply cutoff circuit that cuts off a supply power applied to a driving circuit until the supplied power becomes an input voltage for normal operation.

일반적으로 전류비를 이용한 저전원 공급차단회로는 제1도에 나타난 바와 같이 입력된 전원(VIN)에 의하여 정전류를 출력시키기 위한 정전류부(1)가 연결되어 있고 상기 정전류부(1)에 의하여 출력된 정전류를 후단에 연결된 전류비 설정부(3)에 인가시키기 위한 바이어스부(2)가 연결되어 있다.In general, a low power supply cut-off circuit using a current ratio is connected to a constant current unit 1 for outputting a constant current by the input power VIN as shown in FIG. 1 and is output by the constant current unit 1. A bias unit 2 for applying the constant current to the current ratio setting unit 3 connected to the rear stage is connected.

그리고 상기 바이어스부(2)에 의하여 인가된 상기 정전류부(1)의 정전류의 전류비를 설정하기 위한 전류비설정부(3)가 연결되어 있고, 상기 전류비설정부(3)에 출력신호에 의하여 저전원 공급차단신호(OUT)를 출력시키는 출력부(4)가 연결되어 있다.And a current ratio setting unit 3 for setting a current ratio of the constant current of the constant current unit 1 applied by the bias unit 2 is connected to the current ratio setting unit 3 by an output signal. An output unit 4 for outputting the power supply cutoff signal OUT is connected.

또한, 상기 출력부(4)의 출력신호의 안정도를 좋게하기 위하여 히스테르시스 성분을 가지는 히스테르시스부(5)가 연결되어 있다.In addition, in order to improve the stability of the output signal of the output section 4, a hysteresis section 5 having a hysteresis component is connected.

즉, 전류비설정부(3)의 서로 다른 전류밀러의 전류비를 이용하여 출력부(4)의 트랜지스터 포화상태 여부에 따라 저전원 공급차단신호를 출력한다.That is, the low power supply cutoff signal is output according to whether or not the output unit 4 is saturated in the transistor by using current ratios of different current mirrors of the current ratio setting unit 3.

그런, 입력전원(VIN)이 약 4∼5V정도이면 출력부(4)의 트랜지스터를 턴온시키나 히스테르시스부(5)의 트랜지스터를 턴온시키지 못하여 저전원 공급차단 신호를 저신호로 출력 구동회로에 구동전원을 인가시킴으로서 저전원 공급차단 회로의 오동작을 발생되는 문제점이 있었다.When the input power supply VIN is about 4 to 5 V, the transistor of the output unit 4 is turned on but the transistor of the hysteresis unit 5 cannot be turned on so that the low power supply cutoff signal is a low signal to the output drive circuit. There is a problem that a malfunction of the low power supply cut-off circuit is generated by applying the driving power.

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 출력부의 전위를 안정되게 유지시켜 출력부의 저전원 공급차단신호의 오동작을 방지시키는 전류비를 이용한 저전원 공급차단 회로의 안정화회로를 제고하고자 함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a stabilization circuit of a low power supply cutoff circuit using a current ratio that maintains the potential of the output part stably to prevent a malfunction of the low power supply cutoff signal of the output part. It is to improve.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 입력된 전원에 의하여 정전류를 출력시키기 위한 정전류부와, 상기 정전류부에 의하여 출력된 정전류를 후단에 연결된 전류비 설정부에 인가시키기 위한 바이어스부와, 상기 바이이스부에 의하여 인가된 상기 정전류부의 정전류의 전류비를 설정하기 위한 전류비설정부와, 상기 전류비설정부에 출력신호에 의하여 저전원 공급차단신호를 출력시키기는 출력부와, 상기 출력부의 출력신호의 안정도를 좋게하기 위하여 히스테르시스 성분을 가지는 히스테르시스부와, 로 구성된 전류비를 이용한 저전원 공급차단 회로에 있어서, 상기 출력부는 상기 기준전압 설정부의 출력전류와 무관하게 출력부의 트랜지스터의 베이스측에 인가되는 전위를 안정화시키기 위한 다이오드 및 트랜지스터와, 로 구성된 전류비를 이용한 저전원 공급차단 회로의 안정화회로를 제공하고자 함에 있다.Features of the present invention for achieving the above object, a constant current unit for outputting a constant current by the input power source, a bias unit for applying the constant current output by the constant current unit to the current ratio setting unit connected to the rear end; A current ratio setting unit for setting a current ratio of the constant current of the constant current unit applied by the bias unit, an output unit for outputting a low power supply cutoff signal by an output signal to the current ratio setting unit, and the output unit In a low power supply cut-off circuit using a current ratio consisting of a hysteresis unit having a hysteresis component to improve the stability of an output signal, the output unit is a transistor of an output unit regardless of the output current of the reference voltage setting unit. A diode and a transistor for stabilizing a potential applied to the base side of the An object of the present invention is to provide a stabilization circuit for a low power supply cutoff circuit using a current ratio.

이하, 본 발명을 첨부된 도면에 의하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, described in detail by the accompanying drawings of the present invention.

제1도는 종래의 전류비를 이용한 저전원 공급차단회로를 나타낸 상세회로도로서, 공급전원(VIN) 입력단자에 입력된 전원에 의하여 일정한 정전류를 출력시키는 정전류부(1)가 연결되어 있다.FIG. 1 is a detailed circuit diagram showing a low power supply cutoff circuit using a conventional current ratio, and a constant current unit 1 for outputting a constant constant current by a power source input to a supply power supply (VIN) input terminal is connected.

즉 입력된 전원을 인가시키는 바이어스용 저항(R1)의 출력단자에 연결된 정전류부(1)는 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)에 의한 전류밀러(Current Mirror)로 구성된다. 이때 정전류부(1)의 트랜지스터(Q2)의 드레인측은 베이스측과 연결되어 있다.That is, the constant current unit 1 connected to the output terminal of the bias resistor R1 for applying the input power is composed of a current mirror by transistors Q1, Q2, and Q3. At this time, the drain side of the transistor Q2 of the constant current unit 1 is connected to the base side.

한편, 정전류부(1)의 출력단자에 정전류부(1)의 출력된 정전류를 후단에 연결된 전류비설정부(3)에 인가시키기 위한 바이어스부(2)가 연결되어 있다.On the other hand, a bias unit 2 for applying the constant current output from the constant current unit 1 to the current ratio setting unit 3 connected to the rear end is connected to the output terminal of the constant current unit 1.

이때, 바이어스부(2)는 정전류부(1)의 트랜지스터(Q1)의 콜렉터측에 흐르는 전류에 의하여 콜렉터측에서 에미터측에 흐르는 전류양을 제어하는 트랜지스터(Q4)가 연결되어 있다.At this time, the bias unit 2 is connected to a transistor Q4 for controlling the amount of current flowing from the collector side to the emitter side by the current flowing to the collector side of the transistor Q1 of the constant current unit 1.

그리고 상기 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q4)의 에미터측에는 트랜지스터(Q4)가 턴온됨에 따라 턴온되는 트랜지스터(Q6)가 연결되어 있다.The transistor Q6, which is turned on as the transistor Q4 is turned on, is connected to the emitter side of the transistor Q4 of the bias unit 2.

동시에 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q4)의 에미터측에는 상기 정전류부(1)의 트랜지스터(Q2)의 에미터측에 인가된 정전류를 전류비설정부(3)에 인가시키는 트랜지스터(Q7)가 연결되어 있다.At the same time, a transistor Q7 is connected to the emitter side of the transistor Q4 of the bias section 2 for applying the constant current applied to the emitter side of the transistor Q2 of the constant current section 1 to the current non-setting section 3. have.

즉, 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q6)가 턴온되면 정전류부(1)의 트랜지스터(Q1) 콜렉터측에 흐르는 전류는 전류비설정부(3)에 인가된다.That is, when the transistor Q6 of the bias section 2 is turned on, the current flowing to the collector of the transistor Q1 of the constant current section 1 is applied to the current ratio setting section 3.

그러나 정전류부(1)의 트랜지스터(Q3)에 흐르는 정전류가 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q4)의 베이스측에 인가시키기 위한 트랜지스터(Q5)가 연결되어 있다.However, the transistor Q5 is connected for applying the constant current flowing through the transistor Q3 of the constant current section 1 to the base side of the transistor Q4 of the bias section 2.

즉, 바이어스부(2)는 트랜지스터(Q4,Q5,Q6,Q7)로 구성된다.That is, the bias unit 2 is composed of transistors Q4, Q5, Q6 and Q7.

상기 바이어스부(2)에서 출력된 전류에 의하여 전류비를 결정하는 전류비설정부(3)가 연결되어 있다.The current ratio setting section 3 which determines the current ratio by the current output from the bias section 2 is connected.

상기 전류비설정부(3)는 상기 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q4)에 의하여 온/오프되는 트랜지스터(Q8)을 연결시키고 상기 트랜지스터(Q8)이 턴온됨과 동시에 콜렉터 전류가 흐르는 트랜지스터(Q9)가 연결되어 있다.The current ratio setting unit 3 connects a transistor Q8 which is turned on / off by the transistor Q4 of the bias unit 2 and the transistor Q9 through which a collector current flows while the transistor Q8 is turned on It is connected.

그리고 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q9)의 베이스측에 베이스측이 연결되어 정전류부(2)의 트랜지스터(Q2)의 콜렉터측 흐르는 전류를 콜렉터측에 흐르게하는 트랜지스터(Q10)가 연결되어 있다.A base side is connected to the base side of the transistor Q9 of the current non-setting section 3, and a transistor Q10 is connected to the collector side to flow a current flowing through the collector side of the transistor Q2 of the constant current section 2. .

또한, 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q9)의 베이스측에 베이스측이 연결되어 정전류부(1)의 트랜지스터(Q3)의 콜렉터측 전류에 의하여 콜렉터측에 전류가 흐르는 트랜지스터(Q11)가 연결되어 있다.In addition, the base side is connected to the base side of the transistor Q9 of the current non-setting part 3, and the transistor Q11 through which current flows to the collector side by the collector side current of the transistor Q3 of the constant current part 1 is connected. It is.

이때 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q9,Q10,Q11)의 에미터측에는 콜렉터측에 흐르는 전류비를 결정하는 저항(R5,R6,R7)가 연결되어 있다.At this time, the resistors R5, R6 and R7 for determining the current ratio flowing to the collector side are connected to the emitter side of the transistors Q9, Q10 and Q11 of the current ratio setting section 3.

또한, 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q10)과 트랜지스터(Q11)의 면적비를 1.5:1로 설정된 트랜지스터(Q8,Q9,Q10,Q11)의 전류밀러로 구성된다.The current mirror of the transistors Q10 and Q11 of the current ratio setting section 3 is made up of current mirrors of the transistors Q8, Q9, Q10, and Q11 set to 1.5: 1.

즉, 공급전원의 저전원 인가시 정전류부(1)의 트랜지스터(Q3)를 통한 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q1)의 콜렉터측에는 전류가 흐르지 않으나 공급전원이 정상동작될 정도의 전원이 인가되면 정전류부(1)의 트랜지스터(Q3)을 통한 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터측에 전류가 흐른다.That is, when the low power supply of the power supply is applied, a current does not flow to the collector side of the transistor Q1 of the current ratio setting section 3 through the transistor Q3 of the constant current section 1, but a power is applied so that the supply power is normally operated. When the current flows to the collector side of the transistor Q11 of the current ratio setting section 3 through the transistor Q3 of the constant current section 1.

그리고 상기 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터측에 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터전류에 의하여 저전원 공급차단신호(OUT)를 출력시키는 출력부(4)를 연결되어 있다.The output section 4 for outputting the low power supply cutoff signal OUT to the collector side of the transistor Q11 of the current ratio setting section 3 by the collector current of the transistor Q11 of the current ratio setting section 3 is provided. It is connected.

상기 출력부(4)는 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q5)의 콜렉터측에 항상 일정한 전위차를 가진 트랜지스터(Q12)와, 상기 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터전류에 의하여 저전원 공급차단 신호(OUT)를 출력시키는 트랜지스터(Q13)와, 로 구성된다.The output section 4 is configured by a transistor Q12 having a constant potential difference at all times on the collector side of the transistor Q5 of the bias section 2 and a collector current of the transistor Q11 of the current non-setting section 3. And a transistor Q13 for outputting the power supply cutoff signal OUT.

이때 출력부(4)의 트랜지스터(Q12)의 콜렉터측과 베이스측은 연결시키고 상기 출력부(4)의 트랜지스터(Q12)의 베이스측에 트랜지스터(Q13)의 베이스측이 연결되어 있다.At this time, the collector side and the base side of the transistor Q12 of the output part 4 are connected, and the base side of the transistor Q13 is connected to the base side of the transistor Q12 of the output part 4.

그리고 상기 출력부(4)의 저전원 공급차단 신호(OUT)의 출력을 안정화시키기 위한 히스테르시스부(5)가 연결되어 있다.And the hysteresis part 5 for stabilizing the output of the low power supply cutoff signal OUT of the output part 4 is connected.

상기 히스테르시스부(5)는 출력부(4)의 트래지스터(Q13)의 턴온됨과 동시에 턴온되는 트랜지스터(Q14)로 구성된다. 즉, 히스테르시스부(5)의 트랜지스터(Q14)의 턴온/오프에 의하여 히스테르시스가 발생된다. 미설명부호 R2∼R12는 저항이고 VREF는 출력부(4)의 트랜지스터(Q13)의 베이스측 고정전위이다.The hysteresis section 5 is composed of a transistor Q14 which is turned on at the same time as the transistor Q13 of the output section 4 is turned on. That is, hysteresis is generated by turning on / off the transistor Q14 of the hysteresis section 5. Reference numerals R2 to R12 are resistors, and VREF is the base-side fixed potential of the transistor Q13 of the output section 4.

이와 같이 구성된 종래의 회로에서 공급단자에 인가된 공급전원(VIN)이 저전위 공급차단신호를 출력시키기 위한 낮은 전압이 인가되면 입력된 공급전원(VIN)은 저항(R1)의 출력단자에 연결된 정전류부(1)에 인가된다.In the conventional circuit configured as described above, when the supply voltage VIN applied to the supply terminal is applied with a low voltage for outputting the low potential supply cutoff signal, the input supply voltage VIN is a constant current connected to the output terminal of the resistor R1. It is applied to the part (1).

상기 정전류부(1)에 인가된 전원(VIN)은 정전류부(1)의 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)에 전류가 흐르고 이때 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)의 콜렉터측에 흐르는 전류는 전류밀러 효과에 의하여 동일하다.The power VIN applied to the constant current unit 1 flows current through the transistors Q1, Q2 and Q3 of the constant current unit 1, and at this time, the current flowing to the collector side of the transistors Q1, Q2 and Q3 is a current mirror. By effect is the same.

그리고 정전류부(1)에서 출력된 정전류는 정전류부(1)의 출력단자에 연결된 바이어스부(2)에 인가 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q4,Q5,Q6,Q7)을 통하여 바이어스부(2)의 출력단자에 연결된 전류비설정부(3)에 인가된다.The constant current output from the constant current unit 1 is applied to the bias unit 2 connected to the output terminal of the constant current unit 1 through the transistors Q4, Q5, Q6 and Q7 of the bias unit 2. Is applied to the current ratio setting section 3 connected to the output terminal of

즉, 정전류부(1)의 트랜지스터(Q3)의 콜렉터측에 흐르는 전류는 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q5)을 에미터측과 베이스측을 통하여 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q4) 베이스측에 인가된다.That is, the current flowing to the collector side of the transistor Q3 of the constant current unit 1 causes the transistor Q5 of the bias unit 2 to the base side of the transistor Q4 of the bias unit 2 through the emitter side and the base side. Is approved.

이때 정전류부(1)의 트랜지스터(Q1)의 콜렉터측의 전류는 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q4)에 인가시켜 트랜지스터(Q4)가 온된다.At this time, the current on the collector side of the transistor Q1 of the constant current unit 1 is applied to the transistor Q4 of the bias unit 2 so that the transistor Q4 is turned on.

즉, 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q4)의 턴온되어 콜렉터측에 인가된 공급전원(VIN)은 에미터측에 인가 베이스측에 인가된 전류양에 의하여 콜렉터와 에미터간의 전류양이 결정된다.That is, the amount of current between the collector and the emitter is determined by the amount of current applied to the applying base side to the emitter side of the supply power VIN applied to the collector side of the transistor Q4 of the bias unit 2.

이때 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q4)의 베이스측에 트랜지스터(Q5)도 턴온된다.At this time, the transistor Q5 is also turned on at the base side of the transistor Q4 of the bias unit 2.

즉 정전류부(1)의 트랜지스터(Q1)의 콜렉터측 전류를 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q6)을 통하여 전류비설정부(3)에 인가한다.That is, the collector side current of the transistor Q1 of the constant current section 1 is applied to the current ratio setting section 3 through the transistor Q6 of the bias section 2.

이때, 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q5)의 에미터측에 연결된 트랜지스터(Q7)도 턴온되어 정전류부(1)의 트랜지스터(Q2)의 콜렉터측에 흐르는 전류가 바이어스부(2)의 트렌지스터(Q7)을 통하여 전류비설정부(3)에 인가된다.At this time, the transistor Q7 connected to the emitter side of the transistor Q5 of the bias unit 2 is also turned on so that the current flowing to the collector side of the transistor Q2 of the constant current unit 1 flows through the transistor Q7 of the bias unit 2. Is applied to the current ratio setting section 3 through.

한편 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q4)의 에미터측에 인가된 전류는 바이어스저항(R2,R3)에의하여 전류비설정부(3)에 인가된다.On the other hand, the current applied to the emitter side of the transistor Q4 of the bias section 2 is applied to the current ratio setting section 3 by the bias resistors R2 and R3.

즉 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q4,Q5,Q6,Q7)에 의하여 정전류부(1)에 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)의 콜렉터측에 흐르는 정전류는 전류비설정부(3)에 인가된다.That is, the constant current flowing to the collector side of the transistors Q1, Q2 and Q3 from the constant current unit 1 by the transistors Q4, Q5, Q6 and Q7 of the bias unit 2 is applied to the current non-setting unit 3.

한편 전류비설정부(3)에 인가된 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q8)의 베이스측 전류는 전류밀러 효과에 의하여 트랜지스터(Q9),(Q10),(Q11)의 콜렉터측에 전류가 흐른다.On the other hand, the base side current of the transistor Q8 of the current ratio setting section 3 applied to the current ratio setting section 3 flows to the collector side of the transistors Q9, Q10, and Q11 due to the current mirror effect. .

이때 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q10,Q11)의 면적비가 1.5:1이므로 정전류부(1)의 트래지스터(Q2,Q3)의 정전류원으로는 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터측에 전류가 흐르지 못한다.At this time, since the area ratio of the transistors Q10 and Q11 of the current non-setting unit 3 is 1.5: 1, the transistor Q11 of the current non-setting unit 3 is a constant current source of the transistors Q2 and Q3 of the constant current unit 1. No current flows to the collector side of.

이때 정전류부(1)의 트랜지스터(Q3)는 포화상태가 된다.At this time, the transistor Q3 of the constant current portion 1 is saturated.

한편, 정류비설정부(3)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터측 전류가 흐르지 않으므로 트랜지스터(Q11)의 콜렉터측에 연결된 출력부(4)의 트랜지스터(Q12)은 턴온된다.On the other hand, since the collector side current of the transistor Q11 of the rectification ratio setting section 3 does not flow, the transistor Q12 of the output section 4 connected to the collector side of the transistor Q11 is turned on.

즉 출력부(4)의 트랜지스터(Q12)의 에미터측 전위는 고정전위(VREF+0.7V)가 되어 저전원 공급차단 신호(OUT)을 고신호 출력 구동회로의 전원공급이 차단된다.That is, the emitter side potential of the transistor Q12 of the output unit 4 becomes the fixed potential VREF + 0.7V, so that the low power supply cutoff signal OUT is cut off from the power supply of the high signal output driving circuit.

그리고 상기 출력부(4)의 저전원 공급차단 신호(OUT)의 출력을 안정되게 하기 위하여 히스테르시스성분을 발생시키는 히스테르시스부(4) 트랜지스터(Q14)에 베이스측에 저전원 공급차단 신호(OUT)를 인가 트랜지스터(Q14)을 턴온된다.In order to stabilize the output of the low power supply cutoff signal OUT of the output part 4, a low power supply cutoff signal is provided on the base side of the hysteresis part 4 transistor Q14 that generates a hysteresis component. (OUT) turns on the transistor Q14.

이때 히스테르시스부(5)의 트랜지스터(Q14)의 히스테르시스 상측 트립포인트(Upper Trip point)는 (VR-VCE14)/R12이다.At this time, the hysteresis upper trip point of the transistor Q14 of the hysteresis unit 5 is (VR-VCE14) / R12.

여기서 VR은 출력부(4)의 저전원 공급차단 신호를 고신호로 출력시킬 수 있는 최소한의 전압이며, VCE14은 트랜지스터(Q14)의 포화상태의 콜렉터와 에미터측의 전위차이다.VR is the minimum voltage which can output the low power supply cutoff signal of the output part 4 as a high signal, and VCE14 is the potential difference between the collector of the transistor Q14 and the emitter side.

즉, 출력부(4)의 저전원 공급차단 신호(OUT)를 출력신호로 출력시킬 수 있는 입력임계 전압(VR)은 정전류부(1)의 트랜지스터(Q3), 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q5), 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q8),(Q10)에 의하여 결정된다.That is, the input threshold voltage VR capable of outputting the low power supply cutoff signal OUT of the output unit 4 as an output signal includes the transistor Q3 of the constant current unit 1 and the transistor of the bias unit 2 ( Q5) and the transistors Q8 and Q10 of the current ratio setting section 3 are determined.

따라서 VR=VR1+VCE3+VBE5+VBE4+VBE8+VBE10이다.So VR = VR1 + VCE3 + VBE5 + VBE4 + VBE8 + VBE10.

이때 VR1은 바이어스 저항(R1)의 양단간의 전위차이다.VR1 is a potential difference between both ends of the bias resistor R1.

그리고 상기 입력임계전압(VR)의 이상이 공급전원 인가단자에 인가되면 입력된 공급전원(VIN)은 정전류부(1)의 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)와 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q4∼Q7)을 통하여 전류비설정부(3)에 인가된다.When the abnormality of the input threshold voltage VR is applied to the supply power supply terminal, the input supply power VIN is the transistors Q1, Q2 and Q3 of the constant current unit 1 and the transistor Q4 of the bias unit 2. Q7) is applied to the current ratio setting section 3.

이때, 정전류부(1)이 트랜지스터(Q2,Q3)의 콜렉터전류에 의하여 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q10,Q11)에 의하여 정전류부(1)의 트랜지스터(Q3)은 동작상태(active)로서 동작된다.At this time, the transistor Q3 of the constant current unit 1 is operated by the constant current unit 1 due to the collector currents of the transistors Q2 and Q3 by the transistors Q10 and Q11 of the current ratio setting unit 3. Is operated as.

즉, 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터측에 전류가 흐른다.That is, current flows to the collector side of the transistor Q11 of the current ratio setting section 3.

따라서 전류비성절부(3)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터측에 연결된 출력부(4)의 트랜지스터(Q12)은 턴온되어 트랜지스터(Q12)의 에미터측에 연결된 트랜지스터(Q13)의 베이스측의 전위가 상승한다.Therefore, the transistor Q12 of the output section 4 connected to the collector side of the transistor Q11 of the current non-generation section 3 is turned on so that the potential at the base side of the transistor Q13 connected to the emitter side of the transistor Q12 rises. do.

즉, 출력부(4)의 트랜지스터(Q13)은 턴오프되어 저전원 공급차단신호(OUT)를 저신호를 출력시킨다. 이때 출력부(4)의 트랜지스터(Q3)의 에미터측에 연결된 히스테르시스부(5)의 트랜지스터(Q14)도 턴오프된다.In other words, the transistor Q13 of the output unit 4 is turned off to output the low power supply cutoff signal OUT. At this time, the transistor Q14 of the hysteresis portion 5 connected to the emitter side of the transistor Q3 of the output portion 4 is also turned off.

이때 히스테르시스부(5)의 히스테르시스폭은 R1VR/R12이다.At this time, the hysteresis width of the hysteresis part 5 is R1VR / R12.

즉 서로 전류비가 다른 전류밀러를 이용하여 트랜지스터의 포화상태에 의하여 저전원 공급차단신호를 출력시킴으로서 인가되는 공급전압 따라 일정한 전류가 유지되므로 소비 전력이 적어진다.In other words, by using current mirrors having different current ratios, the low power supply cutoff signal is output by the saturation state of the transistor, so that a constant current is maintained according to the applied supply voltage, thereby reducing power consumption.

그리고 저전원 공급차단신호의 출력시키기 위한 입력임계 전압도 히스테르시스현상의 히스테르시스전압에 의하여 안정되게 출력된다.The input threshold voltage for outputting the low power supply cutoff signal is also stably output by the hysteresis voltage of the hysteresis phenomenon.

입력정압(VIN)이 약 4∼5V정도이면 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q10,Q11)는 동작 트랜지스터(Q11)는 포화상태가 되나 출력부(4)의 트랜지스터(Q13)가 턴온되더라도 상기 출력부(4)의 후단에 연결된 히스테르시스부(5)의 트랜지스터(Q14)를 턴온시키기에 충분하지 못하여 출력부에서 출력되는 출력신호가 오신호로 출력된다.When the input constant voltage VIN is about 4 to 5 V, the transistors Q10 and Q11 of the current non-setting unit 3 become saturated, but the transistor Q13 of the output unit 4 is turned on even when the transistor Q13 is turned on. It is not enough to turn on the transistor Q14 of the hysteresis section 5 connected to the rear end of the output section 4, and the output signal output from the output section is outputted as an erroneous signal.

제2도는 본 발명의 전류비를 이용한 저전원 공급차단회로의 안정화회로를 나타낸 상세회로도로서, 공급전원(VIN) 입력단자에 입력된 전원에 의하여 일정한 정전류를 출력시키는 정전류부(11)를 연결시킨다.2 is a detailed circuit diagram illustrating a stabilization circuit of a low power supply cut-off circuit using the current ratio of the present invention, and connects a constant current unit 11 for outputting a constant constant current by a power input to a supply power supply (VIN) input terminal. .

즉 입력된 전원을 인가시키는 바이어스용 저항(R1)의 출력단자에 정전류부(11)의 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)에 의한 전류밀러(Current Mirror)로 구성된다. 이때 정전류부(1)의 트랜지스터(Q2)의 드레인측은 베이스측과 연결되어 있다.That is, a current mirror is formed by the transistors Q1, Q2, and Q3 of the constant current unit 11 at the output terminal of the bias resistor R1 for applying the input power. At this time, the drain side of the transistor Q2 of the constant current unit 1 is connected to the base side.

한편, 정전류부(11)의 출력단자에 정전류부(11)의 출력된 정전류를 후단에 연결된 전류비설정부(13)에 인가시키기 위한 바이어스부(12)를 연결시킨다.On the other hand, the bias terminal 12 for applying the constant current output from the constant current unit 11 to the current ratio setting unit 13 connected to the rear end is connected to the output terminal of the constant current unit 11.

이때, 바이어스부(12)는 정전류부(11)의 트랜지스터(Q1)의 콜렉터측에 흐르는 전류에 의하여 콜렉터측에서 에미터측에 흐르는 전류양을 제어하는 트랜지스터(Q4)를 연결시킨다.At this time, the bias unit 12 connects the transistor Q4 which controls the amount of current flowing from the collector side to the emitter side by the current flowing to the collector side of the transistor Q1 of the constant current unit 11.

그리고 상기 바이어스부(12)의 트랜지스터(Q4)의 에미터측에는 트랜지스터(Q4)가 턴온됨에 따라 턴온되는 트랜지스터(Q6)를 연결시킨다.The transistor Q6, which is turned on as the transistor Q4 is turned on, is connected to the emitter side of the transistor Q4 of the bias unit 12.

동시에 바이어스부(12)의 트랜지스터(Q4)의 에미터측에는 상기 정전류부(11)의 트랜지스터(Q2)의 에미터측에 인가된 정전류를 전류비설정부(13)에 인가시키는 트랜지스터(Q7)가 연결시킨다.At the same time, the transistor Q7 for applying the constant current applied to the emitter side of the transistor Q2 of the constant current unit 11 to the current non-setting unit 13 is connected to the emitter side of the transistor Q4 of the bias unit 12. .

즉, 바이어스부(12)의 트랜지스터(Q6)가 턴온되면 정전류부(1)의 트랜지스터(Q1) 콜렉터측에 흐르는 전류는 전류비설정부(3)에 인가된다.That is, when the transistor Q6 of the bias section 12 is turned on, the current flowing to the collector of the transistor Q1 of the constant current section 1 is applied to the current ratio setting section 3.

그러나 정전류부(11)의 트랜지스터(Q3)에 흐르는 정전류가 바이어스부(12)의 트랜지스터(Q4)의 베이스측에 인가시키기 위한 트랜지스터(Q5)를 연결시킨다.However, the constant current flowing through the transistor Q3 of the constant current section 11 connects the transistor Q5 for applying to the base side of the transistor Q4 of the bias section 12.

즉, 바이어스부(12)는 트랜지스터(Q4,Q5,Q6,Q7)로 구성된다.That is, the bias unit 12 is composed of transistors Q4, Q5, Q6 and Q7.

상기 바이어스부(12)에서 출력된 전류에 의하여 전류비를 결정하는 전류비설정부(13)을 연결시킨다.The current ratio setting unit 13 which determines the current ratio by the current output from the bias unit 12 is connected.

상기 전류비설정부(13)는 상기 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q4)에 의하여 온/오프되는 트랜지스터(Q8)을 연결시키고 상기 트랜지스터(Q8)이 턴온됨과 동시에 콜렉터 전류가 흐르는 트랜지스터(Q9)를 연결시킨다.The current ratio setting unit 13 connects a transistor Q8 which is turned on / off by the transistor Q4 of the bias unit 2 and connects the transistor Q9 through which a collector current flows while the transistor Q8 is turned on. Connect it.

그리고 전류비설정부(13)의 트랜지스터(Q9)의 베이스측에 베이스측이 연결되어 정전류부(12)의 트랜지스터(Q2)의 콜렉터측 흐르는 전류를 콜렉터측에 흐르게하는 트랜지스터(Q10)을 연결시킨다.The base side is connected to the base side of the transistor Q9 of the current ratio setting section 13 to connect the transistor Q10 which causes the current flowing through the collector side of the transistor Q2 of the constant current portion 12 to flow to the collector side.

또한, 전류비설정부(13)의 트랜지스터(Q9)의 베이스측에 베이스측이 연결되어 정전류부(11)의 트랜지스터(Q3)의 콜렉터측 전류에 의하여 콜렉터측에 전류가 흐르는 트랜지스터(Q11)을 연결시킨다.In addition, the base side is connected to the base side of the transistor Q9 of the current ratio setting section 13 to connect the transistor Q11 through which current flows to the collector side by the collector side current of the transistor Q3 of the constant current section 11. Let's do it.

이때 전류비설정부(13)의 트랜지스터(Q9,Q10,Q11)의 에미터측에는 콜렉터측에 흐르는 전류비를 결정하는 저항(R5,R6,R7)가 연결시킨다.At this time, the resistors R5, R6, and R7 which determine the current ratio flowing to the collector side are connected to the emitter side of the transistors Q9, Q10, and Q11 of the current ratio setting unit 13.

또한 전류비설정부(13)의 트랜지스터(Q10)과 트랜지스터(Q11)의 면적비를 1.5:1로 설정된 트랜지스터(Q8,Q9,Q10,Q11)의 전류밀러로 구성된다.In addition, the current mirror of the transistors Q10 and Q11 of the current ratio setting section 13 is composed of the current mirrors of the transistors Q8, Q9, Q10, and Q11 set to 1.5: 1.

즉, 공급전원의 저전원 인가시 정전류부(11)의 트랜지스터(Q3)를 통한 전류비설정부(13)의 트랜지스터(Q1)의 콜렉터측에는 전류가 흐르지 않으나 공급전원이 정상동작될 정도의 전원이 인가되면 정전류부(11)의 트랜지스터(Q3)을 통한 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터측에 전류가 흐른다.That is, when the low power supply of the power supply is applied, a current does not flow to the collector side of the transistor Q1 of the current ratio setting unit 13 through the transistor Q3 of the constant current unit 11, but a power is applied so that the supply power is normally operated. When the current flows to the collector side of the transistor Q11 of the current ratio setting section 3 through the transistor Q3 of the constant current section 11.

그리고 상기 전류비설정부(13)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터측에 전류비설정부(13)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터전류에 의하여 저전원 공급차단신호(OUT)를 출력시키는 출력부(14)를 연결시킨다.The output unit 14 for outputting the low power supply cutoff signal OUT by the collector current of the transistor Q11 of the current ratio setting unit 13 to the collector side of the transistor Q11 of the current ratio setting unit 13. Connect it.

상기 출력부(14)는 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q5)의 콜렉터측에 항상 일정한 전위차를 가진 트랜지스터(Q12)와, 상기 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터전류에 의하여 저전원 공급차단 신호(OUT)를 출력시키는 트랜지스터(Q13)와, 로 구성된다.The output section 14 is a transistor Q12 having a constant potential difference at all times on the collector side of the transistor Q5 of the bias section 2 and the collector current of the transistor Q11 of the current non-setting section 3. And a transistor Q13 for outputting the power supply cutoff signal OUT.

그리고 상기 전류비설정부(13)의 출력단자와 출력부(14)의 트랜지스터(Q13)의 베이스측 사이에 트랜지스터(Q13)의 베이스측 전위를 안정시키는 다이오드(D1)를 연결시킨다.A diode D1 for stabilizing the base side potential of the transistor Q13 is connected between the output terminal of the current ratio setting section 13 and the base side of the transistor Q13 of the output section 14.

이때, 상기 출력부(14)의 트랜지스터(Q12)의 베이스측에 트랜지스터(Q13)의 베이스측을 연결시킨다.At this time, the base side of the transistor Q13 is connected to the base side of the transistor Q12 of the output unit 14.

그리고 상기 출력부(14)의 저전원 공급차단 신호(OUT)의 출력을 안정화시키기 위한 히스테르시스부(15)를 연결시킨다.Then, the hysteresis unit 15 for stabilizing the output of the low power supply cutoff signal OUT of the output unit 14 is connected.

상기 히스테르시스부(15)는 출력부(14)의 트랜지스터(Q13)의 턴온됨과 동시에 턴온되는 트랜지스터(Q14)로 구성된다.The hysteresis unit 15 includes a transistor Q14 that is turned on at the same time as the transistor Q13 of the output unit 14 is turned on.

즉, 히스테르시스부(15)의 트랜지스터(Q14)의 턴온/오프에 의하여 히스테르시스가 발생된다.That is, hysteresis is generated by turning on / off the transistor Q14 of the hysteresis unit 15.

미설명부호 R2∼R12는 저항이고 VREF는 출력부(14)의 트랜지스터(Q13)의 베이스측 고정전위이다.Reference numerals R2 to R12 denote resistors, and VREF denotes the base-side fixed potential of the transistor Q13 of the output portion 14.

이와 같이 구성된 본 발명의 회로에서 공급단자에 인가된 공급전원(VIN)이 저전원 공급차단신호를 출력시키기 위한 낮은 전압이 인가되면 입력된 공급전원(VIN)은 저항(R1)의 출력단자에 연결된 정전류부(11)에 인가시킨다.In the circuit of the present invention configured as described above, when a supply voltage VIN applied to the supply terminal is applied with a low voltage for outputting a low power supply cutoff signal, the input supply power VIN is connected to the output terminal of the resistor R1. The constant current unit 11 is applied.

상기 정전류부(11)에 인가된 전원(VIN)은 정전류부(1)의 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)에 전류가 흐르고 이때 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)의 콜렉터측에 흐르는 전류는 전류밀러 효과에 의하여 동일하다.The power VIN applied to the constant current unit 11 flows current through the transistors Q1, Q2 and Q3 of the constant current unit 1, and at this time, the current flowing to the collector side of the transistors Q1, Q2 and Q3 is a current mirror. By effect is the same.

그리고 정전류부(11)에서 출력된 정전류는 정전류부(1)의 출력단자에 연결된 바이어스부(12)에 인가 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q4,Q5,Q6,Q7)을 통하여 바이어스부(2)의 출력단자에 연결된 전류비설정부(13)에 인가시킨다.The constant current output from the constant current unit 11 is applied to the bias unit 12 connected to the output terminal of the constant current unit 1 through the transistors Q4, Q5, Q6 and Q7 of the bias unit 2. Is applied to the current ratio setting unit 13 connected to the output terminal.

즉, 정전류부(11)의 트랜지스터(Q3)의 콜렉터측에 흐르는 전류는 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q5)을 에미터측과 베이스측을 통하여 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q4) 베이스측에 인가된다.That is, the current flowing to the collector side of the transistor Q3 of the constant current section 11 causes the transistor Q5 of the bias section 2 to pass through the emitter side and the base side to the transistor Q4 base side of the bias section 2. Is approved.

이때 정전류부(11)의 트랜지스터(Q1)의 콜렉터측의 전류는 바이어스부(12)의 트랜지스터(Q4)에 인가시켜 트랜지스터(Q4)를 온시킨다.At this time, the current on the collector side of the transistor Q1 of the constant current section 11 is applied to the transistor Q4 of the bias section 12 to turn on the transistor Q4.

즉, 바이어스부(12)의 트랜지스터(Q4)의 턴온되어 클렉터측에 인가된 공급전원(VIN)은 에미터측에 인가 베이스측에 인가된 전류양에 의하여 콜렉터와 에미터간의 전류양이 결정된다.That is, the amount of current between the collector and the emitter is determined by the amount of current applied to the base of the supply power VIN applied to the collector side of the transistor Q4 of the bias unit 12 by being turned on. .

이때 바이어스부(12)의 트랜지스터(Q4)의 베이스측에 트랜지스터(Q5)도 턴온된다.At this time, the transistor Q5 is also turned on at the base side of the transistor Q4 of the bias unit 12.

즉 정전류부(11)의 트랜지스터(Q1)의 콜렉터측 전류를 바이어스부(2)의 트랜지스터(Q6)을 통하여 전류비설정부(3)에 인가된다.That is, the collector side current of the transistor Q1 of the constant current section 11 is applied to the current ratio setting section 3 through the transistor Q6 of the bias section 2.

이때, 바이어스부(12)의 트랜지스터(Q5)의 에미터측에 연결된 트랜지스터(Q7)도 턴온되어 정전류부(11)의 트랜지스터(Q2)의 콜렉터측에 흐르는 전류가 바이어스부(12)의 트랜지스터(Q7)을 통하여 전류비설정부(13)에 인가시킨다.At this time, the transistor Q7 connected to the emitter side of the transistor Q5 of the bias unit 12 is also turned on so that a current flowing to the collector side of the transistor Q2 of the constant current unit 11 flows in the transistor Q7 of the bias unit 12. Is applied to the current ratio setting section 13 through.

한편 바이어스부(12)의 트랜지스터(Q4)의 에미터측에 인가된 전류는 바이어스저항(R2,R3)에 의하여 전류비설정부(3)에 인가된다.On the other hand, the current applied to the emitter side of the transistor Q4 of the bias section 12 is applied to the current ratio setting section 3 by the bias resistors R2 and R3.

즉 바이어스부(12)의 트랜지스터(Q4,Q5,Q6,Q7)에 의하여 정전류부(11)에 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)의 콜렉터측에 흐르는 정전류는 전류비설정부(3)에 인가시킨다.That is, the constant current flowing to the collector side of the transistors Q1, Q2 and Q3 by the transistors Q4, Q5, Q6 and Q7 of the bias part 12 is applied to the current non-setting part 3.

한편 전류비설정부(13)에 인가된 전류비설정부(13)의 트랜지스터(Q8)의 베이스측 전류는 전류밀러 효과에 의하여 트랜지스터(Q9),(Q10),(Q11)의 콜렉터측에 전류가 흐른다.On the other hand, the current flows to the collector side of transistors Q9, Q10, and Q11 in the base side current of transistor Q8 of current ratio setting section 13 applied to current ratio setting section 13 by the current mirror effect. .

이때 전류비설정부(13)의 트랜지스터(Q10,Q11)의 면적비가 1.5:1이므로 정전류부(1)의 트랜지스터(Q2,Q3)의 정전류원으로는 전류비설정부(13)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터측에 전류가 흐르지 못한다.At this time, since the area ratio of the transistors Q10 and Q11 of the current setting section 13 is 1.5: 1, the constant current source of the transistors Q2 and Q3 of the constant current section 1 is the transistor Q11 of the current setting section 13. No current flows on the collector side.

그리고 전류비설정부(13)의 트랜지스터(Q11)이 포화상태가 되었을 때 트랜지스터(Q11)의 콜렉터측의 전류가 적어 출력부(14)의 트랜지스터(Q13)의 베이스전위와 전류비설정부(13)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터 에미터간의 전위(VCE)가 거의같게 되나 전류비설정부(13)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터전위는 다이오드(D1)에 의하여 0.7V로 유지된다.When the transistor Q11 of the current non-setting section 13 is saturated, the current on the collector side of the transistor Q11 is small so that the base potential of the transistor Q13 of the output section 14 and the current non-setting section 13 are reduced. Although the potential VCE between the collector emitters of the transistor Q11 becomes substantially the same, the collector potential of the transistor Q11 of the current non-setting section 13 is maintained at 0.7V by the diode D1.

즉 출력부(14)의 트랜지스터(Q13)의 베이스측 전위가 안정된다.That is, the base side potential of the transistor Q13 of the output unit 14 is stabilized.

이때 정전류부(11)의 트랜지스터(Q3)는 포화상태가 된다.At this time, the transistor Q3 of the constant current unit 11 is saturated.

한편, 정류비설정부(13)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터측 전류가 흐르지 않으므로 트랜지스터(Q11)의 콜렉터측에 연결된 출력부(14)의 틀랜지스터(Q12)은 턴온된다.On the other hand, since the collector side current of the transistor Q11 of the rectification ratio setting section 13 does not flow, the transistor Q12 of the output section 14 connected to the collector side of the transistor Q11 is turned on.

즉 출력부(14)의 트랜지스터(Q12)의 에미터측 전위는 고정전위(VREF+0.7V)가 되어 저전원 공급차단신호(OUT)을 고신호로 출력 구동회로의 전원공급이 차단된다.That is, the emitter side potential of the transistor Q12 of the output unit 14 becomes the fixed potential (VREF + 0.7V) so that the power supply of the output driving circuit is cut off with the low power supply cutoff signal OUT as the high signal.

그리고 상기 출력부(14)의 저전원 공급차단 신호(OUT)의 출력을 안정되게 하기 위하여 히스테르시스성분을 발생시키는 히스테르시스부(14)의 트랜지스터(Q14)에 베이스측에 저전원 공급차단신호(OUT)를 인가 트랜지스터(Q14)를 턴온시킨다.In order to stabilize the output of the low power supply cutoff signal OUT of the output unit 14, a low power supply cutoff is performed on the base side of the transistor Q14 of the hysteresis unit 14 that generates a hysteresis component. The signal OUT turns on the applying transistor Q14.

이때 히스테르시스부(15)의 트랜지스터(Q14)의 히스테르시스 상측 트립포인트(Upper Trip point)는 (VR-VCE14)/R12이다.At this time, the hysteresis upper trip point of the transistor Q14 of the hysteresis unit 15 is (VR-VCE14) / R12.

여기서 VR은 출력부(4)의 저전원 공급차단 신호를 고신호로 출력시킬 수 있는 최소한의 전압이며, VCE14은 트랜지스터(Q14)의 포화상태의 콜렉터와 에미터측의 전위차이다.VR is the minimum voltage which can output the low power supply cutoff signal of the output part 4 as a high signal, and VCE14 is the potential difference between the collector of the transistor Q14 and the emitter side.

즉, 출력부(14)의 저전원 공급차단 신호(OUT)를 출력신호로 출력시킬 수 있는 입력임계 전압(VR)은 정전류부(1)의 트랜지스터(Q3), 바이어스부(12)의 트랜지스터(Q5), 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q8),(Q10)에 의하여 결정된다.That is, the input threshold voltage VR capable of outputting the low power supply cutoff signal OUT of the output unit 14 as an output signal includes the transistor Q3 of the constant current unit 1 and the transistor of the bias unit 12 ( Q5) and the transistors Q8 and Q10 of the current ratio setting section 3 are determined.

따라서 VR=VR1+VCE3+VBE5+VBE4+VBE8+VBE10이다.So VR = VR1 + VCE3 + VBE5 + VBE4 + VBE8 + VBE10.

이때 VR1은 바이어스 저항(R1)의 양단간의 전위차이다.VR1 is a potential difference between both ends of the bias resistor R1.

그리고 상기 입력임계전압(VR)의 이상이 공급전원 인가단자에 인가되면 입력된 공급전원(VIN)은 정전류부(11)의 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)와 바이어스부(12)의 트랜지스터(Q4∼Q7)를 통하여 전류비설정부(13)에 인가된다.When the abnormality of the input threshold voltage VR is applied to the supply power supply terminal, the input supply power VIN is the transistors Q1, Q2 and Q3 of the constant current unit 11 and the transistor Q4 of the bias unit 12. To the current ratio setting section 13 through? Q7).

이때, 정전류부(11)이 트랜지스터(Q2,Q3)의 콜렉터전류에 의하여 전류비설정비(13)의 트랜지스터(Q10,Q11)에서 당기는 전류만큼에 공급이 가능하고 트랜지스터(Q10,Q11)에 의하여 정전류부(11)의 트랜지스터(Q3)은 동작상태(active)로서 동작된다.At this time, the constant current unit 11 can supply as much as the current drawn from the transistors Q10 and Q11 of the current ratio setting ratio 13 by the collector currents of the transistors Q2 and Q3 and the constant current by the transistors Q10 and Q11. The transistor Q3 of the unit 11 is operated as an active state.

즉, 전류비설정부(13)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터측에 전류가 흐른다.That is, current flows to the collector side of the transistor Q11 of the current ratio setting section 13.

따라서 전류비설정부(3)의 트랜지스터(Q11)의 콜렉터측에 연결된 출력부(14)의 트랜지스터(Q12)은 턴온되어 트랜지스터(Q12)의 에미터측에 연결된 트랜지스터(Q13)의 베이스측의 전위가 상승한다.Accordingly, the transistor Q12 of the output unit 14 connected to the collector side of the transistor Q11 of the current non-setting unit 3 is turned on so that the potential of the base side of the transistor Q13 connected to the emitter side of the transistor Q12 rises. do.

즉, 출력부(14)의 트랜지스터(Q13)은 턴오프되어 저전원 공급차단신호(OUT)를 저신호를 출력시킨다.That is, the transistor Q13 of the output unit 14 is turned off to output the low power supply cutoff signal OUT.

이때 출력부(14)의 트랜지스터(Q3)의 에미터측에 연결된 히스테르시스부(5)의 트랜지스터(Q14)도 턴오프된다.At this time, the transistor Q14 of the hysteresis portion 5 connected to the emitter side of the transistor Q3 of the output portion 14 is also turned off.

이때 히스테르시스부(5)의 히스테르시스폭은 R1VR/R12이다.At this time, the hysteresis width of the hysteresis part 5 is R1VR / R12.

이상에서 본 바와 같이 본 발명은 서로 전류비가 다른 전류밀러를 이용하여 트랜지스터의 포화상태에 의하여 저전원 공급차단신호를 출력시키는데 있어, 다이오드에 의하여 출력부의 인가전위를 안정되게 함으로서 저전원 공급차단 회로의 오동작을 방지시킬 수 있다.As described above, the present invention outputs a low power supply cutoff signal by using a saturation state of a transistor using current mirrors having different current ratios. Malfunction can be prevented.

Claims (1)

입력된 전원(VIN)에 의하여 정전류를 출력시키기 위한 정전류부(11)와, 상기 정전류부(11)에 의하여 출력된 정전류를 후단에 연결된 전류비설정부(13)에 인가시키기 위한 바이어스부(12)와, 상기 바이어스부(12)에 의하여 인가된 상기 정전류부(11)의 전류비를 설정하기 위한 전류비설정부(3)와, 상기 전류비설정부(13)에 출력신호에 의하여 저전원 공급차단 신호를 출력시키는 출력부(14)와, 상기 출력부(14)의 출력신호의 안정도를 좋게 하기 위하여 히스테르시스 성분을 가지는 히스테르시스부(15)와, 로 구성된 전류비를 이용한 저전원 공급차단 회로에 있어서, 상기 출력부(14)는, 상기 전류비설정부(13)의 출력전류와 무관하에 출력부(14)의 트랜지스터(Q13)의 베이스측에 인가되는 전위를 안정화시키기 위한 다이오드(D1) 및 트랜지스터(Q12,Q13)와, 로 구성된 전류비를 이용한 저전원 공급차단회로의 안정화회로.A constant current unit 11 for outputting a constant current by the input power VIN and a bias unit 12 for applying the constant current output by the constant current unit 11 to the current ratio setting unit 13 connected to the rear stage. And a low power supply cutoff signal by an output signal to the current ratio setting unit 3 for setting the current ratio of the constant current unit 11 applied by the bias unit 12 and the current ratio setting unit 13. Low power supply cutoff using the current ratio consisting of an output section 14 for outputting the output signal, a hysteresis section 15 having a hysteresis component to improve the stability of the output signal of the output section 14, and In the circuit, the output section 14 is a diode D1 for stabilizing the potential applied to the base side of the transistor Q13 of the output section 14 regardless of the output current of the current ratio setting section 13. And transistors Q12 and Q13 and a current ratio consisting of Stabilization circuit of low power supply cutoff circuit using.
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