KR910017614A - 반도체 집적회로 장치와 그 제조방법 및 그 방법에 사용되는 이온주입장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로 장치와 그 제조방법 및 그 방법에 사용되는 이온주입장치

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제 1도는 본 발명의 실시예 1인 이온주입장치의 전체도, 제 2도는 제1도의 이온 주입장치의 웨이퍼 유지부로서, (A)는 정면도, (B)는 측면도, 제 3도는 제1 도의 이온주입장치의 웨이퍼 유지부의 다른 예로서, (A)는 정전 척 방식에 의해 스토퍼 없이 웨이퍼를 유지한 상태를 도시한 도면, (B)는 형상을 개량한 웨이퍼 스토퍼의도면, (C)는 스토퍼의 또다른 예를 도시한 도면.

Claims (84)

1. 피처리 웨이퍼에 바라는 이온을 주입할 때, 상기 웨이퍼를 실온 이하로 냉각하는 이온주입장치에 있어서, 이온 주입후, 상기 웨이퍼를 주입실에서 외기중에 취출하기 전에 상기 웨이퍼를 가열하는 것에 의해 외기중에 취출했을 때 결로가 발생하지 않도록 할 수 있는 가열 수단을 갖는 이온주입장치.
2. 특허청구의 범위 제 1항에 있어서, 상기 가열수단은 상기 웨이퍼를 10℃ 이상의 온도로 가열할 수 있는 이온주입장치.
3. 특허청구의 범위 제 2항에 있어서, 상기 가열수단은 램프로 이루어지는 이온주입장치.
4. 특허청구의 범위 제 2항에 있어서, 상기 가열수단은 취출전의 웨이퍼에 웨이퍼보다 고온의 가스를 공급하기 위한 가스공급 수단으로 이루어지는 이온주입장치.
5. 특허청구의 범위 제 4항에 있어서, 상기 가스는 실온 이상에서 가열되고 있는 이온주입장치.
6. 특허청구의 범위 제 5항에 있어서, 상기 가스는 건조가스인 이온주입장치.
7. 특허청구의 범위 제 6항에 있어서, 상기 가스는 질소가스로 이루어지는 이온주입장치.
8. 피처리 웨이퍼를 대기상태에서 실온이하로 냉각한 상태에서 상기 웨이퍼에 바라는 이온을 주입할 수 있도록 한 이온주입장치에 있어서, 상기 웨이퍼의 근방에 상기 웨이퍼의 바라지 않는 오염, 사이드 이온 또는 분자의 응축, 흡착, 부착을 방지하기 위한 상기 대기상태의 웨이퍼 온도보다 저온으로 설정할 수 있는 보조냉각면을 갖는 이온주입장치.
9. 특허청구의 범위 제 8항에 있어서, 상기 보조냉각면은 상기 웨이퍼를 수용한 주입실을 배기하기 위한 클라이오 펌프의 하나 또는 그 이상의 클라이오면과는 별개로 마련되고, 상기 보조냉각면의 온도는 상기 하나 또는 그 이상의 클라이오면중 최저 온도의 클라이오면의 온도보다 높게할 수 있는 이온 주입장치.
10. 특허청구의 범위 제 9항에 있어서, 상기 보조냉각면의 온도는 대기상태의 상기 웨이퍼 온도보다 10℃이상 저온으로 설정할 수 있는 이온주입장치.
11. 피처리 웨이퍼상에서의 주입이온에 의한 차지 업을 방지하기 위해 상기 웨이퍼에 주입이온과 반대로 전하로 대전한 입자를 공급하기 위한 중화용 하전입자 공급수단을 갖는 이온주입장치에 있어서, 상기 중화하전입자 공급수단의 중화입자 공급량이 소정의 값보다 저하했을때는 주입이온의 이온원에서의 방출을 수시에 정지시킬수 있도록한 이온주입장치.
12. 특허청구의 범위 제 11항에 있어서, 상기 이온방출의 정지동작은 상기 중화하전입자 공급수단을 감시하는 모니터수단에서의 신호에 의해 상기 이온원의 인출전압을 제어하는 것에 의해 실행되는 이온주입장치.
13. 특허청구의 범위 제 12항에 있어서, 상기 이온주입장치는 최대 5mA 이상의 빔강도를 갖는 이온주입장치.
14. 주입실내에 마련된 이온주입용 웨이퍼 스테이지상에서의 피처리 웨이퍼를 대기하는 상태에서, -200℃ 이하로 냉각할 수 있는 웨이퍼 냉각수단을 갖는 이온주입장치.
15. 특허청구의 범위 제 14항에 있어서, 상기 이온주입장치의 최대 빔 전류는 5mA 이상인 이온 주입장치.
16. 특허청구의 범위 제 15항에 있어서, 상기 웨이퍼 냉각수단은 헬륨을 냉매로서 사용하는 이온주입장치.
17. 특허청구의 범위 제 16항에 있어서, 상기 웨이퍼 냉각수단은 냉매의 단열팽창을 이용하여 냉각을 실행하는 이온주입장치.
18. 다수의 피처리 웨이퍼를 웨이퍼 유지수단상에 유지한 상태에서 상기 웨이퍼 유지수단을 고속회전시키면서 바라는 이온을 주입할수 있도록한 이온주입장치에 있어서, 이온주입중의 웨이퍼를 냉각하기 위해 대기시의 웨이퍼 온도를 실온이하로 냉각할 수 있는 웨이퍼 냉각수단을 갖는 이온주입장치.
19. 특허청구의 범위 제 18항에 있어서, 상기 냉각수단은 상기 웨이퍼 유지수단이 회전하고 있는 동안에도 냉매 유체를 상기 유지수단내에 순환시킬 수 있는 이온주입장치.
20. 가) 바라는 이온을 방출하기 위한 이온소스, 나) 이온소스의 근방에 마련된 소스에서 이온을 인출하기 위한 인출전극, 다) 상기 방출이온중에서 바라는 이온을 선별하기 위한 질량분석 자석수단, 라) 상기 자석수단에 의해 분해된 이온중 바라는 이온을 선택적으로 통과시키는 분석기 슬릿, 마) 상기 분석기 슬릿을 통과한 바라는 운동에너지를 부여하기 위해 상기 분석기 슬릿의 뒤쪽에 마련된 후단가속전극군, 바) 상기 후단가속전극군을 통과한 이온빔을 피처리 웨이퍼에 주입하기 위해 주입시에 1매 또는 그 이상의 피처리 웨이퍼를 상기 후단가속전극군의 출구에 근접해서 유지할수 있도록한 웨이퍼 유지수단, 사) 상기 인출전극 직후에서 후단가속전극군의 출구까지의 빔라인에 따라서 마련된 상기 빔라인의 상기 구간의 진공도를 그 전역에 걸쳐서 이온주입시에 1.0×10^-5Torr이상으로 설정할 수 있도록한 다수의 진공배기수단으로 이루어지는 피처리 웨이퍼의 이온주입장치.
21. 특허청구의 범위 제 20항에 있어서, 상기 진공도는 5×10^-5Torr 이상인 이온주입장치.
22. 특허청구의 범위 제 20항에 있어서, 상기 진공도는 다가이온주입시에 다른 가수를 갖는 이온종류의 혼입을 방지할 수 있도록 주입시에 1.0×10^-5Torr이상으로 설정할 수 있는 이온주입장치.
23. 특허청구의 범위 제 20항에 있어서, 상기 다수의 진공배기수단은 모두 오일 프리배기계로 이루어지는 이온주입장치.
24. 특허청구의 범위 제 23항에 있어서, 상기 다수의 배기수단의 적어도 2개는 상기 분석기 슬릿의 양측에 마련되고, 하나는 상기 분석기 슬릿과 후단가속 전극군의 입구 사이에, 다른쪽은 상기 질량분석 자석의 근방에 마련되어 있는 이온주입장치.
25. 피처리 웨이퍼에 주입해야할 에너지까지 가속한 이온빔에 편향을 가하는 일 없이 직접 그 빔을 사용하여 상기 피처리 웨이퍼를 이동시키면서 상기 피처리 웨이퍼에 이온을 주입하는 최대 빔 강도가 10mA 이상인 이온주입 장치에 있어서, 빔라인에 2 또는 그 이상의 진공배기계를 접속하여 이온 주입시에서의 빔라인의 진공도를 향상할 수 있도록한 이온 주입장치.
26. 특허청구의 범위 제 25항에 있어서, 상기 빔라인중 질량분석기의 질량분석 슬릿에서 후단 가속관 출구까지 후부 빔라인의 진공도는 이온주입동작시에 상기 후부 빔 라이내에서의 이온의 평균 자유공정이 상기 후부 빔라인에 따른 빔의 주행거리의 10배보다 크게 설정할 수 있는 이온주입장치.
27. 특허청구의 범위 제 26항에 있어서, 상기 후단가속관 출구 근방에는 상기 부분을 배기하기 위한 진공배기계가 접속되어 있는 이온주입장치.
28. 피처리 웨이퍼를 주입실내의 웨이퍼 스테이지 상에 탑재하고, 상기 웨이퍼의 주변부에 맞닿아서 상기 웨이퍼를 유지하기 위한 페이퍼 스토퍼를 갖는 이온주입장치에 있어서, 상기 스토퍼의 형상은 이온빔이 상기 스토퍼에 조사된 경우에도 그 부분에서 발생하여 상기 웨이퍼에 입사하는 2차 입자의 양을 최소로 되도록한 이온주입장치.
29. 다수매의 피처리 웨이퍼 유지수단상에 유지해서 상기 웨이퍼 유지수단을 고속회전시키면선 상기 웨이퍼에 바라는 이온을 주입하는 이온주입장치에 있어서, 웨이퍼의 로드 및 언로드시에서도 상기 웨이퍼 유지수단의 웨이퍼 탑재부의 온도를 이온주입시와 동일한 저온으로 유지할 수 있도록한 이온주입장치.
30. 질량전하비는 다르지만 질량분석기에서의 속도의 상이에 의해 주입이온종류와 동일한 질량분석 슬릿을 통과하여 오는 이온을 저지하기 위해 빔 경로상에 그 열림부가 오도록 마련되고, 소정의 전위를 부여할 수 있는 빔 필터전극을 갖는 이온주입장치.
31. 피처리 웨이퍼에 바라는 이온을 주입할 때, 상기 웨이퍼를 실온이하로 냉각하는 이온주입 방법에 있어서, 이온주입후, 상기 웨이퍼를 주입실에서 외기중에 취출하기 전에 상기 웨이퍼를 가열하는 것에 의해 외기중에 취출했을때 결로가 발생하지 않도록하는 이온주입 방법.
32. 특허청구의 범위 제 31항에 있어서, 상기 가열은 상기 웨이퍼를 10℃이상의 온도로 가열하는 것에 의해 이루어지는 이온주입 방법.
33. 특허청구의 범위 제 32항에 있어서, 상기 가열은 램프에 의한 이온주입방법.
34. 특허청구의 범위 제 32항에 있어서, 상기 가열은 웨이퍼보다 고온의 가스를 취출하기 전의 웨이퍼에 공급하는 것에 의해 이루어지는 이온주입방법.
35. 특허청구의 범위 제 34항에 있어서, 상기 가스는 실온 이상으로 가열되어 있는 이온주입방법.
36. 특허청구의 범위 제 35항에 있어서, 상기 가스는 건조가스인 이온주입방법.
37. 특허청구의 범위 제 36항에 있어서, 상기 가스는 질소가스로 이루어지는 이온주입방법.
38. 피처리 웨이퍼를 대기하는 상태에서 실온이하로 냉각한 상태로 상기 웨이퍼에 바라는 이온을 주입하는 이온 주입방법에 있어서, 상기 웨이퍼의 근방에 상기 웨이퍼로의 바라지 않는 오염, 사이드 이온 또는 분자의 응축, 흡착 부착을 방지하기 위한 상기 대기상태의 웨이퍼 온도보다 저온의 보조냉각면을 배치하는 이온주입방법.
39. 특허청구의 범위 제 38항에 있어서, 상기 보조냉각면은 상기 웨이퍼를 수용한 주입실을 배기하기 위한 클라이오 펌프의 하나 또는 그 이상의 클이오면과는 별개로 마련되고, 상기 보조냉각면의 온도는 상기 하나 또는 그 이상의 클라이오면중 최저온도의 클라이오면의 온도보다 높게할 수 있는 이온주입방법.
40. 특허청구의 범위 제 39항에 있어서, 상기 보조냉각면의 온도는 대기상태의 상기 웨이퍼 온도보다 적어도 10℃ 낮은 이온주입방법.
41. 피처리 웨이퍼상에서의 주입이온에 의한 차지업을 방지하기 위해 상기 웨이퍼상에 주입이온과 반대의 전하에 대전한 입자를 공급하여 중화하도록한 이온주입 방법에 있어서, 상기 중화입자공급량이 소정의 값보다 저하했을 때는 주입이온의 이온원에서의 방출을 순시에 정지시키는 이온주입방법.
42. 특허청구의 범위 제 41항에 있어서, 상기 이온방출의 정지동작은 상기 중화용 하전입자 공급을 감시하는 모니터수단에서의 신호에 의해 상기 이온원의 인출전압을 제어하는 것에 의해 실행되는 이온주입방법.
43. 특허청구의 범위 제 42항에 있어서, 상기 이온주입방법은 5mA 이상의 빔강도로 실행되는 이온주입방법.
44. 주입실내에 마련된 이온주입용 웨이퍼 스테이지 상에서의 피철 웨이퍼를 대기하는 상태에서, -200℃이하로 냉각하면서 이온주입을 실행하는 이온주입방법.
45. 특허청구의 범위 제 44항에 있어서, 상기 이온주입방법의 빔전류는 5mA 이상인 이온주입방법.
46. 특허청구의 범위 제 45항에 있어서, 상기 웨이퍼 냉각은 헬륨을 냉매로서 사용하는 이온주입방법.
47. 특허청구의 범위 제 46항에 있어서, 상기 웨이퍼 냉각은 냉매의 단열팽창을 이용하여 냉각을 실행하는 이온주입방법.
48. 다수의 피처리 웨이퍼를 웨이퍼 유지수단상에 유지한 상태에서 상기 웨이퍼 유지수단을 고속회전시키면서 바라는 이온을 주입하도록한 이온주입방법에 있어서, 이온주입중의 웨이퍼를 냉각하여 웨이퍼 이면온도를 실온이하로 냉각하도록한 이온주입방법.
49. 특허청구의 범위 제 48항에 있어서, 상기 웨이퍼의 냉각은 상기 웨이퍼 유지수단이 회전하고 있는 동안에도 냉매유체를 상기 유지수단내에 순환시킬 수 있는 이온주입방법.
50. 가) 이온을 방출하기 위한 이온소스, 나) 이온소스의 근방에 마련된 소스에서 이온을 인출하기 위한 인출전극, 다) 상기 방출이온중에서 바라는 이온을 선별하기 위한 질량분석자석수단, 라) 상기 자석수단에 의해 분해된 이온중 바라는 이온을 선택적으로 통과시키는 분석기 슬릿, 마) 상기 분석기 슬릿을 통과한 바라는 이온에 바라는운동에너지를 부여하기 위해 상기 분석기 슬릿의 뒤쪽에 마련된 후단가속전극군, 바) 상기 후단가속전극군을 통과한 이온빔을 피처리 웨이퍼에 주입하기 위해 1매 또는 그 이상의 피처리 웨이퍼를 상기 후단가속전극군의 출구에 대향하여 유지한 웨이퍼 유지수단, 사) 상기 인출전극 직후에서 상기 후단가속전극군의 출구까지의 빔라인에 따라서 마련된 상기 빔라인의 상기 구간의 진공도를 그 전역에 걸쳐서 이온의 주입시에 소정의 진공도 이상으로 설정할 수 있도록한 다수의 진공배기수단으로 이루어지는 이온주입장치를 사용한 상기 피처리 웨이퍼로의 이온주입방법에 있어서, 상기 소정의 진공도 1.0×10^-5Torr인 이온주입방법.
51. 특허청구의 범위 제 50항에 있어서, 상기 진공도는 1.0×10^-5Torr 이상인 이온주입방법.
52. 특허청구의 범위 제 51항에 있어서, 상기 진공도는 다가 이온주입시에 다른 가수를 갖는 이온종류의 혼입을 방지할 수 있도록 주입시 1.0×10^-5Torr 이상으로 하는 이온주입방법.
53. 특허청구의 범위 제 50항에 있어서, 상기 다수의 진공배기수단은 모두 오일 프리배기계로 이루어지는 이온주입방법.
54. 특허청구의 범위 제 53항에 있어서, 상기 다수의 배기수단의 적어도 2개는 상기 분석기 슬릿의 양측에 마렴되고, 하나는 상기 분석기 슬릿과 후단가속전극군의 입구 사이에, 다른쪽은 상기 질량 분자석의 근방에 마련되는 이온주입방법.
55. 피처리 웨이퍼에 주입해야할 에너지까지 가속한 이온빔에 편향을 가하는 일없이 직접 그 빔을 사용하여 상기 피처리 웨이퍼를 이동시키면서 상기 피처리 웨이퍼에 이온을 주입하는 빔 강도가 10mA이상인 이온주입방법에 있어서, 빔라인에 2 또는 그 이상의 진공배기계를 접속하여 이온주입중에서의 빔 라인 진공도를 향상한 이온주입방법.
56. 특허청구의 범위 제 55항에 있어서, 상기 빔라인중 질량분석기의 질량분석슬릿에서 후단 가속관 출구까지의 후부 빔라인의 진공도는 이온주입 동작시에, 상기 후부 빔라인내에서의 이온의 평균 자유행정은 상기 후부 빔라인의 빔라인에 따른 빔의 주행거리의 10배보다 큰 이온주입방법.
57. 특허청구의 범위 제 56항에 있어서, 상기 후단가속관 출구근방은 상기 부분을 배기하기 위한 진공배기계에 의해 배기되어 있는 이온주입방법.
58. 피처리 웨이퍼를 주입실내의 웨이퍼 스테이지상에 탑재하고, 상기 웨이퍼의 주변부에 맞닿아서 상기 웨이퍼를 유지하기 위한 웨이퍼스토퍼에 의해 웨이퍼를 유지하는 이온주입방법에 있어서, 상기 스토퍼의 형상은 이온빔이 상기 스토퍼에 조사된 경우에도 그 부분에서 발생하여 상기 웨이퍼에 입사하는 2차 입자의양을 최소로 이루어지도록 하여 실행하는 이온주입방법.
59. 다수매의 피처리 웨이퍼를 웨이퍼 유지수단상에 유지하고, 상기 웨이퍼 유지수단을 고속회전시키면서 상기 웨이퍼에 바라는 이온을 주입하는 이온주입방법에 있어서, 웨이퍼의 로드 및 언로드시에서도 상기 웨이퍼 유지수단의 웨이퍼 탑재부의 온도를 이온주입시와 동일한 저온으로 유지하도록한 이온주입방법.
60. 질량전하비는 다르지만 질량분석기 입구에서의 속도의 상이에 의해 주입이온종류와 동일한 질량분석 슬릿을 통과하여 오는 바라지 않는 이온을 저지하기 위해 빔경로상에 그 열림부가 오도록 마련되고, 소정의 전위를 부여한 빔필터전극에 의해 상기 바라지 않는 이온이 상기 필터를 통과하지 않고 바라는 이온을 통과시키도록 하여 상기 바라는 이온을 피처리 웨이퍼에 주입하도록한 이온주입방법.
61. 피처리 웨이퍼로 불순물 이온을 주입하여 상기 웨이퍼상에 반도체 집적회로를 형성하는 반도체 집적회로장치의 제조방법에 있어서, 대기시에 웨이퍼가 실온으로 되어 있는 이온주입장치에 의해 바라는 불순물 이온을 소정의 농도로 주입한 것으로는 충분히 주입층이 아몰퍼스화하지 않는 경우에 상기 웨이퍼를 주입층이 충분히 아몰퍼스화하는 온도까지 냉각하여 상기 소정 농도로 상기 소정 불순물 이온을 주입하는 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
62. 특허청구의 범위 제 61항에 있어서,
63. 피처리 웨이퍼로 불순물 이온을 주입하여 상기 웨이퍼상에 반도체 집적회로를 형성하는 반도체 집적회로장치의 제조방법에 있어서, 대기시에 웨이퍼가 실온으로 되어 있는 이온주입장치에 의하여 소정의 불순물 이온을 소정의 농도로 주입한 것으로는 충분히 아몰퍼스화하지 않는 경우, 상기 소정의 불순물 이온이 주입되기 전에 상기 불순물 이온이 주입되어야할 부분에 충분히 그 부분이 아몰퍼스화되도록 제 4기 원소로 되는 다른 이온을 주입하여 미리 아몰퍼스화한 후에 소정의 불순물 이온을 주입하는 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
64. 특허청구의 범위 제 63항에 있어서, 상기 다른 이온주입시에는 상기 웨이퍼의 표면온도를 실온이하로 되도록 냉각하는 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
65. 특허청구의 범위 제 64항에 있어서, 상기 소정의 불순물 이온주입시에는 상기 웨이퍼의 표면 온도를 실온이하로 유지하는 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
66. 특허청구의 범위 제 65항에 있어서, 상기 다른 이온주입공정과 상기 소정의 불순물 이온 주입공정은 동일한 장치내에서 연속적으로 실행되는 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
67. 특허청구의 범위 제 66항에 있어서, 상기 다른 불순물 이온든 Ge로 되는 이온인 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
68. 특허청구의 범위 제 67항에 있어서, 상기 소정의 불순물 이온은 붕소단체 이온인 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
69. 가) 그 위에 반도체 장치를 형성해야할 웨이퍼의 제 1의 주면에 그 온도가 실온이하로 유지되도록 냉각한 상태에서 소정의 불순물 이온을 이온주입에 의해 주입하는 공정, 나) 상기 공정후, 상기 주입층을 활성화하기 위해 적어도 상기 웨이퍼의 상기 제 1의 주면에 대하여 900℃ 이하의 열처리를 실시하는 공정으로 이루어지는 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
70. 그 위에 반도체 장치를 형성해야할 웨이퍼의 제 1의 주면에 그 온도가 실온이하로 유지되도록 냉각한 상태에서 소정의 분자이온으로 되는 불순물 이온을 이온주입에 의해 주입하는 공정으로 이루어지는 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
71. 특허청구의 범위 제 70항에 있어서, 상기 분자이온은 붕소를 포함하는 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
72. 가) 그 위에 반도체 집적회로를 형성해야할 웨이퍼의 제 1의 주면에 그 온도가 실온이하로 유지되도록 냉각한 상태에서 소정의 제 1의 불순물 이온을 이온주입에 의해 주입하는 공정, 나) 상기 공정후, 웨이퍼의 표면온도를 상승시키는 일 없이 상기 제 1의 주면에 소정의 제 2의 불순물 이온을 이온주입에 의해 주입하는 공정으로 이루어지는 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
73. 가) 그 위에 반도체 직접회로를 형성해야 할 웨이퍼의 제 1의 주면에 그 온도가 실온이하로 유지되도록 냉각한 상태에서 소정의 제 1의 불순물 이온을 이온주입에 의해 주입하는 공정, 나) 상기 공정후, 상기 웨이퍼의 온도가 상승하기전에 상기 웨이퍼의 상기 제 1의주면을 램프 어닐하는 공정으로 이루어지는 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
74. 특허청구의 범위 제 73항에 있어서, 상기 어닐은 상기 소정의 불순물을 주입한 이온주입실내에서 실행되는 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
75. 특허청구의 범위 제 74항에 있어서, 상기 이온주입시의 웨이퍼 온도는 10℃ 이하인 반도체 직접회로 장치의 제조방법.
76. 반도체 기판의 온도를 20℃ 이하로 유지한 상태에서의 저온 이온주입과 950℃ 이하의 저온 열처리를 통하여 형성된 접합을 갖는 반도체 직접회로 장치.
77. 베이스영역에 대하여 베이스 인출용 전극, 이미터 열림구멍, 이미터 인출용 전극의 각각이 자기 정합으로 형성되는 자기정합형 바이폴라 트랜지스터를 갖는 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 자기정합형 바이폴라 트랜지스터의 이미터 접합이 반도체 기판의 온도를 20℃ 이하로 유지한 상태에서의 저온 이온주입과 905℃ 이하의 저온 열처리를 통하여 형성되어 있는 반도체 집적회로 장치.
78. 특허청구의 범위 제 76항에 있어서, 상기 접합의 깊이가 0.2㎛ 이하로 되어 있는 반도체 집적회로 장치.
79. 구멍 사이즈가 0.2㎛이하이고, 단차가 0.3㎛ 이상인 접촉구멍을 갖는 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 접촉구멍 바로 아래의 반도체 영역이 이온주입에 의해서 형성되고, 상기 반도체 영역에 의해서 구성되는 접합의 깊이가 0.2㎛ 이하로 되어 있는 반도체 집적회로 장치.
80. 반도체 기판 주면부가 아몰퍼스화되는 이온주입공정과 그 후의 열처리 공정을 통하여 반도체 영역을 형성함에 있어서 상기 아몰퍼스화에 의해서 형성되는 아몰퍼스층과 비아몰퍼스층 사이의 천이영역의 폭을 200㎛ 이하로 되도록한 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
81. 프리아몰퍼스화를 위한 이온주입에 의한 아몰퍼스화공정, 바라는 이온의 주입공정 및 열처리 공정을 통해서 반도체 영역을 형성함에 있어서 반도체 기판의 온도를 20℃ 이하로 유지한 상태에서 Si 또는 Ge의 이온주입을 실행하여 반도체 기판 주면부를 아몰퍼스화한 후, 바라는 불순물 이온의 주입을 실행하고, 그 후에 950℃ 이하의 저온 열처리를 실시하는 것에 의해 상기 반도체 영역을 형성하도록한 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
82. 반도체 기판 주면부가 아몰퍼스화되는 이온 주입공정, 그 후의 열처리 공정을 통하여 반도체 영역을 형성함에 있어서 반도체 기판의 온도를 20℃ 이하로 유지한 상태에서 바라는 불순물 이온의 주입을 실행하고, 그 후에 950℃ 이하의 저온 열처리를 실시하는 것에 의해 상기 반도체 영역을 형성하도록한 반도체 집적회로장치의 제조방법.
83. 특허청구의 범위 제 80항에 있어서, 상기 반도체 영역에 의해서 구성되는 접합의 깊이를 0.2㎛ 이하로 한 반도체 집적회로 장치의 제조방법.
84. 특허청구의 범위 제 80항에 있어서, 상기 열처리 시간을 30분 이하로 한 반도체 집적회로 장치의 제조방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.